CN1551716A - 形成复合绝缘层的方法和生产线路板的方法 - Google Patents
形成复合绝缘层的方法和生产线路板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1551716A CN1551716A CNA2004100066109A CN200410006610A CN1551716A CN 1551716 A CN1551716 A CN 1551716A CN A2004100066109 A CNA2004100066109 A CN A2004100066109A CN 200410006610 A CN200410006610 A CN 200410006610A CN 1551716 A CN1551716 A CN 1551716A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- adhesive phase
- polyamic acid
- layer
- porous layer
- forms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 89
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 89
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 claims description 5
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 11
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 5
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N dimethylmethane Natural products CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDHUNHGZUHZNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCC(C)(C)CN DDHUNHGZUHZNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dichlorobenzidine Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(Cl)=C1 HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine Chemical compound C1=C(N)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N)=CC=2)=C1 JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITNADJKYRCCJNX-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-diaminophenyl)sulfonylbenzene-1,2-diamine Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C(=C(N)C=CC=2)N)=C1N ITNADJKYRCCJNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940044174 4-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- AQVOMFPTJXMAQE-UHFFFAOYSA-N 4-propylphthalic acid Chemical compound CCCC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AQVOMFPTJXMAQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005354 coacervation Methods 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000001667 episodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N isobutyramide Chemical compound CC(C)C(N)=O WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229940038384 octadecane Drugs 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012207 quantitative assay Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0116—Porous, e.g. foam
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
公开了一种形成复合绝缘层的方法,其中可形成薄而均匀的粘合剂层,粘合剂层与多孔层之间有足够的粘合强度;一种用此形成方法制得的绝缘层;以及一种生产线路板的方法,其中用此形成方法形成绝缘层。此形成复合绝缘层的方法包括:在金属箔1上形成含有部分酰亚胺化的聚酰胺酸的粘合剂层2的步骤;将含聚酰胺酸的溶液3涂到此粘合剂层2表面上的步骤;将所涂溶液3进行相分离以形成多孔层4的步骤;以及将此粘合剂层2和多孔层4进行酰亚胺化转化的步骤。
Description
发明领域
本发明涉及形成含有聚酰亚胺树脂制的粘合层和多孔层的复合绝缘层的方法、用此绝缘板形成方法获得的绝缘层、和用此绝缘板形成方法形成的绝缘层来生产线路板的方法。本发明的技术特别适用于形成高频线路板的绝缘层,这种高频线路板相应的高频信号频率为600MHz或更高。
对相关技术的描述
近年来,随着在信息和通讯设备中信息处理速度的提高以及随着频率的提高,要求安装有电子元件的线路板具有与高频率适应的功能。例如,为了显示优异的高频传输性能,要求电路板在高频时绝缘层的介电常数小和介电耗散因子小。
那就是说,在传输阶段,在线路板的电路中发生了称作介电损耗的能量损失。此介电损耗正比于信号频率(f)、介电常数(ε)的1/2次方及材料介电耗散因子(tanδ)的乘积。基于此理由,在一块具有大频率(f)的电路板中,特别要求材料具有小介电常数(ε)和介电耗散因子(tanδ)。此外,因为信号的传输速度反比于介电常数(ε)的1/2次方,所以,考虑到这一点,在高频反应中期望具有小介电常数(ε)的材料。
作为形成介电常数低和介电耗散因子小的绝缘层的方法,通常是采用本身具有低介电常数的树脂材料。含氟聚合物如聚四氟乙烯和聚酰亚胺树脂作为这类低介电常数树脂材料的例子,是已知的。
作为形成其介电常数小于树脂材料本身的介电常数的方法,现在有这样一种技术,其中绝缘层是一种多孔结构。例如,用高耐热树脂膜制成的多孔介电材料是公知的,此树脂膜具有多孔结构,它具有小的开孔,孔隙率为15~80%。特别是,一种通过湿法凝结形成聚酰胺酸多孔膜和将此多孔膜进行酰亚胺化的转化而制得的聚酰亚胺多孔膜已有报导(见例如JP-A-2000-319442,P1和图1)。
另一方面,在上述多孔膜被用作线路板的绝缘层的场合,为了提高多孔膜在金属层或线路图形上的粘附性,优选在它们之间放一个粘合剂层。此外,在通过粘合剂层对层压在多孔膜上的金属层进行腐蚀,使此粘合剂层能防止发生因腐蚀液透入多孔膜而引起的腐蚀液迁移。但是,为了提高由多孔层来维持低介电常数的效果,希望粘合剂层尽可能薄。
作为通过粘合剂层而将金属层层压在多孔膜上的方法,人们知道一种方法,其中将含聚酰胺酸的涂料涂到金属箔上并干燥形成一层膜,再用含聚酰酸胺的涂料涂到此层膜上并浸入水中以形成一多孔膜,然后在此同时将此已成膜的粘合剂层及多孔层进行酰亚胺化(见例如JP-A-2002-43743,P2及图3)。
但是,根据上述在粘合剂层的表面上形成多孔层的方法,在酰亚胺化之前为了于粘合剂上形成多孔层而涂上涂料的过程中,粘合剂层会引起再溶解,因此不能形成均匀的粘合剂层。其结果是产生不存在粘合剂层的区域,因而出现腐蚀液渗透入多孔膜的问题。
另一方面,在形成多孔层而涂上涂料之前将粘合剂酰亚胺化,可以防止上述的再溶解。然而,按照这一方法,人们注意到在粘合剂层与多孔层之间没有足够的粘合强度。
发明概述
因此,本发明的一个目的是提供一种形成复合绝缘层的方法,其中能形成一薄而均匀的粘合剂层,而且粘合剂层与多孔层之间的粘合强度是足够的。
本发明的另一目的是提供由这一形成方法所得到的绝缘层。
本发明的又一目的是提供一种生产线路板的方法,通过该方法能形成绝缘层。
为达到上述目的而进行深入和广泛研究的结果,人们发现,当含在粘合剂层中的聚酰胺酸被部分酰亚胺化时,以及在形成多孔膜后,将这两层物进行酰亚胺转化,则粘合剂层与多孔层之间的粘合强度提高了。基于这一发现而完成了本发明。
附图的简要描述
图1A-1D是表示本发明的形成复合绝缘层方法的一种实施方案的流程图。
图2是表示本发明方法生产的线路板的一种实施方案的截面图。
图3是表示本发明方法生产的线路板的另一种实施方案的截面图。
在附图中:
1:金属箔
2:粘合剂层
3:含聚酰胺酸的溶液
4:多孔层
本发明详述
根据本发明的形成复合绝缘层的方法包括:
在金属箔上形成含有部分酰亚胺化的聚酰胺酸的粘合剂层的步骤;
将含聚酰胺酸的溶液涂到此粘合剂层表面上的步骤;
将所涂溶液进行相分离以形成多孔层的步骤;以及
将此粘合剂层和多孔层进行酰亚胺化转化的步骤。
这里所用的术语“部分酰亚胺化”是指在聚酰胺酸的重复单元中部分地含有酰亚胺环,此酰亚胺环的存在能用红外吸收光谱评估。
根据上述方法,含在粘合剂层中的聚酰胺酸被部分酰亚胺化。因此,在为了形成多孔层而涂上涂料时,粘合剂层难以发生再溶解,并因此,通过预先形成薄而均匀的粘合剂层,这种状态被维持。此外,因为此粘合剂层不完全被酰亚胺化,当形成多孔层后这两层进行酰亚胺化转化时,可能提高粘合剂层与多孔层之间的粘合强度。其结果是,能提供一种形成复合绝缘层的方法,该方法能形成薄而均匀的粘合剂层,而且使粘合剂层与多孔层之间的粘合强度变得足够大。
此部分酰亚胺化的聚酰胺酸的比值RA(=A1/A2)为0.1-5.0,RA是在红外吸收光谱中来自酰亚胺环的C=0键的吸收A1与来自酰胺酸的C=0键的吸收A2的比值。此RA具体按后面描述的实施例中所述的方法进行测定。当含在粘合剂层中的聚酰胺酸的吸收比值RA落入上述特定范围时,则更可以确信能抑制粘合剂层的再溶解和提高粘合强度。
形成粘合剂层的步骤优选包括往金属箔表面涂上含聚酰胺酸的溶液,然后通过加热将含在其中的溶剂干燥和将聚酰胺酸进行部分酰亚胺化。通过涂上此溶液,对金属箔的粘合性提高了,而随后的加热使其能控制聚酰胺酸的部分酰亚胺化程度。
根据本发明的复合绝缘层用上述形成方法形成。因此,基于上述的作用和效果,不仅能形成薄而均匀的粘合剂层,而且粘合剂层与多孔层之间的粘合强度变得足够。
根据本发明的生产线路板的方法包括:
形成绝缘层的步骤,及
形成线路层的步骤,
其中绝缘层用上述形成复合绝缘层的方法来形成。
根据上述制法,基于上述的作用和效果,不仅能形成薄而均匀的粘合剂层,而且粘合剂层与多孔层之间的粘合强度变得足够。因此,因剥离绝缘层而引起的导线断裂难以发生,所以该线路板具有高的耐用性和可靠性。
下面参考附图对本发明的实施方案进行描述。
复合绝缘层的形成方法
图1A-1D是表示根据本发明形成复合绝缘层方法的一个实施方案的流程图。此方法包括如图1B所示在金属箔上形成含有部分酰亚胺化的聚酰胺酸的粘合剂层2的方法。
金属箔1可以用铜、镍、金、银等的任一种材料制造。从作为线路图形的导电性和加工性等等的观点来看,这些金属中铜是优选的。金属箔1的厚度优选为1~50μm。为提高金属箔1对粘合剂层2的粘合强度,可以对金属箔1的表面进行各种物理的或化学的表面处理如粗化处理或发黑处理。
粘合剂层2可以用将分开制备的膜进行层压的方法来形成。但是,优选采用这样的方法:将含有聚酰胺酸的溶液涂到金属箔1的表面上,然后加热干燥此溶剂和将聚酰胺酸部分酰亚胺化。
涂布此溶液的方法包括使用刮板式涂布器、逗点式涂布器、辊式涂布器、辊压式涂布器及刮涂式涂布器等进行的涂布法。所得粘合剂层2的厚度从实现防止腐蚀液的渗透与低介电常数之间的良好平衡的观点看,优选为0.5-10μm,更优选为1-5μm。在金属箔1已进行了粗化处理的场合,粘合剂层2的厚度则基于粗表面不均匀度的凸出部分厚度。
含聚酰胺酸的溶液可通过例如在溶剂中使大约等摩尔量的四羧酸组份与二胺起反应的方法而获得,或通过在溶剂中溶解由相同的这两种单体聚合所得的聚酰胺酸而获得。从涂布步骤和干燥步骤难易程度的观点看,溶液中聚酰胺酸的浓度优选为5-25%重量。
四羧酸组份的例子包括1,2,4,5-苯四酸酐,3,3′,4,4′-二苯甲酮四羧酸二酐,3,3′,4,4-联苯四羧酸二酐,2,3,3′,4-联苯四羧酸二酐,2,3,6,7-萘四羧酸二酐,1,2,5,6-萘四羧酸二酐,1,4,5,8-萘四羧酸二酐,2,2′-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐,双(3,4-二羧基苯基)砜二酐,苝-3,4,9,10-四羧酸二酐,双(3,4-二羧基苯基)醚二酐,及亚乙基四羧酸二酐。
二胺组份的例子包括4,4′-二氨基二苯基醚(DDE),4,4′-二氨基二苯基甲烷,3,3′-二氨基二苯基甲烷,3,3′-二氯联苯胺,4,4′-二氨基二苯基硫醚-3,3-二氨基二苯基砜,1,5-二氨基萘,间-亚苯基二胺,对-亚苯基二胺(PPD),3,3′-二甲基-4,4′联苯二胺,联苯胺,3,3′-二甲基联苯胺,3,3′-二甲氧基联苯胺,4,4′-二氨基苯基砜,4,4′-二氨基联苯硫醚,4,4′-二氨基二苯基丙烷,2,4-双(β-氨基-叔丁基)甲苯,双(对-β-氨基-叔丁基苯基)醚,双(对-β-甲基-δ-氨基苯基)苯,双-对-(1,1-二甲基-5-氨基-戊基)苯,1-异丙基-2,4-间-亚苯基二胺,间-亚二甲苯基二胺,对-亚二甲苯基二胺,双(对-氨基环己基)甲烷,六亚甲基二胺,七亚甲基二胺,八亚甲基二胺,九亚甲基二胺,十亚甲基二胺,二氨基丙基四亚甲基,3-甲基七亚甲基二胺,4,4-二甲基七亚甲基二胺,2,11-二氨基十二烷,1,2-双-3-氨基丙氧基乙烷,2,2-二甲基亚丙基二胺,3-甲氧基六亚甲基二胺,2,5-二甲基六亚甲基二胺,2,5-二甲基七亚甲基二胺,3-甲基七亚甲基二胺,5-甲基九亚甲基二胺,2,17-diaminoeicosadecane,1,4-二氨基环己烷,1,10-二氨基-1,10-二甲基癸烷,1,12-二氨基十八烷,2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷,哌嗪,H2N(CH2)3O(CH2)2O(CH2)NH2,H2N(CH2)3S(CH2)3NH2,及H2N(CH2)3N(CH3)2(CH2)3NH2。
适用的聚酰胺酸是基于BPDA(联苯基甲羧酸二酐)-DDE(二氨基二苯基醚)-PPD(对-亚苯基二胺)的聚酰胺酸。其DDE/PPD摩尔比为30/70至10/90的聚酰胺酸是特别优选的。
所用溶剂不受特别限制。溶剂的例子包括N-甲基-2-吡咯烷酮,N,N-二甲基乙酰胺,N,N-二甲基甲酰胺,及二甲基亚砜。
加热干燥溶剂和使聚酰胺酸部分酰亚胺化可以连续进行或同时进行。从获得均匀粘合剂层的观点看,在部分酰亚胺化之前进行干燥是优选的。可以用热空气或用加热器进行干燥,优选在90~120℃的温度下干燥1-5分钟。
为实现抑制粘合剂层的再溶解和提高粘合强度,聚酰胺酸的部分酰亚胺化优选在120-300℃进行1-60分钟。通过改变加热温度和加热时间,可以改变部分酰亚胺化的程度。
含在粘合剂层2中的聚酰胺酸的部分酰亚胺化的程度可以用比值RA(=A1/A2)来定量测定,RA是红外吸收光谱中来自酰亚胺环的C=0键的吸收A1与来自酰胺酸的C=0键的吸收A2的比值。该吸收比值RA优选为0.1-5.0,更优选为0.5-3.0。
形成复合绝缘层的方法包括一个将含有聚酰胺酸的溶液3涂到粘合剂层2的表面的方法,如图1C所示。作为聚酰胺酸,可以使用与粘合剂层2相同的聚酰胺酸。然而,聚酰胺酸的浓度优选为5-25%重量,更优选为7-20%重量。当浓度太高时,其粘度变得太高,因而难于操作,而当浓度太低时,则难以形成多孔层。
相分离时溶剂置换的速度可以通过将作为被含在溶液3的别的组份的溶剂如二乙二醇二甲醚或二乙二醇二乙醚混入而予以调整。此外,为控制孔的形状和孔的大小,可以加无机化合物如硝酸锂或有机化合物如聚乙烯基吡咯烷酮。此添加剂的加入量优选为使得其在溶液中的浓度为1-10%重量。如果加入硝酸锂,则用溶剂的凝聚液置换的速度太快,因而可能形成手指状海绵结构(一种具有手指形状的空穴)。如果加入使凝聚速度慢的添加剂如聚乙烯吡咯烷酮,则可能获得海绵结构均匀分散的多孔层。
溶液3的涂布方法与涂布和形成粘合剂层2的方法相同。涂布温度优选在-20-40℃的范围内。涂层厚度根据最后形成的多孔层4厚度和聚酰胺酸浓度而定。
根据本发明的形成复合绝缘层的方法,还再包括使已涂溶液3发生相分离,形成多孔层4,如图1D所示。相分离方法包括浸进凝聚液中的方法、将改变温度的方法、从气相中吸湿的方法、除去溶剂的方法、以及这些方法的组合。但是,将涂了溶液的材料浸进凝聚液(湿凝聚法)的方法,从膜形成步骤的成本和所需时间的观点来看,是优选的。
根据湿凝聚方法,通常将成膜溶液(涂料)涂(用流延法)到基片上,将已涂基片浸进凝聚液中以便溶剂置换,使树脂凝聚(凝胶化),然后用水洗法等将溶剂除去,以及将凝聚液干燥和除去,以获得多孔膜。
凝聚液不受特别限制,只要它不溶解所用聚酰胺酸和与溶剂匹配即可。凝聚液的例子包括水,醇类如甲醇、乙醇或异丙醇,以及它们的混合溶液。它们之中,水是特别优选使用的。在浸泡过程中凝聚液的温度不受特别限制,但优选在0-80℃。
在本发明中,通过在浸进凝聚液中使溶液凝聚或部分凝聚之前吸去该溶液中的湿气和随后浸进凝聚液中,可以提高在多孔膜表面附近的孔隙度,而且通过从气相逐渐提供湿气和进行凝聚,可以提高表面的平均孔径。
优选进行水洗。水洗可以在浸进凝聚液(凝聚步骤)之后进行,或者与之分开进行。水洗温度优选为20-70℃。
水洗之后,取出多孔膜,然后如果必要,进行干燥。干燥温度不受特别限制,只要多孔膜的孔不被堵塞即可。在干燥之后或同时,可以进行以后描述的酰亚胺化。
根据本发明的形成复合绝缘层的方法还包括将粘合剂层2和多孔层4进行酰亚胺转化的步骤。对这一步骤来说,可以采用与常规方法相同的条件。例如,可以将粘合剂层2和多孔层4在300-500℃的加热装置中维持1-3小时。此外,从合适地除去循环水的观点看,将热空气循环和使此体系处于氮气氛中是优选的。
此复合绝缘层是用上述形成复合绝缘层的方法形成的复合绝缘层。优选的是,粘合剂层2的厚度为2-5μm;多孔层4的厚度为10-40μm;粘合剂层2与多孔层4之间的180°剥离强度为400-600g/cm(0.39-0.59N/mm)。此外,粘合剂层2的厚度均匀和粘合剂层和多孔层的厚度差异在±20%之内,是优选的。
复合绝缘层形成方法的其他实施方案
(1)含有部分酰亚胺化的聚酰胺酸的粘合剂层可以通过将分开制成膜状的材料进行层压而在金属箔上形成。在这种情况下,可以采用这样一种方法:将含聚酰胺酸的溶液涂在可剥离基片的表面上,并加热将溶剂干燥形成一层膜,而如果必要,将聚酰胺酸部分酰亚胺化。
膜的层压可利用各种采用加热或加压的层压机进行,但优选利用真空层压机。
(2)形成复合绝缘层的方法可以是这样一种方法:在线路板或绝缘层表面上所形成的金属箔上形成绝缘层。
线路板的生产方法
根据本发明生产线路板的方法包括形成绝缘层的步骤和形成线路层的步骤,其中绝缘层是按照上述形成复合绝缘层的方法而形成的。下面将描述的一种实施方案是其中在线路板与线路板之间产生具有导电连接的结构,如图2所示。
在生产线路板的方法中,可以使用任何导电连接结构,如金属杆、镀通孔、导电膏、激光镀和填充。在这一实施方案中,解说了如图2所示的用金属杆形成导电连接结构的情况。
图1A中所示的金属箔1被具有凸出物(protrusion)的金属箔1代替,而金属箔1具有高度大致相同的导电凸出物1a。形成具有凸出物的金属箔1的方法的例子包括用腐蚀形成的方法,用电镀形成的方法,及用导电膏形成的方法。具有凸出物的金属箔1的金属箔部分的厚度优选为1-50μm。导电凸出物1a的高度优选为2-100μm,更优选为5-50μm。
用腐蚀法形成具有凸出物的金属箔1的方法,例如是这样一种方法,在其中用由两种金属层制的层压板进行选择性腐蚀,或者例如是这样一种方法,将其中金属层的一种进行半腐蚀。包覆材料和电镀材料可用作层压材料。
然后可以用与上述相同的方法在具有凸出物的金属箔1上形成粘合剂层2和多孔层4。但是,关于形成粘合剂层2的方法,采用先成膜片的方法或采用幕式淋涂机等的涂布溶液方法是优选的,这样导电凸出物1a不发生障碍。
在层压了粘合剂层5之后,导电凸出物1a从粘合剂层5露出。特别是粘合剂层5的表面部分可以用溅射法、表面的碱处理、等离子腐蚀、摩擦辊等来除去。
将金属层层压在粘合剂层5上和与粘合剂层5结合,以便导电连接到导电凸出物1a。层压和结合方法的例子包括如前所述热压粘合和加热粘合。
在这一实施方案中,可以通过导电膏使金属层与粘合剂层彼此导电连接。在这种情况下,可以用丝网印刷法把导电膏涂到曝露到粘合剂层的导电凸出物的上表面。导电膏优选含有树脂组份,此树脂在金属层与粘合剂层层压或结合时,用加热等方法固化。
所得的金属箔层压板也可以形成图案从而形成线路层6和1b。所得层压板可用作芯板或用作双层线路板或多层线路板的层压用板。图案的形成是采用例如用腐蚀液等进行腐蚀的方法来进行。为进行腐蚀,使用与此金属种类相应的腐蚀液,而为进行图案腐蚀,可使用干膜光致抗蚀剂。
线路板生产方法的其他实施方案
(1)生产线路板的方法可以是生产图3所示线路板的方法。此实施方案是这样一种实施方案,用激光照射等形成的开孔被电镀形成两线路层之间的导电连接结构。
例如,在如图1D所示的层压板上形成粘合剂层5,然后用激光器照射等形成开孔。开孔的内部及表面被电镀形成金属层,然后用腐蚀法形成图形,由此形成已电镀通道7a和线路层7。
(2)特别是在线路板用于高频的场合,可以用信号线和底层或电源层来形成微带状线,而且通过绝缘层在信号线的两表面可形成底层或电源层。
现参考下面的实施例对本发明作更详细描述,但应该明白,本发明不受限于此。
用下面方法测定复合绝缘层的每个评估值。
(1)多孔层的平均孔径
用扫描电子显微镜(SEM)将多孔层横截面照相,由用计算机对照片进行的图像分析,测定平均孔径。
(2)多孔层的孔隙度
测定多孔层的体积和重量以便测量多孔层的比重。按下面公式由这一比重和材料的比重测出孔隙度:
孔隙度(%)=[1-(多孔层的比重)/(材料的比重)]×100
(3)部分酰亚胺化程度的评估
用傅里叶变换红外分光光度计(Nicolet Instruments制造,NEXUS 670,Qmmi Sample),采用ATR技术(双变换技术:Ge45)在64扫描的积分数下和在8cm-1分辨率下根据红外吸收光谱测定粘合剂层。然后测出比值RA(=A1/A2),即来自酰亚胺环的C=0键在1774cm-1的吸收A1与来自酰胺酸的C=0键在1654-1674cm-1处的吸收A2的比值。
(4)粘合强度的评估
用岛津公司制造的自动制图仪,将通过把宽度5mm的铜箔腐蚀并在铜箔宽度切成条状而制得的样品,固定在多孔层一侧,并在多孔层与粘合剂层之间的介面撕开,以测定180°剥离强度(g/cm)。
(5)乙醇渗透的评估
把含乙醇的纸放在复合绝缘层的粘合剂层上面,用肉眼评估其内部是否有一部分已被乙醇渗透。
粘合剂层的形成实施例1
在一种厚度为1/2 OZ的电解铜箔(Furukawa Circuit Foil Co.,Ltd.制造)的无光泽表面上,涂上作为成膜溶液的溶于N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中的基于BPDA(联苯四羧酸二酐)/DDE(二氨基联苯醚)/PPD(对-亚苯基二胺)的聚酰亚胺母体(PPD/DDE摩尔比:85/15)的15%重量溶液,用膜涂布器在50μm的间距下涂布,得均匀膜厚,将涂层在100℃下加热4分钟使之干燥,然后在加热温度下进行热处理,加热时间如表2所示。如此形成厚度为2μm和由聚酰胺酸制造的或由其部分酰亚胺化度可变的聚酰亚胺制造的均匀的粘合层。
粘合剂层的形成实施例2
以与粘合剂层形成实施例1相同方法形成具有均匀厚度的粘合剂层,不同的是采用如表3所示的加热温度和加热时间作为加热条件,改变膜涂布器的间距,以形成具有3μm膜厚的粘合剂层。
此外,以与上面相同方法形成粘合剂层,不同的是改变一部分粘合剂层,以及改变加热温度和加热时间,然后评估部分酰亚胺化的程度。所得结果示于表1中。
表1
加热温度 | 加热时间 | A1 | A2 | RA |
120℃ | 20分钟 | 0.024 | 0.068 | 0.35 |
180℃ | 20分钟 | 0.055 | 0.060 | 0.92 |
200℃ | 20分钟 | 0.069 | 0.052 | 1.33 |
220℃ | 20分钟 | 0.079 | 0.028 | 2.82 |
240℃ | 20分钟 | 0.092 | 未测出 | - |
300℃ | 20分钟 | 0.092 | 未测出 | - |
多孔层的形成实施例1
往粘合剂层形成实施例1和2所获得的层压板每一粘合剂层的表面上,涂上作为成膜贮备溶液的溶于N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中的基于BPDA(联苯四羧酸二酐)/DDE(二氨基联苯醚)/PPD(对-亚苯基二胺)的聚酰亚胺前体(PPD/DDE摩尔比:85/15)的19重量%溶液,用膜涂布器在100μm的间距下涂布,得均匀膜厚。涂布之后,将所得的层压板浸进25℃纯水中,使聚酰亚胺前体凝聚。凝聚以后将所得的板在90℃至少干燥1小时。干燥之后,在氮气氛围中于410℃将此板热处理20分钟,以形成复合绝缘层,在处理中这两层被完全酰亚胺化。此复合绝缘层的多孔层厚度为20μm,内部平均孔径为0.3μm,孔隙率约为40%。
关于复合绝缘层,测定了粘合剂层与多孔层之间的粘合强度。结果示于表2和3,同时附有加热条件。此外,对其上的金属箔已用腐蚀液腐蚀除去的复合绝缘层,用乙醇评估其渗透性能。作为其结果,人们注意到在任何复合绝缘层中,乙醇的渗透均不发生,因此粘合剂层维持均匀。
表2
温度 | 180°剥离强度(g/cm) | ||
时间 | |||
20分钟 | 6.5分钟 | 4分钟 | |
200℃ | 400 | 420 | 500 |
300℃ | 280 | 290 | 315 |
410℃ | 275 | 280 | 280 |
表3
温度 | 180°剥离强度(g/cm) | ||
时间 | |||
20分钟 | 6.5分钟 | 4分钟 | |
200℃ | 433 | 440 | 480 |
300℃ | 320 | 360 | 385 |
410℃ | 255 | 301 | 314 |
从示于表2至表3的结果可以明白,在加热温度超过300℃温度时,粘合剂层与多孔层之间的粘合强度,因为粘合剂层的完全酰亚胺化,变得不充分,而在低温下部分酰亚胺化的粘合剂层中,粘合剂层与多孔层之间的粘合强度明显增大。
多孔层的形成实施例2
在以与粘合剂层的形成实施例1相同的方法形成的粘合剂层上,以与多孔层形成实施例1相同的方法形成一多孔层,不同的是仅在100℃干燥4分钟而不进行热处理。所得复合绝缘层具有800g/cm2的高的180°剥离强度。但是,当用乙醇评估其渗透性能时,人们发现,有一部分已被乙醇渗透,因而粘合剂被再溶解并部分破裂。
本领域技术熟练人员还应明白,前面表示和描述的本发明形式和细节均可作各种改变。这些改变是包括在本申请所附权利要求的构思和范围内的。
本申请基于2003年2月27日提出的日本专利申请No.2003-050391,其公开内容在本申请中引用作为参考文献。
Claims (5)
1.一种形成复合绝缘层的方法,包括:
在金属箔上形成含有部分酰亚胺化的聚酰胺酸的粘合剂层的步骤;
将含聚酰胺酸的溶液涂到此粘合剂层表面上的步骤;
将所涂溶液进行相分离以形成多孔层的步骤;以及
将此粘合剂层和多孔层进行酰亚胺化转化的步骤。
2.如权利要求1所要求的方法,其中此部分酰亚胺化的聚酰胺酸的比值RA(=A1/A2)为0.1-5.0,比值RA是在红外吸收光谱中来自酰亚胺环的C=0键的吸收A1与来自酰胺酸的C=0键的吸收A2的比值。
3.如权利要求1所要求的方法,其中形成粘合剂层的步骤包括往金属箔表面涂上含聚酰胺酸的溶液,然后通过加热将含在其中的溶剂干燥和将聚酰胺酸进行部分酰亚胺化。
4.用如权利要求1所要求的方法所形成的复合绝缘层。
5.一种生产线路板的方法,它包括形成绝缘层的步骤及形成线路层的步骤,其中用如权利要求1所要求的方法进行形成绝缘层的步骤以形成绝缘层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003050391A JP2004260038A (ja) | 2003-02-27 | 2003-02-27 | 複合絶縁層の形成方法及び配線基板の製造方法 |
JP050391/2003 | 2003-02-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1551716A true CN1551716A (zh) | 2004-12-01 |
Family
ID=32905654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2004100066109A Pending CN1551716A (zh) | 2003-02-27 | 2004-02-24 | 形成复合绝缘层的方法和生产线路板的方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7022373B2 (zh) |
JP (1) | JP2004260038A (zh) |
CN (1) | CN1551716A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105517320A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-20 | 北大方正集团有限公司 | 一种高频板及其加工方法 |
CN107428021A (zh) * | 2015-03-19 | 2017-12-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 钻孔用盖板和使用其的钻孔加工方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5368143B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-12-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポリイミド金属積層板及びその製造方法 |
US9666514B2 (en) * | 2015-04-14 | 2017-05-30 | Invensas Corporation | High performance compliant substrate |
WO2024122550A1 (ja) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | 日東電工株式会社 | 低誘電基板材およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4110669B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2008-07-02 | 宇部興産株式会社 | 多孔質絶縁材料およびその積層体 |
JP2002043743A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Nitto Denko Corp | 印刷配線基板用積層体およびその製造方法 |
EP1220586A3 (en) * | 2000-12-28 | 2004-05-12 | Nitto Denko Corporation | Wiring board prepreg and manufacturing method thereof |
JP2002337268A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Nitto Denko Corp | 金属箔積層板及びその製造方法 |
JP2002361661A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Nitto Denko Corp | 配線基板用多孔質膜の製造方法 |
JP2003201363A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Hitachi Ltd | 多孔質ポリイミドフィルムとその配線基板及びその製造法並びにその用途 |
JP2003201596A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-18 | Nitto Denko Corp | 金属層の形成方法および金属箔積層体 |
-
2003
- 2003-02-27 JP JP2003050391A patent/JP2004260038A/ja active Pending
-
2004
- 2004-02-19 US US10/780,677 patent/US7022373B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-24 CN CNA2004100066109A patent/CN1551716A/zh active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107428021A (zh) * | 2015-03-19 | 2017-12-01 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 钻孔用盖板和使用其的钻孔加工方法 |
CN107428021B (zh) * | 2015-03-19 | 2019-06-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 钻孔用盖板和使用其的钻孔加工方法 |
CN105517320A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-20 | 北大方正集团有限公司 | 一种高频板及其加工方法 |
CN105517320B (zh) * | 2015-11-27 | 2018-12-18 | 北大方正集团有限公司 | 一种高频板及其加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040170754A1 (en) | 2004-09-02 |
US7022373B2 (en) | 2006-04-04 |
JP2004260038A (ja) | 2004-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI775830B (zh) | 毫米波天線用薄膜 | |
TWI546187B (zh) | 含氟聚合物之可撓性金屬層板 | |
TWI437937B (zh) | 銅配線聚醯亞胺膜之製造方法及銅配線聚醯亞胺膜 | |
JP4736703B2 (ja) | 銅配線ポリイミドフィルムの製造方法 | |
CN1203738C (zh) | 挠性电路板的制造方法 | |
CN1347277A (zh) | 多层印刷线路板的制造方法及其多层印刷线路板 | |
CN1135533C (zh) | 磁头用悬浮装置的制造方法 | |
KR20090033260A (ko) | 폴리이미드수지층의 표면개질방법 및 금속장 적층판의 제조방법 | |
CN1183812C (zh) | 双面柔性印刷电路板的制造方法 | |
CN108293296B (zh) | 印刷线路板用基膜、印刷线路板用基材以及制造印刷线路板用基材的方法 | |
CN1551716A (zh) | 形成复合绝缘层的方法和生产线路板的方法 | |
CN1432468A (zh) | 金属箔基叠层产品及其制造方法 | |
CN1599538A (zh) | 贴金属层合物 | |
JP2004244674A (ja) | 孔内メッキ方法及び配線基板 | |
US6773572B2 (en) | Method of metal layer formation and metal foil-based layered product | |
JP2002337268A (ja) | 金属箔積層板及びその製造方法 | |
JP2002319761A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
TW201927543A (zh) | 聚醯亞胺薄化軟性基板及其製造方法 | |
JP2002172734A (ja) | ポリイミド/金属積層体、およびそれを用いたフレキシブルプリント配線板 | |
JP2004269675A (ja) | ボンディングシートおよびそれから得られるフレキシブル金属張積層板 | |
JP2005135985A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2005116660A (ja) | 導電性ペースト充填基板およびその製造方法 | |
JP2005271449A (ja) | フレキシブルプリント基板用積層板 | |
JPH05110218A (ja) | リサイクル可能な積層板及びそれを用いたプリント配線板 | |
JP2004087548A (ja) | プリント配線板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |