KR100840784B1 - 반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 - Google Patents

반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 Download PDF

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Abstract

반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법이 개시된다. 유기반사 방지막 조성물은 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지에 무라민산 유도체와 만델르산 유도체를 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 반사 방지막 형성용 폴리머 20 내지 35중량%, 및 여분의 용매를 포함한다. 상기와 같은 유기반사 방지막 조성물을 적용하여, 우수한 프로파일을 갖는 패턴을 형성할 수 있다.

Description

반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법{Polymer for forming an anti-reflective coating film, Organic anti-reflective coating composition having the polymer and Method of forming a pattern using the same}
도 1 내지 도 5는 본 발명에 따른 유기반사 방지막 조성물을 이용한 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 실시예 2에서 제조된 조성물을 이용하여 형성된 반사 방지막의 표면을 보여주는 전자 현미경 사진이다.
도 7은 비교예 1에서 제조된 조성물을 이용하여 형성된 반사 방지막의 표면을 보여주는 전자 현미경 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 102 : 박막
104 : 유기반사 방지막 106 : 포토레지스트 막
108 : 포토레지스트 패턴 110: 마스크
112 : 유기반사 방지막 패턴 114: 박막 패턴
본 발명은 반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토레지스트 패턴 형성 시 적용되는 반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력이 요구됨에 따라 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 따라서 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술인 사진 식각(photo-lithography) 공정과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구가 엄격해지고 있는 실정이다.
상기 반도체 장치의 제조에 있어서 포토레지스트로 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하고 있다. 그러나 상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해서는 대상막 상에 포토레지스트 막을 형성하기 전에 반사 방지막(anti-reflective coating, "ARC")을 형성해야 한다.
상기 반사 방지막은 사진 식각 공정에서는 노광 공정을 수행하여 포토레지스트를 패터닝할 경우 하부 대상막의 빛에 대한 반사를 줄이기 위해 적용된다. 즉, 상기 반사 방지막은 상기 노광 시 포토레지스트 막으로 입사되는 입사광과 대상막으로부터의 반사되는 반사광의 간섭에 의해 발생되는 정재파(standing wave) 효과를 방지하는 작용한다.
또한, 상기 반사 방지막은 이전 공정에서 기 형성된 패턴들로부터 기인하는 단차에 따른 반사 및 모서리에서의 난 반사를 방지하거나 현저히 감소시키는 작용을 하게 된다. 따라서 포토레지스트 패턴을 형성하기 전에 반사 방지막을 형성함으로써 형성하고자 하는 미세 회로 패턴의 선폭(critical dimension, "CD")을 정확하게 하여 반도체 제조공정 조건의 허용도(process latitude)를 증가시킬 수 있다.
상술한 특성을 갖는 반사 방지막은 그 조성에 따라 무기물계의 무기 반사 방지막과 유기물계의 유기반사 방지막으로 구분된다. 상기 무기 반사 방지막은 하부 대상막의 단차에 대하여 우수한 접합 특성을 가지고 있으나, 후속 공정에서 제거가 용이하지 않고, 형성되는 포토레지스트 패턴과의 접합특성이 좋지 않는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 요즘은 무기 반사 방지막 대신에 유기반사 방지막을 주로 사용되고 있으나, 우수한 프로파일을 갖는 패턴을 형성할 수 있는 유기 반사 방지막의 개발은 여전히 요구되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1 목적은 우수한 프로파일을 갖는 패턴을 형성하기 위한 반사 방지막 형성용 폴리머를 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제2 목적은 상기 반사 방지막 형성용 폴리머를 포함하는 유기반사 방지막 조성물을 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제3 목적은 상기 유기반사 방지막 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법을 제공하는데 있다.
상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지막 형성용 폴리머는, 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지에 하기 구조식 1로 표시되는 화합물 및 하기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함한다.
Figure 112007042963274-pat00001
...... (1)
Figure 112007042963274-pat00002
...... (2)
(상기 구조식 1 및 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내고, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, C2-C6 알킬카르보닐기 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, R5는 수소 원자 또는 C2-C6 알킬카르보닐기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, X1, X2, X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C4 알킬기 또는 C1-C4 알콕시기를 나타낸다)
본 발명이 일 실시예에 따르면, 상기 고분자는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물을 상기 고분자의 총 중량에 대하여 0.0015 내지 0.0023중량%로 포함하고, 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 상기 고분자의 총 중량에 대하여 0.0008 내지 0.0013중량%로 포함할 수 있다.
본 발명이 일 실시예에 따르면, 상기 고분자는 상기 아크릴레이트계 수지, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물 및 상기 구조식 2로 표시되는 화합물과 함께, 교차결합 화합물을 이용하여 제조될 수 있다.
상술한 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기반사 방지막 조성물은, 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지에 상기 구조식 1로 표시되는 화합물과 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 반사 방지막 형성용 폴리머 20 내지 35중량%와 여분의 용매를 포함한다.
상술한 본 발명의 제3 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴의 형성 방법에서는, 기판 상에 식각 대상막을 형성하고, 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지에 상기 구조식 1로 표시되는 화합물과 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 반사 방지막 형성용 폴리머 20 내지 35중량%와 여분의 용매를 포함하는 유기반사 방지막 조성물을 이용하여 상기 식각 대상막 상에 유기반사 방지막을 형성한다. 상기 유기반사 방지막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 유기반사 방지막 및 상기 식각 대상막을 순차적으로 식각하여 상기 기 판 상에 유기 반사 방지 패턴 및 패턴을 형성한다.
본 발명이 일 실시예에 따르면, 상기 유기반사 방지막을 형성하는 단계는, 상기 유기반사 방지막 조성물을 상기 식각 대상막 상에 코팅하여 예비 유기반사 방지막을 형성하고, 상기 예비 유기반사 방지막을 베이킹 하는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 반사 방지막 형성용 폴리머는 메타아크릴레이트 수지에 가교 결합을 증가시키는 무라민산 유도체를 포함하고 있다. 또한, 도포성이 우수하고, 표면 특성을 향상시키는 만델르산 유도체를 포함하고 있다.
상기와 같은 반사 방지막 형성용 조성물은 적절한 굴절율(n) 및 광흡수 상수(k)를 가지고 있어, 반도체 기판의 피식각층으로부터 반사되는 광원의 흡수도가 우수하여, 광원에 대한 광 간섭 효과를 억제하는 할 수 있는 유기반사 방지막을 형성할 수 있다. 또한, 가교 결합으로 인한 안정한 특성을 가지고 있으며, 일반 유기 용매에 대한 용매 및 열에 의하여 안정하여, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정을 수행하는 동안 용매 및 열에 의하여 박리되거나 화학 물질 발생 등에 따른 부산물의 발생이 없으며, 상부의 포토레지스트 용매에 의한 두께 손실이 작다. 뿐만 아니라, 상기 유기반사 방지막 조성물은 반도체 기판의 도포시 균일성이 우수하고, 현상 후 식각이 용이하다는 장점이 있다. 따라서, 포토리소그래피 공정에서 선명하고 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패 턴 형성 방법을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 상기 실시예에서 있어서, 막(층)이 다른 막(층) 도는 기판 상에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 다른 막(층) 또는 기판 상에 직접 형성되거나 그들 사이에 추가적인 막(층)이 개재될 수 있다.
유기반사 방지막 형성용 폴리머
본 발명에 따른 유기반사 방지막 형성용 폴리머는 우수한 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴 형성이 가능한 유기반사 방지막을 형성하기 위한 고분자 물질이다. 즉, 포토리소그래피 공정 시 광학적 특성, 식각 특성 및 표면 특성이 향상되어 우수한 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 유기반사 방지막을 형성하는데 적용되는 고분자 물질이다. 상기와 같은 유기반사 방지막 형성용 폴리머를 이용하여 형성되는 반사 방지막은 다음과 같은 특성을 지닌다.
첫째, 반도체 소자 제조 공정에 사용되는 광원에 대하여 적합한 광학 상수(optical constants)를 가진다. 즉, 유기반사 방지막은 포토리소그래피 공정 시에 광원에 대한 광 간섭 효과를 억제할 수 있는 적절한 굴절율(n) 및 광흡수 상수(k)를 가짐으로써, 상기 반사 방지막 상에 형성되는 포토레지스트 패턴이 계면 작용에 따른 포토레지스트 패턴의 하단에 언더컷(undercut) 현상의 발생을 방지할 수 있다. 둘째, 유기반사 방지막은 우수한 식각 특성을 가진다. 즉, 상부에 형성되 는 포토레지스트 패턴이 일정한 선택비를 확보하기 위해서는 상기 유기반사 방지막은 상부 포토레지스트 패턴에 비하여 상대적으로 빠른 식각 속도를 가짐으로서 식각 중 발생할 수 있는 포토레지스트 패턴의 손실을 최소화할 수 있다. 셋째, 유기반사 방지막을 형성 시 적합한 도막 형성 능력 및 도막 균일도 등과 같은 우수한 표면 특성이 가진다. 넷째, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 공정을 수행하는 동안 용매 및 열에 의하여 박리되거나 화학 물질 발생 등에 따른 부산물의 발생이 없으며, 용매 및 열에 의하여 안정한 특성을 가진다.
상술한 특성을 갖는 반사 방지막 형성용 폴리머는 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지에 하기 구조식 1로 표시되는 화합물과 하기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조된 고분자를 포함한다.
Figure 112007042963274-pat00003
...... (1)
Figure 112007042963274-pat00004
...... (2)
(상기 구조식 1 및 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내고, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, C2-C6 알킬카르보닐기 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, R5는 수소 원자 또는 C2-C6 알킬카르보닐기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, X1, X2, X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C4 알킬기 또는 C1-C4 알콕시기를 나타낸다)
일 예로서 상기 유기반사 방지막 형성용 폴리머는 상기 고분자를 단독으로 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 유기반사 방지막 형성용 폴리머는 상기 고분자가 교차결합 화합물에 의해 교차 결합된 형태일 수 있다.
상기 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지는 하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 하이드록시메틸(메타)아크릴레이트, 하이드록시펜틸(메타)아크릴레이트, 하이드록시헥실(메타)아크릴레이트 등의 적어도 하나의 아크릴레이트 단량체의 중합체일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 아크릴레이트계 수지는 상기 수산기를 포함하는 아크릴레이트 수지와 폴리에스테르, 폴리설폰, 폴리아마이드, 폴리(비닐알코올) 등의 수지와의 공중합체일 수 있다.
또한, 상기 유기반사 방지막 형성용 폴리머는 반사 방지 용도를 위해서 임의로 치환된 안트라센기, 임의로 치환된 나프틸기 또는 임의로 치환된 페닐기 등의 임의로 치환된 아릴기일 수 있는 1종 이상의 발색단 군을 적절하게 포함할 수도 있다.
본 발명의 유기반사 방지막 형성용 폴리머의 형성에 적용되는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물은 상기 반사 방지막 형성용 폴리머 내에서 가교 결합 반응(cross link reaction)을 증가시키는 역할을 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지막 형성용 폴리머에 적용될 수 있는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 예로는 N-아세틸무라민산(N-acetylmuramic acid), 무라민산(muramic acid) 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다. 예를 들어, N-아세틸무라민산은 하기 구조식 3으로 표시된다.
Figure 112007042963274-pat00005
...... (3)
상기 유기반사 방지막 형성용 폴리머의 제조 시 사용되는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 함량이 0.0015중량% 미만이면, 상기 반사 방지막 형성용 폴리머 내에 형성되는 가교 결합의 수가 너무 적어져 내용매성이 저하될 수 있고, 광원에 대한 흡광도가 지나치게 낮아지는 문제가 발생할 수 있다. 반면에, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물의 함량이 0.0023중량%를 초과할 경우, 상기 반사 방지막 형성 용 폴리머를 적용한 포토레지스트 패턴 형성 공정 시 상기 반사 방지막 형성용 폴리머를 포함하는 반사 방지막의 식각율 또는 식각 속도가 저하될 수 있고, 광원에 대한 흡광도가 지나치게 높아져서 이후 형성되는 포토레지스트 패턴에 언더컷 등이 발생하는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 상기 반사 방지막 형성용 폴리머의 제조 시 적용되는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물은 고분자의 총 중량에 대하여 0.0015 내지 0.0023중량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.0018 내지 0.0022중량%이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지막 형성용 폴리머에 적용될 수 있는 상기 구조식 2로 표시되는 화합물의 예로는 4-하이드록시-3-메톡시만델르산(4-hydroxy-3-methoxymandelic acid), 만데르산(mandelic acid), 아세틸만데르산(acetylmandelic acid) 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다. 예를 들어, 4-하이드록시-3-메톡시만델르산은 하기 구조식 4로 표시된다.
Figure 112007042963274-pat00006
...... (4)
상기 구조식 2로 표시되는 화합물은 상기 반사 방지막 형성용 폴리머를 적용하여 형성한 유기반사 방지막의 도막 형성 능력 및 도막 균일도 등과 같은 표면 특성을 향상시킨다.
상기 유기반사 방지막 형성용 폴리머의 제조시 사용되는 상기 구조식 2로 표 시되는 화합물의 함량이 0.0008중량% 미만이면, 도포성이 지나치게 높아져서, 유기 방사 방지막이 형성되지 않는 문제를 초래할 수 있다. 또한 상기 아크릴레이트계 수지에 결합된 상기 구조식 2로 표시되는 화합물의 함량이 0.0013중량%를 초과할 경우 유기반사 방지막의 표면 균일도가 저하되는 문제가 발생할 수도 있다. 따라서, 상기 유기반사 방지막 형성용 폴리머를 형성하기 위해 적용되는 상기 구조식 2로 표시되는 화합물은 전체 폴리머의 0.0008 내지 0.0013중량%이고, 바람직하게는 0.0009 내지 0.0012중량%이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기와 같은 유기반사 방지용 형성용 폴리머는 아크릴레이트계 수지, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물 및 상기 구조식 2로 표시되는 화합물과 함께 교차결합 화합물을 이용하여 제조될 수 있다. 상기 교차결합 화합물은 반사 방지용 형성용 폴리머의 경화성을 향상시키기 위한 것으로서, 바람직하게는 단량체성 교차결합 화합물을 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 히드록시기, 아미드기, 카르복실기 및 티올기를 가지는 중합체를 교차 결합시키는 교차결합 화합물을 사용할 수 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성용 폴리머를 형성하는데 적용할 수 있는 상기 교차결합 화합물 즉, 가교제의 예로는 히드록시메틸멜라민, 알콕시메틸멜라민, 우레아-포름알데히드 수지, 벤질에테르, 벤질알코올, 에폭시 화합물, 페놀계 수지, 이소시아네이트, 블록화 균등화제, 알킬올 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지막 형성용 폴리머는 반사방지막 형성시 조성물의 점도나 도포성 등을 고려하였을 때, 약 5,000 내지 약 30,000 범위의 중량평균 분자량을 가지는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 약 10,000 내지 약 20,000 범위일 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 구조식 1로 표시되는 화합물과 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기반사 방지막 형성용 폴리머는 그 안정성이 우수하여 형성되는 유기반사 방지막의 균일도 및 유기반사 방지막의 형성 능력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 반사 방지막 형성용 폴리머를 적용하며 우수한 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
유기반사 방지막 조성물
본 발명에 따른 유기반사 방지막 조성물은, 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지에 상기 구조식 1로 표시되는 화합물과 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 반사 방지막 형성용 폴리머 20 내지 35중량%와 여분의 용매를 포함한다. 본 발명의 유기반사 방지막 조성물에 포함된 반사방지막 형성용 폴리머에 대하여는 앞에서 상세히 설명하였으므로, 중복을 피하기 위하여 생략하기로 한다.
본 발명의 유기반사 방지막 조성물은, 반사 방지막 형성용 폴리머를 20 내지 35중량% 포함하고 있다. 상기 유기반사 방지막 조성물에 대한 상기 반사 방지막 형성용 폴리머의 함유량이 20 중량% 미만인 경우에는 반사 방지막의 결합력이 저하될 수 있다. 반면에, 상기 유기반사 방지막 조성물에 대한 상기 반사 방지막 형성용 폴리머의 함유량이 35 중량%를 초과하면 유기반사 방지막 형성용 조성물이 용매에 대한 용해성이 떨어질 염려가 있다. 따라서, 본 발명의 유기반사 방지막 조성물은 반사 방지막 형성용 폴리머를 20 내지 35중량% 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기반사 방지막 조성물에 포함된 용매의 함량이 75 중량% 미만일 경우 점도가 높아짐으로 인해 유기반사 방지막 조성물을 이용하여 원하는 두께를 갖는 유기반사 방지막을 형성할 수 없다. 반면에, 유기반사 방지막 조성물에 포함된 용매의 함량이 80 중량%를 초과할 경우 유기반사 방지막으로부터의 흄 발생량이 증가하는 문제를 야기하므로 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 유기반사 방지막 형성용 조성물을 구성하는 용매로는, 독성이 낮고, 두께 균일성 등의 물성이 우수한 유기반사 방지막을 형성할 수 있도록, 상기 조성물의 고체 성분을 용해시키는 화합물을 광범위하게 사용할 수 있다.
본 발명의 유기반사 방지막 조성물에 적용할 수 있는 용매는 에틸렌글리콜모노메틸에테르(ethyleneglycolmonomethylether), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(ethyleneglycolmonoethylether), 메틸셀로솔브아세테이트(methylcellosolveacetate), 에틸셀로솔브아세테이트(ethylcellosolveacetate), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(diethyleneglycolmonomethylether), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(diethyleneglycolmonoethylether), 프로필렌글리콜메틸에테르(propyleneglycolmethylether), 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(propyleneglycolmethyletheracetate), 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트(propyleneglycolpropyletheracetate), 디에틸렌글리콜디메틸에테르(diethyleneglycoldimethylether), 에틸 락테이트(ethyl lactate), 톨루 엔(toluene), 자이렌(xylene), 메틸에틸케톤(methylethylketone), 사이클로헥사논(cyclohexanone), 2-헵타논(2-heptanone), 3-헵타논(3-heptanone), 4-헵타논(4-heptanone), γ-부티로 락톤(γ-butyro lactone), N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone)등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 유기반사 방지막 조성물은 상기 구조식 1로 표시되는 화합물과, 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 반사 방지막 형성용 폴리머를 포함하고 있어 균일한 두께를 갖고, 우수한 식각 특성을 갖는 유기반사 방지막을 형성할 수 있다. 또한, 상기 조성물로 형성된 유기반사 방지막은 축합 반응으로 인하여 안정한 특성을 가지므로, 상기 유기반사 방지막 상에 포토레지스트 패턴 형성 공정시 흄(fume)이 생성되는 것을 억제할 수 있다.
일 예로서, 상기 조성물은 보다 우수한 특성을 갖는 유기반사 방지막을 형성하기 위해 가교반응 촉진제, 표면균염제, 접착촉진제 및 소포제 등과 같은 첨가제 등을 더욱 포함할 수 있다. 상기 첨가제의 종류가 매우 다양한 관계로 유기반사 방지막 조성물의 특성을 정하는 것은 실질적으로 어렵다. 하지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 전술한 혼합 중량 비 및 물성을 만족하는 혼합 용매로부터 본 발명에 따른 유기반사 방지막 조성물을 용이하게 구현할 수 있을 것이다.
패턴 형성 방법
도 1 내지 도 5는 본 발명에 따른 유기반사 방지막 조성물을 이용한 패턴 형 성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 우선 식각 대상물을 마련한다. 상기 식각 대상물의 예로서는 반도체 기판(100) 상에 형성되는 박막(102)일 수 있다. 이하에서는 상기 식각 대상물이 박막(102)인 경우에 한해 설명한다. 상기 박막(102)상에 잔류하는 오염물 등을 제거하기 위해 상기 박막 표면을 전 세정한다. 상기 박막(102)의 예로서는 실리콘 질화막, 폴리실리콘막 또는 실리콘 산화막인 것이 바람직하다.
이어서, 세정된 박막(102)의 표면상에 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지에 상기 구조식 1로 표시되는 화합물과 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 유기 반사 방지막 형성용 폴리머 20 내지 35중량%와 여분의 용매를 포함하는 유기반사 방지막 조성물을 스핀 코팅방식을 적용하여 코팅한다.
이후 건조 및 베이킹 공정을 수행하여 상기 박막 상에 유기반사 방지막(104)을 형성한다. 상기 베이킹 처리는 100 내지 150℃에서 수행하고, 특히 100 내지 130℃에서 수행하는 것이 바람직하다. 보다 구체적인 유기반사 방지막 형성용 조성물에 대한 설명은 위에서 상세히 설명하였기 때문에 중복을 피하기 위해 생략한다.
도 2를 참조하면, 상기 유기반사 방지막(104) 상에 포토레지스트를 코팅하여 포토레지스트 막(106)을 형성한다.
상기 포토레지스트의 예로서는 나프토퀴논디아지드화합물과 노볼락수지를 함유하는 양화형 포토레지스트, 노광에 의해 산을 해리 가능한 산발생제, 산의 존재 하에 분해하여 알칼리수용액에 대한 용해성이 증대하여 화합물 및 알칼리가용성수 지를 함유하는 화학증폭형의 양화형 포토레지스트, 산발생제 및 산의 존재 하에 분해하여 알칼리수용액에 대한 용해성이 증대하는 수지를 부여가능한 기를 지닌 알칼리가용성수지를 함유하는 화학증폭형의 양화형 포토레지스트 등을 들 수 있다.
이어서, 상기 포토레지스트 막(106)이 형성되어 있는 기판(100)을 가열하는 제1 베이킹 공정을 수행한다. 상기 제1 베이킹 공정은 약 90℃ 내지 약 120℃의 온도에서 수행할 수 있다. 상기 제1 베이킹 공정을 수행함으로 인해 상기 유기반사 방지막(104)에 대하여 포토레지스트 막(106)의 접착성이 증가된다.
도 3을 참조하면, 상기 포토레지스트 막을(106)을 선택적으로 노광한다.
상기 포토레지스트 막(106)을 노광하기 위한 노광 공정을 일 예로 설명하면, 노광 장치의 마스크 스테이지 상에 소정의 패턴이 형성된 노광 마스크를 위치시키고, 상기 포토레지스트 막(106) 상에 상기 노광 마스크(110)를 정렬한다. 이어서, 상기 마스크(110)에 광을 조사함으로써 상기 기판(100)에 형성된 포토레지스트 막(106)의 소정 부위가 상기 노광 마스크를 투과한 광과 선택적으로 반응하게 된다. 상기 노광 공정에서 사용할 수 있는 광의 예로는 193㎚의 파장을 갖는 ArF 레이저(laser of ArF)등을 들 수 있다.
상기 노광된 부위의 포토레지스트 막(106b)은 상기 비노광 부위의 포토레지스트 막(106a)에 비해 상대적으로 친수성을 갖게 된다. 따라서, 상기 노광된 부위(106b) 및 비노광 부위(106a)의 포토레지스트 막은 서로 다른 용해도를 갖게 되는 것이다.
이어서, 상기 기판(100)에 제2 베이킹 공정을 수행한다. 상기 제2 베이킹 공 정은 약 90℃ 내지 약 150℃의 온도에서 수행할 수 있다. 상기 제2 베이킹 공정을 수행함으로 인해, 상기 노광된 영역에 해당하는 포토레지스트 막은 특정 용매에 용해되기 쉬운 상태가 된다.
도 4를 참조하면, 현상액을 이용하여 상기 노광된 영역에 해당하는 포토레지스트 막(106b)을 용해한 후 제거함으로서 포토레지스트 패턴(108)을 형성한다. 구체적으로, 수산화테트라메틸암모늄(tetra-methyl ammonium hydroxide; TMAH) 등의 현상액을 사용하여, 상기 노광된 영역에 해당하는 포토레지스트 막을 용해시킨 후 제거함으로서 상기 포토레지스트 패턴(108)이 완성된다.
이어서, 상기 포토레지스트 패턴(108)을 식각 마스크로 하여 상기 반사 방지막을 식각한다. 상기와 같은 식각 공정으로 반사 방지막 패턴(112)이 형성된다.
도 5를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(108)을 식각 마스크로 적용하여 노출된 박막(102)을 식각한다. 그 결과 상기 박막은 박막 패턴(114)으로 형성된다.
이하, 반사 방지막 형성용 폴리머의 합성과 및 유기반사 방지막 조성물의 제조에 관한 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 그러나 하기 실시예들에 의하여 본 발명의 기술적 한정되는 것은 아니다.
반사 방지막 형성용 폴리머의 합성
실시예 1
수산기를 포함하는 폴리메타크릴레이트인 SSAC650(롬앤하스사의 상품명, 미합중국) 99.997중량부와 N-아세틸무라민산 약 0.0020 중량부를 테트라하이드로퓨란 용매에 넣고 메탄올을 소량 첨가한 다음, 상온에서 약 3시간 동안 제1차 축합 반응을 진행하였다. 상기 1차 축합 반응의 결과물과 4-하이드록시-3-메톡시만델르산 약 0.0010중량부를 테트라하이드로퓨란 용매에 넣고, 상온에서 약 5시간 동안 2차 축합 반응을 진행하였다. 상기 2차 축합 반응의 결과물을 용매로부터 분리하여 유기 반사 방지막 형성용 폴리머를 제조하였다.
유기반사 방지막 조성물의 제조
실시예 2
실시예 1에서 수득된 반사 방지막 형성용 폴리머 30중량%를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 70중량%에 넣고 충분히 교반하여 용해시킨 후 구멍직경이 약 0.2㎛인 멤브레인 필터를 이용하여 여과함으로써 실시예 2의 유기반사 방지막 조성물을 제조하였다.
비교예 1 및 2
상기 실시예 2와 실질적으로 동일한 방법으로 유기반사 방지막 조성물을 제조하되, 실시예 1의 폴리머 대신에 통상적으로 반사 방지막을 형성하는데 사용되는 폴리메타아크릴레이트 수지를 사용하여 유기 반사 방지막 조성물을 제조하였다. 비교예 1에서는 폴리메타아크릴레이트 수지인 SNAC2002(니산(Nissan)사의 상품명, 일본)을 사용하였고, 비교예 2에서는 수산기를 포함하는 폴리메타아크릴레이트 수지인 SSAC650(롬앤하스사의 상품명, 미합중국)을 사용하였다.
유기반사 방지막 조성물 평가 1
2000 내지 3000rpm으로 회전하는 스피너 상에 위치한 기판들 상에 상기 실시예 2 및 비교예 1 및 2에서 제조된 반사 방지막 형성용 조성물을 각각 스핀 코팅하여 상기 기판 상에 각각 약 0.4㎛의 두께를 갖는 코팅막들을 형성하였다. 이어서, 상기 코팅막들을 약 30℃에서 약 60초간 건조시킨 후 질소 분위기의 오븐에서 약 180℃에서, 약 60초 동안 베이킹 처리하여 약 0.2㎛두께를 갖는 유기반사 방지막을 형성한 후 상기 유기반사 방지막들의 광학 특성 및 흄의 발생을 평가하였다. 상기 실시예 2 및 비교예 1 및 2의 조성물로 수득된 유기반사 방지막에 대한 평가 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
표 1
구분 실시예 2 비교예 1 비교예 2
반사도(n) 1.79 1.53 1.47
흡수도(k) 0.30 0.52 1.35
흄(fume) 발생량[%] 19 100 -
표 1을 참조하면, 상기 실시예2의 유기반사 방지막 조성물을 이용하여 제조된 반사 방지막의 반사도(n)는 1.79이고 광 흡수도(k)는 0.30으로서, 포토리소그래피 공정에 적용하기 적합한 광학 상수의 범위 내의 결과를 나타내었다. 반면에, 비교예 1의 조성물을 이용하여 제조된 반사 방지막의 반사도(n)는 1.53이고 광 흡수도(k)는 0.52이였으며, 비교 실시예 2의 반사도(n)는 1.47이고 광 흡수도(k)는 1.35로 나타났다. 상기 유기반사 방지막의 반사도(n) 및 흡수도(k)는 엘립소메타(ellipsometer)를 사용하여 측정하였다. 이로부터 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 유기 반사 방지막 조성물은 반사 방지막의 반사도를 향상시키고 광흡수도는 현저히 낮출 수 있어 포토리소그래피 공정에 적용하기에 유리함을 알 수 있다.
또한, 기상 크로마토그래피(Gas Phase Chromatography GPC)를 이용하여 흄(fume)의 발생량을 측정하였다. 비교예 1의 흄 발생량을 100%로 하였을 때의 상대적인 흄의 발생량을 평가하였다. 평가 결과 실시예 2의 조성물을 사용한 경우 비교예1의 조성물을 사용한 경우에 비하여 흄의 발생량 5배 이상 감소되는 것으로 나타났다.
한편, 상기 제조된 반사 방지막의 표면 상태를 전자 현미경을 이용하여 관찰하였다.
도 6은 실시예 2에서 제조된 조성물을 이용하여 형성된 반사 방지막의 표면을 보여주는 전자 현미경 사진이고, 도 7은 비교예 1에서 제조된 조성물을 이용하여 형성된 반사 방지막의 표면을 보여주는 전자 현미경 사진다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 실시예 2에서 제조된 조성물을 이용하여 형성된 반사 방지막은 표면의 균일도와 평탄도가 우수함을 알 수 있다. 이에 비하여, 비교예 1에서 제조된 조성물을 이용하여 형성된 반사 방지막은 표면의 균일도와 평탄도가 불량한 것을 알 수 있다.
유기반사 방지막 조성물의 평가 2
실시예 2 및 비교예 1 및 2에서 수득된 조성물을 이용하여 기판 상에 각기 유기반사 방지막을 형성하였다. 상기 유기 반사 방지막이 형성된 기판 상에 산 발생제와 폴리히드록시스티렌계 수지를 함유하는 양화형의 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅한 후 약 90℃에서 90초간 건조하여 약 2,600Å두께의 포토레지스트 막을 형성하였다. 이어서, 상기 포토레지스트 막을 노광 마스크가 개재된 노광 장치를 이용하여 약 193nm의 광원으로 노광한다. 이후 약 110℃에서 90초간 베이킹 처리한 후 약 2.38중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
상기 베이킹 공정 전후의 유기 반사 방지막의 두께를 측정하여 그 두께 변화를 관찰하였다. 그 결과, 비교예 1 및 2의 조성물을 이용하여 형성된 유기 반사 방지막의 경우, 베이킹 공정 전후에 두께 손실이 발생하였으나, 실시예 2의 조성물로 형성된 유기반사 방지막은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 베이킹 공정 이후에 두께 손실이 발생하지 않음을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 2 및 비교예 1 및 2에서 수득된 유기반사 방지막 조성물을 이용하여 각기 기판 상에 유기 반사 방지막을 형성한 다음, 형성된 유기 반사 방지막의 두께를 측정하였다. 이후, 상기 유기 반사 방지막이 형성된 기판에 대하여 동일한 조건 하에서 식각 공정을 수행하여 상기 유기 반사 방지막의 식각량을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
표 2
구분 실시예 2 비교예 1 비교예 2
식각량[Å] 269 289 329
표 2를 참조하면, 실시예 2에서 제조된 조성물로 형성된 유기반사 방지막은 비교예 1 및 2에서 제조된 조성물을 사용하여 형성된 유기 반사 방지막에 비하여 향상된 내식각성을 지님을 알 수 있다.
포토레지스트 패턴 평가
상기 실시예 2 및 비교예 1 및 2의 조성물을 이용하여 기판 상에 형성한 다음, 상기 유기반사 방지막이 형성된 기판들을2000 내지 3000rpm으로 회전하는 스피너 상에 위치시킨 후 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 상기 포토레지스트의 패턴 형성 방법은 상기 유기반사 방지막 조성물의 평가에서 언급한 바와 동일한 방법으로 수행하였다. 상기와 같이 형성된 포토레지스트 패턴의 프로파일 및 결함의 존재여부를 평가하였다. ADI(after development inspection)를 수행하여 상기 실시예 2 및 비교예 1 및 2의 조성물을 각기 이용하여 수득된 포토레지스트 패턴의 결함(defect) 발생 여부를 확인하고, 선폭의 거칠기(Line Width Roughness; LWR)등과 같은 프로파일을 전자현미경으로 관찰하였다. 상기 실시예 2 및 비교예 1 및 2의 조성물을 이용한 경우 각각에 대하여 수득된 포토레지스트 패턴의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
표 3
구분 실시예2 비교예1 비교예2
결함 검사 ◎ ○ △
프로파일 ○ X X
(◎ : 우수, ○ : 양호, △ : 보통, X : 불량)
그 결과, 상기 실시예 2에서 수득된 포토레지스트 패턴의 결함 정도는 우수하였으며, 포토레지스트의 수직 프로파일 등은 양호하였다. 반면에, 비교예 1에서 수득된 포토레지스트 패턴의 결함 정도는 양호하였으나, 프로파일은 불량한 결과를 나타내었다. 또한, 비교예 2에서 수득된 포토레지스트 패턴은 결함은 보통으로 관 찰되었고, 프로파일은 불량임을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따른 반사 방지막 형성용 폴리머를 포함하는 유기반사 방지막 조성물은 무라민산 유도체와, 만데르산 유도체를 포함하는 유기반사 방지막 형성용 폴리머를 포함하고 있어 균일한 두께를 갖고, 우수한 식각 특성을 갖는 유기반사 방지막을 형성할 수 있다. 또한, 상기 조성물로 형성된 유기반사 방지막은 축합 반응으로 인하여 안정된 구조를 지니고 있어 이후 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 베이킹 공정시 그 흄이 생성되지 않아 두께의 손실이 발생되지 않는다. 따라서, 상기와 같은 유기반사 방지막을 적용하여, 선명하고 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지와 하기 구조식 1로 표시되는 화합물 및 하기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 반사방지막 형성용 폴리머.
    Figure 112007042963274-pat00007
    ...... (1)
    Figure 112007042963274-pat00008
    ...... (2)
    (상기 구조식 1 및 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내고, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, C2-C6 알킬카르보닐기 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, R5는 수소 원자 또는 C2-C6 알킬카르보닐기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, X1, X2, X3, X4 및 X5는 서로 독 립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C4 알킬기 또는 C1-C4 알콕시기를 나타낸다)
  2. 제1항에 있어서, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물은 N-아세틸무라민산(N-acetylmuramic acid), 무라민산(muramic acid) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지막 형성용 폴리머.
  3. 제1항에 있어서, 상기 구조식 2로 표시되는 화합물은 4-하이드록시-3-메톡시만델르산(4-hydroxy-3-methoxymandelic acid), 만데르산(mandelic acid) 및 아세틸만데르산(acetylmandelic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지막 형성용 폴리머.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고분자는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물을 상기 고분자의 총 중량에 대하여 0.0015 내지 0.0023중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지막 형성용 폴리머.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고분자는 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 상기 고분자의 총 중량에 대하여 0.0008 내지 0.0013중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 폴리머.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고분자는 상기 아크릴레이트계 수지, 상기 구조식 1로 표시되는 화합물 및 상기 구조식 2로 표시되는 화합물과 함께, 교차결합 화합물을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 폴리머.
  7. 수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지와 하기 구조식 1로 표시되는 화합물 및 하기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 반사방지막 형성용 폴리머 20 내지 35중량%; 및
    여분의 용매를 포함하는 유기반사 방지막 조성물.
    Figure 112007042963274-pat00009
    ...... (1)
    Figure 112007042963274-pat00010
    ...... (2)
    (상기 구조식 1 및 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내고, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, C2-C6 알킬카르보닐기 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, R5는 수소 원자 또는 C2-C6 알킬카르보닐기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, X1, X2, X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C4 알킬기 또는 C1-C4 알콕시기를 나타낸다)
  8. 제7항에 있어서, 상기 용매는 에틸렌글리콜모노메틸에테르(ethyleneglycolmonomethylether), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(ethyleneglycolmonoethylether), 메틸셀로솔브아세테이트(methylcellosolveacetate), 에틸셀로솔브아세테이트(ethylcellosolveacetate), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(diethyleneglycolmonomethylether), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(diethyleneglycolmonoethylether), 프로필렌글리콜메틸에테르(propyleneglycolmethylether), 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(propyleneglycolmethyletheracetate), 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트(propyleneglycolpropyletheracetate), 디에틸렌글리콜디메틸에테르(diethyleneglycoldimethylether), 에틸 락테이트(ethyl lactate), 톨루엔(toluene), 자이렌(xylene), 메틸에틸케톤(methylethylketone), 사이클로헥사논(cyclohexanone), 2-헵타논(2-heptanone), 3-헵타논(3-heptanone), 4-헵타논(4-heptanone), γ-부티로 락톤(γ-butyro lactone) 및 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으 로 하는 유기반사 방지막 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 상기 고분자는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물을 상기 고분자의 총 중량에 대하여 0.0015 내지 0.0023중량%로 포함하고, 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 상기 고분자의 총 중량에 대하여 0.0008 내지 0.0013중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기반사 방지막 조성물.
  10. 기판 상에 식각 대상막을 형성하는 단계;
    수산기를 포함하는 아크릴레이트계 수지와 하기 구조식 1로 표시되는 화합물 및 하기 구조식 2로 표시되는 화합물을 축합 반응시켜 제조되는 고분자를 포함하는 반사 방지막 형성용 폴리머 20 내지 35중량%와 여분의 용매를 포함하는 유기반사 방지막 조성물을 이용하여 상기 식각 대상막 상에 유기반사 방지막을 형성하는 단계;
    상기 유기반사 방지막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 유기반사 방지막 및 상기 식각 대상막을 순차적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
    Figure 112007042963274-pat00011
    ...... (1)
    Figure 112007042963274-pat00012
    ...... (2)
    (상기 구조식 1 및 2에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내고, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소 원자, C2-C6 알킬카르보닐기 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, R5는 수소 원자 또는 C2-C6 알킬카르보닐기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 C1-C4 알킬기를 나타내며, X1, X2, X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로 수소 원자, 수산기, C1-C4 알킬기 또는 C1-C4 알콕시기를 나타낸다)
  11. 제10항에 있어서, 상기 유기반사 방지막을 형성하는 단계는,
    상기 유기반사 방지막 조성물을 상기 식각 대상막 상에 코팅하여 예비 유기 반사 방지막을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 유기반사 방지막을 베이킹하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 고분자는 상기 구조식 1로 표시되는 화합물을 상기 고분자의 총 중량에 대하여 0.00150 내지 0.0023중량%로 포함하고, 상기 구조식 2로 표시되는 화합물을 0.0008 내지 0.0013중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 유기 반사 방지막 상에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 포토레지스트 막을 노광한 후에 상기 포토레지스트 막에 대하여 베이킹 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5264431A (en) 1991-11-07 1993-11-23 Ciba-Geigy Corp. Polycyclic conjugates
JPH0859667A (ja) * 1994-08-29 1996-03-05 Sumitomo Chem Co Ltd ビスラクトン系化合物及びその製造方法
JP2004085921A (ja) 2002-08-27 2004-03-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用下地材
US20050020559A1 (en) 2001-10-03 2005-01-27 Robinson Byron C Chlorin photosensitizing agents for use in photodynamic therapy

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