KR0129950B1 - 반사방지막 조성물 - Google Patents

반사방지막 조성물

Info

Publication number
KR0129950B1
KR0129950B1 KR1019940032130A KR19940032130A KR0129950B1 KR 0129950 B1 KR0129950 B1 KR 0129950B1 KR 1019940032130 A KR1019940032130 A KR 1019940032130A KR 19940032130 A KR19940032130 A KR 19940032130A KR 0129950 B1 KR0129950 B1 KR 0129950B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
compound
group
photoresist
alkyl
weight
Prior art date
Application number
KR1019940032130A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960018765A (ko
Inventor
최영준
Original Assignee
김광호
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019940032130A priority Critical patent/KR0129950B1/ko
Priority to JP7310808A priority patent/JPH08225773A/ja
Priority to US08/564,959 priority patent/US5597408A/en
Publication of KR960018765A publication Critical patent/KR960018765A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0129950B1 publication Critical patent/KR0129950B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

포토레지스트막과 기판에 대하여 접착성을 가짐과 동시에 반사방지능을 가지는 반사방지막 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 유기실란, 유기실라잔, 또는 유기실록사잔 구조와 특정 파장대에서 광흡수성을 갖는 염료류의 화합물 구조를 동시에 가지는 화합물 1.0-5.0중량%, 용매 50.0-99.0중량%, 및 선택적으로 수용성 고분자를 0-10중량% 함유한다. 본 발명에서는 단일한 조성물에 의하여 포토레지스트막의 접착성과 노광시의 반사방지 효과를 동시에 얻는 장점이 있다.

Description

반사방지막 조성물
본 발명은 반사방지막 조성물에 대한 것으로 상세하게는 포토레지스트막 및 기판에 대하여 접착성을 가지는 반사방지막 조성물에 대한 것이다.
포토레지스터는 광을 조사함에 따라 가교화가 일어나 불용화, 또는 가용화가 일어나는 감광성 고분자 물질로 구성되어진다. 감광성 고분자 물질은 소수성의 유기물질이기 때문에 친수성이 강한 물질과는 상호 접착성이 좋지 않다. 따라서 포토레지스트가 상대적으로 친수성이 강한 기판물질의 상부에 도포될 때 접촉불량이 일어나기 쉽다. 포토레지스트의 접촉불량은 언더커팅(undercutting), 해상도의 저하, 또는 극단적인 경우 패턴의 멸실까지 초래할 수 있는 요인이다. 또한 상기 접촉불량은 포토레지스트가 기판으로부터 리프트(lift)될 가능성을 증대시키는 문제점이 있다. 만일 포토레지스트가 후속하는 식각등의 공정에서 일어나 버리면(lift off), 현상되는 이미지의 크기는 목적한 바에서 벗어나게 되는 문제점이 있다.
포토레지스트와 기판과의 접착성을 증가시키기 위해 벌키(bulky)한 탄화수소기를 가진 실란 화합물, 실록사잔(siloxazane)화합물등으로 기판의 표면을 처리하는 방법이 제안된 바 있다. 이 중 포토레지스트의 접착성을 증가시키는 가장 대표적인 방법은 접착촉진제로서 유기실란 화합물의 일종인 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 사용하는 것이다. 이 HMDS는 분자내 Si 원자가 기판의 산소원자와 결합하게 함으로써 친수성 표면을 소수성으로 만들어 준다.
한편, 포토리소그래피 공정에서 기판 표면의 토폴로지(topology)가 복잡해짐에 따라 난반사로 인한 노칭(notching)현상이 중요한 문제로 대두된다. 포토레지스트의 노칭을 방지하기 위해 사용되는 광원의 파장대에서 광흡수성이 있는 물질을 이용하여 반사되는 빛을 흡수하는 방법이 있다.
구체적으로 436nm(g-라인), 또는 365nm(i-라인)의 빛을 흡수하는 화합물이 반사되는 빛을 흡수하여 포토레지스트 내의 광활성성분(Photoactive compound : PAC)의 광변화를 방지한다.
이와같은 광흡수제의 사용에는 포토레지스트 내에 염료를 첨가하는 직접적인 방법과, 염료 또는 특정파장 흡수 화합물을 포토레지스트 혹은 기판 위에 도포하는 방법이 있다. 염료가 첨가된 특수 포토레지스트는 광흡수계수가 커 반사광을 흡수하므로 미노광부의 광활성성분(Photoactive compound)이 반사광에 의해 반응하지 않도록 보호해준다. 그런데 상기와 같이 염료를 첨가하게 되면 노광량이 증가되어져야 하기 때문에 최근의 추세는 반사방지막을 이용하여 포토레지스트의 노칭현상을 방지하는 방향으로 발전하고 있다. 이러한 반사방지막으로는 특정 파장대에서 광흡수 최고파장을 갖는 염료류의 화학물질을 함유하는 수용성 고분자 물질이 널리 사용되고 있다. 이와는 달리 염료류 물질만을 도포한 뒤 진공건조하여 50nm 정도의 얇은 반사방지막을 수득하는 기술이 제안되어지기도 했다.
상기한 바와 같이, 포토레지스트의 접착성을 개선하고 노광시의 난반사로 인한 노칭현상을 개선하기 위하여 종래에는 HMDS등의 접착촉진제(Adhesion promoter)의 사용과 염료등의 광흡수제의 사용을 각각 별개로 수행해야 하고 이로 인해 반도체 장치 제조상의 비용이 증가하는 문제점이 있었다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 포토레지스트의 접착성 향상과 난반사로 인한 노칭현상 방지효과를 동시에 얻을 수 있는 단일 화합물 또는 그것을 포함한 조성물을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유기실란, 유기실라잔, 또는 유기실록사잔 구조와 특정 파장대에서 광흡수성을 갖는 염료류의 화합물 구조를 동시에 가지는 화합물 1.0-5.0중량%, 용매 50.0-99.0중량%, 및 선택적으로 수용성 고분자를 0-10중량% 함유하는 반사방지막 조성물을 제공한다.
상기 유기실란, 유기실라잔, 또는 유기실록사잔 구조는 R4Si, R3SiNH3, 또는 (H2NSiR2)2O의 화학식을 갖는다. 단 여기서 R은 수소, 알킬, 아릴(aryl), 또는 알콕시기이다.
바람직하게는 상기 유기실란, 유기실라잔, 또는 유기실록사잔기가 트리알킬[p-1-(2-디알킬아미노알콕시카르보닐-2-히드록시알킬)페닐]실란(Trialkyl[p-1-(2-dialkylaminoalkoxycarbonyl-2-hydroxyalky)phenyl]silane), [4,6-디페닐-1,3,5-트리아시닐-2-아미노알킬]트리알킬실란(4,6-diphenyl-1,3,5-triasinyl-2-aminoalkyl]trialkylsilane), 디알킬[p-(2-모르포리노카르보닐알킬)페닐]실라잔(Dialkyl[p-(2-morpholinocarbonylalkyl)phenyl]silazane), 알킬실록사잔(Alkylsiloxazane), 및 아릴실록사잔(arylsiloxazane)으로 구성된 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것이 좋다.
상기 특정 파장대에서 광흡수성을 갖는 염료류의 화합물 구조는 1,1'-비안트라세닐폴리엔(1,1'-biantracenylpolyene), 4-(β,β-디시아노비닐)-3-알킬-N,N-디알킬아닐린(4-(β,β-dicyanovinyl)-3-alkyl-N,N-dialkylaniline), 4-트리시아노비닐-3-할로-N,N-디알킬아닐린(4-tricyanovinyl-3-halo-N,N-dialkylaniline), 알킬페닐아조치오포르민 산(Alkylphenylazothioformic acid), 쿠마린 유도체, 및 치오아크리돈 유도체로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것이 바람직하다.
상기 염료류 화합물의 광 최대흡수 파장은 300-500nm 범위에 있다.
상기 용매는 알콜, 글리콜 에테르, 방향족 탄화수소, 케톤, 에스테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것이 바람직하다.
상기 수용성 고분자는 셀룰로오스, 폴리사카라이드, 및 폴리 알콜로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것이 바람직하다.
본 발명의 반사방지막 물질의 조성을 표로 나타내면 다음과 같다.
본 발명에서는 단일 화학종 분자내에 기판과 포토레지스트 양쪽에 대해 접착성을 가지는 유기실란 구조와 특정 파장에 대하여 광흡수계수가 큰 염료류의 화합물 구조를 모두 가지는 조성물이 제공되어진다. 즉, 본 발명의 조성물은 포토레지스트의 접착성 향상효과와 노칭현상 방지효과를 동시에 얻을 수 있는 것이다.
이하 본 발명을 바람직한 실시예에 의거하여 더욱 상세히 설명한다.
실시예 1
디메틸[p-1-[2-디에틸아미노-2-{4-(β,β-디시아노비닐)-3-메틸}메탈아미노]에톡시카르보닐-2-히드록시메틸페닐]실라잔 5.0중량%와 에탄올/아세톤이 부피비 20/80으로 혼합된 용매를 이용하여 반사방지막 조성물을 형성하였다. 그 결과 HMDS를 처리한 기판과 마찬가지로 포토레지스트의 리프트가 일어나지 않았으며 포토레지스트의 노칭현상도 개선되었다.
실시예 2
상기 실시예 1에서와 동일한 조건에서 유기실라잔에 폴리비닐알콜 5.0%를 첨가하고 용매를 90%만 사용하였다. 그 결과 실시예 1에 비해 포토레지스트의 노칭 개선효과가 약 7.5% 증가했다.
실시예 3
실시예 1과 동일한 조건이나 실시예 1에서 사용한 유기실라잔 화합물 대신에 [4-[p-{4-(β,β-디시아노비닐)-3-메틸}메틸아미노페닐]-6-페닐-1,3,5-트리아시닐-2-아미노부틸]디메틸실라잔을 사용한 결과 포토레지스트 접착성과 노칭현상의 개선에 효과가 있었다.
실시예 4
실시예 3과 동일하나 폴리비닐알콜 5.0중량%를 첨가하고 용매를 90중량%만 사용하였다. 그 결과 접착성과 노칭현상이 개선되었다.
실시예 5
[4-{p-(o-에틸페닐)히드라질페닐}-6-페닐-1,3,5-트리아시닐-2-아미노부틸]디메틸실라잔 6.0중량%와 에틸셀로솔브 아세테이트/아세톤이 10/90의 부피비로 혼합된 용매 94.0중량%를 사용하여 반사방지막 조성물을 형성한 결과 포토레지스트의 리프트 방지와 노칭 현상의 개선에 효과가 있음을 관찰할 수 있었다.
실시예 6
실시예 5와 같으나 폴리 사카라이드 5.0중량%를 첨가하고 용매는 89중량%만 사용하였다. 그 결과 포토레지스트의 리프트 방지와 노칭현상의 개선에 효과가 있음이 관찰되었다.
실시예 7
[[1-{4-(β,β-디시아노비닐)-3-메틸}메틸아미노메틸]-1'-(o-에틸페닐)히드라질메틸]디실록사잔 4.0중량%와 에틸셀로솔브 아세테이트/에탄올이 부피비 15/85로 혼합된 용매 96중량%를 사용하여 반사방지막 조성물을 형성한 결과 포토레지스트의 리프트 방지와 노칭 현상의 개선에 효과가 있었다.
비교예 1
HMDS를 사용한 결과 포토레지스트의 리프트 방지에만 효과가 있음이 관찰되었다.
비교예 2
폴리아믹 산(Polyamic acid) 6.7중량%, 쿠르쿠민(Curcumin) 5.3중량%, 폴리비닐피롤리돈 1중량%, 및 시클로헥사논/N-메틸-2-피롤리돈이 중량비 2/1로 혼합된 용매 87중량%를 사용한 결과 포토레지스트의 노칭 현상만 개선되는 효과가 있었다.
상기한 바와 같이 본원발명에 의하면, 기판과 포토레지스트 양쪽에 대해 접착성을 가지는 유기실란, 유기실라잔 또는 유기실록사잔 구조와 특정 파장에 대하여 광흡수계수가 큰 염료류의 화합물 구조를 단일 화학종 분자내에 모두 가지는 조성물이 제공되어진다. 즉, 본 발명의 조성물은 포토레지스트의 접착성 향상효과와 노칭현상 방지효과를 동시에 얻을 수 있는 것이다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예들을 들어 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 당업자가 가진 통상적인 지식의 범위내에서 그 변형이나 개량이 가능하다.

Claims (7)

  1. 유기실란, 유기실라잔, 또는 유기실록사잔 구조와 특정 파장대에서 광흡수성을 갖는 염료류의 화합물 구조를 동시에 가지는 화합물 1.0-5.0중량%, 용매50.0-99.0중량%, 및 선택적으로 수용성 고분자를 0-10중량% 함유하는 반사방지막 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기실란, 유기실라잔, 또는 유기실록사잔 구조는 R4Si, R3SiNH3, 또는 (H2NSiR2)2O의 화학식을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 반사방지막 조성물.(단 여기서 R은 수소, 알킬, 아릴(aryl), 또는 알콕시기이다)
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기실란, 유기실라잔, 또는 유기실록사잔 구조가 트리알킬[p-1-(2-디알킬아미노알콕시카르보닐-2-히드록시알킬)페닐]실란(Trialkyl[p-1-(2-dialkylaminoalkoxycarbonyl-2-hydroxyalky)phenyl]silane), [4,6-디페닐-1,3,5-트리아시닐-2-아미노알킬]트리알킬실란(4,6-diphenyl-1,3,5-triasinyl-2-aminoalkyl]trialkylsilane), 디알킬[p-(2-모르포리노카르보닐알킬)페닐]실라잔(Dialkyl[p-(2-morpholinocarbonylalkyl)phenyl]silazane), 알킬실록사잔(Alkylsiloxazane), 및 아릴실록사잔(arylsiloxazane)으로 구성된 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반사방지막 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 특정 파장대에서 광흡수성을 갖는 염료류의 화합물 구조가 1,1'-비안트라세닐폴리엔(1,1'-biantracenylpolyene), 4-(β,β-디시아노비닐)-3-알킬-N,N-디알킬아닐린(4-(β,β-dicyanovinyl)-3-alkyl-N,N-dialkylaniline), 4-트리시아노비닐-3-할로-N,N-디알킬아닐린(4-tricyanovinyl-3-halo-N,N-dialkylaniline), 알킬페닐아조치오포르민 산(Alkylphenylazothioformic acid), 쿠마린 유도체, 및 치오아크리돈 유도체로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반사방지막 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 염료류 화합물의 광 최대흡수 파장이 300-500nm 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반사방지막 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 용매가 알콜, 글리콜 에테르, 방향족 탄화수소, 케톤, 에스테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반사방지막 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 수용성 고분자가 셀룰로오스, 폴리사카라이드, 및 폴리 알콜로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 반사방지막 조성물.
KR1019940032130A 1994-11-30 1994-11-30 반사방지막 조성물 KR0129950B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940032130A KR0129950B1 (ko) 1994-11-30 1994-11-30 반사방지막 조성물
JP7310808A JPH08225773A (ja) 1994-11-30 1995-11-29 反射防止膜組成物
US08/564,959 US5597408A (en) 1994-11-30 1995-11-30 Anti-reflective coating composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940032130A KR0129950B1 (ko) 1994-11-30 1994-11-30 반사방지막 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960018765A KR960018765A (ko) 1996-06-17
KR0129950B1 true KR0129950B1 (ko) 1998-04-03

Family

ID=19399772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940032130A KR0129950B1 (ko) 1994-11-30 1994-11-30 반사방지막 조성물

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5597408A (ko)
JP (1) JPH08225773A (ko)
KR (1) KR0129950B1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3694703B2 (ja) * 1996-04-25 2005-09-14 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止コーティング用組成物
JP4285906B2 (ja) * 1998-04-29 2009-06-24 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. セルロースバインダ由来の速エッチング性かつ熱硬化性の非反射コーティング
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
AU5600200A (en) * 1999-06-10 2001-01-02 Allied-Signal Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6268457B1 (en) 1999-06-10 2001-07-31 Allied Signal, Inc. Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography
JP3795333B2 (ja) 2000-03-30 2006-07-12 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物
JP4381143B2 (ja) * 2001-11-15 2009-12-09 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド フォトリソグラフィー用スピンオン反射防止膜
KR100480235B1 (ko) * 2002-07-18 2005-04-06 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법
AU2002357645A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-08 Honeywell International, Inc. Interlayer adhesion promoter for low k materials
KR100832247B1 (ko) * 2002-11-27 2008-05-28 주식회사 동진쎄미켐 유기 난반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US8642246B2 (en) * 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
US10544329B2 (en) 2015-04-13 2020-01-28 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
CN115819359A (zh) * 2018-05-03 2023-03-21 江苏裕事达新材料科技有限责任公司 一种防蓝光化合物、制备方法及其组合物

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2739845A1 (de) * 1977-09-03 1979-03-15 Dynamit Nobel Ag Verfahren zur herstellung von farbpigmenten
IT1173680B (it) * 1983-10-28 1987-06-24 Montedison Spa Coloranti e pigmenti compositi perilenici tetracarbossilici diimidici silanici
DE59400199D1 (de) * 1993-02-09 1996-05-23 Ciba Geigy Ag Mit Silanen beschichtete organische Pigmente

Also Published As

Publication number Publication date
US5597408A (en) 1997-01-28
KR960018765A (ko) 1996-06-17
JPH08225773A (ja) 1996-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0129950B1 (ko) 반사방지막 조성물
US6268457B1 (en) Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography
US7678462B2 (en) Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
JP5299788B2 (ja) 反射防止膜組成物
US7736837B2 (en) Antireflective coating composition based on silicon polymer
US8344088B2 (en) Spin-on anti-reflective coatings for photolithography
KR102047538B1 (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
US20070298349A1 (en) Antireflective Coating Compositions Comprising Siloxane Polymer
JP3801398B2 (ja) 反射防止膜材料及びパターン形成方法
JPH0675378A (ja) 反射防止コーティング組成物及びその製造方法
KR20060049045A (ko) 실세스퀴옥산 함유 화합물 및 이의 제조 방법
KR20050027243A (ko) 반사 방지막 형성 조성물
WO2008104874A1 (en) Process for making siloxane polymers
US20220171095A1 (en) Composition, film, structural body, color filter, solid-state imaging element, and image display device
KR20040008434A (ko) 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법
KR102264694B1 (ko) 고분자 가교제, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성방법
JP7212765B2 (ja) 組成物、膜および膜の製造方法
JPH0235455A (ja) レジスト材料およびパターン形成方法
TW202112667A (zh) 組成物、膜、結構體、濾色器、固體攝像元件及圖像顯示裝置
KR100840784B1 (ko) 반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법
KR100598166B1 (ko) 유기 반사방지막용 가교제 중합체, 이를 포함하는 유기반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 패턴형성 방법
KR20050009509A (ko) 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20110060637A (ko) 흡광제 및 이를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20071101

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee