JP3355056B2 - レジスト現像法 - Google Patents
レジスト現像法Info
- Publication number
- JP3355056B2 JP3355056B2 JP5746495A JP5746495A JP3355056B2 JP 3355056 B2 JP3355056 B2 JP 3355056B2 JP 5746495 A JP5746495 A JP 5746495A JP 5746495 A JP5746495 A JP 5746495A JP 3355056 B2 JP3355056 B2 JP 3355056B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist layer
- layer
- protective layer
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト現像法に関す
る。更に詳しくは、本発明は、プリント配線板基材等に
パターンを形成する際に使用されるレジスト現像法に関
する。
る。更に詳しくは、本発明は、プリント配線板基材等に
パターンを形成する際に使用されるレジスト現像法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント配線基材等に配線を形成
する際のエッチングにおいて、ドライフィルム又は液体
状のレジスト材料が使用されている。これらレジスト材
料は、プリント配線板基材等の上に被覆することにより
レジスト層として使用される。更に、レジスト層上に
は、光による硬化反応を促進するために、透明の保護層
が形成される。この保護層の役割は、 （１）硬化反応時に酸素が硬化を妨げることによるレジ
スト層の不十分な硬化の防止 （２）レジスト層へのゴミの付着の防止及びレジスト層
にキズが生じることの防止である。
する際のエッチングにおいて、ドライフィルム又は液体
状のレジスト材料が使用されている。これらレジスト材
料は、プリント配線板基材等の上に被覆することにより
レジスト層として使用される。更に、レジスト層上に
は、光による硬化反応を促進するために、透明の保護層
が形成される。この保護層の役割は、 （１）硬化反応時に酸素が硬化を妨げることによるレジ
スト層の不十分な硬化の防止 （２）レジスト層へのゴミの付着の防止及びレジスト層
にキズが生じることの防止である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記保護層は、物理的
に剥ぎ取る方法又はレジスト層の現像に使用される現液
で溶解して除去する方法により除去している。ところ
が、保護層を物理的に剥ぎ取る方法では、工程が増える
と共に人手も必要とし、コストアップの要因となってい
た。一方、現像液で溶解して除去する方法では、レジス
ト層の現像と同時に行われるため、長時間現像をする必
要があった。更に、形成されたレジスト層及び保護層
は、厳密には均一な厚さではなく、厚さにばらつきを有
している。従って、レジスト層及び保護層を溶解する場
合、レジスト層が残ることを防ぐために、レジスト層及
び保護層からなる２層の層厚の厚い部分にあわせて現像
する必要があり、そのため細いレジストパターンを現像
することが困難であった。
に剥ぎ取る方法又はレジスト層の現像に使用される現液
で溶解して除去する方法により除去している。ところ
が、保護層を物理的に剥ぎ取る方法では、工程が増える
と共に人手も必要とし、コストアップの要因となってい
た。一方、現像液で溶解して除去する方法では、レジス
ト層の現像と同時に行われるため、長時間現像をする必
要があった。更に、形成されたレジスト層及び保護層
は、厳密には均一な厚さではなく、厚さにばらつきを有
している。従って、レジスト層及び保護層を溶解する場
合、レジスト層が残ることを防ぐために、レジスト層及
び保護層からなる２層の層厚の厚い部分にあわせて現像
する必要があり、そのため細いレジストパターンを現像
することが困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、プリント配線板基材又はマルチチップモジュールか
らなる基材上にレジスト層を形成し、レジスト層上に中
性乃至酸性の水性媒体に溶解しうる酢酸ビニル又はポリ
ビニルアルコールと酢酸ビニルとの混合物からなる保護
層を形成し、該レジスト層及び保護層に光を照射してレ
ジスト層に所望のパターンを露光し、保護層を中性乃至
酸性の水性媒体で溶解し、レジスト層を所定の現像液で
現像することによりレジストパターンを形成することを
特徴とするレジスト現像法が提供される。
ば、プリント配線板基材又はマルチチップモジュールか
らなる基材上にレジスト層を形成し、レジスト層上に中
性乃至酸性の水性媒体に溶解しうる酢酸ビニル又はポリ
ビニルアルコールと酢酸ビニルとの混合物からなる保護
層を形成し、該レジスト層及び保護層に光を照射してレ
ジスト層に所望のパターンを露光し、保護層を中性乃至
酸性の水性媒体で溶解し、レジスト層を所定の現像液で
現像することによりレジストパターンを形成することを
特徴とするレジスト現像法が提供される。
【０００５】本発明に使用できる基材は、レジストパタ
ーンを形成することが所望される基材であれば特に限定
されない。例えばプリント配線板基材、マルチチップモ
ジュール（ＭＣＭ）等が挙げられる。次に、本発明のレ
ジスト層には、公知のレジスト材料をいずれも使用でき
る。レジスト材料には、例えば、芳香族ジアゾニウム塩
系、ｏ−キノンジアジド系、ビスアジド系等の光分解型
のレジスト材料、ケイ皮酸エステル系等の光二量化型の
レジスト材料、不飽和ポリエステル、エポキシアクリレ
ート、ウレタンアクリレート等のプレポリマーもしくは
バインダーポリマーとしてのポバール、ポリアミド、ポ
リメタクリレート等と、各種のアクリレート及びメタク
リレートモノマーと、光重合開始剤（例えば、ベンゾフ
ェノン、ミヒラーズケトン等）とからなる光重合型のレ
ジスト材料が挙げられる。また、レジスト材料には、必
要に応じて、染料（ロイコクリスタルバイオレット、ト
リブロモメチルスルホン等）、密着促進剤（５−アミノ
−１，１１−テトラゾール等）、溶剤（メチルエチルケ
トン、イソプロピルアルコール等）を加えてもよい。レ
ジスト材料の形状としては、ドライフィルムタイプ、液
体状タイプが挙げられる。また、レジスト層の厚さは、
厚さ０．３〜４０μｍが好ましい。
ーンを形成することが所望される基材であれば特に限定
されない。例えばプリント配線板基材、マルチチップモ
ジュール（ＭＣＭ）等が挙げられる。次に、本発明のレ
ジスト層には、公知のレジスト材料をいずれも使用でき
る。レジスト材料には、例えば、芳香族ジアゾニウム塩
系、ｏ−キノンジアジド系、ビスアジド系等の光分解型
のレジスト材料、ケイ皮酸エステル系等の光二量化型の
レジスト材料、不飽和ポリエステル、エポキシアクリレ
ート、ウレタンアクリレート等のプレポリマーもしくは
バインダーポリマーとしてのポバール、ポリアミド、ポ
リメタクリレート等と、各種のアクリレート及びメタク
リレートモノマーと、光重合開始剤（例えば、ベンゾフ
ェノン、ミヒラーズケトン等）とからなる光重合型のレ
ジスト材料が挙げられる。また、レジスト材料には、必
要に応じて、染料（ロイコクリスタルバイオレット、ト
リブロモメチルスルホン等）、密着促進剤（５−アミノ
−１，１１−テトラゾール等）、溶剤（メチルエチルケ
トン、イソプロピルアルコール等）を加えてもよい。レ
ジスト材料の形状としては、ドライフィルムタイプ、液
体状タイプが挙げられる。また、レジスト層の厚さは、
厚さ０．３〜４０μｍが好ましい。
【０００６】ここで、レジスト層を２層構造にすること
もできる。即ち、基材側に感度の高いレジスト層を積層
し、その上に感度の低いレジスト層を積層してなる構造
である。この２層構造により、感度の低いレジスト層で
は形成できない微細なレジストパターンが、感度の高い
レジスト層を用いることにより形成できる。更に、感度
の高いレジスト層及び感度の低いレジスト層の両層を硬
化させる光の波長は、同一でも異なっていてもよい。こ
こで異なる光の波長で硬化するレジスト材料を両層に使
用すれば、選択的に両層を硬化させることが可能とな
る。
もできる。即ち、基材側に感度の高いレジスト層を積層
し、その上に感度の低いレジスト層を積層してなる構造
である。この２層構造により、感度の低いレジスト層で
は形成できない微細なレジストパターンが、感度の高い
レジスト層を用いることにより形成できる。更に、感度
の高いレジスト層及び感度の低いレジスト層の両層を硬
化させる光の波長は、同一でも異なっていてもよい。こ
こで異なる光の波長で硬化するレジスト材料を両層に使
用すれば、選択的に両層を硬化させることが可能とな
る。
【０００７】上記２層構造のレジスト層は、例えば、以
下の様に露光される。ここでは、異なる光の波長で硬化
するレジスト材料が使用されたレジスト層を露光する場
合について説明する。まず、感度の高いレジスト層に、
このレジスト層を硬化させうる波長の光により、微細な
パターンを含む全てのパターンが露光される。次に、感
度の低いレジスト層に、このレジスト層を硬化させうる
波長の光により、微細なパターン以外のパターンが露光
される。
下の様に露光される。ここでは、異なる光の波長で硬化
するレジスト材料が使用されたレジスト層を露光する場
合について説明する。まず、感度の高いレジスト層に、
このレジスト層を硬化させうる波長の光により、微細な
パターンを含む全てのパターンが露光される。次に、感
度の低いレジスト層に、このレジスト層を硬化させうる
波長の光により、微細なパターン以外のパターンが露光
される。
【０００８】なお、感度の高いレジスト層は、硬化反応
時に酸素と重合しやすいので硬化が不十分になりやす
く、ゴミが付着すること及びキズが生じることによりレ
ジスト層の露光が不十分になりやすい。従って、感度の
高いレジスト層のみをレジストパターンの形成に使用し
た場合は、微細なレジストパターンを形成することがで
きない。
時に酸素と重合しやすいので硬化が不十分になりやす
く、ゴミが付着すること及びキズが生じることによりレ
ジスト層の露光が不十分になりやすい。従って、感度の
高いレジスト層のみをレジストパターンの形成に使用し
た場合は、微細なレジストパターンを形成することがで
きない。
【０００９】レジスト層の積層方法は、公知の方法をい
ずれも使用することができる。例えば、ドライフィルム
を使用する場合、フィルムを基材表面に熱圧着等の方法
により積層することができる。一方、液体状のレジスト
材料を使用する場合、ディップコータ等を用いて塗布す
ることにより積層することができる。次に、レジスト層
上に保護層が形成される。本発明に使用できる保護層
は、中性乃至酸性の水性媒体に溶解しうるものであれば
特に限定されない。ここで、中性乃至酸性とは、ｐＨ
８．５以下であることを意味し、ｐＨ８．５より大きい
場合、レジスト層も溶解してしまうので好ましくない。
また、上記ｐＨは、６〜８．５の範囲が、廃液の後処理
を考慮すると好ましい。保護層に使用できる材料として
は、具体的には酢酸ビニル等が挙げられる。更にポリビ
ニルアルコールと酢酸ビニルを混合して使用すれば、酸
素遮断性が向上するのでより好ましい。保護層の厚さ
は、１〜１０μｍ、好ましくは２〜３μｍである。１μ
ｍより小さい場合は十分な酸素遮断性を得ることができ
ないので好ましくなく、１０μｍより大きい場合は保護
層を除去するのに時間が必要となるので好ましくない。
ずれも使用することができる。例えば、ドライフィルム
を使用する場合、フィルムを基材表面に熱圧着等の方法
により積層することができる。一方、液体状のレジスト
材料を使用する場合、ディップコータ等を用いて塗布す
ることにより積層することができる。次に、レジスト層
上に保護層が形成される。本発明に使用できる保護層
は、中性乃至酸性の水性媒体に溶解しうるものであれば
特に限定されない。ここで、中性乃至酸性とは、ｐＨ
８．５以下であることを意味し、ｐＨ８．５より大きい
場合、レジスト層も溶解してしまうので好ましくない。
また、上記ｐＨは、６〜８．５の範囲が、廃液の後処理
を考慮すると好ましい。保護層に使用できる材料として
は、具体的には酢酸ビニル等が挙げられる。更にポリビ
ニルアルコールと酢酸ビニルを混合して使用すれば、酸
素遮断性が向上するのでより好ましい。保護層の厚さ
は、１〜１０μｍ、好ましくは２〜３μｍである。１μ
ｍより小さい場合は十分な酸素遮断性を得ることができ
ないので好ましくなく、１０μｍより大きい場合は保護
層を除去するのに時間が必要となるので好ましくない。
【００１０】保護層の積層方法としては、特に限定され
ず、スピンコータ、ローラコータ、ディップコータ、ス
プレー等を用いて塗布することが挙げられる。また、ド
ライフィルム上に予め積層しておくことも可能である。
次に、レジスト層及び保護層に光を照射してレジスト層
に所望のパターンを露光する。露光に使用される光は、
使用するレジスト層に対応する波長を有する光を用いる
ことができ、可視光、紫外線、赤外線等をいずれも使用
することができる。
ず、スピンコータ、ローラコータ、ディップコータ、ス
プレー等を用いて塗布することが挙げられる。また、ド
ライフィルム上に予め積層しておくことも可能である。
次に、レジスト層及び保護層に光を照射してレジスト層
に所望のパターンを露光する。露光に使用される光は、
使用するレジスト層に対応する波長を有する光を用いる
ことができ、可視光、紫外線、赤外線等をいずれも使用
することができる。
【００１１】更に、保護層を中性乃至酸性、好ましくは
ｐＨ６〜８．５の水性媒体で溶解することにより除去す
る。本発明に使用できる水性媒体とは、水に適宜酸又は
アルカリを加えることにより上記ｐＨに調節された水性
媒体を意味する。また、水性媒体には、中性乃至酸性の
範囲内でアクリル系、シリコン系等の消泡剤等の添加剤
を加えることもできる。除去方法は、特に限定されず、
バッチ式、スプレー式等が挙げられる。
ｐＨ６〜８．５の水性媒体で溶解することにより除去す
る。本発明に使用できる水性媒体とは、水に適宜酸又は
アルカリを加えることにより上記ｐＨに調節された水性
媒体を意味する。また、水性媒体には、中性乃至酸性の
範囲内でアクリル系、シリコン系等の消泡剤等の添加剤
を加えることもできる。除去方法は、特に限定されず、
バッチ式、スプレー式等が挙げられる。
【００１２】次いで、レジスト層を現像することにより
剥離する。現像液は、特に限定されず、使用したレジス
ト層に対応する現像液が使用される。例えば、炭酸ナト
リウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等からなる
アルカリ水溶液、１，１，１−トリクロロエタン、塩化
メチレン等の有機溶剤が挙げられる。ここで、上記保護
層の除去と、レジスト層の剥離はコンベア等を用いて連
続的に行えば、現像時間を短縮できるのでより好まし
い。
剥離する。現像液は、特に限定されず、使用したレジス
ト層に対応する現像液が使用される。例えば、炭酸ナト
リウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等からなる
アルカリ水溶液、１，１，１−トリクロロエタン、塩化
メチレン等の有機溶剤が挙げられる。ここで、上記保護
層の除去と、レジスト層の剥離はコンベア等を用いて連
続的に行えば、現像時間を短縮できるのでより好まし
い。
【００１３】
【作用】本発明のレジスト現像法によれば、基材上にレ
ジスト層を形成し、レジスト層上に中性乃至酸性の水性
媒体に溶解しうる保護層を形成し、該レジスト層及び保
護層に光を照射してレジスト層に所望のパターンを露光
し、保護層を中性乃至酸性の水性媒体で溶解し、レジス
ト層を所定の現像液で現像することによりレジストパタ
ーンを形成することを特徴とするので、物理的に保護層
を取ることなく、保護層をレジスト層の現像前に除去で
き、レジスト層の現像の制御が容易な現像法が提供され
る。
ジスト層を形成し、レジスト層上に中性乃至酸性の水性
媒体に溶解しうる保護層を形成し、該レジスト層及び保
護層に光を照射してレジスト層に所望のパターンを露光
し、保護層を中性乃至酸性の水性媒体で溶解し、レジス
ト層を所定の現像液で現像することによりレジストパタ
ーンを形成することを特徴とするので、物理的に保護層
を取ることなく、保護層をレジスト層の現像前に除去で
き、レジスト層の現像の制御が容易な現像法が提供され
る。
【００１４】
実施例１ プリント配線板基材１の両面に銅２が積層された両面銅
張り積層板に液状の光硬化型レジストをディップコータ
で塗布し、層厚４〜６μｍのレジスト層３を形成した。
張り積層板に液状の光硬化型レジストをディップコータ
で塗布し、層厚４〜６μｍのレジスト層３を形成した。
【００１５】次に、ポリビニルアルコール・酢酸ビニル
（ポリビニルアルコール：酢酸ビニル＝６：４）混合物
をディップコータで塗布し、層厚２〜４μｍの保護層４
を形成した。上記工程により、図１に示すように、銅
２、レジスト層３及び保護層４が両面に形成されたプリ
ント配線板基材１を得た。
（ポリビニルアルコール：酢酸ビニル＝６：４）混合物
をディップコータで塗布し、層厚２〜４μｍの保護層４
を形成した。上記工程により、図１に示すように、銅
２、レジスト層３及び保護層４が両面に形成されたプリ
ント配線板基材１を得た。
【００１６】全体を加熱してレジスト層３及び保護層４
の溶媒を除去することにより乾燥させた後、マスク又は
制御されたレーザ光を照射して所望のパターンを露光し
た。更に、図２に示す装置のコンベア５に上記プリント
配線板基材１を載置し、保護層除去工程６において、水
で洗浄することにより保護層を溶解して除去し、連続的
にプリント配線板基材１をレジスト層現像工程７に付す
ことにより、レジスト層を現像液（０．５％炭酸ナトリ
ウム水溶液）で現像した。なお、図２では簡単にするた
め銅２、レジスト層３及び保護層４は省略している。こ
の後、水で洗浄することにより現像液を除去し、レジス
ト層に所望のレジストパターンが形成されたプリント配
線板基材を得た。
の溶媒を除去することにより乾燥させた後、マスク又は
制御されたレーザ光を照射して所望のパターンを露光し
た。更に、図２に示す装置のコンベア５に上記プリント
配線板基材１を載置し、保護層除去工程６において、水
で洗浄することにより保護層を溶解して除去し、連続的
にプリント配線板基材１をレジスト層現像工程７に付す
ことにより、レジスト層を現像液（０．５％炭酸ナトリ
ウム水溶液）で現像した。なお、図２では簡単にするた
め銅２、レジスト層３及び保護層４は省略している。こ
の後、水で洗浄することにより現像液を除去し、レジス
ト層に所望のレジストパターンが形成されたプリント配
線板基材を得た。
【００１７】本実施例では、現像に要する時間は２０秒
であり、解像できる最小パターン幅は４０μｍであっ
た。 比較例 保護層を従来使用されているポリビニルアルコールに変
えたこと以外は、実施例１と同様にしてレジストパター
ンを形成した。なお、レジストパターン形成は、図３に
示す保護層溶解とレジスト層の現像を同時に行う装置を
使用した。図３中、８は保護層除去及びレジスト層現像
工程を示している。また、図３では簡単にするため銅
２、レジスト層３及び保護層４は省略している。
であり、解像できる最小パターン幅は４０μｍであっ
た。 比較例 保護層を従来使用されているポリビニルアルコールに変
えたこと以外は、実施例１と同様にしてレジストパター
ンを形成した。なお、レジストパターン形成は、図３に
示す保護層溶解とレジスト層の現像を同時に行う装置を
使用した。図３中、８は保護層除去及びレジスト層現像
工程を示している。また、図３では簡単にするため銅
２、レジスト層３及び保護層４は省略している。
【００１８】比較例では、現像時間は６０秒であり、解
像できる最小パターン幅は８０μｍであった。上記実施
例及び比較例から明らかなように、現像時間の大幅な短
縮及び最小解像パターン幅のファイン化を実現すること
ができた。
像できる最小パターン幅は８０μｍであった。上記実施
例及び比較例から明らかなように、現像時間の大幅な短
縮及び最小解像パターン幅のファイン化を実現すること
ができた。
【００１９】
【発明の効果】本発明のレジスト現像法によれば、基材
上にレジスト層を形成し、レジスト層上に中性乃至酸性
の水性媒体に溶解しうる保護層を形成し、該レジスト層
及び保護層に光を照射してレジスト層に所望のパターン
を露光し、保護層を中性乃至酸性の水性媒体で溶解し、
レジスト層を所定の現像液で現像することによりレジス
トパターンを形成することを特徴とするので、物理的に
保護層を取ることなく、保護層をレジスト層の現像前に
除去でき、レジスト層の現像の制御が容易な現像法を提
供することができる。
上にレジスト層を形成し、レジスト層上に中性乃至酸性
の水性媒体に溶解しうる保護層を形成し、該レジスト層
及び保護層に光を照射してレジスト層に所望のパターン
を露光し、保護層を中性乃至酸性の水性媒体で溶解し、
レジスト層を所定の現像液で現像することによりレジス
トパターンを形成することを特徴とするので、物理的に
保護層を取ることなく、保護層をレジスト層の現像前に
除去でき、レジスト層の現像の制御が容易な現像法を提
供することができる。
【００２０】更に、水性媒体が、６〜８．５のｐＨを有
することにより、保護層除去時に生じる廃液の処理を簡
単にすることができる。また、保護層の溶解とレジスト
層の現像を連続的に行うことにより、更に現像時間を短
縮することができる。更に、保護層が、酢酸ビニル又は
ポリビニルアルコールと酢酸ビニルとの混合物からなる
ことにより酸素遮断性をより向上させることができる。
することにより、保護層除去時に生じる廃液の処理を簡
単にすることができる。また、保護層の溶解とレジスト
層の現像を連続的に行うことにより、更に現像時間を短
縮することができる。更に、保護層が、酢酸ビニル又は
ポリビニルアルコールと酢酸ビニルとの混合物からなる
ことにより酸素遮断性をより向上させることができる。
【００２１】また、レジスト層が２層からなり、上層が
感度の低いレジスト層であり、下層が感度の高いレジス
ト層であることにより、形成されるパターンのファイン
化を図ることができる。
感度の低いレジスト層であり、下層が感度の高いレジス
ト層であることにより、形成されるパターンのファイン
化を図ることができる。
【図１】実施例において保護層及びレジスト層が積層さ
れたプリント配線板の概略断面図である。
れたプリント配線板の概略断面図である。
【図２】実施例で使用された保護層溶解とレジスト層の
現像を行うコンベアの概略図である。
現像を行うコンベアの概略図である。
【図３】比較例で使用された保護層溶解とレジスト層の
現像を行うコンベアの概略図である。
現像を行うコンベアの概略図である。
１ プリント配線板基材 ２ 銅 ３ レジスト層 ４ 保護層 ５ コンベア ６ 保護層除去工程 ７ レジスト層現像工程 ８ 保護膜除去及びレジスト層現像工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−216244（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−159530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−78192（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−45246（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−28232（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−197942（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−13029（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−133940（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−177544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−4141（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−313966（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−17719（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/11 501 C23C 28/00 G03F 7/26 511 H05K 3/06
Claims (4)
- 【請求項１】 プリント配線板基材又はマルチチップモ
ジュールからなる基材上にレジスト層を形成し、レジス
ト層上に中性乃至酸性の水性媒体に溶解しうる酢酸ビニ
ル又はポリビニルアルコールと酢酸ビニルとの混合物か
らなる保護層を形成し、該レジスト層及び保護層に光を
照射してレジスト層に所望のパターンを露光し、保護層
を中性乃至酸性の水性媒体で溶解し、レジスト層を所定
の現像液で現像することによりレジストパターンを形成
することを特徴とするレジスト現像法。 - 【請求項２】 水性媒体が、６〜８．５のｐＨを有する
請求項１記載のレジスト現像法。 - 【請求項３】 保護層の溶解とレジスト層の現像を連続
的に行うことからなる請求項１又は２に記載のレジスト
現像法。 - 【請求項４】 レジスト層が２層からなり、上層が感度
の低いレジスト層であり、下層が感度の高いレジスト層
である請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト現像
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5746495A JP3355056B2 (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | レジスト現像法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5746495A JP3355056B2 (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | レジスト現像法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08254832A JPH08254832A (ja) | 1996-10-01 |
| JP3355056B2 true JP3355056B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=13056410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5746495A Expired - Fee Related JP3355056B2 (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | レジスト現像法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3355056B2 (ja) |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP5746495A patent/JP3355056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08254832A (ja) | 1996-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4530896A (en) | Photosensitive laminate | |
| EP2643731B1 (en) | Photoimaging | |
| EP2009497A1 (en) | Photosensitive element, method for formation of resist pattern, and method for production of print circuit board | |
| JPH0426464B2 (ja) | ||
| JP4752656B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、これらを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 | |
| JPS6130253B2 (ja) | ||
| JPH0374382B2 (ja) | ||
| JPH06237063A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2009223142A (ja) | 感光性フィルムの粗面化処理方法、及び感光性フィルム | |
| JP3452597B2 (ja) | 感光性樹脂組成物積層体 | |
| JP3355056B2 (ja) | レジスト現像法 | |
| JP3241144B2 (ja) | 感光性樹脂組成物積層体、レジストパターンの製造法、基板、プリント配線板の製造法、プリント配線板及び機器 | |
| JP2003050459A (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの製造法およびプリント配線板の製造法 | |
| JP3409947B2 (ja) | 積層方法及び積層フィルム | |
| KR101052764B1 (ko) | Ｔｆｔ 패턴 형성용으로 적합한 드라이필름포토레지스트용 감광성 수지조성물 | |
| JPS5836331B2 (ja) | レジスト像の形成法 | |
| JP3513660B2 (ja) | 感光性樹脂組成物積層体 | |
| KR100937041B1 (ko) | 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 인쇄회로기판 및리드프레임의 제조방법 | |
| JP4267846B2 (ja) | 感光性転写材料及びカラーフィルターの製造方法。 | |
| WO2009097051A1 (en) | Method of creating an image in a photoresist laminate | |
| JPH045182B2 (ja) | ||
| JP3513659B2 (ja) | 感光性樹脂組成物積層体 | |
| JPH0650398B2 (ja) | 配線基盤の製造方法 | |
| JPH02126263A (ja) | 感光性積層体 | |
| JP2003345001A (ja) | 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020910 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080927 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080927 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090927 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090927 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100927 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100927 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110927 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |