KR20030095388A - 벌크 단결정 갈륨함유 질화물을 얻기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (108)
- (ⅰ) 적어도 하나의 용기에 갈륨함유 공급원료, 알칼리금속함유 성분, 적어도 하나의 결정화 시드 및 질소함유 용매를 공급하는 단계;(ⅱ) 상기 질소함유 용매를 초임계 상태로 이르게 하는 단계;(ⅲ) 제 1 온도와 제 1 압력에서 상기 갈륨함유 공급원료를 적어도 부분적으로 용해시키는 단계; 및(ⅳ) 상기 질소함유 용매가 초임계 상태에 있는 동안에 제 2 온도와 제 2 압력에서 상기 결정화 시드 상에 갈륨함유 질화물을 결정화하는 단계를 포함하고,(a) 상기 제 2 온도가 상기 제 1 온도보다 높고;(b) 상기 제 2 압력이 상기 제 1 압력보다 낮은 기준을 적어도 하나 충족하는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 용기가 오토클레이브인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,갈륨함유 질화물 공급원료가 단계(ⅳ) 전에 적어도 부분적으로 용해되는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,갈륨함유 질화물 공급원료가 단계(ⅳ) 동안에 적어도 부분적으로 용해되는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 방법은 제 1 온도에서의 용해 영역과 제 2 온도에서의 결정화 영역을 가지는 오토클레이브에서 수행되고 상기 제 2 온도가 상기 제 1 온도보다 높은 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 5 항에 있어서,용해 영역과 결정화 영역 사이의 온도 차이가 초임계 용액에서 대류 수송을 보장하도록 선택되는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 6 항에 있어서,제 2 온도와 제 1 온도 사이의 온도 차이가 적어도 1℃인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 7 항에 있어서,제 2 온도와 제 1 온도 사이의 온도 차이가 약 5℃ 에서 약 150℃ 인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,갈륨함유 질화물이 일반식 AlxGa1-x-yInyN을 가지고 여기서 0≤x<1, 0≤y<1 및 0≤x+y<1인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 9 항에 있어서,갈륨함유 질화물이 일반식 AlxGa1-x-yInyN을 가지고 여기서 0≤x<0.5 및 0≤y<0.5인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 9 항에 있어서,갈륨함유 질화물이 질화 갈륨인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,갈륨함유 질화물이 적어도 하나의 도너 도판트, 적어도 하나의 억셉터 도판트, 적어도 하나 자기 도판트 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,갈륨함유 공급원료는 질화 갈륨, 아지드화 갈륨, 갈륨 이미드, 갈륨 아미도-이미드, 수소화 갈륨, 갈륨함유 합금, 금속 갈륨 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물을 포함하는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 13 항에 있어서,갈륨함유 공급원료는 금속 갈륨과 질화 갈륨을 포함하는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 13 항에 있어서,공급원료는 알루미늄 공급원료, 인듐 공급원료 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 상기 공급원료들은 질화물, 아지드화물, 이미드, 아미도-이미드, 수소화물, 합금, 금속 알루미늄 및 금속 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,알칼리금속함유 성분은 적어도 하나의 금속 알칼리금속 또는 적어도 하나의 알칼리금속염인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 16 항에 있어서,알칼리금속함유 성분의 알칼리금속이 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 세슘인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 17 항에 있어서,알칼리금속함유 성분의 알칼리금속이 나트륨 또는 칼륨인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 16 항에 있어서,알칼리금속염이 아미드, 이미드 또는 아지드화물인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 결정화 시드의 표면이 갈륨함유 질화물의 결정층인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 20 항에 있어서,결정층의 갈륨함유 질화물이 일반식 AlxGa1-x-yInyN을 가지고 여기서 0≤x<1, 0≤y<1 및 0≤x+y<1인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 20 항에 있어서,결정층이 106/㎠ 미만의 전위밀도를 가지는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,질소함유 용매가 암모니아, 암모니아 유도체 또는 이들의 혼합물인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,제 1 온도와 제 2 온도는 약 100℃ 에서 약 800℃이며, 상기 제 2 온도는 제 1 온도보다 적어도 1℃ 높은 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 24 항에 있어서,제 1 온도와 제 2 온도는 약 300℃ 에서 약 600℃인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 25 항에 있어서,제 1 온도와 제 2 온도는 약 400℃ 에서 약 550℃인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,제 1 압력과 제 2 압력은 동일하고 약 1000bar(105kPa)에서 약 10 000bar(106kPa)인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 27 항에 있어서,제 1 압력과 제 2 압력은 동일하고 약 1000bar(105kPa)에서 약 5500bar(5.5×105kPa)인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 28 항에 있어서,제 1 압력과 제 2 압력은 동일하고 약 1500bar(1.5×105kPa)에서 약 30 00bar(3×105kPa)인 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 1 항에 있어서,단계(ⅳ)를 수행하여 결정이 결정화 시드 상에 선택적으로 생기도록 하는 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- (ⅰ) 용해 영역과 결정화 영역이 있는 용기에 적어도 2개의 다른 성분을 포함하는 갈륨함유 공급원료, 알칼리금속함유 성분, 적어도 하나의 결정화 시드 및 질소함유 용매를 공급하여 상기 갈륨함유 공급원료를 상기 용해 영역에 제공하고 상기 적어도 하나의 결정화 시드를 상기 결정화 영역에 제공하는 단계;(ⅱ) 연이어 상기 질소함유 용매를 초임계 상태로 이르게 하는 단계;(ⅲ) 연이어 상기 용해 영역에서 용해 온도와 용해 압력으로 상기 갈륨함유 공급원료를 부분적으로 용해시켜, 이로 인해 상기 갈륨함유 공급원료의 제 1 성분을 실질적으로 완전히 용해시키고 상기 갈륨함유 공급원료의 제 2 성분 및 결정화 시드는 실질적으로 용해되지 않은 채 남겨져 갈륨함유 질화물에 대해 불포화 용액 또는 포화 용액이 얻어지는 단계; 및(ⅳ) 연이어 갈륨함유 질화물에 대해 과포화가 얻어지고 갈륨함유 질화물의 결정이 적어도 하나의 결정화 시드 상에 생기도록 상기 결정화 영역에 제 2 온도와 제 2 압력 조건을 설정하고 상기 갈륨함유 공급원료의 제 2 성분이 용해되도록 상기 용해 영역에 제 1 온도와 제 1 압력 조건을 설정하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 온도가 상기 제 1 온도 보다 높은 갈륨함유 질화물 결정의 제조방법.
- 제 31 항에 있어서,갈륨함유 공급원료의 제 1 성분은 금속갈륨이고 갈륨함유 공급원료의 제 2 성분은 질화 갈륨인 갈륨함유 질화물 결정의 제조방법.
- 제 31 항에 있어서,결정화를 수행하여 결정화 시드 상에 선택적으로 결정이 생기는 갈륨함유 질화물 결정의 제조방법.
- 제 31 항에 있어서,과포화 용액에서 갈륨의 농도가 결정화 동안 실질적으로 동일하게 유지되도록 용해 영역에서의 제 1 온도 및 제 1 압력과 결정화 영역에서의 제 2 온도 및 제 2 압력을 선택하는 갈륨함유 질화물 결정의 제조방법.
- 제 31 항에 있어서,오토클레이브가 용해 영역과 결정화 영역 사이에 적어도 하나의 격벽을 구비하는 갈륨함유 질화물 결정의 제조방법.
- 제 35 항에 있어서,적어도 하나의 격벽이 중앙 개구, 외주변 개구 또는 이들의 조합을 가지는 갈륨함유 질화물 결정의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 수득가능한 갈륨함유 질화물 결정.
- 표면적이 2㎠ 이상이고 전위밀도가 106/㎠ 미만인 갈륨함유 질화물 결정.
- 두께가 적어도 200㎛이고 (0002)면의 X-레이 진동곡선의 반치전폭(FWHM)이 50 아크세컨드 이하인 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 39 항에 있어서,두께가 적어도 500㎛인 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정이 일반식 AlxGa1-x-yInyN을 가지고 여기서 0≤x<1, 0≤y<1 및 0≤x+y<1인 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정이 약 0.1ppm 이상의 알칼리원소를 함유하는 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정이 약 0.1ppm 이하의 할로겐 성분을 가지는 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정의 체적이 0.05㎤ 이상인 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정은 티타늄(Ti), 철(Fe), 코발트(Co), 크롬(Cr) 및 니켈(Ni)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하는 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정은 1017/㎤ 내지 1021/㎤의 농도로 적어도 하나의 도너 도판트 및/또는 적어도 하나의 억셉터 도판트 및/또는 적어도 하나의 자기 도판트를 추가적으로 포함하는 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정층은 알루미늄(Al) 및/또는 인듐(In)을 더 포함하고 갈륨(Ga) 대 알루미늄 및/또는 인듐 몰비가 0.5 이상인 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정이 시드를 포함하는 갈륨함유 질화물 결정.
- 제 37 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정이 단결정인 갈륨함유 질화물 결정.
- 내부 공간이 있는 오토클레이브(1)와 상기 오토클레이브를 가열하여 적어도 2개의 영역이 온도가 다르게 하는 적어도 하나의 장치(4,5)를 포함하고, 상기 오토클레이브는 내부공간을 용해 영역(13)과 결정화 영역(14)으로 나누는 장치를 구비하는 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 50 항에 있어서,적어도 하나의 장치는 오토클레이브를 가열하여 2개의 영역이 온도가 다르게 하고 상기 2개의 영역은 용해 영역(13)과 결정화 영역(14)인 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 50 항에 있어서,내부 공간을 분리하는 장치는 적어도 하나의 개구가 있는 적어도 하나의 격벽(12)인 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 52 항에 있어서,적어도 하나의 격벽(12)은 중앙 개구와, 외주변 개구 또는 이들의 조합을 가지는 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 50 항에 있어서,결정화 영역(14)에 용해 영역(13)의 온도보다 더 높은 온도로 상기 결정화 영역(14)을 가열하기 위해 가열장치(5)가 제공되어지는 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 50 항에 있어서,시드 홀더(seed-holder)(18)가 결정화 영역(14)에 제공되어지고 공급원료 홀더(19)가 용해 영역에 제공되어지는 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 52 항에 있어서,격벽이 가로방향으로 있고, 용해 영역(13)이 상기 가로방향 격벽(12) 또는 가로방향 격벽들 위에 위치되고, 결정화 영역(14)은 상기 가로방향 격벽(12) 또는 가로방향 격벽 아래에 위치되는 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 오토클레이브내에서 알칼리금속 이온을 함유하는 초임계 용매 환경에서 수행되고, 갈륨함유 질화물 결정을 제조하기 위한 갈륨함유 공급원료를 상기 초임계 용매에 용해시켜 초임계 용액을 형성하고, 상기 초임계 용매에서의 공급원료 용해 온도보다 더 높은 온도 및/또는 상기 초임계 용매에서의 공급원료 용해 압력보다 낮은 압력에서 갈륨함유 질화물이 결정화 시드 표면 상에 상기 초임계 용액으로부터 결정화하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,갈륨함유 공급원료를 용해하는 단계와 초임계 용액을 더 높은 온도 및/또는 더 낮은 압력으로 분리 전달하는 단계를 포함하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,상기 방법은 적어도 2개의 다른 온도영역을 동시에 생성하는 단계를 포함하고, 갈륨함유 공급원료를 더 낮은 온도의 용해 영역에 배치하고 결정화 시드를 더 높은 온도의 결정화 영역에 배치하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 59 항에 있어서,용해 영역과 결정화 영역 사이의 온도 차이가 초임계 용액에서 화학수송을 보장하도록 제어되는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 60 항에 있어서,초임계 용액에서의 화학수송은 오토클레이브내 대류를 통해 발생하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 60 항에 있어서,용해 영역과 결정화 영역 사이의 온도 차이가 1℃이상인 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정은 일반식 AlxGa1-x-yInyN을 가지고 여기서 0≤x<1, 0≤y<1 및 0≤x+y<1인 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,갈륨함유 질화물 결정은 도너형 도판트 및/또는 억셉터형 도판트 및/또는 자기형 도판트를 포함하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,초임계 용매는 암모니아(NH3) 및/또는 암모니아 유도체를 포함하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,초임계 용매는 나트륨 이온 및/또는 칼륨 이온을 포함하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,갈륨함유 공급원료는 필수적으로 갈륨함유 질화물 및/또는 그 전구체를 포함하는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 67 항에 있어서,상기 전구체가 아지드화 갈륨, 갈륨 이미드, 갈륨 아미도-이미드, 갈륨 아미드, 수소화갈륨, 갈륨함유 합금 및 금속 갈륨으로 구성된 그룹과 선택적으로 (IUPAC, 1989에 따른) 다른 8족 원소에 대응하는 화합물로부터 선택되는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,결정화 시드가 적어도 갈륨함유 질화물의 결정층을 가지는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,결정화 시드는 적어도 106/㎠ 미만의 전위밀도를 가지는 갈륨함유 질화물의 결정층을 가지는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,갈륨함유 질화물의 결정이 100℃ 내지 800℃, 바람직하게는 300℃ 내지 600℃, 보다 바람직하게는 400℃ 내지 550℃의 온도에서 생기는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,갈륨함유 질화물의 결정이 100bar 내지 10000bar, 바람직하게는 1000bar 내지 5500bar, 보다 바람직하게는 1500bar 내지 3000bar의 압력에서 생기는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,초임계 용매에서 알칼리금속이온의 함량은 공급원료 및 갈륨함유 공급원료의 적절한 용해도 수준을 제공하도록 제어되는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 제 57 항에 있어서,알칼리금속이온 대 초임계 용매의 몰비가 1:200 에서 1:2, 바람직하게는 1:100 에서 1:5, 보다 바람직하게는 1:20 에서 1:8의 범위내에서 제어되는 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득방법.
- 대류를 확립하기 위한 장치(2)가 설비되고, 가열장치(5) 및/또는 냉각장치(6)가 갖추어진 노 또는 한 셋트의 노(4) 내부에 장착되며 초임계 용매를 생산하기 위한 오토클레이브(1)를 구비한 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 75 항에 있어서,노 또는 한 셋트의 노(4)는 가열장치(5)가 갖추어진 오토클레이브(1)의 결정화 영역(14)에 일치하는 고온 영역과 가열장치(5) 및/또는 냉각장치(6)가 갖추어진 오토클레이브(1)의 용해 영역(13)에 일치하는 저온 영역을 가지는 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 76 항에 있어서,노 또는 한 셋트의 노(4)는 가열장치(5) 및/또는 냉각장치(6)가 갖추어진 오토클레이브(1)의 결정화 영역(14)에 일치하는 고온 영역과 가열장치(5) 및/또는 냉각장치(6)가 갖추어진 오토클레이브(1)의 용해 영역(13)과 일치하는 저온 영역을 가지는 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 76 항에 있어서,상기 장치(2)가 중앙 및/또는 외주변 개구를 가지며, 결정화 영역(14)과 용해 영역(13)을 분리하는 가로방향 격벽(12) 또는 가로방향 격벽들의 형태인 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 76 항에 있어서,공급원료(16)는 오토클레이브(1)의 용해 영역(13)에 배치되고, 결정화 시드(17)는 결정화 영역(14)에 배치되며, 영역 13 및 14 사이의 대류가 상기 장치(2)에 의해 확립되는 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- 제 79 항에 있어서,용해 영역(13)은 가로방향 격벽(12) 또는 가로방향 격벽들 위에 위치되고 결정화 영역(14)은 상기 가로방향 격벽(12) 또는 가로방향 격벽들 아래에 위치되는 단결정 갈륨함유 질화물 결정의 수득장치.
- (ⅰ) 갈륨함유 공급원료를 알칼리금속이온을 함유하는 초임계 암모니아 용매에 넣음으로써 가용성 형태의 알칼리금속이온 및 갈륨 이온을 함유하는 초임계 암모니아 용액을 제공하여 상기 초임계 암모니아 용액에서 갈륨함유 질화물의 용해도가 음온도계수를 나타내게 하고, (ⅱ) 용해도의 음온도계수에 의해 초임계 암모니아 용액으로부터 선택적으로 결정화 시드 상에 갈륨함유 질화물을 결정화하는 것을 포함하는 오토클레이브내에서 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 방법.
- (ⅰ) 갈륨함유 공급원료를 알칼리금속이온을 함유하는 초임계 암모니아 용매에 넣음으로써 가용성 형태의 알칼리금속이온 및 갈륨 이온을 함유하는 초임계 암모니아 용액을 제공하여 상기 초임계 암모니아 용액에서 갈륨함유 질화물의 용해도가 양압력계수를 나타내게 하고, (ⅱ) 용해도의 양압력계수에 의해 초임계 암모니아 용액으로부터 선택적으로 결정화 시드 상에 갈륨함유 질화물을 결정화하는 것을포함하는 오토클레이브내에서 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 방법.
- 제 81 항 또는 제 82 항에 있어서,갈륨함유 질화물이 질화 갈륨(GaN)인 오토클레이브내 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 방법.
- 제 81 항 또는 제 82 항에 있어서,알칼리금속이온이 리튬(Li+), 나트륨(Na+) 및 칼륨(K+)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 오토클레이브내에서 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 방법.
- 제 81 항 또는 제 82 항에 있어서,알칼리금속이온이 할로겐이온을 포함하지 않는 암모노염기성 초임계 암모니아 용액을 형성하기 위해 알칼리금속 및 아지드화물, 질화물, 아미드, 아미도-이미드, 이미드 및/또는 수소화물과 같은 알칼리금속 화합물로부터 선택되는 광화제 형태로 도입되는 오토클레이브내에서 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 방법.
- 제 81 항 또는 제 82 항에 있어서,갈륨함유 질화물이 알칼리금속과 암모니아(NH3) 및/또는 암모니아 유도체를 함유하는 갈륨 착체 화합물의 형태로 초임계 암모니아 용매에 용해되는 오토클레이브내에서 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 방법.
- 제 81 항 또는 제 82 항에 있어서,초임계 암모니아 용액의 갈륨 착체 화합물은 질화 갈륨(GaN) 및/또는 금속 갈륨(Ga)을 초임계 암모니아 용매로 용해하여 형성되는 오토클레이브내에서 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 방법.
- (ⅰ) 오토클레이브내에의 온도 및/또는 압력을 조절함으로써 초임계 암모니아 용매를 제공하는 단계와 (ⅱ) 상기 초임계 암모니아 용매에 갈륨함유 질화물의전구체를 용해시켜 갈륨함유 질화물의 용해가 유효하게 발생하는 온도보다 더 낮은 온도에서 가용성 갈륨 착체 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 갈륨함유 질화물을 포함한 초임계 암모니아 용액의 제조방법.
- 제 88 항에 있어서,초임계 암모니아 용매에 전구체를 용해시키는 단계는 150℃ 내지 300℃의 온도에서 수행하는 갈륨함유 질화물을 포함한 초임계 암모니아 용액의 제조방법.
- (ⅰ) 오토클레이브내에 갈륨함유 질화물 공급원료를 용해함으로써 형성된 가용성 갈륨 착체 화합물을 포함한 초임계 암모니아 용액을 제조하는 단계와 (ⅱ) 상기 갈륨함유 질화물 공급원료의 용해가 수행되는 온도보다 높게 온도를 증가시킴으로써 초임계 암모니아 용액내 갈륨함유 질화물의 용해도를 감소시키는 단계를 포함하는 초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- (ⅰ) 용해 영역에서 갈륨함유 질화물 공급원료를 용해함으로써 형성된 가용성 갈륨 착체 화합물을 포함한 초임계 암모니아 용액을 제조하는 단계와 (ⅱ) 결정화 영역에서의 온도를 상기 용해 영역에서의 온도보다 더 낮게 유지하면서 결정화 시드에 대해 초임계 암모니아 용액의 과포화를 제어하는 단계를 포함하는 초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 제 91 항에 있어서,결정화 시드에 대해 초임계 암모니아 용액의 과포화를 갈륨함유 질화물의 자발적 핵생성 현상이 나타나는 수준 아래로 유지하는 초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 제 91 항에 있어서,결정화 시드에 대한 초임계 암모니아 용액의 과포화를 초임계 암모니아 용매의 압력 및 조성을 조절함으로써 제어하는 초임계 암모니아 용액에서 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 제 91 항에 있어서,초임계 암모니아 용액의 과포화를 결정화 온도를 조절함으로써 제어하는 초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 제 91 항에 있어서,초임계 암모니아 용액의 과포화를 용해 영역과 결정화 영역 사이의 온도 차이를 조절함으로써 제어하는 초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 제 91 항에 있어서,초임계 암모니아 용액의 과포화를 화학수송의 비율을 조절함으로써 제어하는 초임계 암모니아 용액에서 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 제 90 항에 있어서,초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 용해도 제어는 용해 영역과 결정화 영역 사이의 대류를 조절함으로써 수행하는 초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 제 90 항에 있어서,초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 용해도 제어는 용해 영역과 결정화 영역 사이의 격벽 또는 격벽들의 개구비율을 조절함으로써 수행하는 초임계 암모니아 용액에서의 갈륨함유 질화물의 재결정 제어방법.
- 결정화 시드의 표면 상에 결정화된 에피텍시용 기판, 특히 질화물 반도체층 기판으로서, 상기 기판은 벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층을 가지고, 표면적이 2㎠ 이상이고 전위밀도가 106/㎠ 미만인 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층은 일반식 AlxGa1-x-yInyN을 가지고 여기서 0≤x<1, 0≤y<1 및 0≤x+y<1인 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,기판은 약 0.1ppm 이상의 알칼리 원소를 포함하는 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층은 약 0.1ppm을 초과하지 않는 할로겐 함량을 가지는 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층의 체적이 0.05㎤ 이상인 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층은 (0002) 면의 X-레이 진동곡선의 반치전폭(FWHM)이 600 아크세컨드 미만인 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층은 1017/㎤ 내지 1021/㎤ 의 농도로 적어도 하나의 도너 도판트 및/또는 적어도 하나의 억셉터 도판트 및/또는 적어도 하나의자기 도판트를 부가적으로 포함하는 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층은 알루미늄(Al) 및/또는 인듐(In)을 포함하고 갈륨(Ga) 대 알루미늄 및/또는 인듐의 몰비가 0.5 이상인 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층은 전위 밀도가 106/㎠ 미만인 갈륨함유 질화물의 결정화 시드 표면 상에 결정화되는 에피텍시용 기판.
- 제 99 항에 있어서,벌크 단결정 갈륨함유 질화물 층은 전위 밀도가 104/㎠ 미만이며 (0002) 면의 X-레이 진동곡선의 반치전폭(FWHM)이 60 아크세컨드 미만인 에피텍시용 기판.
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