TWI593753B - Polyimide film and method of forming a radial circuit board from the film - Google Patents

Description

聚醯亞胺膜及由該膜製成橈性電路板之方法

本發明係關於一種聚醯亞胺膜及由該膜製成撓性電路板之方法，特別係指一種用來製成內埋式撓性電路板之聚醯亞胺膜，及由該膜製成撓性電路板之方法。

傳統傳統金屬積層板係由聚醯亞胺膜與設置於其上之金屬箔層所構成，其電路通常利用蝕刻方式移除部分之金屬箔層而形成，此種電路形成方式通常稱為消去法(Substring)。

然而，以此種消去法於金屬金屬積層板上形成電路的方法中所使用的蝕刻步驟通常為濕式蝕刻製程，由於此種製程的等向(isotropic)，會使所形成之電路截面輪廓的形狀成為梯形結構，因此在製作間隙狹窄的微細電路時可能會發生所製得的電子元件在電性上可靠度不佳的問題。具體而言，將預定行程之梯型結構電路之頂部的線寬採用設計值尺寸，則所形成的相鄰電路之梯型結構的底部可能會部分地連接，因而降低電子元件的電氣性質的可靠度。反之，若將預定形成之梯形結構電路的底部採用設計值尺寸，則所形成的梯型結構電路的頂部可能會過窄，而使得電子元件之安裝時產生接觸不良情況。

此外，隨著電子元件多功能性要求以及輕薄短小的發展趨 勢，印刷電路板之線路的細微化逐漸成為近年來技術發展重點。然而，傳統的金屬線路製程細微化後之金屬線路與PI膜基材之間僅有單面接觸，容易造成金屬線路斷裂、剝落而使電子元件失效。為了解決此問題，業界開發出內埋式線路，內埋式線路因金屬線與基材間有三面相接，因而提供了強大的接著力，可避免細微線路發生斷線或剝落。

為為解決上述消去法製作細微線路可能發生電性可靠度不 佳及金屬線路與PI膜之間結合路不足等問題，以雷射直接成型線路(Laser Direct Structuring，簡稱LDS))技術製作細微電路的形成方法已受到矚目。

技LDS技術提供了製備內埋式線路的方式，一般而言，LDS 是使用含金屬成分的光活化性材料，例如：將尖晶石(Spinel)分散於高分子基材所形成(如PI膜)所形成之材料，以雷射光照射此光活性材料，並進行電鍍製程，從而形成內埋式線路。然而，以前述方法製成的線路，常因光活化性材料分散不均而造成所得線路寬窄不均，容易造成短路。此外，雷射活化後所形成之金屬壽命較短，必須在短時間內完成後續電鍍步驟，方能形成金屬圖案，不利於製程。

因此，發明人於2012年7月27日申請台灣專利第101127310 號專利，並已核准公告在案，其製程內埋式電路的製造方式可解決上述之缺點，其係提供一聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜係由聚醯亞胺高分子聚合以及分散於其中之有機粒子構成，該聚醯亞胺膜上形成一保護層，該保護層係離型膜或溶解型乾膜，在製成內埋式線路之撓性電路板之製程中，係於該設有保護層之聚醯亞胺層上以雷射方式形成一圖案化溝槽，且該圖案化溝槽貫穿該保護層與該聚醯亞胺膜之一部分，進行表面粗化處理，以於該 溝槽表面形成凹凸微結構，於該溝槽之表面形成一第一金屬層，以及於該第一金屬層表面形成第二金屬層，該第二金屬層係填滿該溝槽以形成內埋式電路。

然而，上述第101127310號專利所述之內埋式電路的製程方式存在有缺點，亦即，形成於聚醯亞胺膜上之保護層通常具有較大的厚度，而後以雷射貫穿保護層時必須耗費較大的能量損失，如何能形成一較薄的保護層於聚醯亞胺膜上，又容易自聚醯亞胺層上剝離，實為有待克服的議題。

本創作係提供一種聚醯亞胺膜，係包括：一聚醯亞胺層，其係由聚醯亞胺高分子聚合物、以及分佈於其中之有機粒子所構；及一保護層，其附著在該聚醯亞胺層之一表面，且包括構成該基底層主結構之聚醯亞胺、及分佈於其中之低表面能的高分子。

1、2、3‧‧‧經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜

11、21、31‧‧‧聚醯亞胺膜

12、22、32‧‧‧保護層

13、23、33‧‧‧聚醯亞胺聚合物

14、24、34‧‧‧有機奈米粒子

16‧‧‧低表面能的高分子

15、35‧‧‧金屬層

25、36‧‧‧溝槽

26、37‧‧‧鈀層

27、38‧‧‧鎳金屬層

28、39‧‧‧銅層

I‧‧‧雷射

25A、36A‧‧‧微凹凸表面

第1A圖與第1B圖係本發明聚醯亞胺膜之實施例的示意圖。

第2A-2G圖係以聚醯亞胺膜製備撓性印刷電路板之流程示意圖。

第3A-3G圖係以聚醯亞胺膜製備撓性印刷電路板之另一流程示意圖。

本發明是以有機-無機混合技術，將有機粒子均勻分散於聚 醯亞胺膜中，再經由LDS技術及表面處粗化技術製作埋藏式電路於該聚醯亞胺膜上，藉此製成撓性印刷電路板。

本發明聚醯亞胺膜除了大幅增加薄膜尺寸安定性與金屬接 著力之外，同時亦可解決一般雷射技術中添加劑分散不佳及金屬活化後之活性壽命短等問題。

本發明之聚醯亞胺膜之實施例中，可參閱第1A圖，聚醯亞 胺膜1包括有一聚醯亞胺層11及設於聚醯亞胺層11上之保護層12。

本發明之聚醯亞胺膜之另一實施例，可參閱第1B圖， 聚醯亞胺膜1包括有一聚醯亞胺層11、設置於聚醯亞胺層11上之金屬層15、及設置於金屬層15上之保護層12。

聚醯亞胺層11包括有聚醯亞胺聚合物13、及分佈於聚醯亞胺 聚合物13中之有機粒子14。於一實施例中，有機粒子14可為有機矽氧化物、有機金氧化物等、或其組合。於一較佳實施例中，有機粒子14可選自有機二氧化矽、有機二氧化鈦、有機氧化鋁、有機氧化鋯等，但不以此為限。

保護層12包括構成該層主結構之聚醯亞胺、及分佈於其中之 低表面能的高分子16，其厚度可為8微米以下，視需要，可於形成聚醯亞胺膜1(包括該保護層12及聚醯亞胺層11)後，進一步進行雙軸延伸處理，據此可增進該聚醯亞胺膜1之強度。由於聚醯亞胺膜厚度越薄則越難以進行雙軸延伸處理，因此，已知目前市售之超薄聚醯亞胺膜幾乎無法於製程中進行雙軸延伸處理，對於其薄膜強度會造成不利的影響，例如破裂。

於實施例中，分佈於保護層12中之低表面能的高分子16可為 含氟的高分子，舉例但非限定，氟烴類(fluorocarbons)。具體而言，含氟的 高分子例如包括氟化聚烯(fluorinated polyalkene)、具有氟取代基之聚烷、具有氟取代基之聚烷氧、氯氟烴(chlorofluorocarbons)等。

於部分實施例中，含氟的高分子為聚氟乙烯 (polyvinylfluoride(PVF))、全氟亞乙烯基(polyfluorinated vinylidene(PVDF))之聚合物、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene(PTFE))、聚全氟乙丙烯(polyfluorinated ethylene propylene(FEP))、全氟聚醚(perfluoropolyether(PEPE))、全氟磺酸(PFSA)聚合物及乙烯-三氟氯乙烯(ethylene chlorotrifuloroethylene(ECTFE))之聚合物等，可單獨使用或組合使用。

於實施例中，以保護層12之總重量為基礎，含氟的高分子比 例為45wt%至60wt%，例如：46、48、50、55、58wt%，或前述任兩點之間之值。於部分實施例中，含氟的高分子之比例可為45至55wt%。於另一部分實施例中，含氟的高分子之比例可為55至60wt%。於另一部分實施例中，含氟的高分子之比例可為47至57wt%。

所採用的含氟之高分子可為粉狀，含氟之高分子係具有20 微米(μm)以下之平均粒徑，例如，0.5μm、1μm、2.5μm、5μm、7.5μm、10μm、12.5μm、15μm、17.5μm、19μm、20μm、或前述任兩點之間之值。 於實施例中，含氟的高分子之平均粒徑為約5至15μm。於一些實施例中，可採用平均粒徑為1至10μm之含氟的高分子，較佳為2至8μm。於另一些實施例中，可採用平均粒徑為11至20μm之含氟的高分子，較佳為12至18μm。於另一些實施例中，可採用平均粒徑為6至15μm之含氟的高分子。

於本發明中發現，添加含氟的高分子於聚醯亞胺中，可降低 保護層12之表面張力，使得保護層12表面與其他層結構之附著力隨之降低。於實施例中，由於添加該含氟的高分子，保護層12可具有所欲表面張力，使得聚醯亞胺層11能夠形成於保護層12之一表面上，且保護層12可自聚醯亞胺層11上剝離。

於實施例中，保護層12係具有水接觸角大於40°，例如：50°、60°、75°、90°、120°、150°、180°，或前述任兩點之間之值。

於一實施例中，醯亞胺層與11與保護層12之間之剝離強度低於0.15kgf/cm，例如：0.14kgf/cm、0.12kgf/cm、0.10kgf/cm、0.05kgf/cm，或前述任兩點之間之值。

另一實施例中，該低表面能的高分子16亦可為含矽氧烷高分子，其結構如下

，該n為重複單元，其中Y可為二胺或二酐，其中，更可包括有一R，該R可為一碳數為1-10之脂肪族，如甲基、乙基或丙基，也可為芳香族，可形成一聚醯亞胺結構為

如第1B圖所示之金屬層15可為單一金屬層或複合式金屬層，該金屬可為銅、鈀及鎳等或其組合。

以下以實施例詳細說明本創作。

此處以聚醯亞胺高分子聚合物13及有機二氧化矽混14成之 基材作為聚醯胺酸層11為例進行說明，應理解，該材料僅為例示性說明而並非用以限制本創作。

1、製備聚醯胺酸(PAA)：本發明之聚醯胺酸係由二胺化合物及二酐化合物經縮合反應而形成，二胺與四羧酸二酐之單體之莫耳比例約為實質上相等，例如，約0.90：1.10或約0.98：1.02。可應用於本發明之聚醯亞胺高分子聚合物並未特別限制，該二胺與二酐之單體成分及種類亦未特別限制。該二胺與二酐化合物，可分別選自單一種化合物或多種化合物。

於一實施例中，該二胺可為4,4'-二胺基二苯醚(4,4'-ODA)、對苯二胺(p-PDA)、2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺(TFMB)、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基苯基甲烷、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二(間胺基苯氧基)二苯基碸、4,4’-二胺基二苯硫醚、1,4-二胺基苯、2,5-二胺基甲苯、2,6-二胺基萘、二胺基三氟甲基苯、1,4-雙(對胺基苯氧基)苯、4,4’-雙(對胺基苯氧基)雙苯基、二胺基蒽醌、1,3-雙(苯胺基)六氟丙烷、1,4-雙(苯胺基)八氟丙烷、2,2-雙[4-(對胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷等。

於一實施例中，該四羧酸二酐可為均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,2’,3,3’-雙苯基四羧酸二酐、2,3,3’,4’- 雙苯基四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐等。

2、製備聚醯亞胺層11：於前述步驟所得之聚醯胺酸中添加 有機奈米氧化物的前驅體(precursor)，例如有機矽烷氧化合物(organic silanes)、金屬烷氧化合物(metal alkoxides)，舉例但非限制，該金屬可為鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋁(Al)、錫(Sn)、銦(In)、銀(Ag)、鍗(Te)、銻(Sb)、鋇(Ba)、鈮(Nb)、釔(Y)等)、或上述之組合。

接著，經溶膠-凝膠(sol-gel)反應後，可形成一摻雜有奈米尺 寸之有機矽氧化物(例如有機二氧化矽)或有機金屬氧化物(例如有機二氧化鈦等、有機氧化鋁、有機氧化鋯)粒子之聚醯亞胺層11。

於一實施例中，該有機矽烷氧化合物，可列舉如四甲氧矽 烷、四乙氧矽烷、四丙氧矽烷、四異丙氧矽烷等四烷氧矽烷化合物；甲基三甲氧矽烷、甲基三乙氧矽烷、甲基三丙氧矽烷、甲基三丁氧矽烷、乙基三甲氧矽烷、乙基三乙氧矽烷、正丙基三甲氧矽烷、正丙基三乙氧矽烷、異丙基三甲氧矽烷、異丙基三乙氧矽烷等三烷氧矽烷化合物等或混合使用此等例示有機矽烷氧化合物之2種以上。

3、製備金屬層15(選用)：前述所得之聚醯亞胺膜1上，利用 無電解電鍍製程形成一金屬層15。該複合式金屬層可依序包括：形成於該聚醯亞胺膜表面之鈀層、及形成於該鈀層上之銅層。於另一實施例中，該複合式金屬層可依序包括：形成於該聚醯亞胺膜表面之鈀層、形成於該鈀層上之鎳金屬層、及形成於該鎳金屬層上之銅金屬層。

如欲製備第1A圖所示之聚醯亞胺膜1，則可省略此步驟。

4、製備保護層12：係由聚醯亞胺及添加於聚醯亞胺中之低 表面能之高分子16組成，將其形成於由前述步驟所得之聚醯亞胺層11之一表面上，將其進行雙軸延伸處理，即獲得一設有保護層12的聚醯亞胺膜1。

於實施例中，保護層12可於後續金屬化製程中，用以防止金屬形成於該聚醯亞胺膜上之目標區域以外(即，不欲形成金屬圖案的區域)。

以經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜1製備撓性印刷電路板之方法。

利用雷射燒蝕(laser ablation)與電鍍技術，可於本發明聚醯亞胺膜1上製備埋藏式線路圖案，以製成撓性印刷電路板。

第2A圖至第2G圖為繪示依據本發明一實施例，以經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜2製備撓性印刷電路板之示意圖。參照第2A圖，依前述步驟所得之本發明聚醯亞胺膜2，包括聚醯亞胺層21及保護層22，而聚醯亞胺層21包含聚醯亞胺聚合物23及有機粒子24。

接著參考第2B圖，可執行雷射燒蝕步驟，利用雷射I，於本創作聚醯亞胺膜2上進行電子線路圖案化，此處以一溝槽25表示所形成的線路圖案。於實施例中，可使用波長約400nm至1200nm之雷射光。

接著參考第2C圖，執行表面粗化(surface roughening)處理步驟，以表面處理液清洗經雷射燒蝕之聚醯亞胺膜2，藉此移除溝槽25表面上之有機奈米粒子24，主要針對暴露於環境中(部分或全部暴露)之該有機奈米粒子移除，進而於溝槽25之表面形成奈米尺寸之微凹凸表面25A。表面處理液可使用習知的鹼性表面處理條件。鹼性表面處理液可例示如氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、氨水、其他有機胺化合物等，且亦可混合複數種類的鹼性表面處理液使用。

隨後參考第2D圖，執行鈀觸媒之沉積步驟。於表面粗化處 理後，將該聚醯亞胺膜浸泡於含有鈀觸媒之溶液內，進行鈀金屬沉積，於溝槽25上形成一鈀層26。鈀金屬會沉積該溝槽25之表面，包括因去除該有機奈米粒子24所形成之奈米級凹凸微結構內。鈀觸媒之沉積步驟的處理條件並無特別限定，可使用習知的無電解鍍鎳用催化劑賦予條件。舉例而言，鈀觸媒之沉積步驟的處理液可例示如鹼性鈀催化劑賦予液、酸性鈀催化劑賦予液、白金催化劑賦予液、鎳催化劑賦予液或其他無電解鍍鎳用催化劑賦予液等，亦可混合複數種無電解鍍鎳用催化劑賦予液使用。接下來，進行催化劑活性化步驟。此催化劑活性化步驟之材料並無特別限制，只要是可活性化沉積於聚醯亞胺薄膜上的催化劑皆可使用，例如SLP-500 Accelerator(奧野製藥工業(股)製)。接著參見第2E圖，執行鎳-鈀金屬層之沉積步驟，將前述聚醯亞胺膜浸泡於含有鎳金屬之溶液內進行電鍍，以在鈀層26上形成一鎳金屬層27。本發明所使用的無電解鍍鎳液可為無電解鎳-硼鍍敷液、低磷型無電解鍍鎳液、中磷型無電解鍍鎳液或高磷型無電解鍍鎳液。值得一提，如第2E圖所示的實施例是在電鍍鎳時便可直接形成鎳金屬層27於鈀層26的表面上，兩者為分開的兩層(即鎳金屬層27完全覆蓋鈀層26)。然而，在特定製程條件下，鈀層26與鎳金屬層27亦可能發生全部或部份區域形成兩者混合的情形(即，形成鎳-鈀合金)。

如第2F圖所示，於鎳-鈀金屬層的沉積步驟之後，可利用機 械剝離方式或溶液溶解方式移除保護層22。

參見第2G圖，為繪示無電解電鍍銅線路之示意圖。將移除 保護層22後之聚醯亞胺膜浸泡於含有銅金屬之電鍍液中，進行無電解電 鍍，從而於溝槽25中填入一銅層28。經此步驟，將銅於雷射燒蝕所形成的線路圖案內形成埋藏式金屬線路，從而獲得撓性印刷電路板。

第3A圖至第3G圖為繪示依據本發明製備撓性印刷電路板之 另一實施例，其中有部分步驟採用與第2A-2G所示製備方法相同或類似的步驟、參數、條件等，於此實施例中則不加以贅述。

參照第3A圖，以本發明聚醯亞胺膜3為例，其包括聚醯亞胺 層31、金屬層35、及保護層32，而聚醯亞胺層31包含聚醯亞胺聚合物33及有機粒子34。

接著參考第3B圖，進行電子線路圖案化及表面粗化 (micro-etching)處理。以雷射燒蝕(即雷射I)形成溝槽36，接著以表面處理液清洗經雷射燒蝕之聚醯亞胺膜，藉此移除溝槽36表面所暴露之有機奈米粒子34，進而形成奈米尺寸之微凹凸表面36A。

參考第3C圖，執行鈀觸媒之沉積步驟，以形成鈀層37。接 著參見第3D圖，執行鎳-鈀金屬層之沉積步驟，以在鈀層37上形成一鎳金屬層38。

參見第3E圖，將該聚醯亞胺膜浸泡於含有銅金屬之電鍍液中進行電解電鍍，以於溝槽36中填入一銅層39，從而形成埋藏式金屬線路。

接著，如第3F圖所示，利用機械剝離方式或溶液溶解方式移除保護層32，暴露出該金屬層35之表面及該銅層39之部分側面。續參見第3G圖，利用乾式或濕式蝕刻製程移除該金屬層35及部分銅層39，經此步驟，將銅於雷射燒蝕所形成的線路圖案內形成埋藏式金屬線路，從而獲得撓性印刷電路板。

此實施例中，係先利用無電解電鍍製程，於經摻雜有機矽氧 化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺層31上形成一金屬層35，使得雷射圖案化製程後的金屬化步驟(即，形成鎳層及銅層)皆可使用電解電鍍製程。

因此，由上述實施例可證，本創作撓性電路板之製程，於雷 射燒蝕步驟後，可使用電解電鍍或無電解電鍍以形成埋藏式金屬線路，提升了製程步驟的操作靈活性。且保護層32具有較薄的厚度，在雷射蝕刻形成圖案化溝槽時，可以較低的能量進行，不但可縮減製造時程，且可降低能源的耗損。

上述特定實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本創作所進行之各種變化或修改係落入發明之一部分。

1‧‧‧聚醯亞胺膜

11‧‧‧聚醯亞胺層

12‧‧‧保護層

13‧‧‧聚醯亞胺

14‧‧‧有機粒子

16‧‧‧低表面能的高分子

Claims (17)

1. 一種聚醯亞胺膜，係包括：一聚醯亞胺層，其係由聚醯亞胺高分子聚合物、以及分佈於其中之有機粒子所構；及一保護層，其附著在該聚醯亞胺層之一表面，且包括構成該基底層主結構之聚醯亞胺、及分佈於其中之含氟高分子，該保護層之總重量為基礎，該含氟高分子為45-60wt%。
2. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺膜，其中，該保護層具有6微米以下之厚度。
3. 如申請專利範圍第2項所述之聚醯亞胺膜，其中，該含氟的高分子係選自由聚氟乙烯(PVF)、全氟亞乙烯基(PVDF)聚合物、聚四氟乙烯(PTFE)、聚全氟乙丙烯(FEP)、全氟聚醚(PEPE)、全氟磺酸(PFSA)聚合物、全氟烷氧基(PFA)聚合物、三氟氯乙烯(CTFE)聚合物、及乙烯-三氟氯乙烯(ECTFE)聚合物所成群組之一種或多種。
4. 如申請專利範圍第2項所述之聚醯亞胺膜，其中，該含氟的高分子係具有20微米以下之平均粒徑。
5. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺膜，其中，構成該保護層主結構之該聚醯亞胺係由選自4,4'-二胺基二苯醚(4,4'-ODA)、對苯二胺(p-PDA)、2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺(TFMB)所成群組之二胺及選自由均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)所成群組之二酐反應而得。
6. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺層係由選自4,4'-二胺基二苯醚(4,4'-ODA)、對苯二胺(p-PDA)、2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺(TFMB)所成群組之二胺及選自由均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)所成群組之二酐反應而得。
7. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺膜，其中，該有機粒子可選自有機二氧化矽、有機二氧化鈦、有機氧化鋯或其組成。
8. 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺層與該保護層間設有一金屬層。
9. 一種聚醯亞胺膜，係包括：一聚醯亞胺層，其係由聚醯亞胺高分子聚合物、以及分佈於其中之有機粒子所構；及一保護層，其附著在該聚醯亞胺層之一表面，且包括構成該基底層主結構之聚醯亞胺、及分佈於其中之含矽氧烷高分子，其中，該含矽氧烷高分子之結構為 ，該n為重複單元，其中Y可為二胺或二酐。
10. 如申請專利範圍第9項所述之聚醯亞胺膜，其中，更可包括有一R，該R可為一碳數為1-10之脂肪族，如甲基、乙基或丙基，也可為芳香族，可形成一聚醯亞胺結構為
11. 一種撓性電路板之製成方法，係於聚醯亞胺膜上形成電路，其包括：形成一聚醯亞胺層，其係由聚醯亞胺高分子聚合及分佈於其中之有機粒子構成；於該聚醯亞胺層上形成一保護層，其係由構成該層主結構之聚醯亞胺、及分佈於其中之含氟高分子構成，該保護層之總重量為基礎，該含氟高分子為45-60wt%；於該設有保護層之聚醯亞胺層上形成一圖案化溝槽，且該圖案化溝槽貫穿該保護層與該聚醯亞胺層之一部分；進行表面粗化處理，以於該溝槽表面形成凹凸結構，其中該凹凸結構之凹陷大約為該有機粒子大小；於該溝槽之表面形成第一金屬層；及於該第一金屬層表面形成第二金屬層，該第二金屬層係填滿該溝槽以形成一電路。
12. 如申請專利範圍第11項所述之製成方法，其中，該保護層具有6微米以下之厚度。
13. 如申請專利範圍第11項所述之製成方法，其中，該圖案化溝槽係以雷射燒蝕形成，該第一金屬層則係由電鍍形成。
14. 如申請專利範圍第13項之製成方法，進一步包括：對該保護層及該聚醯亞胺層進行雙軸延伸處理。
15. 如申請專利範圍第13項所述之製成方法，其中，該聚醯亞胺膜更進一步包括有一第三金屬層，其係設置於聚醯亞胺層與保護層間；且該圖案化溝槽係貫穿該保護層、該第三金屬層及聚醯亞胺層之一部分。
16. 如申請專利範圍第13項之製成方法，其中，該第三金屬層及該保護層係於該第二金屬層形成後移除。
17. 一種撓性電路板之製成方法，係於聚醯亞胺膜上形成電路，其包括：形成一聚醯亞胺層，其係由聚醯亞胺高分子聚合及分佈於其中之有機粒子構成；於該聚醯亞胺層上形成一保護層，其係由構成該層主結構之聚醯亞胺、及分佈於其中之含矽氧烷高分子構成，該含矽氧烷高分子之結構為 ，該n為重複單元，其中Y可為二胺或二酐。於該設有保護層之聚醯亞胺層上形成一圖案化溝槽，且該圖案化溝槽貫穿該保護層與該聚醯亞胺層之一部分；進行表面粗化處理，以於該溝槽表面形成凹凸結構，其中該凹凸結構之凹陷大約為該有機粒子大小；於該溝槽之表面形成第一金屬層；及 於該第一金屬層表面形成第二金屬層，該第二金屬層係填滿該溝槽以形成一電路。