KR20030017575A - 광전자 및 전자 디바이스용 자립형 (알루미늄, 인듐,갈륨) 질화물 기재 상의 에피택시 품질(표면 조직 및 결함밀도)을 향상시키는 방법 - Google Patents
광전자 및 전자 디바이스용 자립형 (알루미늄, 인듐,갈륨) 질화물 기재 상의 에피택시 품질(표면 조직 및 결함밀도)을 향상시키는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030017575A KR20030017575A KR1020027017929A KR20027017929A KR20030017575A KR 20030017575 A KR20030017575 A KR 20030017575A KR 1020027017929 A KR1020027017929 A KR 1020027017929A KR 20027017929 A KR20027017929 A KR 20027017929A KR 20030017575 A KR20030017575 A KR 20030017575A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- iii
- nitride
- gan
- layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 435
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 282
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 124
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims description 79
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims description 75
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 72
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 68
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 title claims description 16
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 title description 30
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 359
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 201
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 101
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 77
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 201
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 70
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 69
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 60
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 59
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 51
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 43
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 41
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 18
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 18
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 18
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 claims description 14
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 11
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 352
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 72
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 71
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 65
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 65
- 239000000047 product Substances 0.000 description 39
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 39
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 29
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 24
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 24
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 241000894007 species Species 0.000 description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 7
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M lithium;3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound [Li+].OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000661807 Homo sapiens Suppressor of tumorigenicity 14 protein Proteins 0.000 description 3
- 101000661808 Mus musculus Suppressor of tumorigenicity 14 protein homolog Proteins 0.000 description 3
- 102100037942 Suppressor of tumorigenicity 14 protein Human genes 0.000 description 3
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- MGYGFNQQGAQEON-UHFFFAOYSA-N 4-tolyl isocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 MGYGFNQQGAQEON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- VRWRYXRXVZEJKF-UHFFFAOYSA-N beryllium;ethane Chemical compound [Be+2].[CH2-]C.[CH2-]C VRWRYXRXVZEJKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008029 eradication Effects 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000009036 growth inhibition Effects 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000006225 natural substrate Substances 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- KSOCVFUBQIXVDC-FMQUCBEESA-N p-azophenyltrimethylammonium Chemical compound C1=CC([N+](C)(C)C)=CC=C1\N=N\C1=CC=C([N+](C)(C)C)C=C1 KSOCVFUBQIXVDC-FMQUCBEESA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003463 sulfur Chemical class 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02428—Structure
- H01L21/0243—Surface structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02634—Homoepitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2095—Methods of obtaining the confinement using melting or mass transport
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (98)
- 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재 상에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 형성하는 방법으로서, 약 1 내지 약 105범위의 Ⅴ/Ⅲ 비, 약 1 내지 약 103Torr 범위의 질소 소스 재료 분압, 약 500 내지 약 1250 ℃ 범위의 성장 온도 및 시간당 약 0.1 미크론 내지 약 500 미크론 범위의 성장 속도를 포함하는 침적 조건 하에서 Ⅲ족 소스 재료 및 질소 소스 재료를 사용하여 VPE 공정으로 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적하는 단계를 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은 AlN, AlInN, AlGaN, AlInGaN, InN, InGaN 및 GaN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 질화합물을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은 GaN을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 자립형 기재인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 자립형의 마무리된 기재인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 자립형의 마무리되지 않은 기재인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 자립형의 화학·기계적으로 연마된 기재인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 기재는 침적 단계 전에 소정 분위기 중에서 상기 성장 온도 범위로 가열되고, 상기 분위기는 수소, 질소, 아르곤, 헬륨, 네온, 염화수소 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1 이상의 종을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 성장 온도는 약 1000 내지 약 1250 ℃ 범위 내에 있는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 성장 온도는 1050 ℃보다 높은 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 성장 온도는 거의 약 1050 ℃인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 호모에피택셜층은 두께가 0.5 미크론 이상인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 호모에피택셜층은 두께가 3.0 미크론 이상인 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 자립형의 마무리되지 않은 기재인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 공정 조건은 약 101내지 105의 Ⅴ/Ⅲ 비를 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 공정 조건은 약 104보다 큰 Ⅴ/Ⅲ 비를 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 공정 조건은 약 103내지 약 5 x 104의 Ⅴ/Ⅲ 비, 약 20 내지 약 400 Torr의 질소 소스 재료 분압, 약 1000 내지 약 1150 ℃의 성장 온도 및 시간당 약 0.5 내지 약 10 미크론의 성장 속도를 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 VPE 공정은 MOVPE 공정을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재는 (), () 및 이들의 오프컷(offcuts)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 결정학적 배향을 갖는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재는 {}, {}, {} 및 이들의 오프컷으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 결정학적 배향을 갖는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재는 GaN이고, 상기 에피택셜층은 기재의 Ga면상에 침적되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재는 GaN이고, 상기 에피택셜층은 기재의 N면상에 침적되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 VPE 공정은 HVPE 공정을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 하기 단계 중 하나 이상의 단계를 수행하는 가열 공정(heat-up)에 있어서 성장 온도까지 가열되는 것인 방법.(a) 기재의 침적 표면을 평활화하는 단계와;(b) 기재의 침적 표면상의 손상을 제거하는 단계와:(c) 기재의 침적 표면상의 오염물을 제거하는 단계와;(d) 상기 침적 단계에 있어서 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층과 기재의계면에서의 결함의 전파를 감소시키는 단계와;(e) 상기 침적 단계에 있어서 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층과 기재의 계면에서의 새로운 결함 형성을 배제시키는 단계와;(f) 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층 또는 기재에서의 전기적으로 활성인 결함을 감소시키는 단계와;(g) 상기 침적 단계에서 기재 불순물의 가스 제거를 감소시키는 단계; 그리고(h) 호모에피택셜층/기재 계면에서의 전하를 보상하는 단계.
- 제24항에 있어서, 상기 가열 공정은 약 1 내지 약 1000 torr 범위의 질소 소스 재료 분압과, 약 1 내지 약 1000 분 범위의 램프 시간(ramp time), 분당 약 10 내지 1000 ℃ 범위의 램프 속도(ramp rate) 및 수소, 질소, 아르곤, 헬륨, 네온, 염화수소 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 분위기를 포함하는 공정 조건을 포함하는 것인 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 히트업은 약 10 내지 약 400 torr 범위의 질소 소스 재료 분압과, 약 1 내지 약 100 분 범위의 램프 시간, 분당 약 10 내지 400 ℃ 범위의 램프 속도 및 수소, 질소, 아르곤, 헬륨, 네온, 염화수소 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 분위기를 포함하는 공정 조건을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은, 상기 침적 단계에서, ()로부터 오프컷되는 결정학적 배향을 갖는 기재의 침적 표면 상에 침적되는 것인 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 오프컷은 ()로부터 0.1 내지 10도의 범위의 오프컷 각도를 한정하는 것인 방법.
- 제28항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은, 상기 침적 단계에서, <> 방향을 향하여 오프컷 방향을 갖는 기재의 침적 표면상에 침적되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은, 상기 침적 단계에서, <> 방향을 향하여 오프컷 방향을 갖는 기재의 침적 표면 상에 침적되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은, 상기 침적 단계에서, <>과 <> 사이의 오프컷 방향을 갖는 기재의 침적 표면 상에 침적되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 상기 침적 단계 전에 수성의 산성 세정 조성물로 세정되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 상기 침적 단계 전에 수성의 염기성 세정 조성물로 세정되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 상기 침적 단계 전에 세정되어 기재으로부터 NH4Cl이 제거되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는, 상기 침적 단계 전에, 침적 표면상에서 부동(不同) 화합물로 변질되고, 이 부동 화합물이 탈거되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는, 상기 침적 단계 전에, 침적 표면상에서 산화되고, 이에 따른 산화물 선택적으로 탈거되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 상기 침적 단계 전에 기재의 평탄화를 위하여 산화되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 상기 침적 단계 전에 RIE에 의하여 세정되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은 상기 침적 단계 전에 RIE 또는 습식 에칭에 의하여 노출된 침적 표면 상에 상기 침적 단계에서 침적되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침적 단계에서 불순물을 부가하는 것을 더 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 다단계 평활화 공정을 더 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 이면측 증발 보호 공정을 더 포함하는 것인 방법.
- 제42항에 있어서, 상기 이면측 증발 보호 공정은 기재의 이면측의 표면을 증발로부터 보호하는 물질을 기재에 도포하는 단계를 포함하는 것인 방법.
- 제42항에 있어서, 상기 이면측 증발 보호 공정은 기재의 이면측 표면을 연마하는 단계를 포함하는 것인 방법.
- 제42항에 있어서, 상기 이면측 증발 보호 공정은 화학적 에칭 단계를 포함하는 것인 방법.
- 제45항에 있어서, 상기 화학적 에칭은 기재의 이면측 표면을 고온의 산 또는 고온의 염기에 노출시키는 단계를 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적하기 전에 기재의 침적 표면에 에피 중간층을 도포하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제47항에 있어서, 상기 에피 중간층은 다른 격자 일치형 또는 격자 불일치형 (Al,In,Ga)N 화합물을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적하기 전에 에피 중간층을 도포함으로써, 침적 표면에 상기 에피 중간층을 적용하는 단계가 없는 대응하는 공정과 관련하여, 호모에피택셜층의 형태가 개선되고, 전위 결함이 감소되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적하기 전에 기재를 어닐링하는 단계를 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재의 침적 표면 상에서의 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층의 핵형성을 위하여 이 침적 표면에 계면활성제를 도포하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층의 평활화된 형태를 생성하기 위하여 물질 이동 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침적 단계 전의 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은 연마와 에칭으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 처리를 받는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침적 단계 전의 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층은 기재의 결함을 차폐하는 마스킹 처리를 받으며, 상기 침적 단계는 결함 과성장 및 제거에 영향을 주는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침적 단계는 성장 환경에서 수행되고, 상기 침적 단계중에 상기 성장 환경에 계면활성제가 첨가되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침적 단계 전에 상기 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 기재 내에 메사(mesa)를 형성하는 단계와 상기 메사 상에 또는 이 메사로부터 측방에 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제56항에 있어서, 상기 메사는 상기 침적 단계에서 결정학적 전파의 종료 및 전위의 종료를 가능하게 할 수 있을 만큼 충분한 면적인 것인 방법.
- 제56항에 있어서, 상기 침적 단계 중에 메사 상에서의 성장을 방지하기 위하여 상기 메사 둘레의 부위를 마스킹하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제56항에 있어서, 상기 침적 단계 중에 상기 메사 둘레의 부위 내에서 성장을 수용하도록 상기 메사 둘레 부위를 에칭하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층과 대응하는 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 각각 GaN을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층과 대응하는 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 각각 AlGaN을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층과 대응하는 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재는 각각 AlInGaN을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재는 자립형 GaN을 포함하고, 상기 에피택셜층은 HVPE에 의하여 침적되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에피택셜층은 n형, p형 또는 반절연으로 도핑되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재는 마무리되거나 마무리되지 않은 특성을 갖는 자립형 GaN이고, 상기 호모에피택셜층은 AlGaN, InGaN, AlInGaN, InN, GaN 및 AlN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층과 기재는 1E5 Ω/cm2보다 큰 시트 저항(sheet resistance)을 갖는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층과 기재는 1E4 Ω/cm2보다 큰 시트 저항을 갖는 것인 방법.
- 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 기재 위에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 형성하는 방법으로서, Ⅲ족 소스 물질과 질소 소스 물질을 사용하여 VPE 공정으로 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적시키는 단계를 포함하며, 이 침적 단계 중에 상기 기재는 서셉터 표면 상에 안장되고, 상기 방법은 상기 침적 단계를 위하여 상기 서셉터 표면 위에 기재를 안장시키기 전에 상기 서셉터 표면에 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 물질을 피복하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 기재 위에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 형성하는 방법으로서, Ⅲ족 소스 물질과 질소 소스 물질을 사용하여 VPE 공정으로 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적시키는 단계를 포함하며, 상기 층 내의 변형을 완화시키기 위하여 상기 침적 단계 전에 600℃ 보다 높은 온도의 분위기에서의 어닐링 단계를 포함하며, 상기 기재의 표면을 보호하고, 기재의 변형을 완화시키기 위하여, 상기 어닐링 단계의 분위기는 상기 증착 단계의 그것과는 다른 것인 방법.
- 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 기재 위에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 형성하는 방법으로서, Ⅲ족 소스 물질과 질소 소스 물질을 사용하여 VPE 공정으로 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적시키는 단계를 포함하며, 이 침적 단계 중에 상기 기재는 그것의 성장 표면이 물질 이동에 의하여 평활화되고, 상기 물질 이동에 의한 평활화는 방법 1, 방법 2, 방법 3 및 방법 4 중 하나를 포함하는 것인 방법.
- 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 기재 위에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 형성하는 방법으로서, Ⅲ족 소스 물질과 질소 소스 물질을 사용하여 VPE 공정으로 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적시키는 단계를 포함하며, 기재의 평활화를 촉진 및 향상시키기 위하여, 상기 침적 중에는 반응기의 성장 분위기 내로 계면활성제가 첨가되는 것인 방법.
- 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 기재 위에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 형성하는 방법으로서, Ⅲ족 소스 물질과 질소 소스 물질을 사용하여 VPE 공정으로 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적시키는 단계를 포함하며, 상기 기재는 FS(Al,In,Ga)N을 포함하고, 상기 기재는 얇은 산화물층을 형성하도록 O2, 공기, 공기/불활성 가스 혼합물 또는 습윤 혼합물 중에서 FS(AL,In,Ga)N을 산화시킴으로써, 상기 침적을 위하여 조절되며, 상기 방법은 기재로부터 잠재적인 불순물을 제거하기 위하여 알칼리 용액중에서 산화물을 탈거시키거나 또는 에칭으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 대응하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 기재 위에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 형성하는 방법으로서, Ⅲ족 소스 물질과 질소 소스 물질을 사용하여 VPE 공정으로 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 침적시키는 단계를 포함하며, 상기 기재는 FS(Al,In,Ga)N을 포함하고, 상기 호모에피택셜층 성장에 있어서 중단된 형태를 배제시키기에 충분한 두께의 호모에피택셜층에 소정 두께의 도핑되지 않은 박막을 형성하도록, 상기 호모에피택셜층은 도핑되지만 상기 침적 단계의 일부 동안에는 도핑이 중지되는 것인 방법.
- 제1항에 따른 방법에 의하여 제조되는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 재료.
- 제곱 센티미터 당 1E6 미만의 전위를 갖는 청구항 1에 따른 방법에 의하여 제조되는 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 재료.
- FS Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재 상에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 포함하고, 제곱 센티미터 당 1E6 미만의 전위를 갖는 호모에피택셜 Ⅲ-Ⅴ 질화물 물품.
- 제76항에 있어서, 상기 호모에피택셜층과 기재는 각각 AlGaN을 포함하는 것인 물품.
- 제76항에 있어서, 상기 호모에피택셜층과 상기 기재 사이의 계면에 오염이 없는 것인 물품.
- FS Ⅲ-Ⅴ 질화물 재료 기재 상에 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜층을 포함하는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 에피층은 ()이 아닌 호모에피택셜 스텝 플로우 결정 성장을 포함하는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 에피층은 <> 오프컷 방향을 갖는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 에피층은 <> 오프컷 방향을 갖는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 에피층은 <>와 <> 사이의 오프컷 방향을 갖는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 기재는 마무리되어 있는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 기재는 마무리되어 있지 않은 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 에피층은 격자 불일치 AlInGaN 에피층을 포함하는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스구조.
- 제79항에 있어서, 상기 기재는 그레이딩된 AlGaN층이 위에 형성되어 있는 FS GaN을 포함하는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 5E8/cm2미만의 전위 밀도를 갖는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 5E7/cm2미만의 전위 밀도를 갖는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 5E6/cm2미만의 전위 밀도를 갖는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 기재는 GaN을 포함하고, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 에피층은 상기 기재의 Ga 면 위에 침적되는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 에피층은 상기 기재의 N면 위에 침적되는 것인 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조.
- 제79항에 따른 Ⅲ-Ⅴ 질화물 호모에피택셜 미세 전자 디바이스 구조를 포함하는 것인 미세 전자 디바이스.
- 제93항에 있어서, UV LED를 포함하는 것인 미세 전자 디바이스.
- 제93항에 있어서, AlGaN/GaN의 높은 전자 가동성의 트랜지스터(HEMT)를 포함하는 것인 미세 전자 디바이스.
- 제93항에 있어서, 레이저 다이오드를 포함하는 것인 미세 전자 디바이스.
- 제93항의 미세 전자 디바이스를 구비하는 시스템.
- 서셉터의 동작 수명을 연장시키기 위하여 위에 CTE 정합 피막을 갖는 서셉터를 포함하는 것인 에피택셜 성장 반응기.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/605,195 | 2000-06-28 | ||
US09/605,195 US6447604B1 (en) | 2000-03-13 | 2000-06-28 | Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices |
PCT/US2001/020409 WO2002001608A2 (en) | 2000-06-28 | 2001-06-27 | METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077019660A Division KR100856447B1 (ko) | 2000-06-28 | 2001-06-27 | 광전자 및 전자 디바이스용 자립형 (알루미늄, 인듐, 갈륨)질화물 기재 상의 에피택시 품질(표면 조직 및 결함밀도)을 향상시키는 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030017575A true KR20030017575A (ko) | 2003-03-03 |
KR100810554B1 KR100810554B1 (ko) | 2008-03-18 |
Family
ID=24422619
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020027017929A KR100810554B1 (ko) | 2000-06-28 | 2001-06-27 | 광전자 및 전자 디바이스용 자립형 (알루미늄, 인듐,갈륨) 질화물 기재 상의 에피택시 품질(표면 조직 및 결함밀도)을 향상시키는 방법 |
KR1020077019660A KR100856447B1 (ko) | 2000-06-28 | 2001-06-27 | 광전자 및 전자 디바이스용 자립형 (알루미늄, 인듐, 갈륨)질화물 기재 상의 에피택시 품질(표면 조직 및 결함밀도)을 향상시키는 방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077019660A KR100856447B1 (ko) | 2000-06-28 | 2001-06-27 | 광전자 및 전자 디바이스용 자립형 (알루미늄, 인듐, 갈륨)질화물 기재 상의 에피택시 품질(표면 조직 및 결함밀도)을 향상시키는 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6447604B1 (ko) |
EP (4) | EP1299900B1 (ko) |
JP (2) | JP5361107B2 (ko) |
KR (2) | KR100810554B1 (ko) |
AU (1) | AU2001268730A1 (ko) |
TW (1) | TW516102B (ko) |
WO (1) | WO2002001608A2 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100972974B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-07-29 | 삼성엘이디 주식회사 | Ⅲ족 질화물 기판의 표면개선방법, 이로부터 제조된 ⅲ족질화물 기판 및 이러한 ⅲ족 질화물 기판을 이용한 질화물반도체 발광 소자 |
KR101123009B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2012-03-15 | 삼성엘이디 주식회사 | Ⅲ족 질화물 반도체의 에칭방법 |
KR101308328B1 (ko) * | 2006-10-19 | 2013-09-17 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Iii족 질화물 기판, 에피택셜층을 갖는 기판, 이들의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
KR101504772B1 (ko) * | 2008-01-15 | 2015-03-20 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정 |
Families Citing this family (158)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5679152A (en) * | 1994-01-27 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of making a single crystals Ga*N article |
US6958093B2 (en) * | 1994-01-27 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same |
JP2001168388A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体チップ及びその製造方法ならびに窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー |
JP4556300B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 結晶成長方法 |
JP2002075965A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
US6649287B2 (en) * | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
EP2400046A1 (en) * | 2001-03-30 | 2011-12-28 | Technologies and Devices International Inc. | Method and apparatus for growing submicron group III nitride structures utilizing HVPE techniques |
US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
RU2296189C2 (ru) * | 2001-06-06 | 2007-03-27 | АММОНО Сп.з о.о. | Способ и устройство для получения объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида (варианты) |
US6648966B2 (en) * | 2001-08-01 | 2003-11-18 | Crystal Photonics, Incorporated | Wafer produced thereby, and associated methods and devices using the wafer |
US7105865B2 (en) * | 2001-09-19 | 2006-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | AlxInyGa1−x−yN mixture crystal substrate |
JP3801125B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-07-26 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法 |
DE60234856D1 (de) | 2001-10-26 | 2010-02-04 | Ammono Sp Zoo | Substrat für epitaxie |
EP1453158A4 (en) * | 2001-10-26 | 2007-09-19 | Ammono Sp Zoo | NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
US7638346B2 (en) * | 2001-12-24 | 2009-12-29 | Crystal Is, Inc. | Nitride semiconductor heterostructures and related methods |
US8545629B2 (en) * | 2001-12-24 | 2013-10-01 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
US20060005763A1 (en) * | 2001-12-24 | 2006-01-12 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
EP1474824B1 (en) | 2002-02-15 | 2016-02-10 | Toyoda Gosei Co.,Ltd. | Production method for group iii nitride semiconductor layer |
JP2004006568A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | 3−5族化合物半導体の製造方法 |
JP4932121B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2012-05-16 | 日本電気株式会社 | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法 |
WO2003089696A1 (en) * | 2002-04-15 | 2003-10-30 | The Regents Of The University Of California | Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films |
US8809867B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | The Regents Of The University Of California | Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films |
WO2003094240A1 (en) | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Cree, Inc. | High voltage switching devices and process for forming same |
JP2003327497A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
WO2003097906A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Ammono Sp.Zo.O. | Installation de production de monocristal en vrac utilisant de l'ammoniaque supercritique |
WO2003098757A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Ammono Sp.Zo.O. | Structure d'element electroluminescent comprenant une couche de monocristaux de nitrure en vrac |
US20060138431A1 (en) * | 2002-05-17 | 2006-06-29 | Robert Dwilinski | Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer |
US20040001889A1 (en) | 2002-06-25 | 2004-01-01 | Guohua Chen | Short duration depot formulations |
JP4663319B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2011-04-06 | アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン | ガリウム含有窒化物バルク単結晶の製造方法 |
GB2392169A (en) | 2002-08-23 | 2004-02-25 | Sharp Kk | MBE growth of an AlgaN layer or AlGaN multilayer structure |
DE10250915B4 (de) * | 2002-10-31 | 2009-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Abscheidung eines Materials auf einem Substratwafer |
US20040134418A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-07-15 | Taisuke Hirooka | SiC substrate and method of manufacturing the same |
US7387677B2 (en) * | 2002-12-11 | 2008-06-17 | Ammono Sp. Z O.O. | Substrate for epitaxy and method of preparing the same |
AU2003285767A1 (en) * | 2002-12-11 | 2004-06-30 | Ammono Sp. Z O.O. | Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
EP3211659A1 (en) | 2002-12-27 | 2017-08-30 | Soraa Inc. | Gallium nitride crystal |
US7524691B2 (en) * | 2003-01-20 | 2009-04-28 | Panasonic Corporation | Method of manufacturing group III nitride substrate |
US7221037B2 (en) * | 2003-01-20 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device |
JP4052150B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2008-02-27 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物系半導体装置の製造方法 |
JP4382748B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2009-12-16 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 半導体結晶成長方法 |
US7091524B2 (en) * | 2003-03-25 | 2006-08-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US7309534B2 (en) * | 2003-05-29 | 2007-12-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Group III nitride crystals usable as group III nitride substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device including the same |
US7255742B2 (en) * | 2003-07-02 | 2007-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing Group III nitride crystals, method of manufacturing semiconductor substrate, Group III nitride crystals, semiconductor substrate, and electronic device |
KR100531178B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2005-11-28 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 중간 질화물 반도체 에피층의 금속상 전환을 이용한질화물 반도체 에피층 성장 방법 |
US7170095B2 (en) * | 2003-07-11 | 2007-01-30 | Cree Inc. | Semi-insulating GaN and method of making the same |
JP3841092B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2006-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 発光装置 |
JP2005101475A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Hitachi Cable Ltd | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 |
US7288152B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing GaN crystals and GaN crystal substrate, GaN crystals and GaN crystal substrate obtained by the method, and semiconductor device including the same |
JP4559190B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2010-10-06 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体素子 |
US7323256B2 (en) * | 2003-11-13 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same |
US7118813B2 (en) * | 2003-11-14 | 2006-10-10 | Cree, Inc. | Vicinal gallium nitride substrate for high quality homoepitaxy |
JP3894191B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2007-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム系半導体膜を形成する方法、および半導体基板生産物 |
US7901994B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-03-08 | Cree, Inc. | Methods of manufacturing group III nitride semiconductor devices with silicon nitride layers |
US7045404B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-05-16 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof |
WO2005088666A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | 層状部材の製造方法、及び層状部材 |
KR100718188B1 (ko) * | 2004-05-07 | 2007-05-15 | 삼성코닝 주식회사 | 비극성 a면 질화물 반도체 단결정 기판 및 이의 제조방법 |
JP2006016294A (ja) * | 2004-05-31 | 2006-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の成長方法、iii族窒化物結晶基板および半導体デバイス |
US7956360B2 (en) * | 2004-06-03 | 2011-06-07 | The Regents Of The University Of California | Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy |
US8398767B2 (en) * | 2004-06-11 | 2013-03-19 | Ammono S.A. | Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application |
JP2006016249A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlxGayIn1−x−yN基板とAlxGayIn1−x−yN基板の洗浄方法 |
TWI408263B (zh) * | 2004-07-01 | 2013-09-11 | Sumitomo Electric Industries | AlxGayIn1-x-yN基板、AlxGayIn1-x-yN基板之清潔方法、AlN基板及AlN基板之清潔方法 |
JP2006044982A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体単結晶基板とその合成方法 |
US20060211210A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-09-21 | Rensselaer Polytechnic Institute | Material for selective deposition and etching |
TWI375994B (en) * | 2004-09-01 | 2012-11-01 | Sumitomo Electric Industries | Epitaxial substrate and semiconductor element |
JP2006108435A (ja) | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体ウエハ |
PL371405A1 (pl) * | 2004-11-26 | 2006-05-29 | Ammono Sp.Z O.O. | Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku |
PL371753A1 (pl) * | 2004-12-15 | 2006-06-26 | Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk | Sposób wytwarzania domieszkowanych warstw epitaksjalnych InxAlyGa1-x-yN, domieszkowana warstwa epitaksjalna InxAlyGa1-x-yN i półprzewodnikowa struktura wielowarstwowa zawierająca warstwę epitaksjalną InxAlyGa1-x-yN, dla której 1 ˛ x > 0.001 a 0.999 ˛ y > 0 |
US20060138601A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Internally gettered heteroepitaxial semiconductor wafers and methods of manufacturing such wafers |
US20090026488A1 (en) * | 2005-02-21 | 2009-01-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Nitride semiconductor material and production process of nitride semiconductor crystal |
WO2006093174A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 縦型窒化ガリウム半導体装置およびエピタキシャル基板 |
JP4792802B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の表面処理方法 |
DE102005021099A1 (de) * | 2005-05-06 | 2006-12-07 | Universität Ulm | GaN-Schichten |
JP5023318B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2012-09-12 | 国立大学法人三重大学 | 3−5族窒化物半導体積層基板、3−5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子 |
JP5638198B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2014-12-10 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | ミスカット基板上のレーザダイオード配向 |
US8946674B2 (en) * | 2005-08-31 | 2015-02-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Group III-nitrides on Si substrates using a nanostructured interlayer |
KR100707166B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-04-13 | 삼성코닝 주식회사 | GaN 기판의 제조방법 |
US8349077B2 (en) | 2005-11-28 | 2013-01-08 | Crystal Is, Inc. | Large aluminum nitride crystals with reduced defects and methods of making them |
EP1954857B1 (en) | 2005-12-02 | 2018-09-26 | Crystal Is, Inc. | Doped aluminum nitride crystals and methods of making them |
US7777217B2 (en) | 2005-12-12 | 2010-08-17 | Kyma Technologies, Inc. | Inclusion-free uniform semi-insulating group III nitride substrate and methods for making same |
DE602006004834D1 (de) * | 2005-12-22 | 2009-03-05 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Verfahren zum selektiven Maskieren von III-N-Schichten und zur Herstellung von selbsttragenden III-N-Schichten oder Bauelementen |
KR100695118B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2007-03-14 | 삼성코닝 주식회사 | 다중-프리스탠딩 GaN 웨이퍼의 제조방법 |
CN101454487B (zh) | 2006-03-30 | 2013-01-23 | 晶体公司 | 氮化铝块状晶体的可控掺杂方法 |
US9034103B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-05-19 | Crystal Is, Inc. | Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them |
US7585772B2 (en) * | 2006-07-26 | 2009-09-08 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for smoothening III-N substrates |
US20080050889A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Applied Materials, Inc. | Hotwall reactor and method for reducing particle formation in GaN MOCVD |
US8222057B2 (en) * | 2006-08-29 | 2012-07-17 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Crack free multilayered devices, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
DE102006043400A1 (de) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
US9416464B1 (en) | 2006-10-11 | 2016-08-16 | Ostendo Technologies, Inc. | Apparatus and methods for controlling gas flows in a HVPE reactor |
US8283694B2 (en) | 2006-10-19 | 2012-10-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN substrate, epitaxial layer-provided substrate, methods of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device |
US20080092819A1 (en) * | 2006-10-24 | 2008-04-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support structure with rapid temperature change |
CN101600819B (zh) * | 2006-12-08 | 2012-08-15 | 卢米洛格股份有限公司 | 通过在防止基材边缘的生长的基材上的外延生长制造氮化物单晶的方法 |
US9771666B2 (en) | 2007-01-17 | 2017-09-26 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
CN107059116B (zh) | 2007-01-17 | 2019-12-31 | 晶体公司 | 引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少 |
US7834367B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-11-16 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
CN101652832B (zh) * | 2007-01-26 | 2011-06-22 | 晶体公司 | 厚的赝晶氮化物外延层 |
US8080833B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-12-20 | Crystal Is, Inc. | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
US8157914B1 (en) | 2007-02-07 | 2012-04-17 | Chien-Min Sung | Substrate surface modifications for compositional gradation of crystalline materials and associated products |
FR2914488B1 (fr) * | 2007-03-30 | 2010-08-27 | Soitec Silicon On Insulator | Substrat chauffage dope |
WO2008128181A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | The Regents Of The University Of California | Method for deposition of (al,in,ga,b)n |
US8088220B2 (en) * | 2007-05-24 | 2012-01-03 | Crystal Is, Inc. | Deep-eutectic melt growth of nitride crystals |
US7799600B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-09-21 | Chien-Min Sung | Doped diamond LED devices and associated methods |
JP4924225B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-04-25 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の成長方法 |
WO2009011100A1 (ja) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Iii族窒化物半導体基板およびその洗浄方法 |
JP2010537436A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-02 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 低温でp型III−V窒化物半導体材料に低抵抗率オーム接点を製作する方法 |
KR20100064383A (ko) | 2007-09-19 | 2010-06-14 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 패터닝 된 기판 상의 (Al,In,GA,B)N 장치구조 |
US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
US7781780B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-08-24 | Bridgelux, Inc. | Light emitting diodes with smooth surface for reflective electrode |
JP5108641B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2012-12-26 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、及び、窒化物系半導体素子 |
JP2010010300A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びエピタキシャルウエハ |
JP2008252124A (ja) * | 2008-06-27 | 2008-10-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体装置 |
JP2010037139A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
TWI457984B (zh) * | 2008-08-06 | 2014-10-21 | Soitec Silicon On Insulator | 應變層的鬆弛方法 |
US20100072484A1 (en) * | 2008-09-23 | 2010-03-25 | Triquint Semiconductor, Inc. | Heteroepitaxial gallium nitride-based device formed on an off-cut substrate |
TWI384548B (zh) * | 2008-11-10 | 2013-02-01 | Univ Nat Central | 氮化物結晶膜的製造方法、氮化物薄膜以及基板結構 |
US8344420B1 (en) | 2009-07-24 | 2013-01-01 | Triquint Semiconductor, Inc. | Enhancement-mode gallium nitride high electron mobility transistor |
JP5409170B2 (ja) | 2009-07-30 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
JP5146432B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-02-20 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体のエピタキシャル成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP5365454B2 (ja) | 2009-09-30 | 2013-12-11 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
US8575660B2 (en) * | 2009-10-14 | 2013-11-05 | International Rectifier Corporation | Group III-V semiconductor device with strain-relieving interlayers |
US8318515B2 (en) | 2009-12-08 | 2012-11-27 | Corning Incorporated | Growth methodology for light emitting semiconductor devices |
US8604461B2 (en) * | 2009-12-16 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated doping and related methods |
US8536615B1 (en) | 2009-12-16 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods |
US8575592B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses |
JP2011192834A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Advanced Power Device Research Association | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2011213557A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Hitachi Cable Ltd | 導電性iii族窒化物単結晶基板の製造方法 |
CN103038400B (zh) | 2010-06-30 | 2016-06-22 | 晶体公司 | 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长 |
RU2013122654A (ru) * | 2010-10-21 | 2014-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Совершенные кристаллы" | Способ получения кристалла нитрида iii группы с низкой плотностью дислокаций |
JP2013546181A (ja) * | 2010-10-28 | 2013-12-26 | ユニバーシティ オブ ユタ リサーチ ファウンデーション | Iii−v族半導体におけるp型ドーピングを強化する方法 |
FR2969815B1 (fr) * | 2010-12-27 | 2013-11-22 | Soitec Silicon On Insulator Tech | Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
US8962359B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-02-24 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices |
US20130023079A1 (en) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Sang Won Kang | Fabrication of light emitting diodes (leds) using a degas process |
US20130019927A1 (en) * | 2011-07-21 | 2013-01-24 | Zimmerman Scott M | Use of freestanding nitride veneers in semiconductor devices |
KR101978536B1 (ko) | 2011-09-30 | 2019-05-14 | 쌩-고벵 크리스톡스 에 드테끄퇴르 | 특정한 결정학적 특징을 갖는 ⅲ-ⅴ족 기판 물질 및 제조 방법 |
KR20130045716A (ko) * | 2011-10-26 | 2013-05-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP5767141B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2015-08-19 | 株式会社サイオクス | 窒化ガリウム基板およびそれを用いた光デバイス |
KR20130101799A (ko) * | 2012-03-06 | 2013-09-16 | 서울옵토디바이스주식회사 | 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
WO2014009856A1 (en) | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Koninklijke Philips N.V. | Reducing or eliminating nanopipe defects in iii-nitride structures |
TWI529964B (zh) | 2012-12-31 | 2016-04-11 | 聖戈班晶體探測器公司 | 具有薄緩衝層的iii-v族基材及其製備方法 |
US20150280057A1 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-01 | James R. Grandusky | Methods of forming planar contacts to pseudomorphic electronic and optoelectronic devices |
JP6279619B2 (ja) | 2014-01-28 | 2018-02-14 | 住友化学株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
KR102140789B1 (ko) | 2014-02-17 | 2020-08-03 | 삼성전자주식회사 | 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법 |
EP3111520B1 (en) | 2014-02-25 | 2020-07-08 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting semiconductor devices with getter layer |
WO2015159342A1 (ja) | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体単結晶基板の製造方法 |
JP2015053482A (ja) * | 2014-09-02 | 2015-03-19 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス |
JP6394545B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2018-09-26 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
CN108140695B (zh) | 2015-09-17 | 2021-02-09 | 晶体公司 | 包含二维空穴气体的紫外发光器件 |
CN115020192A (zh) * | 2015-11-12 | 2022-09-06 | 胜高股份有限公司 | Iii族氮化物半导体基板的制造方法及iii族氮化物半导体基板 |
RU2622466C1 (ru) * | 2016-08-22 | 2017-06-15 | Елена Михайловна Борисова | Способ антикоррозионной обработки поверхности алюминия или алюминиевых сплавов |
EP3340279A1 (en) | 2016-12-21 | 2018-06-27 | IMEC vzw | Method for selective epitaxial growth of a group iii-nitride layer |
US10643849B2 (en) * | 2017-02-15 | 2020-05-05 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Manufacturing method of nitride semiconductor ultraviolet light emitting element, and nitride semiconductor ultraviolet light emitting element |
RU2657674C1 (ru) * | 2017-08-14 | 2018-06-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) | Способ получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей |
JP7401182B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2023-12-19 | 住友化学株式会社 | GaN積層体およびその製造方法 |
JP6998798B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2022-01-18 | 株式会社サイオクス | GaN積層体およびその製造方法 |
KR20220140711A (ko) | 2020-01-13 | 2022-10-18 | 듀렉트 코퍼레이션 | 불순물이 감소된 지속 방출 약물 전달 시스템 및 관련 방법 |
JP7269190B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2023-05-08 | 株式会社東芝 | 窒化物結晶、光学装置、半導体装置、窒化物結晶の製造方法 |
CN115298833A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-11-04 | 丰田合成株式会社 | 半导体元件以及装置 |
CN111463109A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-28 | 中国科学院半导体研究所 | 抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法 |
KR20220055526A (ko) | 2020-10-26 | 2022-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 구조물을 포함하는 적층 구조물 및 이의 제조 방법 |
CN114438596A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-05-06 | 西湖大学 | 一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3598526A (en) | 1967-04-27 | 1971-08-10 | Dow Chemical Co | Method for preparing monocrystalline aluminum nitride |
US3607014A (en) | 1968-12-09 | 1971-09-21 | Dow Chemical Co | Method for preparing aluminum nitride and metal fluoride single crystals |
US4397901A (en) * | 1979-07-31 | 1983-08-09 | Warren James W | Composite article and method of making same |
JPS62272541A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の表面処理方法 |
US5411914A (en) * | 1988-02-19 | 1995-05-02 | Massachusetts Institute Of Technology | III-V based integrated circuits having low temperature growth buffer or passivation layers |
FR2629636B1 (fr) * | 1988-04-05 | 1990-11-16 | Thomson Csf | Procede de realisation d'une alternance de couches de materiau semiconducteur monocristallin et de couches de materiau isolant |
US5006914A (en) | 1988-12-02 | 1991-04-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor devices comprising same |
US5030583A (en) | 1988-12-02 | 1991-07-09 | Advanced Technolgy Materials, Inc. | Method of making single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor device |
JP2837423B2 (ja) * | 1989-04-07 | 1998-12-16 | 富士通株式会社 | 半導体基板の前処理方法 |
US5362328A (en) | 1990-07-06 | 1994-11-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem |
US5204314A (en) | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
JPH04334018A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Nec Corp | 熱処理装置 |
JP2749759B2 (ja) * | 1993-06-23 | 1998-05-13 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック付セラミックスヒーター |
EP0647730B1 (en) * | 1993-10-08 | 2002-09-11 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN single crystal |
US5679152A (en) | 1994-01-27 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of making a single crystals Ga*N article |
US5838029A (en) * | 1994-08-22 | 1998-11-17 | Rohm Co., Ltd. | GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate |
JP3743013B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2006-02-08 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウェハの製造方法 |
JPH10326750A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 高品質GaN系層の選択成長方法、高品質GaN系層成長基板および高品質GaN系層成長基板上に作製した半導体デバイス |
DE19715572A1 (de) * | 1997-04-15 | 1998-10-22 | Telefunken Microelectron | Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Schichten eines Verbindungshalbleiters auf einkristallinem Silizium und daraus hergestellte Leuchtdiode |
JPH10335750A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Sony Corp | 半導体基板および半導体装置 |
PL186905B1 (pl) | 1997-06-05 | 2004-03-31 | Cantrum Badan Wysokocisnieniow | Sposób wytwarzania wysokooporowych kryształów objętościowych GaN |
JP2002511831A (ja) * | 1997-07-03 | 2002-04-16 | シービーエル テクノロジーズ | エピタキシャル蒸着により自立形基板を形成する熱的不整合の補償 |
US6015979A (en) * | 1997-08-29 | 2000-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same |
JP4783483B2 (ja) * | 1997-11-07 | 2011-09-28 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体基板および半導体基板の形成方法 |
JPH11163109A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | ウエハ保持装置 |
JPH11204885A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 |
US6086673A (en) * | 1998-04-02 | 2000-07-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing high-quality III-V nitride substrates |
JP4390090B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2009-12-24 | シャープ株式会社 | GaN系結晶膜の製造方法 |
US6064078A (en) * | 1998-05-22 | 2000-05-16 | Xerox Corporation | Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities |
JPH11340576A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体デバイス |
JPH11354458A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Matsushita Electron Corp | p型III−V族窒化物半導体およびその製造方法 |
TW417315B (en) * | 1998-06-18 | 2001-01-01 | Sumitomo Electric Industries | GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same |
WO1999066565A1 (en) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | University Of Florida | Method and apparatus for producing group-iii nitrides |
JP2000082671A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体装置とその製造方法 |
JP3976294B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2007-09-12 | シャープ株式会社 | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2000049136A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Sony Corp | エッチングマスクおよびその形成方法 |
JP2000068498A (ja) | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置 |
JP3279528B2 (ja) * | 1998-09-07 | 2002-04-30 | 日本電気株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法 |
JP3669848B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2005-07-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
GB9826517D0 (en) * | 1998-12-02 | 1999-01-27 | Arima Optoelectronics Corp | Semiconductor devices |
JP2003517721A (ja) * | 1999-05-07 | 2003-05-27 | シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド | マグネシウムをドープしたiii―v族窒化物及び方法 |
JP2000340509A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN基板およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-06-28 US US09/605,195 patent/US6447604B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2002505658A patent/JP5361107B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-27 KR KR1020027017929A patent/KR100810554B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-27 KR KR1020077019660A patent/KR100856447B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-27 EP EP01946718A patent/EP1299900B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-27 EP EP10011037.8A patent/EP2290136B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-27 EP EP10011036.0A patent/EP2290135B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-27 WO PCT/US2001/020409 patent/WO2002001608A2/en active Application Filing
- 2001-06-27 EP EP10011760A patent/EP2284297B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-27 AU AU2001268730A patent/AU2001268730A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-28 TW TW090115729A patent/TW516102B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-08-24 JP JP2011183170A patent/JP2011251905A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101308328B1 (ko) * | 2006-10-19 | 2013-09-17 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Iii족 질화물 기판, 에피택셜층을 갖는 기판, 이들의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
KR100972974B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-07-29 | 삼성엘이디 주식회사 | Ⅲ족 질화물 기판의 표면개선방법, 이로부터 제조된 ⅲ족질화물 기판 및 이러한 ⅲ족 질화물 기판을 이용한 질화물반도체 발광 소자 |
KR101504772B1 (ko) * | 2008-01-15 | 2015-03-20 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화 알루미늄 결정의 성장 방법, 질화 알루미늄 결정의 제조 방법 및 질화 알루미늄 결정 |
KR101123009B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2012-03-15 | 삼성엘이디 주식회사 | Ⅲ족 질화물 반도체의 에칭방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW516102B (en) | 2003-01-01 |
EP1299900A2 (en) | 2003-04-09 |
EP2290136B1 (en) | 2013-05-08 |
WO2002001608A2 (en) | 2002-01-03 |
EP2290135B1 (en) | 2013-07-24 |
EP2284297B1 (en) | 2012-08-22 |
JP5361107B2 (ja) | 2013-12-04 |
WO2002001608A3 (en) | 2002-04-18 |
EP2290136A1 (en) | 2011-03-02 |
EP2284297A1 (en) | 2011-02-16 |
KR20070097594A (ko) | 2007-10-04 |
US6447604B1 (en) | 2002-09-10 |
KR100856447B1 (ko) | 2008-09-04 |
EP2290135A1 (en) | 2011-03-02 |
EP1299900A4 (en) | 2007-09-26 |
JP2011251905A (ja) | 2011-12-15 |
EP1299900B1 (en) | 2012-12-12 |
KR100810554B1 (ko) | 2008-03-18 |
AU2001268730A1 (en) | 2002-01-08 |
JP2004502298A (ja) | 2004-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100810554B1 (ko) | 광전자 및 전자 디바이스용 자립형 (알루미늄, 인듐,갈륨) 질화물 기재 상의 에피택시 품질(표면 조직 및 결함밀도)을 향상시키는 방법 | |
US8212259B2 (en) | III-V nitride homoepitaxial material of improved quality formed on free-standing (Al,In,Ga)N substrates | |
JP6067801B2 (ja) | 高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板 | |
JP4529846B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 | |
US8202793B2 (en) | Inclusion-free uniform semi-insulating group III nitride substrates and methods for making same | |
JP2013155108A (ja) | 大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス | |
JP4359770B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造ロット | |
JP4420128B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法 | |
Davis et al. | Growth via Mocvd and Characterization Of GaN and AlxGa1− xN (0001) Alloys for Optoelectronic and Microelectronic Device Applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130201 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140205 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150130 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160127 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170201 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180201 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190129 Year of fee payment: 12 |