TWI462828B - 聚醯亞胺膜、以該膜製成之撓性印刷電路板及其製造方法 - Google Patents

Description

聚醯亞胺膜、以該膜製成之撓性印刷電路板及其製造方法

本發明係關於一種聚醯亞胺薄膜，尤其是關於一種金屬化聚醯亞胺薄膜，及以該膜製成撓性印刷電路板之方法。

傳統金屬積層板是由聚醯亞胺(polyimide，以下有時簡稱PI)膜與設置於其上之金屬箔層所構成，其電路通常利用蝕刻方式，移除部份金屬積層板上的金屬箔層而形成，此種電路形成方式常稱之為消去法(substring)。由於消去法僅利用蝕刻金屬積層板即可形成電路，因此是一種簡便的方法。

然而，以消去法於金屬積層板上形成電路的方法中所使用的蝕刻步驟通常為濕式蝕刻製程，由於此種製程為等向性(isotropic)，會使得所形成之電路截面輪廓的形狀成為梯形結構，因而在製作間隙狭窄的微細電路時可能會發生所製得之電子元件在電性上可靠度不佳的問題。具體而言，若將預定形成之梯形結構電路之頂部的線寬採用設計值尺寸，則所形成之相鄰電路之梯形結構的底部可能會部分地連接，因而降低電子元件的電氣性質的可靠度。反之，若將預定形成之梯形結構電路的底部採用設計值尺寸，則所形成之梯形結構電路的頂部可能會過於狭窄，而使得電子元件之安裝時產生接觸不良的情況。

此外，隨著電子元件多功能性要求以及輕薄短小的發展趨勢，印刷電路板之線路的微細化逐漸成為近年來技術發展重點。然而，傳統的金屬線路製程微細化後之金屬線路與PI膜基材之間僅有單面接觸，容易造成金屬線路斷裂、剝落而使電子元件失效。為了解決此問題，業界開發出埋藏式線路，埋藏式線路因金屬線路與基材間有三面相接，因而提供了強大的接著力，可避免微細線路發生斷線及剝落。

為了解決上述消去法製作線路時可能發生之電性可靠度不佳及金屬線路與PI膜基材之間結合力不足等問題，以雷射直接成型線路(Laser Direct Structuring，簡稱LDS)技術製作微細電路的形成方法已受到矚目。

LDS技術提供了製備埋藏式線路的方法。一般而言，LDS是使用含金屬成分之光活化材料，例如：將尖晶石(spinel)分散於高分子基材(如PI膜)所形成之材料，以雷射光照射此光活化材料，並進行電鍍製程，從而形成埋藏式線路。然而，以前述方式所製得之線路，常因光活化材料分散不均勻而造成所得線路寬窄不均，容易發生短路。此外，雷射活化後所形成之金屬壽命較短，必須在短時間內完成後續電鍍步驟，方能形成金屬線路圖案，不利於製程。

因此，業界亟需一種改善上述問題之聚醯亞胺膜、撓性印刷電路板及其製造方法。

本發明係提供一種聚醯亞胺膜，包括一聚醯亞胺層，係由聚醯亞胺高分子聚合物以及分佈其中之有機粒子所構成；及一保護層，設於該聚醯亞胺層之一表面，其中該保護層係離型膜或溶解型乾膜。

該聚醯亞胺膜可進一步包括一金屬層，係夾設於該聚醯亞胺層與該保護層之間。

該聚醯亞胺高分子聚合物係由二胺及二酐經縮合反應而形成，二胺及二酐成分並未特別限制，可視後續製程所需特性進行調配。

該有機粒子可包括有機矽氧化物、有機金屬氧化物、前述任兩者以上之混合物等。

本發明亦提供一種撓性印刷電路板，較佳係以本發明之金屬化聚醯亞胺膜所製備，其包括：一金屬化聚醯亞胺膜，係 由聚醯亞胺高分子聚合物以及分佈其中之有機粒子所構成；一圖案化溝槽，係形成於該金屬化聚醯亞胺膜上，且該溝槽表面具有凹凸微結構；一第一金屬層，係形成於該溝槽之表面；一第二金屬層，係形成於該第一金屬層之表面，並填滿該溝槽以形成一電路。

於實施例中，該凹凸微結構係由該溝槽表面移除暴露於環境中之該有機粒子所形成。

該第一金屬層及該第二金屬層並未特別限制金屬種類，亦可使用合金，可視後續應用而定。於實施例中，該第一金屬層包括鈀、鎳、或其組合；而該第二金屬層包括銅、金、或其組合。

本發明另提供一種製備撓性印刷電路板之方法，包括：形成一聚醯亞胺膜，其由聚醯亞胺高分子聚合物以及分佈其中之有機粒子所構成；設置一保護層於該聚醯亞胺膜之一表面；於該設有保護層之聚醯亞胺膜上形成一圖案化溝槽，且該圖案化溝槽貫穿該保護層與該聚醯亞胺膜之一部分；進行表面粗化處理，以於該溝槽表面形成具有凹凸微結構；於該溝槽之表面形成第一金屬層；以及於該第一金屬層之表面形成第二金屬層，且該第二金屬層係填滿該溝槽以形成一電路。

該聚醯亞胺膜亦可進一步包括一第三金屬層，係設於該聚醯亞胺層與該保護層之間；且於形成該圖案化溝槽之步驟中，該圖案化溝槽係貫穿該保護層、該第三金屬層、與該聚醯亞胺膜之一部分。

本發明是以獨特的有機-無機混成技術，將有機粒子均勻分散在聚醯亞胺薄膜中，再經由LDS技術及表面粗化技術製作埋藏式線路於該聚醯亞胺薄膜上，藉此製備撓性印刷電路板。

本發明之聚醯亞胺薄膜除了大幅增加薄膜的尺寸安定性與金屬接著力之外，同時亦解決一般雷射成形技術中添加劑分散不佳及金屬活化後之活性壽命短等問題。因此特別適合高階封裝電路板的應用。

本發明聚醯亞胺膜之一實施例，可參照第1A圖，聚醯亞胺膜1係包括一聚醯亞胺層11及設置於聚醯亞胺層11之一表面上之一保護層12。

本發明聚醯亞胺膜之另一實施例，可參照第1B圖，聚醯亞胺膜1係包括一聚醯亞胺層11、設置於該聚醯亞胺層11之一表面上之一金屬層15、及設置於該金屬層15上之一保護層12。

聚醯亞胺層11係構成該膜1之主結構，包括聚醯亞胺聚合物13、及分佈於該層中的有機粒子14。於一實施例中，有機粒子14可包含有機矽氧化物、有機金屬氧化物等、或其組合物。於一較佳實施例中，該粒子可選自有機二氧化矽、有機二氧化鈦、有機氧化鋁、有機氧化鋯等，但不以此為限。

於實施例中，該保護層12係可為離型膜或溶解型乾膜(dry film)，例如：聚醯亞胺膜。離型膜是指能透過剝離方式去除的膜。溶解型乾膜則為能透過溶液溶解方式移除之膜。

如第1B圖所示之金屬層15可為單一金屬層或複合式金屬層，該金屬可為銅、鈀、鎳等或其組合。

以下以實施例詳細說明本發明。

一、製備本發明金屬化聚醯亞胺膜

此處以聚醯亞胺高分子聚合物及有機二氧化矽混成之基材作為聚醯胺酸層為例進行說明，應理解，該材料僅為例示性說明而並非用以限制本發明。

1、製備聚醯胺酸(PAA)： 本發明之聚醯胺酸係由二胺化合物及二酐化合物經縮合反應而形成，二胺與四羧酸二酐之單體之莫耳比例約為實質上相等，例如，約0.90：1.10或約0.98：1.02。可應用於本發明之聚醯亞胺高分子聚合物並未特別限制，該二胺與二酐之單體成分及種類亦未特別限制。該二胺與二酐化合物，可分別選自單一種化合物或多種化合物。

於一實施例中，該二胺可為4,4'-二胺基二苯醚(4,4'-ODA)、對苯二胺(p-PDA)、2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺(TFMB)、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基苯基甲烷、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二(間胺基苯氧基)二苯基碸、4,4’-二胺基二苯硫醚、1,4-二胺基苯、2,5-二胺基甲苯、異佛酮二胺、4-(2-胺基苯氧基)-1,3-二胺基苯、4-(4-胺基苯氧基)-1,3-二胺基苯、2-胺基-4-(4-胺基苯基)噻唑、2-胺基-4-苯基-5-(4-胺基苯基)噻唑、聯苯胺、3,3’,5,5’-四甲基聯苯胺、八氟聯苯胺、鄰聯甲苯胺、間聯甲苯胺、間苯二胺、1,2-雙(苯胺基)乙烷、2,2-雙(對胺基苯基)丙烷、2,2-雙(對胺基苯基)六氟丙烷、2,6-二胺基萘、二胺基三氟甲基苯、1,4-雙(對胺基苯氧基)苯、4,4’-雙(對胺基苯氧基)雙苯基、二胺基蒽醌、1,3-雙(苯胺基)六氟丙烷、1,4-雙(苯胺基)八氟丙烷、2,2-雙[4-(對胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷等。

於一實施例中，該四羧酸二酐可為均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,2’,3,3’-雙苯基四羧酸二酐、2,3,3’,4’-雙苯基四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基醚四羧酸二酐、2,3,3’,4’-二苯基醚四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、2,3,3’,4’-二苯基碸 四羧酸二酐、2,2-雙(3,3’,4,4’-四羧基苯基)四氟丙烷二酐、2,2’-雙(3,4-二羧基苯氧基苯基)碸二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、環戊烷四羧酸二酐、丁烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基醋酸二酐等。

2、製備聚醯亞胺膜：於前述步驟所得之聚醯胺酸中添加有機氧化物的前驅體(precursor)，例如有機矽烷氧化合物(organic silanes)、金屬烷氧化合物(metal alkoxides)，舉例但非限制，該金屬可為鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋁(Al)、錫(Sn)、銦(In)、銀(Ag)、鍗(Te)、銻(Sb)、鋇(Ba)、鈮(Nb)、釔(Y)等)、或上述之組合。

接著，經溶膠-凝膠(sol-gel)反應後，可形成一摻雜有有機矽氧化物(例如有機二氧化矽)或有機金屬氧化物(例如有機二氧化鈦等、有機氧化鋁、有機氧化鋯)粒子之聚醯亞胺膜。

於一實施例中，該有機矽烷氧化合物，可列舉如四甲氧矽烷、四乙氧矽烷、四丙氧矽烷、四異丙氧矽烷等四烷氧矽烷化合物；甲基三甲氧矽烷、甲基三乙氧矽烷、甲基三丙氧矽烷、甲基三丁氧矽烷、乙基三甲氧矽烷、乙基三乙氧矽烷、正丙基三甲氧矽烷、正丙基三乙氧矽烷、異丙基三甲氧矽烷、異丙基三乙氧矽烷等三烷氧矽烷化合物等或混合使用此等例示有機矽烷氧化合物之2種以上。

在一實施例中，可先製備一聚醯亞胺膜，再將含矽烷氧化物之溶膠液塗佈於此聚醯亞胺膜表面上。最後，經由溶膠-凝膠(sol-gel)製程，形成聚醯亞胺-有機二氧化矽混成之聚醯亞胺膜。於某些實施例中，該有機矽氧化物或有機金屬氧化物粒子之平均粒徑為約1至約1000 nm(奈米)。在一實施例中，該平均粒徑可為約1、3、5、10、50、100、500、600、700、800、900、1000 nm，亦可介於其中任兩點之範圍內。

於本發明中，該有機矽氧化物或該有機金屬氧化物的添加 量為，以該聚醯亞胺層之總重量為基礎，約0.1至40 wt%。於一實施例中，該添加量可為約0.1、1、5、10、15、20、25、30、35、40 wt%，或介於其中任兩點之範圍內。

3、製備金屬層(選用)：前述所得之聚醯亞胺膜上，利用無電解電鍍製程形成一金屬層。該複合式金屬層可依序包括：形成於該聚醯亞胺膜表面之鈀層、及形成於該鈀層上之銅層。於另一實施例中，該複合式金屬層可依序包括：形成於該聚醯亞胺膜表面之鈀層、形成於該鈀層上之鎳金屬層、及形成於該鎳金屬層上之銅金屬層。

如欲製備第1A圖所示之聚醯亞胺膜，則可省略此步驟。

4、製備保護層：保護層可採用離型膜(例如PE膜或PET膜)，或可溶解型乾膜(例如可溶性聚醯亞胺膜)，將其貼附於由前述步驟所得之聚醯亞胺膜之一表面上，即獲得一設有保護層的聚醯亞胺膜。

於實施例中，該保護層可於後續金屬化製程中，用以防止金屬形成於該聚醯亞胺膜上之目標區域以外(即，不欲形成金屬圖案的區域)。

二、以經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜製備撓性印刷電路板之方法

利用雷射燒蝕和電鍍技術，可於本發明聚醯亞胺膜上製備埋藏式線路圖案，以製成撓性印刷電路板。

第2A圖至第2G圖為繪示依據本發明一實施例，以經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜製備撓性印刷電路板之示意圖。參照第2A圖，依前述步驟所得之本發明聚醯亞胺膜2，包括聚醯亞胺膜21及保護層22，而聚醯亞胺膜21包含聚醯亞胺聚合物23及有機粒子24。

接著參考第2B圖，可執行雷射燒蝕步驟，利用雷射I，於本發明聚醯亞胺膜上進行電子線路圖案化，此處以一溝槽25表示所形成的線路圖案。於實施例中，可使用波長約400 nm至1200 nm之雷射光。

接著參考第2C圖，執行表面粗化(surface roughening)處理步驟，以表面處理液清洗經雷射燒蝕之聚醯亞胺膜，藉此移除溝槽25表面上之有機粒子24，主要針對暴露於環境中(部分或全部暴露)之該有機粒子移除，進而於溝槽25之表面形成微凹凸表面25A。表面處理液可使用習知的鹼性表面處理條件。鹼性表面處理液可例示如氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、氨水、其他有機胺化合物等，且亦可混合複數種類的鹼性表面處理液使用。微凹凸表面25A所形成的凹陷，大約對應有機粒子24的大小，即約1至約1000 nm。

隨後參考第2D圖，執行鈀觸媒之沉積步驟。於表面粗化處理後，將該聚醯亞胺膜浸泡於含有鈀觸媒之溶液內，進行鈀金屬沉積，於溝槽25上形成一鈀層26。鈀金屬會沉積該溝槽25之表面，包括因去除該有機粒子24所形成之凹凸微結構內。因鈀金屬填滿凹凸微結構，可增加該兩層之間的附著性(bonding)。鈀觸媒之沉積步驟的處理條件並無特別限定，可使用習知的無電解鍍鎳用催化劑賦予條件。舉例而言，鈀觸媒之沉積步驟的處理液可例示如鹼性鈀催化劑賦予液、酸性鈀催化劑賦予液、白金催化劑賦予液、鎳催化劑賦予液或其他無電解鍍鎳用催化劑賦予液等，亦可混合複數種無電解鍍鎳用催化劑賦予液使用。接下來，進行催化劑活性化步驟。此催化劑活性化步驟之材料並無特別限制，只要是可活性化沉積於聚醯亞胺薄膜上的催化劑皆可使用，例如SLP-500 Accelerator(奧野製藥工業(股)製)。接著參見第2E圖，執行鎳-鈀金屬層之沉積步驟，將前述聚醯亞胺膜浸泡於含有鎳金屬之溶液內進行電鍍，以在鈀層26上形成一鎳金屬層27。本發明所使用的無電解鍍 鎳液可為無電解鎳-硼鍍敷液、低磷型無電解鍍鎳液、中磷型無電解鍍鎳液或高磷型無電解鍍鎳液。值得一提，如第2E圖所示的實施例是在電鍍鎳時便可直接形成鎳金屬層27於鈀層26的表面上，兩者為分開的兩層(即鎳金屬層27完全覆蓋鈀層26)。然而，在特定製程條件下，鈀層26與鎳金屬層27亦可能發生全部或部份區域形成兩者混合的情形(即，形成鎳-鈀合金)。

如第2F圖所示，於鎳-鈀金屬層的沉積步驟之後，可利用機械剝離方式或溶液溶解方式移除保護層22。

參見第2G圖，為繪示無電解電鍍銅線路之示意圖。將移除保護層22後之聚醯亞胺膜浸泡於含有銅金屬之電鍍液中，進行無電解電鍍，從而於溝槽25中填入一銅層28。經此步驟，將銅於雷射燒蝕所形成的線路圖案內形成埋藏式金屬線路，從而獲得撓性印刷電路板。

第3A圖至第3G圖為繪示依據本發明製備撓性印刷電路板之另一實施例，其中有部分步驟採用與第2A-2G所示製備方法相同或類似的步驟、參數、條件等，於此實施例中則不加以贅述。

參照第3A圖，以本發明聚醯亞胺膜3為例，其包括聚醯亞胺層31、金屬層35、及保護層32，而聚醯亞胺層31包含聚醯亞胺聚合物33及有機粒子34。

接著參考第3B圖，進行電子線路圖案化及表面粗化(micro-etching)處理。以雷射燒蝕(即雷射I)形成溝槽36，接著以表面處理液清洗經雷射燒蝕之聚醯亞胺膜，藉此移除溝槽36表面所暴露之有機粒子34，進而形成微凹凸表面36A。

參考第3C圖，執行鈀觸媒之沉積步驟，以形成鈀層37。接著參見第3D圖，執行鎳-鈀金屬層之沉積步驟，以在鈀層37上形成一鎳金屬層38。

參見第3E圖，將該聚醯亞胺膜浸泡於含有銅金屬之電鍍液中進行電解電鍍，以於溝槽36中填入一銅層39，從而形成埋藏式金屬線路。

接著，如第3F圖所示，利用機械剝離方式或溶液溶解方式移除保護層32，暴露出該金屬層35之表面及該銅層39之部分側面。續參見第3G圖，利用乾式或濕式蝕刻製程移除該金屬層35及部分銅層39，經此步驟，將銅於雷射燒蝕所形成的線路圖案內形成埋藏式金屬線路，從而獲得撓性印刷電路板。

此實施例中，係先利用無電解電鍍製程，於經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜上形成一金屬層，使得雷射圖案化製程後的金屬化步驟(即，形成鎳層及銅層)皆可使用電解電鍍製程。

因此，由上述實施例可證，本發明撓性電路板之製程，於雷射燒蝕步驟後，可使用電解電鍍或無電解電鍍以形成埋藏式金屬線路，提升了製程步驟的操作靈活性。

上述特定實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明所進行之各種變化或修改係落入本發明之一部分。

1、2、3‧‧‧經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜

11、21、31‧‧‧聚醯亞胺膜

12、22、32‧‧‧保護層

13、23、33‧‧‧聚醯亞胺聚合物

14、24、34‧‧‧有機粒子

15、35‧‧‧金屬層

25、36‧‧‧溝槽

26、37‧‧‧鈀層

27、38‧‧‧鎳金屬層

28、39‧‧‧銅層

I‧‧‧雷射

25A、36A‧‧‧微凹凸表面

第1圖係本發明金屬化聚醯亞胺膜之一實施例之示意圖。

第2A圖至第2G圖繪示以金屬化聚醯亞胺膜製備撓性印刷電路板之製備流程的示意圖。

第3A圖至第3G圖繪示以金屬化聚醯亞胺膜製備撓性印刷電路板之製備流程的示意圖。

1‧‧‧經摻雜有機矽氧化物或有機金屬氧化物之聚醯亞胺膜

11‧‧‧聚醯亞胺膜

12‧‧‧保護層

13‧‧‧聚醯亞胺聚合物

14‧‧‧有機粒子

Claims (19)

1. 一種聚醯亞胺膜，包括：一聚醯亞胺層，係由聚醯亞胺高分子聚合物、以及分佈其中之有機粒子所構成；一保護層，設於該聚醯亞胺層之一表面，其中該保護層係離型膜或溶解型乾膜；及一金屬層，係夾設於該聚醯亞胺層與該保護層之間。
2. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中該金屬層為複合式金屬層。
3. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中該金屬層之金屬係選自由銅、鈀、鎳所成群組之一種或多種。
4. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中，該有機粒子包括有機矽氧化物、有機金屬氧化物、或其混合物。
5. 如申請專利範圍第4項之聚醯亞胺膜，其中，該有機金屬氧化物之金屬包括鈦、鋯、鋁、或其組合。
6. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中，該有機粒子包括有機二氧化矽、有機二氧化鈦、有機氧化鋁、有機氧化鋯或其組合。
7. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中，該有機粒子之平均粒徑為約1至約1000nm。
8. 如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺膜，其中該聚醯亞胺高分子聚合物係由二胺及二酐經縮合反應而形成，該二胺係選自由4,4'-二胺基二苯醚(4,4'-ODA)、對苯二胺(p-PDA)及2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺(TFMB)所成群組之一種或多種，以及該二酐係選自由均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)及2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)所成群組之一種或多種。
9. 一種撓性印刷電路板，包括： 一聚醯亞胺層，係由聚醯亞胺高分子聚合物以及分佈其中之有機粒子所構成；一圖案化溝槽，係形成於該金屬化聚醯亞胺層上，且該溝槽表面具有凹凸微結構；一第一金屬層，係形成於該溝槽之表面，並填滿該凹凸微結構；一第二金屬層，係形成於該第一金屬層之表面，並填滿該溝槽以形成一電路。
10. 如申請專利範圍第9項之撓性印刷電路板，其中，該有機粒子包括有機矽氧化物、有機金屬氧化物、或其混合物。
11. 如申請專利範圍第9項之撓性印刷電路板，其中，該有機粒子包括有機二氧化矽、有機二氧化鈦、有機氧化鋁、有機氧化鋯或其組合。
12. 如申請專利範圍第9項之撓性印刷電路板，其中，該凹凸微結構係由該溝槽表面移除暴露於環境中之該有機粒子所形成。
13. 如申請專利範圍第9項之撓性印刷電路板，其中，該第一金屬層包括鈀、鎳、或其組合。
14. 如申請專利範圍第9項之撓性印刷電路板，其中，該第二金屬層包括銅、金、或其組合。
15. 一種製備撓性印刷電路板之方法，包括：形成一聚醯亞胺膜，其由聚醯亞胺高分子聚合物以及分佈其中之有機粒子所構成；設置一保護層於該聚醯亞胺膜之一表面；於該設有保護層之聚醯亞胺膜上形成一圖案化溝槽，且該圖案化溝槽貫穿該保護層與該聚醯亞胺膜之一部分；進行表面粗化處理，以於該溝槽表面形成凹凸微結構，其中該凹凸微結構的複數凹陷大約對應有機粒子的大小；於該溝槽之表面形成第一金屬層；以及 於該第一金屬層之表面形成第二金屬層，且該第二金屬層係填滿該溝槽以形成一電路。
16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該圖案化溝槽係以雷射燒蝕形成，該第一金屬層則由電鍍形成。
17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該表面粗化處理係將位於該溝槽表面並暴露於環境中之該有機粒子移除。
18. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該聚醯亞胺膜進一步包括一第三金屬層，係設於該聚醯亞胺層與該保護層之間；且於形成該圖案化溝槽之步驟中，該圖案化溝槽係貫穿該保護層、該第三金屬層、與該聚醯亞胺膜之一部分。
19. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該第三金屬層及該保護層係於該第二金屬層形成電路後移除。