JPS59226346A - プリント回路の製造方法 - Google Patents
プリント回路の製造方法Info
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- JPS59226346A JPS59226346A JP58101329A JP10132983A JPS59226346A JP S59226346 A JPS59226346 A JP S59226346A JP 58101329 A JP58101329 A JP 58101329A JP 10132983 A JP10132983 A JP 10132983A JP S59226346 A JPS59226346 A JP S59226346A
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- photosensitive resin
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- protective layer
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- surface protective
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0577—Double layer of resist having the same pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/06—Lamination
- H05K2203/066—Transfer laminating of insulating material, e.g. resist as a whole layer, not as a pattern
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- Structural Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオｌ−ｖシストの形成方法、豆らに詳しくい
えば、表面保護層をもつプリント基板に、その表面保護
層４除去することなく直接にパターン形成用感光性樹脂
層を積層し、優れたＭｌｌ変度び画像再現性を示すフォ
トンシスト’を形成させる方法に関するものである。
えば、表面保護層をもつプリント基板に、その表面保護
層４除去することなく直接にパターン形成用感光性樹脂
層を積層し、優れたＭｌｌ変度び画像再現性を示すフォ
トンシスト’を形成させる方法に関するものである。
現在、プリント基板の製版、プリンＩ・回路製作、電子
工業用精密部品製作などの多くの分野において、多種多
様の画像形成性感光性材料、例えば液状感光性材料、フ
ルタスクリーンインキ状感光性材料、あるいは一般にド
ライフィルムと称せられている、あらかじめたわみ性支
持体に担持させた感光性材料などが使用てれている。
工業用精密部品製作などの多くの分野において、多種多
様の画像形成性感光性材料、例えば液状感光性材料、フ
ルタスクリーンインキ状感光性材料、あるいは一般にド
ライフィルムと称せられている、あらかじめたわみ性支
持体に担持させた感光性材料などが使用てれている。
ところで、これらの中で液状感光性材料？用いて基板上
にこれ孕積層する場合、通常、ロールコータやドクター
ナイフなどを用いて所要のＮＧに塗布する方法がとられ
ているが、この方法では、１回の塗布操作で２〜３１１
ｍ程度の乾燥膜厚しか得られないことが多く、適切な条
件の組合ｒｔ用いてもたかだか１０μｍはどであるため
、３０〜５６μｍという厚い膜を要する場合は、塗布と
乾燥という工程を多数回繰り返さなければならない。
にこれ孕積層する場合、通常、ロールコータやドクター
ナイフなどを用いて所要のＮＧに塗布する方法がとられ
ているが、この方法では、１回の塗布操作で２〜３１１
ｍ程度の乾燥膜厚しか得られないことが多く、適切な条
件の組合ｒｔ用いてもたかだか１０μｍはどであるため
、３０〜５６μｍという厚い膜を要する場合は、塗布と
乾燥という工程を多数回繰り返さなければならない。
これに対して、あらかじめたわみ性支持体に担持させた
感光性材料（以下ドライフィルムと称する）を用いる場
合には、基板表面との接着性全良好にするための整面前
処理を行った基板表面に、感光性材料層の露出する面金
重ね、熱ロール間隙４通して圧着するという極めて簡単
な操作によって、所望の膜厚４有する感光性材料層？形
成することができるため、最近この方法が注目金集める
ようになり、これまでも基板上に直接ドライフィルム？
積層し、像形成露光、現像と行う方法（特公昭４５−２
５２３１号公報）やトライフィルムの一方の表面に接着
層？設け、これを介して基板に積層し、像形成露光、現
像全行う方法（特開昭５２−１５４３６３号公報）など
が提案されている。
感光性材料（以下ドライフィルムと称する）を用いる場
合には、基板表面との接着性全良好にするための整面前
処理を行った基板表面に、感光性材料層の露出する面金
重ね、熱ロール間隙４通して圧着するという極めて簡単
な操作によって、所望の膜厚４有する感光性材料層？形
成することができるため、最近この方法が注目金集める
ようになり、これまでも基板上に直接ドライフィルム？
積層し、像形成露光、現像と行う方法（特公昭４５−２
５２３１号公報）やトライフィルムの一方の表面に接着
層？設け、これを介して基板に積層し、像形成露光、現
像全行う方法（特開昭５２−１５４３６３号公報）など
が提案されている。
ところで、フォトレジスト用プリント基板金露出した状
態で保存したシ運搬すると、その表向が損傷、汚染する
おそれがあり、また素材が酸化されてドライフィルムと
の接着性やエツチング性が低下するのを免れない。これ
全防止するには、通常１表面に保護膜？設けることが行
われているが、この保護膜の接着性が小さ丁ぎると保存
中や運搬中に剥離して保護の目的が果せないし、また接
着性が太きすぎると使用に際しそれ全除去するのが困難
になるため、これら？考慮して保護膜の組成全選択しな
ければならないというはん雑さ？伴なう。また、油やフ
リースのような保護剤を塗布することも行われているが
、この方法では、物理的原因に基づく損傷？十分に防止
することはできない上に、使用に際しての洗浄操作が厄
介になる。
態で保存したシ運搬すると、その表向が損傷、汚染する
おそれがあり、また素材が酸化されてドライフィルムと
の接着性やエツチング性が低下するのを免れない。これ
全防止するには、通常１表面に保護膜？設けることが行
われているが、この保護膜の接着性が小さ丁ぎると保存
中や運搬中に剥離して保護の目的が果せないし、また接
着性が太きすぎると使用に際しそれ全除去するのが困難
になるため、これら？考慮して保護膜の組成全選択しな
ければならないというはん雑さ？伴なう。また、油やフ
リースのような保護剤を塗布することも行われているが
、この方法では、物理的原因に基づく損傷？十分に防止
することはできない上に、使用に際しての洗浄操作が厄
介になる。
本発明者らは、このような事情のもとで、プリント基板
上の表面保護層全除去せずに、しかも解像度や画［変可
現性などフォトノー／ストに要求てれる物性をそこなう
ことなくドライフィルム？用いて効率よくフォトレジス
ト全形成しうる方法全開発するために鋭意研究乞重オつ
た結果、表面保護層の材料としてハレーション防止剤礁
有する感光性樹脂金用い、かつ現像液としてパターン形
成用感光性樹脂と同時に上記の感光性樹脂金溶解除去し
うる溶剤を用いることによりその目的を達成しうろこと
４見出し、この知見に基づいて本発明孕な丁に至った。
上の表面保護層全除去せずに、しかも解像度や画［変可
現性などフォトノー／ストに要求てれる物性をそこなう
ことなくドライフィルム？用いて効率よくフォトレジス
ト全形成しうる方法全開発するために鋭意研究乞重オつ
た結果、表面保護層の材料としてハレーション防止剤礁
有する感光性樹脂金用い、かつ現像液としてパターン形
成用感光性樹脂と同時に上記の感光性樹脂金溶解除去し
うる溶剤を用いることによりその目的を達成しうろこと
４見出し、この知見に基づいて本発明孕な丁に至った。
丁なわち、本発明は、表面保護層？もつ基板上にパター
ン形成用感光性樹脂層全積層し、像形成露光処理及び現
像処理金賞って）第１・レジストヲ形成するに当り、 （イ）表面保護層の材料としてハレーション防止、
剤を含有する感光性間服を用いること、（ロ）表面
保護層全除去することなく直接その上にパターン形成用
感光性樹脂層全積層すること、及び （・→ 現像処理七表面医護層とパターン形成用感光性
樹脂層の対応する未露九部又は露光部を同時に溶解しう
る現像液？用いて行うこと？特徴とするフォトレジスト
形成方法金提供するものである。
ン形成用感光性樹脂層全積層し、像形成露光処理及び現
像処理金賞って）第１・レジストヲ形成するに当り、 （イ）表面保護層の材料としてハレーション防止、
剤を含有する感光性間服を用いること、（ロ）表面
保護層全除去することなく直接その上にパターン形成用
感光性樹脂層全積層すること、及び （・→ 現像処理七表面医護層とパターン形成用感光性
樹脂層の対応する未露九部又は露光部を同時に溶解しう
る現像液？用いて行うこと？特徴とするフォトレジスト
形成方法金提供するものである。
本発明方法で用いる基板としては、プリント回路その他
の電子部品用基板として慣用されているもの１例えば銅
板、アルミニウム板などの金属板、ケイ素、酸化チタン
、酸化タンタル、ベークライト、ガラス、エポキシ樹脂
、ポリイミド、紙、フェノール樹脂などの絶縁性材料及
びこれらの上に銅、銀、アルミニウムなど？積層したも
のの中から任意に選ぶことができる。
の電子部品用基板として慣用されているもの１例えば銅
板、アルミニウム板などの金属板、ケイ素、酸化チタン
、酸化タンタル、ベークライト、ガラス、エポキシ樹脂
、ポリイミド、紙、フェノール樹脂などの絶縁性材料及
びこれらの上に銅、銀、アルミニウムなど？積層したも
のの中から任意に選ぶことができる。
また、この基板に積層するためのパターン形成用感光性
樹脂材料としては、例えばドライフィルムとして市販さ
れている公知の材料、すなわちたわみ性支持体上に感光
性組成物から成る感−Ｍ −ｉｔ脂層を積層し、さらに
その上に所望に応じ保護フィルム層を施したもの？用い
ることができる。上記のたわみ性支持体としては、金属
ホイル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、紙などが用いられるが像形成露光の際
に取り除く必要がない点で、透明な椙料が有利であり、
特にポリエチレンテレフタンートが好ましい。また、感
光性組成物としては、ネガ型、ポジ型のいずれでもよく
、ネガ型の例としては、高分子量ポリオールのケイ皮酸
エステル、ポリケイ皮酸ビニル、ポリビニルアニシルア
セトフエノ／のような光架橋性重合体、ポリアクリル酸
−アミド、ポリオール重合体、ゼラチンなどと重クロム
酸金属塩、ジアゾ化合物、アジド類などとを組み合わせ
た組成物、環化ゴムとビスアジドから成る組成物又はこ
れらに少量のエポキシアクリレート？配合した組成物な
ど金あげることができる。特に好ましいのは、メタクリ
ル酸メチル／アクリル酸メチル共重合体、メタクリル酸
メチル／スチＶン共重合体、メタクリル酸エチル／スチ
レン共重合体、アクリル酸メチル／アクリロニトリル共
重合体、アクリル酸エチル／アクリロニトリル共重合体
、アクリル酸メチル／スチンン／アクリロニトリル共重
合体、アクリル酸メチル／メタクリル酸ブチル共重合体
、アクリル酸エチル／メタクリル酸ブチル共重合体、メ
タクリル酸メチル／アクリル酸共重合体、メタクリル酸
メチル／β−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、
メタクリル酸メチル／β−ヒドロキノプロピルアクリＶ
−）／メタクリル酸共重合体、ポリ（メタクリル酸／エ
ポキシア多リレート）、ポリ（メタクリル酸／エポキシ
アクリＶ−ト／メタクリル酸）、これらの化合物の少な
くとも１種とポリアクリル化ウレタンとの共重合体ある
いはこれらの化合物全主体とし、これにポリアルキノン
クリコールジアクリレート又はジメタクリＶ−４，（平
均重合度ｎ ＝＝ ２〜２００）、ポリエチＶンクリコ
ールジアクリレート又ｉｒ′！、ジメタクリノート（ｎ
＝１〜２００）、ポリエチＶンクリコールモノアクリＶ
−ト又はモノメタクリレート（ｎ＝１〜２００）、
ウＶクンジアクリンート又はジメタクリレート、ポリア
ルキノンジアミンジアクリＶ−ト又はジメタクリレ−１
−（ｎ−１〜１０）、エポキシアクリレ−１−（ｎ ＝
１〜１０）、ぺ／タエリスリトールトリアクリレート
又はトリメタクリレートなどのアクリル系光重合准化合
′吻又はアクリル系光重合性混合物テ活注成分としたも
のである。
樹脂材料としては、例えばドライフィルムとして市販さ
れている公知の材料、すなわちたわみ性支持体上に感光
性組成物から成る感−Ｍ −ｉｔ脂層を積層し、さらに
その上に所望に応じ保護フィルム層を施したもの？用い
ることができる。上記のたわみ性支持体としては、金属
ホイル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、紙などが用いられるが像形成露光の際
に取り除く必要がない点で、透明な椙料が有利であり、
特にポリエチレンテレフタンートが好ましい。また、感
光性組成物としては、ネガ型、ポジ型のいずれでもよく
、ネガ型の例としては、高分子量ポリオールのケイ皮酸
エステル、ポリケイ皮酸ビニル、ポリビニルアニシルア
セトフエノ／のような光架橋性重合体、ポリアクリル酸
−アミド、ポリオール重合体、ゼラチンなどと重クロム
酸金属塩、ジアゾ化合物、アジド類などとを組み合わせ
た組成物、環化ゴムとビスアジドから成る組成物又はこ
れらに少量のエポキシアクリレート？配合した組成物な
ど金あげることができる。特に好ましいのは、メタクリ
ル酸メチル／アクリル酸メチル共重合体、メタクリル酸
メチル／スチＶン共重合体、メタクリル酸エチル／スチ
レン共重合体、アクリル酸メチル／アクリロニトリル共
重合体、アクリル酸エチル／アクリロニトリル共重合体
、アクリル酸メチル／スチンン／アクリロニトリル共重
合体、アクリル酸メチル／メタクリル酸ブチル共重合体
、アクリル酸エチル／メタクリル酸ブチル共重合体、メ
タクリル酸メチル／アクリル酸共重合体、メタクリル酸
メチル／β−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、
メタクリル酸メチル／β−ヒドロキノプロピルアクリＶ
−）／メタクリル酸共重合体、ポリ（メタクリル酸／エ
ポキシア多リレート）、ポリ（メタクリル酸／エポキシ
アクリＶ−ト／メタクリル酸）、これらの化合物の少な
くとも１種とポリアクリル化ウレタンとの共重合体ある
いはこれらの化合物全主体とし、これにポリアルキノン
クリコールジアクリレート又はジメタクリＶ−４，（平
均重合度ｎ ＝＝ ２〜２００）、ポリエチＶンクリコ
ールジアクリレート又ｉｒ′！、ジメタクリノート（ｎ
＝１〜２００）、ポリエチＶンクリコールモノアクリＶ
−ト又はモノメタクリレート（ｎ＝１〜２００）、
ウＶクンジアクリンート又はジメタクリレート、ポリア
ルキノンジアミンジアクリＶ−ト又はジメタクリレ−１
−（ｎ−１〜１０）、エポキシアクリレ−１−（ｎ ＝
１〜１０）、ぺ／タエリスリトールトリアクリレート
又はトリメタクリレートなどのアクリル系光重合准化合
′吻又はアクリル系光重合性混合物テ活注成分としたも
のである。
この感光性組成物は、通常、上記の活性成分に加え、光
重合開始剤としてアントラキノン、メチルアントラキノ
ン、クロルアントラキノン、２−エチルアントラキノン
、２− ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、ベンズアン
／トラキノン、ベンツ′イン、ペンソインイソプロピル
エーテル、ベンジル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン
など、熱重合禁止剤としてヒドロキノン、メチルヒドロ
キノンなど金含むが、それ以外に必要に応じて着色剤、
可塑剤などを含むこともできる。また、ポジ型の例とし
ては、オルトベンゾキノンジアジド又ハ１．２−ナフト
キノンジアジドとアルカリ可溶性フェノールノボラック
樹脂との組合せ全活性成分とするアルカリ現像型のもの
（特公昭３７−１８０１５号公報参照）や、上記のアル
カリ＝Ｊ’溶性フェノールノボラック樹脂の代りに、シ
ェラツク、スチレン−無水マンイン酸共重合体など？用
いたもの（特公昭３７−３６２７号公報）を挙げること
ができる。
重合開始剤としてアントラキノン、メチルアントラキノ
ン、クロルアントラキノン、２−エチルアントラキノン
、２− ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、ベンズアン
／トラキノン、ベンツ′イン、ペンソインイソプロピル
エーテル、ベンジル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン
など、熱重合禁止剤としてヒドロキノン、メチルヒドロ
キノンなど金含むが、それ以外に必要に応じて着色剤、
可塑剤などを含むこともできる。また、ポジ型の例とし
ては、オルトベンゾキノンジアジド又ハ１．２−ナフト
キノンジアジドとアルカリ可溶性フェノールノボラック
樹脂との組合せ全活性成分とするアルカリ現像型のもの
（特公昭３７−１８０１５号公報参照）や、上記のアル
カリ＝Ｊ’溶性フェノールノボラック樹脂の代りに、シ
ェラツク、スチレン−無水マンイン酸共重合体など？用
いたもの（特公昭３７−３６２７号公報）を挙げること
ができる。
次に、本発明方法におけるプリント基板の表面保護層と
しては、像形成露光後にパターン形成用感光性樹脂層に
対′Ｔる現像液によって完全に溶解除去される必要があ
るので、パターン形成用感光性樹脂層の例としてあげた
感光性組成物と同−又は類似の組成のもの全周いるのが
有利である。
しては、像形成露光後にパターン形成用感光性樹脂層に
対′Ｔる現像液によって完全に溶解除去される必要があ
るので、パターン形成用感光性樹脂層の例としてあげた
感光性組成物と同−又は類似の組成のもの全周いるのが
有利である。
また、この表面渫護層には、ノ・Ｖ−ショ／防市剤全含
有させることが必要である。これは、解像度及び画像再
現性を高めるために加えられるものであり、これによっ
て微細なパターン全正確シて再現することができる。こ
の・・Ｖ−ショ／防市剤は、感光特性波長２８０〜４３
０ｎｍ領域において吸収？示すものであればよく、アク
リジン染料、アニリン黒、アントラキノン染料、アン／
染料、アゾ染料、アゾメチン染料、ベンゾキノン染料、
ナフトキノン染料、インジコイド染料、インドフェノー
ル、インドアニリン、イングミ／、ロイコ建染め染料エ
ステル、ナフトールイミド染料、ニクロ／ン及びインジ
ュリ／、ニトロ及びニトロソ染料、オキサジン及びジオ
キサジン染料、酸化染料、フタロシアニン染料、ポリメ
チン染料、キノフタロ／染料、硫化染料、トリアリール
メタ／及びジアリールメタン染料、チアン／染料、チア
ノ゛−ル染料、キサンチン染料などの染料や無機及び有
機顔料、サリチル酸フェニル系、ベンゾフェノン系、べ
／シトリアゾール系及びアクリンート系紫外ｉｌ吸収剤
などを挙げることができる。このハレーンヨン防止剤は
表面１呆護層を形成・Ｔる樹脂の全重肝に基づき０．０
０１〜１０重＠係好ましくは００５〜２重量饅の割合で
加えられる。
有させることが必要である。これは、解像度及び画像再
現性を高めるために加えられるものであり、これによっ
て微細なパターン全正確シて再現することができる。こ
の・・Ｖ−ショ／防市剤は、感光特性波長２８０〜４３
０ｎｍ領域において吸収？示すものであればよく、アク
リジン染料、アニリン黒、アントラキノン染料、アン／
染料、アゾ染料、アゾメチン染料、ベンゾキノン染料、
ナフトキノン染料、インジコイド染料、インドフェノー
ル、インドアニリン、イングミ／、ロイコ建染め染料エ
ステル、ナフトールイミド染料、ニクロ／ン及びインジ
ュリ／、ニトロ及びニトロソ染料、オキサジン及びジオ
キサジン染料、酸化染料、フタロシアニン染料、ポリメ
チン染料、キノフタロ／染料、硫化染料、トリアリール
メタ／及びジアリールメタン染料、チアン／染料、チア
ノ゛−ル染料、キサンチン染料などの染料や無機及び有
機顔料、サリチル酸フェニル系、ベンゾフェノン系、べ
／シトリアゾール系及びアクリンート系紫外ｉｌ吸収剤
などを挙げることができる。このハレーンヨン防止剤は
表面１呆護層を形成・Ｔる樹脂の全重肝に基づき０．０
０１〜１０重＠係好ましくは００５〜２重量饅の割合で
加えられる。
本発明方法においては、プリント基板上の表面医護層？
除去することなく、その上にパターン形成用感光性樹脂
層？積層することが重要である。
除去することなく、その上にパターン形成用感光性樹脂
層？積層することが重要である。
このように基板と樹脂層の間に中間層？介−ｆることに
よって、１呆護層？除去する手間を省くことができる上
に、プリント基板表面に存在する微細な凹凸や損傷によ
り、形成されるパターンの画線が断続したり、乱れるの
を防ｌＪ：することができ、正確なエノチンクが行われ
る結果、高い歩留りで製品ケ得ることができる。
よって、１呆護層？除去する手間を省くことができる上
に、プリント基板表面に存在する微細な凹凸や損傷によ
り、形成されるパターンの画線が断続したり、乱れるの
を防ｌＪ：することができ、正確なエノチンクが行われ
る結果、高い歩留りで製品ケ得ることができる。
本発明方法における像形成露光及び現像は、通常のフォ
トンシスト形成に際して使用される方法によって行うこ
とができるが現像の場合には、パターン形成用感光性樹
脂層の未露光部（ポジ型の場合は露光部）と同時に表面
保護層の未露光部（ポジ型の場合は露光部）全溶解しう
る現像液音用いることが必要である。この現像液は、パ
ターン形成用感九性樹脂層及び表面渫護層金形成−する
感光性組成物の種類により適宜選択孕れるが、通常は、
アルカリ水溶液、アルコール類、ケトン類、炭化水素類
、ハロゲン化炭化水素類又はこれらの混合物が用いられ
る。
トンシスト形成に際して使用される方法によって行うこ
とができるが現像の場合には、パターン形成用感光性樹
脂層の未露光部（ポジ型の場合は露光部）と同時に表面
保護層の未露光部（ポジ型の場合は露光部）全溶解しう
る現像液音用いることが必要である。この現像液は、パ
ターン形成用感九性樹脂層及び表面渫護層金形成−する
感光性組成物の種類により適宜選択孕れるが、通常は、
アルカリ水溶液、アルコール類、ケトン類、炭化水素類
、ハロゲン化炭化水素類又はこれらの混合物が用いられ
る。
次に添付図面に従って本発明の実施態様の一例？説明す
る。第１図は本発明の一連の過８を示ア断面説明図であ
って、先ず（イ）工程においては各表面？保護層３，３
で被覆逼れている絶、１家性基板１の両面に銅は（２，
２ｉ貼ったプリント基板に対し、２個のラミネート用ロ
ーラ孕用いて、ポリエステルフィルム支持体４上にパタ
ーン形１皮用樹脂層５孕積層した２枚のドライフィルム
を接着１せる。
る。第１図は本発明の一連の過８を示ア断面説明図であ
って、先ず（イ）工程においては各表面？保護層３，３
で被覆逼れている絶、１家性基板１の両面に銅は（２，
２ｉ貼ったプリント基板に対し、２個のラミネート用ロ
ーラ孕用いて、ポリエステルフィルム支持体４上にパタ
ーン形１皮用樹脂層５孕積層した２枚のドライフィルム
を接着１せる。
この際ドライフィルムの感光層面？保護するために積層
されているポリエチＶンフイルム６，６ハ、接着を行う
前に取り除かれる。
されているポリエチＶンフイルム６，６ハ、接着を行う
前に取り除かれる。
次に（ロ）工程において、トライフィルムの上に所望の
像？有するネガフィルム７．７を重ね、これらを通して
光照射・と行う。この際、ポリエステルフィルム支持体
の代りに金属はくのような不透明の支持体？用いた場合
には、この支持体金除いたのち、ネガフィルムケ重ねる
ことが必要である。
像？有するネガフィルム７．７を重ね、これらを通して
光照射・と行う。この際、ポリエステルフィルム支持体
の代りに金属はくのような不透明の支持体？用いた場合
には、この支持体金除いたのち、ネガフィルムケ重ねる
ことが必要である。
次いで（ハ）工程で、像形成露光終了後、ポリエステル
フィルム支持体４除き、に）二「程で現像、水洗。
フィルム支持体４除き、に）二「程で現像、水洗。
乾燥゛Ｔると未露光部の樹脂と表面保護層が除かれて露
光部のみが基板上に残る。
光部のみが基板上に残る。
これヲＧｊ→工程でエツテンク処理し、さらに露光部の
樹脂と表ｍｊ医護層と？除けば所望のプリント板が得ら
れる。
樹脂と表ｍｊ医護層と？除けば所望のプリント板が得ら
れる。
以上、ネガ型感光性組成物を例として説明したのである
が、ポジ型の場合は、像形成露光後の現像処理〔（暑工
程〕で、露光部が除かれ未露光部が残る点が異なるだけ
で後は全く同じである。
が、ポジ型の場合は、像形成露光後の現像処理〔（暑工
程〕で、露光部が除かれ未露光部が残る点が異なるだけ
で後は全く同じである。
本発明方法に従うと、表面１呆護層ｒもっプリント基板
上に、現在市販′されているトライフィルムはもちろん
、その他の接着性の不足している感光性祠料であっても
、十分な強度で基板表面上に積層−Ｔることか可能であ
シ、しかも固体表面上の傷や打痕２覆いかく丁ことかで
き、また従来のドライフィルム単独による積層では、ス
ルーホール加工の際の開］コ部に蓋をする作業（通常テ
ンテインクと称−Ｔ）において、フィルム護持部分とし
てかなυの表面面積全必要とし、開口部直径より必要り
上に大きないわゆるランド？設けること？余儀なくされ
ていたの？、その径の大幅な縮少が可能となるために、
プリント配線基板の配線密度ｉ一段と向上させることが
できるという利点がある。
上に、現在市販′されているトライフィルムはもちろん
、その他の接着性の不足している感光性祠料であっても
、十分な強度で基板表面上に積層−Ｔることか可能であ
シ、しかも固体表面上の傷や打痕２覆いかく丁ことかで
き、また従来のドライフィルム単独による積層では、ス
ルーホール加工の際の開］コ部に蓋をする作業（通常テ
ンテインクと称−Ｔ）において、フィルム護持部分とし
てかなυの表面面積全必要とし、開口部直径より必要り
上に大きないわゆるランド？設けること？余儀なくされ
ていたの？、その径の大幅な縮少が可能となるために、
プリント配線基板の配線密度ｉ一段と向上させることが
できるという利点がある。
でらに、本発明方法においては、表面保護層が接着層の
役割も果し、ドライフィルムとプリント基板との接着性
を向上σせるので、従来のドライフィルム？直接プリン
ト基板に接着層せる場イ）にしばしばみられた操作中で
の両者の剥離ｒ著しく減少することができ、しかも現像
処理に際し、表面保護層も同時に除去されるので、アン
ダーカット現象のような解像度？−ｔこなう現象牙生じ
ることもない。したがって、従来の方法に比べて製品の
歩留り？著しく高めることができる。
役割も果し、ドライフィルムとプリント基板との接着性
を向上σせるので、従来のドライフィルム？直接プリン
ト基板に接着層せる場イ）にしばしばみられた操作中で
の両者の剥離ｒ著しく減少することができ、しかも現像
処理に際し、表面保護層も同時に除去されるので、アン
ダーカット現象のような解像度？−ｔこなう現象牙生じ
ることもない。したがって、従来の方法に比べて製品の
歩留り？著しく高めることができる。
次に実施例により本発明をはもに詳１１州に説明−Ｙる
。
。
実施例１
ツタクリル酸メチル／アクリル酸メチル ５００重計部
（９０／１０ｗｔ条）コポ１ノマー テトラエチＶンクリコールジアクリＶ−ト １５０挫
３２−エチルアンスラキノン ２５
〃ｐ−メトキノフェノール ０．０
２５／／マラカイトクリーン（）・Ｖ−ンヨン防止剤）
３ 〃エチレンクリコールモノエチルアセテ）
１０００ ｔｔ前前記組成万有る緑色の粘ちょうな
液状感光性組成物宏調製した。
（９０／１０ｗｔ条）コポ１ノマー テトラエチＶンクリコールジアクリＶ−ト １５０挫
３２−エチルアンスラキノン ２５
〃ｐ−メトキノフェノール ０．０
２５／／マラカイトクリーン（）・Ｖ−ンヨン防止剤）
３ 〃エチレンクリコールモノエチルアセテ）
１０００ ｔｔ前前記組成万有る緑色の粘ちょうな
液状感光性組成物宏調製した。
この液状感光性組成物を両面１コールコーターを用いて
租化銅はく基板の両面に塗布乾燥し、所定の膜厚を有す
る表面保護層を設けた。この表面保護層の上にドライフ
ィルム（東京応化■製、オーデル２５２０）’ｉ、所定
の温度において６５ ｔｙｎ ／ ＋ｎｉｎの速度で積
層（ラミネート）シた。
租化銅はく基板の両面に塗布乾燥し、所定の膜厚を有す
る表面保護層を設けた。この表面保護層の上にドライフ
ィルム（東京応化■製、オーデル２５２０）’ｉ、所定
の温度において６５ ｔｙｎ ／ ＋ｎｉｎの速度で積
層（ラミネート）シた。
次いで２ ｋＷの超高圧水銀灯？光源とし、ポジティブ
細線パターンのマスク？用いて１分間露光したのち、１
，１．１−トリクロロエタンにてシャワ一方式現像全１
分間行りたところ、ドライフィルムの未露光部分及びそ
の下部の表面保護層が同時に現像除去された。
細線パターンのマスク？用いて１分間露光したのち、１
，１．１−トリクロロエタンにてシャワ一方式現像全１
分間行りたところ、ドライフィルムの未露光部分及びそ
の下部の表面保護層が同時に現像除去された。
現像後の解像度及び現像再現性？、それぞれ表及び第２
図にポア。
図にポア。
なお、比較のために、表面１呆護層？設けないものにつ
いても、同様にしてテストｉ行った。その結果も表及び
第２図に示す。
いても、同様にしてテストｉ行った。その結果も表及び
第２図に示す。
また、表において○は線の残っているもの、×は線のな
いものを表わす。第２図はラミネート温度と現像後画線
の残っている巾との関係を示すグラフであって、実線及
び一点鎖線はそれぞれ表面（呆護層の厚−ざが５〜６μ
ｍ及び２〜３μｍの・もの、破線は表面保護層を設けな
かったものである。
いものを表わす。第２図はラミネート温度と現像後画線
の残っている巾との関係を示すグラフであって、実線及
び一点鎖線はそれぞれ表面（呆護層の厚−ざが５〜６μ
ｍ及び２〜３μｍの・もの、破線は表面保護層を設けな
かったものである。
実施例２
実施例１と同様の組成を有する緑色の粘ちょうな液状感
光性組成物全調製した。
光性組成物全調製した。
この液状感光性材料をロールコータ−４用いて清浄な銅
張シ積層板に塗布乾燥して膜厚４μｍの表面１呆護層を
設けた。同様の操作全裏面に行−って両面に表面医護層
？有−Ｔる銅張り積層板を得）Ｅｏこの表面保護層の上
に、感光層膜厚２５μｉｎのラミナーフィルム（ダイナ
ケム社製トライフィルム）孕１００〜１１０℃、速度６
５Ｃｍ／ｍｉｎで積層した。
張シ積層板に塗布乾燥して膜厚４μｍの表面１呆護層を
設けた。同様の操作全裏面に行−って両面に表面医護層
？有−Ｔる銅張り積層板を得）Ｅｏこの表面保護層の上
に、感光層膜厚２５μｉｎのラミナーフィルム（ダイナ
ケム社製トライフィルム）孕１００〜１１０℃、速度６
５Ｃｍ／ｍｉｎで積層した。
銅張シ積層板は予備加熱は行わなかったにもかかわらず
、ラミナーフィルムは表面［呆護層に強固に結合してお
り、通常のドライフィルムの圧着度テストに用いるよう
な機械的Ａ・１」膜方法では全然剥’ｉ＋ｌ＃すること
はできなかった。
、ラミナーフィルムは表面［呆護層に強固に結合してお
り、通常のドライフィルムの圧着度テストに用いるよう
な機械的Ａ・１」膜方法では全然剥’ｉ＋ｌ＃すること
はできなかった。
次いで、２１（Ｗの超高圧水銀灯を光源とし、ボジナイ
ブパターンのマスクを使用して１分間露光したの’ｔ２
．１，１．１− ）リクロロエタンにてノヤワ一方式現
像全１分間行ったところ、ラミナーフィルムの未露光部
分及びその下部の表面［呆護層が同時に現像除去でれた
。このものを十分に水洗し、めっき前処理を常法に従っ
て行い、ピロリン酸銅めっき及びハイスローはんだめっ
きを引続き行ったところ、めっき端部のシャープな美し
いめっきが得られ、レジスト層の下部へのめっきの浸み
込みは認められなかった。
ブパターンのマスクを使用して１分間露光したの’ｔ２
．１，１．１− ）リクロロエタンにてノヤワ一方式現
像全１分間行ったところ、ラミナーフィルムの未露光部
分及びその下部の表面［呆護層が同時に現像除去でれた
。このものを十分に水洗し、めっき前処理を常法に従っ
て行い、ピロリン酸銅めっき及びハイスローはんだめっ
きを引続き行ったところ、めっき端部のシャープな美し
いめっきが得られ、レジスト層の下部へのめっきの浸み
込みは認められなかった。
実施例３
テトラエチレンクリコールジアクリレート ６０＋
！１ジアリールフタレート １
８０／／２− ｔｅｒｔ−ブチルアンスラキノン
３０〃ｐ−メトキシフェノール
００３ 〃エチルバイオＶソト（ハレー／コン防止
剤） ３ 〃エチレンクリコールモノエチルエー
テル １０００ 〃前記組成す有する紫色の粘ちょ
うな液状感光性材料全調製した。
！１ジアリールフタレート １
８０／／２− ｔｅｒｔ−ブチルアンスラキノン
３０〃ｐ−メトキシフェノール
００３ 〃エチルバイオＶソト（ハレー／コン防止
剤） ３ 〃エチレンクリコールモノエチルエー
テル １０００ 〃前記組成す有する紫色の粘ちょ
うな液状感光性材料全調製した。
この液状感光性組成物？用いて、実施例２と同様の操作
により２５μＩｎ厚のラミナーフィルムケ両面に積層し
たプリント回路基板とし、次いで露光したのち、 １
，１．ｔ −） ｌ）クロロエタ／？用いて現像？行っ
たところ、ラミナーフィルムの未露光部分及びその下部
の表面保護層が同時に現像除去され画像が得られた。こ
のものは、実施例１と同様にめっき液に対し強い抵抗全
売した。
により２５μＩｎ厚のラミナーフィルムケ両面に積層し
たプリント回路基板とし、次いで露光したのち、 １
，１．ｔ −） ｌ）クロロエタ／？用いて現像？行っ
たところ、ラミナーフィルムの未露光部分及びその下部
の表面保護層が同時に現像除去され画像が得られた。こ
のものは、実施例１と同様にめっき液に対し強い抵抗全
売した。
実施例４
ジアリルフタレート ４０
〃トリエチノンクリコールジアクリＶ−ト １０
／７ジエチＶ／クリコールシアクリＬ／−ト
１０／／ベンツインイソプロピルエーテル
２０〃２−エチルアンスラキノン
５ 〃ｐ−メトキシフェノール
０．０１ ／１エチルバイオレット（ハレー／コン防
止２ ／７剤） メチルエチルケトン ８００〃
前記組成？有する紫色の液状感光性材料全調製した。
〃トリエチノンクリコールジアクリＶ−ト １０
／７ジエチＶ／クリコールシアクリＬ／−ト
１０／／ベンツインイソプロピルエーテル
２０〃２−エチルアンスラキノン
５ 〃ｐ−メトキシフェノール
０．０１ ／１エチルバイオレット（ハレー／コン防
止２ ／７剤） メチルエチルケトン ８００〃
前記組成？有する紫色の液状感光性材料全調製した。
この液状感光性材料金、銅張り積層板−ヒに浸せき塗布
装置？用いて、２ｏｃｒｎ／ｍｊｎの引上速度で塗布し
、乾燥して膜厚約２μｍｎ の半固型状乾燥膜と得た。
装置？用いて、２ｏｃｒｎ／ｍｊｎの引上速度で塗布し
、乾燥して膜厚約２μｍｎ の半固型状乾燥膜と得た。
この上に３５μｍ厚のリストンフィルム（ｄｕｐｏｎｔ
社製ドライフィルム）を積層し、パターン露光後、１
，１．１−トリクロロエタン？用いて現像した。これを
常法により前処理したのち、酸性金めつき全施したとこ
ろ、従来法によシトライフィルムを直接積層した場合は
レジスト下部に金めつきの浸み込みが数多く見られるの
が常であったのに対し、本例ではめっきの浸み込みが完
全に防止されたプリント回路板が得しれた。
社製ドライフィルム）を積層し、パターン露光後、１
，１．１−トリクロロエタン？用いて現像した。これを
常法により前処理したのち、酸性金めつき全施したとこ
ろ、従来法によシトライフィルムを直接積層した場合は
レジスト下部に金めつきの浸み込みが数多く見られるの
が常であったのに対し、本例ではめっきの浸み込みが完
全に防止されたプリント回路板が得しれた。
実施例５
実施例４における５ノチルエチルケトンの代りに。
エチレンクリコールモノエチルエーテルヲ用いる以外は
実施例４と同様の液状感光性材料全調製した。
実施例４と同様の液状感光性材料全調製した。
この液状感光性材料全調製ハで、銅めつきスルホール金
有する両面銅張り積層板上に、ローラー塗布機６・こよ
り表面保護層（約２．α１ｎ厚）？設け、乾燥後スルホ
ールパターン露光を行い、次いでｉ、ｉ、ｉ−トリクロ
ロエタンケ用いて両面よシスプＶ−現像？行ったのち、
塩化第二鉄液を用いてエツチングしたところ、完全にス
ルホール開口部にテンティング保護膜？残した銅スルホ
ールプリント回路板が得られた。
有する両面銅張り積層板上に、ローラー塗布機６・こよ
り表面保護層（約２．α１ｎ厚）？設け、乾燥後スルホ
ールパターン露光を行い、次いでｉ、ｉ、ｉ−トリクロ
ロエタンケ用いて両面よシスプＶ−現像？行ったのち、
塩化第二鉄液を用いてエツチングしたところ、完全にス
ルホール開口部にテンティング保護膜？残した銅スルホ
ールプリント回路板が得られた。
第１図は本発明方法の工程を示す説明図、第２図はラミ
ネート温度全現像後の画線の巾との関係ケ示すグラフで
ある。 特許出願人 フォトポリ応化株式会社 代理人阿 形 明
ネート温度全現像後の画線の巾との関係ケ示すグラフで
ある。 特許出願人 フォトポリ応化株式会社 代理人阿 形 明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面床護層孕もつプリンｉ・基板上にパターン形成
用感光性樹脂層ケ積層し、像形成露光処理及び現像処理
を行ってフオ）Ｖジストケ形成するに当シ、 （イ）表面保護層としてハレーション防止剤？含有する
感光性樹脂層を用いること、 （ロ）表面保護層を除去することなく直接その上にパタ
ーン形成用感光性樹脂層？積層すること、及び （ハ）現像処理全表面保護層とパターン形成用感光性樹
脂層の対応する未露光部又は露光部２同時に溶解しうる
現像液を用いて行うことを特徴とするフォト＋ｚシスト
形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101329A JPS59226346A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | プリント回路の製造方法 |
| US06/614,655 US4557996A (en) | 1983-06-07 | 1984-05-29 | Method for providing a pattern-wise photoresist layer on a substrate plate and a surface-protected substrate plate therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101329A JPS59226346A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | プリント回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59226346A true JPS59226346A (ja) | 1984-12-19 |
| JPH0374382B2 JPH0374382B2 (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=14297786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58101329A Granted JPS59226346A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | プリント回路の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4557996A (ja) |
| JP (1) | JPS59226346A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8414867D0 (en) * | 1984-06-11 | 1984-07-18 | Minnesota Mining & Mfg | Pre-press proofing system |
| DE3606225A1 (de) * | 1986-02-26 | 1987-08-27 | Siemens Ag | Verfahren zum auflaminieren von fotofolien auf leiterplatten |
| CA1321315C (en) * | 1986-04-11 | 1993-08-17 | Yoichi Mori | Printing plate |
| EP0266069A3 (en) * | 1986-10-01 | 1988-09-21 | Napp Systems (Usa) Inc. | Photopolymerizable composition useful for printing plates |
| DE3827245A1 (de) * | 1988-08-11 | 1990-02-15 | Hoechst Ag | Photopolymerisierbares aufzeichnungsmaterial |
| JPH0484136A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | パターン形成方法 |
| US6268457B1 (en) | 1999-06-10 | 2001-07-31 | Allied Signal, Inc. | Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography |
| US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| WO2000077575A1 (en) | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Alliedsignal Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| WO2003044600A1 (en) | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on anti-reflective coatings for photolithography |
| US6844131B2 (en) | 2002-01-09 | 2005-01-18 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
| US20030215736A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
| US7070914B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| WO2012008736A2 (ko) * | 2010-07-14 | 2012-01-19 | 주식회사 엘지화학 | 파지티브 타입 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 블랙 뱅크 |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| US10544329B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-01-28 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
| TWI625607B (zh) * | 2016-03-17 | 2018-06-01 | 許銘案 | 具薄膜圖案的基板及形成薄膜圖案於基板的方法 |
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| JPS5382501A (en) * | 1976-12-10 | 1978-07-21 | Mitsubishi Rayon Co | Support for photosensitive resin plate |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL219906A (ja) * | 1956-08-14 | |||
| US2964401A (en) * | 1957-02-18 | 1960-12-13 | Du Pont | Photopolymerizable elements and processes |
| CA1099435A (en) * | 1971-04-01 | 1981-04-14 | Gwendyline Y. Y. T. Chen | Photosensitive block copolymer composition and elements |
| JPS526296B2 (ja) * | 1972-08-31 | 1977-02-21 | ||
| US3934057A (en) * | 1973-12-19 | 1976-01-20 | International Business Machines Corporation | High sensitivity positive resist layers and mask formation process |
| US3982943A (en) * | 1974-03-05 | 1976-09-28 | Ibm Corporation | Lift-off method of fabricating thin films and a structure utilizable as a lift-off mask |
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| JPS5677841A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Automatic processing photographic film unit |
| US4427759A (en) * | 1982-01-21 | 1984-01-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing an overcoated photopolymer printing plate |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP58101329A patent/JPS59226346A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-29 US US06/614,655 patent/US4557996A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945326A (ja) * | 1972-09-09 | 1974-04-30 | ||
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4557996A (en) | 1985-12-10 |
| JPH0374382B2 (ja) | 1991-11-26 |
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