KR101697479B1 - 용량 결합형 플라즈마를 이용하는 반도체 프로세싱 시스템 및 방법들 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 113
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 80
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 16
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 183
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 169
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 21
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 17
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- -1 radical species ion Chemical class 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical class O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000000837 restrainer Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- RTKIYFITIVXBLE-QEQCGCAPSA-N trichostatin A Chemical compound ONC(=O)/C=C/C(/C)=C/[C@@H](C)C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 RTKIYFITIVXBLE-QEQCGCAPSA-N 0.000 description 1
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Abstract
프로세스 챔버 내부에 위치된 용량 결합형 플라즈마(CCP) 유닛을 가지는 기판 프로세싱 시스템이 설명된다. CCP 유닛이 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된 플라즈마 여기 영역을 포함할 수 있다. 제 1 전극은 제 1 가스가 플라즈마 여기 영역으로 유입되도록 허용하기 위한 제 1의 복수의 개구부들을 포함할 수 있고, 그리고 제 2 전극은 활성화된 가스가 플라즈마 여기 영역을 빠져나오도록 허용하기 위한 제 2의 복수의 개구부들을 포함할 수 있다. 시스템은 제 1 가스를 CCP의 제 1 전극으로 공급하기 위한 가스 유입구, 및 기판을 지지하도록 동작 가능한 받침대를 더 포함할 수 있다. 받침대는 가스 반응 영역 아래에 위치되며, 활성화된 가스가 CCP 유닛으로부터 상기 가스 반응 영역 내로 이동한다.
Description
관련 출원들의 상호 참조들
본원은 2011년 10월 3일자로 출원되고 명칭이 "SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND METHODS USING CAPACITIVELY COUPLED PLASMA"인 미국 특허출원 제 13/251,663 호의 PCT 출원이고, 그리고 2011년 1월 18일자로 출원되고 명칭이 "SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND METHODS USING CAPACITIVELY COUPLED PLASMA"인 미국 가특허출원 제 61/433,633 호와 관련되고 그 이익향유를 주장하며, 상기 출원 모두는 모든 목적들을 위해서 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
반도체 집적 회로들을 제조하기 위한 플라즈마 증착(deposition) 및 에칭 프로세스들이 수십 년간 널리 이용되고 있다. 전형적으로, 이러한 프로세스들은 가스들이 이온화 하도록 유발시키기 위해서 프로세싱 챔버 내부의 충분한 파워의 전기장들에 노출되는 플라즈마-발생 가스들로부터 플라즈마의 형성을 수반한다. 이러한 가스들을 플라즈마로 형성하기 위해서 필요한 온도들은 동일한 가스들을 열적으로 이온화시키는데 필요한 온도보다 상당히 낮을 수 있다. 따라서, 단순히 가스들을 가열하는 것에 의해 가능한 것보다 상당히 낮은 챔버 프로세싱 온도들에서 시작 가스들로부터 반응성 라디칼 및 이온 종을 발생시키기 위해서 플라즈마 발생 프로세스들이 이용될 수 있다. 이는, 기판 상의 재료들을 용융, 분해, 또는 달리 손상시키게 될 한계값 위로 기판 온도를 상승시키지 않으면서, 플라즈마가 기판 표면들에 대해서 재료들을 증착 및/또는 에칭하도록 허용한다.
예시적인 플라즈마 증착 프로세스들은 기판 웨이퍼의 노출된 표면들 상에서의 실리콘 산화물과 같은 유전체 재료들의 플라즈마-강화 화학기상증착(PECVD)을 포함한다. 통상적인 PECVD는 가스들 및/또는 증착 전구체들을 프로세싱 챔버에서 함께 혼합하는 것 및 가스들로부터의 플라즈마를 타격하여(striking) 반응성 종을 생성하는 것을 수반하며, 상기 반응성 종은 기판 상에서 반응하고 재료를 증착시킨다. 전형적으로, 반응 생성물들의 효율적인 증착을 용이하게 하기 위해서, 플라즈마가 기판의 노출된 표면에 근접하여 위치된다.
유사하게, 플라즈마 에칭 프로세스들은 기판의 선택된 부분들을 플라즈마 활성화된 에칭 종에 대해서 노출시키는 것을 포함하고, 에칭 종은 기판으로부터의 재료들에 대해서 화학적으로 반응하고 및/또는 물리적으로 스퍼터링한다. 플라즈마 에칭되는 재료들에 대한 제거 레이트들(rates), 선택비(selectivity), 및 방향은, 다른 매개변수들 중에서 특히, 에칭 가스들(etchant gases), 플라즈마 여기 에너지, 및 기판과 대전된 플라즈마 종 사이의 전기적 바이어스에 대한 조정들을 이용하여 제어될 수 있다. 고밀도 플라즈마 화학기상증착(HDP-CVD)과 같은 일부 플라즈마 기술들은 동시적인 플라즈마 에칭 및 증착에 의존하여 기판 상에서 피쳐들을 생성한다.
일반적으로, 플라즈마 분위기들이 기판에 대해서 고온-증착 분위기보다 덜 파괴적이지만, 이러한 플라즈마 분위기들은 여전히 제조상의 과제들을 만든다. 쉘로우 트렌치들 및 갭들을 과다-에칭하는(over-etch) 강한 에너지의 플라즈마(energetic plasma)에서 에칭 정밀도가 문제가 될 수 있다. 플라즈마들의 강한 에너지의 종, 특히 이온화된 종이 증착된 재료에서 원치 않는 반응들을 생성할 수 있고, 그러한 반응들은 재료의 성능에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 그에 따라, 제조 중에 기판 웨이퍼와 접촉하는 플라즈마 구성요소들에 대한 더 정밀한 제어를 제공하는 시스템들 및 방법들이 요구되고 있다.
플라즈마와, 플라즈마 및/또는 그 유출물들(effluents)에 노출되는 기판 웨이퍼의 표면들 사이의 분위기의 개선된 제어를 위한 시스템들 및 방법들이 설명된다. 개선된 제어는 플라즈마와 기판 사이에 위치되는 이온 억제 요소에 의해서 적어도 부분적으로 실현될 수 있고, 그러한 이온 억제 요소는 기판에 도달하는 이온적으로-대전된 종의 수를 감소 또는 제거한다. 기판 표면에 도달하는 이온 종의 농도를 조정하는 것은, 기판 상에서의 플라즈마 보조 에칭 및/또는 증착 동안의 (다른 매개변수들 중에서 특히) 에칭 레이트, 에칭 선택비, 및 증착 화학적 작용(chemistry)의 더 정밀한 제어를 허용한다.
일부 예들에서, 이온 억제 요소가 기판 프로세싱 챔버의 가스/전구체 전달 장비의 일부일 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 영역과 기판 사이에서 챔버 내부에 위치된 샤워헤드가 가스들 및 전구체들에 대한 분배 구성요소로서뿐만 아니라 샤워헤드를 통해서 플라즈마 영역으로부터 기판까지 이동하는 이온화된 종의 양을 감소시키는 이온 억제부로서 두 가지 모두의 역할을 할 수 있다. 부가적인 예들에서, 이온 억제 요소가 플라즈마 영역과 기판 사이의 하나 또는 둘 이상의 개구부들을 가지는 구획부일 수 있고, 상기 개구부들을 통해서 플라즈마 유출물들이 플라즈마 영역으로부터 기판으로 통과할 수 있다. 다른 특성들 중에서 특히, 개구부들의 크기, 위치 및 기하형태, 구획부와 기판 사이의 거리, 및 구획부 상의 전기적 바이어스가 기판에 도달하는 대전된 종의 양을 제어하도록 선택될 수 있다. 일부 경우들에서, 구획부가 또한, 프로세싱 챔버에서 플라즈마 영역을 발생시키고 규정(define)하는데 도움이 되는 전극으로서 역할할 수 있다.
본원 발명의 실시예들은 프로세스 챔버 내부에 위치된 용량 결합형 플라즈마(CCP) 유닛을 가지는 기판 프로세싱 시스템을 포함한다. CCP 유닛이 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된 플라즈마 여기 영역을 포함할 수 있다. 제 1 전극은 제 1 가스가 플라즈마 여기 영역으로 유입되도록 허용하기 위한 제 1의 복수의 개구부들을 포함할 수 있고, 그리고 제 2 전극은 활성화된 가스가 플라즈마 여기 영역을 빠져나오도록 허용하기 위한 제 2의 복수의 개구부들을 포함할 수 있다. 시스템은 제 1 가스를 CCP 유닛의 제 1 전극으로 공급하기 위한 가스 유입구, 및 기판을 지지하도록 동작 가능한 받침대(pedestal)를 더 포함할 수 있다. 받침대는 가스 반응 영역 아래에 위치되며, 활성화된 가스가 CCP 유닛으로부터 가스 반응 영역 내로 이동한다.
본원 발명의 실시예들은 부가적인 기판 프로세싱 시스템들을 더 포함한다. 이러한 시스템들은 제 1 가스를 프로세싱 챔버로 공급하기 위한 가스 유입구, 복수의 개구부들을 포함하는 전극, 및 샤워헤드를 포함할 수 있다. 샤워헤드는 프로세싱 챔버 내의 가스 반응 영역으로 활성화된 가스가 통과하도록 허용하는 제 1의 복수의 채널들, 및 가스 반응 영역으로 제 2 가스가 통과하도록 허용하는 제 2의 복수의 채널들을 포함할 수 있다. 활성화된 가스가 전극과 샤워헤드 사이의 플라즈마 여기 영역 내에서 형성되며, 샤워헤드가 또한 제 2 전극으로서 작용한다. 시스템들은 기판을 지지하도록 동작 가능하고 가스 반응 영역 아래에 위치되는 받침대를 더 포함할 수 있다.
본원 발명의 실시예들은 또한 이온 억제부를 가지는 기판 프로세싱 시스템들을 더 포함한다. 이러한 시스템들은 프로세싱 챔버로 제 1 가스를 공급하기 위한 가스 유입구, 제 1의 복수의 개구부들을 가지는 전극, 및 이온 억제부를 포함할 수 있다. 이온 억제부는, 활성화된 가스가 프로세싱 챔버 내의 가스 반응 영역으로 통과할 수 있게 허용하는 제 2의 복수의 개구부들을 가지는 전기 전도성 플레이트를 포함할 수 있다. 활성화된 가스가 전극과 이온 억제부 사이의 플라즈마 여기 영역 내에서 형성된다. 이러한 시스템들은 기판을 지지하도록 동작 가능하고 가스 반응 영역 아래에 위치되는 받침대를 더 포함할 수 있다.
부가적인 실시예들 및 특징들이 부분적으로 이하의 설명에서 기술되고, 그리고 부분적으로는 본 명세서의 내용으로부터 당업자에게 자명할 것이거나, 또는 본원 발명의 실시에 의해서 학습될 수 있다. 본원 발명의 특징들 및 장점들은 본원 명세서에 개시된 기구들, 조합들, 및 방법들에 의해서 실현되고 획득될 수 있다.
본원 발명의 본질 및 장점들에 대한 추가적인 이해는 본 명세서의 나머지 부분들 및 도면들의 참조에 의해서 실현될 수 있고, 도면들에서 유사한 구성요소들을 지칭하기 위해서 여러 도면들을 통해서 유사한 참조 번호들이 사용되었다. 일부 경우들에서, 하위레이블(sublabel)이 참조 번호와 연관되고 그리고 하이픈(hypen)에 후속되어 복수의 유사한 구성요소들 중 하나를 나타낸다. 기존의 하위레이블에 대한 설명이 없이 참조 번호를 인용할 때, 이는 그러한 모든 복수의 유사한 구성요소들을 지칭하기 위한 것이다.
도 1은 본원 발명의 실시예들에 따른 샤워헤드 및 CCP 유닛을 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 횡단면도를 도시한다.
도 2는 본원 발명의 실시예들에 따른 CCP 유닛 및 샤워헤드를 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 사시도를 도시한다.
도 3은 본원 발명의 실시예에 따른 프로세싱 시스템을 통한 가스 혼합물들의 쌍의 가스 유동 경로들의 단순화된 개략도를 도시한다.
도 4는 이온 억제 요소로서 또한 작용하는 샤워헤드를 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 횡단면도를 도시한다.
도 5는 본원 발명의 실시예들에 따라서 가스 반응 영역으로부터 플라즈마 영역을 구획하는 이온 억제 플레이트를 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 횡단면도를 도시한다.
도 6a는 본원 발명의 실시예들에 따른 이온-억제 요소의 단순화된 사시도를 도시한다.
도 6b는 본원 발명의 실시예들에 따른 이온-억제 요소로서 또한 작용하는 샤워헤드 단순화된 사시도를 도시한다.
도 7a는 본원 발명의 실시예들에 따른 이온-억제 요소 내의 개구부들에 대한 일부 예시적인 홀 기하형태들을 도시한다.
도 7b는 본원 발명의 실시예들에 따른 홀 기하형태 개구부의 개략도를 도시한다.
도 8은 본원 발명의 실시예들에 따라 프로세싱 챔버 내의 플라즈마 영역을 규정하는데 도움이 되는 전극들의 쌍 내의 대향 개구부들의 예시적인 구성을 도시한다.
도 1은 본원 발명의 실시예들에 따른 샤워헤드 및 CCP 유닛을 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 횡단면도를 도시한다.
도 2는 본원 발명의 실시예들에 따른 CCP 유닛 및 샤워헤드를 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 사시도를 도시한다.
도 3은 본원 발명의 실시예에 따른 프로세싱 시스템을 통한 가스 혼합물들의 쌍의 가스 유동 경로들의 단순화된 개략도를 도시한다.
도 4는 이온 억제 요소로서 또한 작용하는 샤워헤드를 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 횡단면도를 도시한다.
도 5는 본원 발명의 실시예들에 따라서 가스 반응 영역으로부터 플라즈마 영역을 구획하는 이온 억제 플레이트를 가지는 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 횡단면도를 도시한다.
도 6a는 본원 발명의 실시예들에 따른 이온-억제 요소의 단순화된 사시도를 도시한다.
도 6b는 본원 발명의 실시예들에 따른 이온-억제 요소로서 또한 작용하는 샤워헤드 단순화된 사시도를 도시한다.
도 7a는 본원 발명의 실시예들에 따른 이온-억제 요소 내의 개구부들에 대한 일부 예시적인 홀 기하형태들을 도시한다.
도 7b는 본원 발명의 실시예들에 따른 홀 기하형태 개구부의 개략도를 도시한다.
도 8은 본원 발명의 실시예들에 따라 프로세싱 챔버 내의 플라즈마 영역을 규정하는데 도움이 되는 전극들의 쌍 내의 대향 개구부들의 예시적인 구성을 도시한다.
반도체 프로세싱 챔버 내부의 플라즈마의 발생 및 제어를 위한 시스템들 및 방법들이 설명된다. 플라즈마는 프로세싱 챔버 내부에서, 원격 플라즈마 유닛의 프로세싱 챔버 외부에서, 또는 양자 모두에서 기원될 수 있다. 챔버 내부에서, 플라즈마와 기판 웨이퍼 사이에 위치되는 이온 억제 요소의 도움으로, 플라즈마가 수용되고(contained) 그리고 기판 웨이퍼로부터 분리된다. 일부 경우들에서, 이러한 이온 억제 요소는 또한 플라즈마 발생 유닛(예를 들어, 전극), 가스/전구체 분배 시스템(예를 들어, 샤워헤드), 및/또는 프로세서 시스템의 다른 구성요소의 일부로서 기능할 수 있다. 추가적인 경우들에서, 이온 억제 요소는 주로 플라즈마 발생 영역과 가스 반응 영역 사이에서 구획부를 규정하도록 기능할 수 있으며, 상기 가스 반응 영역은 기판 웨이퍼의 노출된 표면들 상에서 재료를 에칭 및/또는 증착한다.
이온 억제 요소는 플라즈마 발생 영역으로부터 기판으로 이동하는 이온적으로 대전된 종의 양을 감소시키거나 제거하는 기능을 한다. 대전되지 않은 중성의 및 라디칼 종은 여전히 이온 억제부 내의 개구부들을 통과하여 기판과 반응할 수 있다. 기판을 둘러싸는 반응 영역 내에서 이온적으로 대전된 종을 완전하게 제거하는 것이 항상 희망하는 목표는 아님을 주지하여야 한다. 많은 경우들에서, 에칭 및/또는 증착 프로세스를 실시하기 위해서, 이온 종이 기판에 도달할 필요가 있다. 이러한 경우들에서, 이온 억제부는, 반응 영역 내의 이온 종의 농도를, 프로세스를 보조하는 레벨로 제어하는 것을 돕는다.
예시적인 프로세싱 시스템 구성들
예시적인 프로세싱 시스템 구성들은 기판에 도달하는 플라즈마 여기된 종의 타입 및 양을 제어하기 위해서 프로세싱 챔버 내부에 위치된 이온 억제부를 포함한다. 일부 실시예들에서, 이온 억제부 유닛은, 플라즈마 발생 유닛의 전극으로서 또한 작용할 수 있는 천공형 플레이트일 수 있다. 부가적인 실시예들에서, 이온 억제부가, 기판과 접촉하는 반응 영역으로 가스들 및 여기된 종을 분배하는 샤워헤드일 수 있다. 추가적인 또 다른 실시예들에서, 이온 억제가 천공형 플레이트 이온 억제부 및 샤워헤드에 의해서 실현될 수 있고, 플라즈마 여기된 종이 그러한 천공형 플라즈마 이온 억제부 및 샤워헤드 모두를 통과하여 반응 영역에 도달할 수 있다.
도 1 및 2는 용량 결합형 플라즈마(CCP) 유닛(102)의 일부로서의 이온 억제부(110) 및 이온 억제에 또한 기여할 수 있는 샤워헤드(104) 모두를 포함하는 프로세싱 시스템의 단순화된 횡단면도 및 사시도를 각각 도시한다. 프로세싱 시스템은 또한, 유체 공급 시스템(114)과 같이, 프로세싱 챔버(100) 외부에 위치되는 구성요소들을 선택적으로 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버(100)는 주위(surrounding) 압력과 상이한 내부 압력을 유지할 수 있다. 예를 들어, 프로세싱 챔버 내부의 압력이 약 10 mTorr 내지 약 20 Torr일 수 있다.
CCP 유닛(102)이 프로세싱 챔버(100) 내에서 플라즈마를 발생시키는 기능을 할 수 있다. CCP 유닛(102)의 구성요소들에는, 덮개 또는 고온(hot) 전극(106) 및 이온 억제 요소(110)(또한, 본원에서 이온 억제부로서 지칭된다)가 포함될 수 있다. 일부 실시예들에서, 덮개(106) 및 이온 억제부(110)는, 전극들 사이의 가스들을 플라즈마로 이온화시킬 수 있도록 충분히 강한 전기장을 발생시키기 위해서 서로에 대해서 전기적으로 바이어스될 수 있는 전기 전도성 전극들이다. 플라즈마가 발생될 때 그들이 단락(short circuiting)되는 것을 방지하기 위해 전기 절연부(108)가 덮개(106)와 이온 억제부(110) 전극들을 분리시킬 수 있다. 이온 억제부(110), 절연부(108) 및 덮개(106)의 플라즈마 노출된 표면들이 CCP 유닛(102) 내에서 플라즈마 여기 영역(112)을 규정할 수 있다.
플라즈마 발생 가스들이 가스 공급 시스템(114)으로부터 가스 유입구(116)를 통해서 플라즈마 여기 영역(112) 내로 이동할 수 있다. 플라즈마 발생 가스들은 여기 영역(112) 내에서 플라즈마를 타격하는데 이용될 수 있거나, 또는 이미 형성된 플라즈마를 유지할 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 발생 가스들은, 유입구(116)를 통해서 CCP 유닛(102)으로 하향 이동하기에 앞서서, 프로세싱 챔버(100) 외부에 위치되는 원격 플라즈마 시스템(미도시) 내에서 플라즈마 여기된 종으로 적어도 부분적으로 이미 변환되어 있을 수 있다. 플라즈마 여기된 종이 플라즈마 여기 영역(112) 내에 도달할 때, 그 종이 CCP 유닛(102) 내에서 추가적으로 여기될 수 있거나, 또는 추가적인 여기 없이 플라즈마 여기 영역을 통과할 수 있다. 일부 동작들에서, CCP 유닛(102)에 의해서 제공되는 부가적인 여기의 정도가 기판 프로세싱 시퀀스 및/또는 조건들에 따라서 시간에 걸쳐서 변화될 수 있다.
플라즈마 여기 영역(112) 내로의 더 균일한 전달을 위해서, 플라즈마 발생 가스들 및/또는 플라즈마 여기된 종이 덮개(106) 내의 복수의 홀들(미도시)을 통과할 수 있다. 예시적인 구성들에는, 덮개(106)에 의해서 플라즈마 여기 영역(112)으로부터 구획된 가스 공급 영역(120) 내로 개방된 유입구(116)를 갖는 것이 포함되며, 그에 따라 가스들/종이 덮개(106) 내의 홀들을 통해서 플라즈마 여기 영역(112) 내로 유동한다. 플라즈마 여기 영역(112)으로부터 공급 영역(120), 유입구(116), 및 유체 공급 시스템(114)으로 역으로 상당한 플라즈마가 역류하는 것을 방지하도록, 구조적 및 동작적 특징들이 선택될 수 있다. 구조적 특징들은, 도 7a 및 7b와 관련하여 이하에서 설명하는 바와 같이, 플라즈마 역방향 흐름을 비활성화시키는 덮개(106) 내의 홀들의 횡단면적인 기하형태 및 치수들의 선택을 포함할 수 있다. 동작적인 특징에는, 가스 공급 영역(120)과 플라즈마 여기 영역(112) 사이의 압력차를 유지하는 것이 포함될 수 있고, 그러한 압력차는 이온 억제부(110)를 통한 플라즈마의 단방향(unidirectional) 유동을 유지한다.
상기 주지된 바와 같이, 덮개(106) 및 이온 억제부(110)가 각각 제 1 전극 및 제 2 전극으로서 기능할 수 있으며, 그에 따라 덮개(106) 및/또는 이온 억제부(110)가 전기 전하를 수용할 수 있다. 이러한 구성들에서, 전기적 파워(예를 들어, RF 파워)가 덮개(106), 이온 억제부(110), 또는 양자 모두에 인가될 수 있다. 예를 들어, 전기 파워가 덮개(106)로 인가되는 한편 이온 억제부(110)가 접지될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템은 전기 파워를 덮개(106) 및/또는 이온 억제부(110)로 제공하는 RF 발생기(140)를 포함할 수 있다. 전기적으로 대전된 덮개(106)가 플라즈마 여기 영역(112) 내의 플라즈마의 균일한 분배(즉, 감소된 국소화된(localized) 플라즈마)를 촉진할 수 있다. 플라즈마 여기 영역(112) 내에서의 플라즈마 형성을 가능하게 하기 위해서, 절연부(108)가 덮개(106)와 이온 억제부(110)를 전기적으로 절연시킬 수 있다. 절연부(108)가 세라믹으로 제조될 수 있고 그리고 스파크 발생(sparking)을 방지하기 위해서 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가질 수 있다. CCP 유닛(102)은 순환 냉매(예를 들어, 물)로 플라즈마에 노출되는 표면들을 냉각시키기 위한 하나 또는 둘 이상의 냉각 유체 채널들을 포함하는 냉각 유닛(미도시)을 더 포함할 수 있다.
이온 억제부(110)는, 대전되지 않은 중성 또는 라디칼 종이 이온 억제부(110)를 통해서 활성화된 가스 전달 영역(124)내로 통과될 수 있게 허용하면서 이온적으로-대전된 종이 플라즈마 여기 영역(112)의 외부로 이동하는 것을 억제하는 복수의 홀들(122)을 포함할 수 있다. 이러한 대전되지 않은 종은 더 낮은 반응성의 캐리어 가스와 함께 홀들(122)을 통해서 이송되는 높은 반응성의 종을 포함할 수 있다. 상기 주지된 바와 같이, 홀들(122)을 통한 이온 종의 이동이 감소될 수 있고, 그리고 일부 경우들에서 완전히 억제된다. 이온 억제부(110)를 통과하는 이온 종의 양을 제어하는 것은, 하부의 웨이퍼 기판과 접촉하게 되는 가스 혼합물에 대한 증대된 제어를 제공하고, 이는 결과적으로 가스 혼합물의 증착 및/또는 에칭 특성들의 제어를 증대시킨다. 예를 들어, 가스 혼합물의 이온 농도의 조정들은 그 가스 혼합물의 에칭 선택비(예를 들어, SiOx:SiNx 에칭비들, Poly-Si:SiOx 에칭비들, 등)를 상당히 변경할 수 있다. 또한, 증착되는 유전체 재료의 등각성(conformal)-대-유동성(flowable)의 균형을 천이시킬 수 있다.
이온 억제부(110)를 통한 활성화된 가스(즉, 이온, 라디칼, 및/또는 중성 종)의 통과를 제어하도록 복수의 홀들(122)이 구성될 수 있다. 예를 들어, 이온 억제부(110)를 통과하는 활성화된 가스 내의 이온적으로-대전된 종의 유동이 감소되도록 홀들의 종횡비(즉, 홀 지름 대 길이) 및/또는 홀들의 기하형태가 제어될 수 있다. 이온 억제부(110) 내의 홀들이, 플라즈마 여기 영역(112)과 대면하는 테이퍼형(tapered) 부분, 및 샤워헤드(104)와 대면하는 원통형 부분을 포함할 수 있다. 원통형 부분은 샤워헤드(104)를 통과하는 이온 종의 유동을 제어하도록 성형되고 치수 결정될 수 있다. 억제부를 통한 이온 종의 유동을 제어하기 위한 부가적인 수단으로서, 조정가능한 전기적 바이어스가 또한 이온 억제부(110)에 인가될 수 있다.
샤워헤드(104)가 CCP 유닛(102)의 이온 억제부(110)와 가스 반응 영역(130)(예를 들어, 가스 활성화 영역) 사이에 위치되고, 상기 가스 반응 영역은 받침대(150) 상에 장착될 수 있는 기판과 접촉한다. 가스들 및 플라즈마 여기된 종이 이온 억제부(110)를 통하여 이온 억제부(110)와 샤워헤드(104) 사이에 규정된 활성화된 가스 전달 영역(124) 내로 통과될 수 있다. 이러한 가스들 및 종의 일부가 샤워헤드(104)를 통해서 기판과 접촉하는 가스 반응 영역(130) 내로 추가적으로 통과될 수 있다.
샤워헤드가, 플라즈마 여기된 종의 통과를 허용하는 제 1 세트의 채널들(126) 및 제 2 가스/전구체 혼합물을 가스 반응/활성화 영역(130) 내로 전달하는 제 2 세트의 채널들을 가지는 이중-구역(dual-zone) 샤워헤드일 수 있다. 채널들의 2개의 세트들은 플라즈마 여기된 종과 제 2 가스/전구체 혼합물이 가스 반응 영역(130)에 도달할 때까지 혼합되는 것을 방지한다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 여기된 종의 적어도 일부가 그들의 이동(flight) 방향을 변경하지 않고 홀(122) 및 채널(126)을 통과하도록 허용하기 위해서, 이온 억제부(110) 내의 하나 또는 둘 이상의 홀들(122)이 샤워헤드(104) 내의 하나 또는 둘 이상의 채널들(126)과 정렬될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 제 2 세트의 채널들이 가스 반응 영역(130)과 대면하는 개구부에서 환형 형상을 가질 수 있고, 그리고 이러한 환형 개구부들은 제 1 세트의 채널들(126)의 원형 개구부들 주위로 동심적으로 정렬될 수 있다.
샤워헤드(104) 내의 제 2 세트의 채널들이 실시하고자 하는 프로세스에 대해서 선택된 공급원(source) 가스/전구체 혼합물(미도시)에 유체적으로 커플링될 수 있다. 예를 들어, 프로세싱 시스템이 이산화실리콘(SiOx)과 같은 유전체 재료의 증착을 실시하도록 구성될 때, 가스/전구체 혼합물이, 다른 실리콘-함유 재료들 중에서 특히, 실란, 디실란, TSA, DSA, TEOS, OMCTS, TMDSO과 같은 실리콘-함유 가스 또는 전구체를 포함할 수 있다. 이러한 혼합물은 가스 반응 영역(130) 내에서 산화 가스 혼합물과 반응할 수 있고, 상기 산화 가스 혼합물은, 다른 종 중에서 특히, 오존(O3), 활성화된 분자 산소(O2), 및 플라즈마 발생된 라디칼 산소(O)와 같은 플라즈마 여기된 종을 포함할 수 있다. 플라즈마 여기된 종 내의 과다 이온들은, 종이 이온 억제부(110) 내의 홀들(122)을 통해서 이동됨에 따라서, 감소될 수 있고, 그리고 그 종이 샤워헤드(104) 내의 채널들(126)을 통해서 이동됨에 따라 추가적으로 감소될 수 있다. 다른 예에서, 프로세싱 시스템이 기판 표면 상에서 에칭을 실시하도록 구성될 때, 공급원 가스/전구체 혼합물은, 가스 반응 영역(130) 내에서 샤워헤드(104) 내의 제 1 세트의 채널들로부터 분배된 플라즈마 여기된 종과 혼합되는 캐리어 가스들, 수증기, 할로겐들, 및/또는 산화제들(oxidants)과 같은 에칭제들을 포함할 수 있다.
프로세싱 시스템은 전기 파워를 덮개(106) 및/또는 이온 억제부(110)로 제공하여 플라즈마 여기 영역(112) 내에서 플라즈마를 생성하기 위해서 CCP 유닛(102)에 전기적으로 커플링된 파워 공급부(140)를 더 포함할 수 있다. 파워 공급부는 실시되는 프로세스에 따라서 조정가능한 양의 파워를 CCP 유닛(102)으로 전달하도록 구성될 수 있다. 예를 들어 증착 프로세스들에서, CCP 유닛(102)으로 전달되는 파워를 조정하여 증착되는 층의 등각성을 셋팅(set)할 수 있다. 전형적으로, 증착되는 유전체 필름은 플라즈마 파워들이 낮을 때 더 유동적이 되고 그리고 플라즈마 파워가 증가될 때 유동적인 것으로부터 등각적인 것으로 천이된다(shift). 예를 들어, 플라즈마 여기 영역(112) 내에서 유지되는 아르곤 함유 플라즈마는, 플라즈마 파워가 약 1000 Watts 로부터 약 100 Watts 또는 그 미만으로(예를 들어, 약 900, 800, 700, 600, 또는 500 Watts 또는 그 미만으로) 감소됨에 따라, 더 유동적인 실리콘 산화물 층을 생성할 수 있고, 그리고 플라즈마 파워가 약 1000 Watts 또는 그 초과로(예를 들어, 약 1000, 1100, 1200, 1300, 1400, 1500, 1600, 1700 Watts 또는 그 초과로)부터 증가됨에 따라 더 등각적인 층을 생성할 수 있다. 플라즈마 파워가 낮은 값으로부터 높은 값으로 증가됨에 따라, 유동적인 증착 필름으로부터 등각적인 증착 필름으로의 전이가 비교적 매끄럽고 연속적으로 이루어질 수 있거나 또는 비교적 구분되는 한계값들을 통해서 진행될 수 있다. 플라즈마 파워(단독적으로 또는 다른 증착 매개변수들에 부가적으로)를 조정하여 증착되는 필름의 등각적인 성질과 유동적인 성질 사이의 균형을 선택할 수 있다.
또한, 프로세싱 시스템이 기판(예를 들어, 웨이퍼 기판)을 지지 및 이동시키도록 동작 가능한 받침대(150)를 더 포함할 수 있다. 받침대(150)와 샤워헤드(104) 사이의 거리는 가스 반응 영역(130)을 규정하는데 도움이 된다. 받침대가 프로세싱 챔버(100) 내에서 수직으로 또는 축방향으로 조정되어 샤워헤드(104)를 통과하는 가스들에 대해서 웨이퍼 기판을 재배치함으로써 가스 반응 영역(130)을 증가 또는 감소시킬 수 있고 그리고 웨이퍼 기판의 증착 또는 에칭을 실시할 수 있다. 받침대(150)가 열교환 채널을 가질 수 있고, 그러한 열 교환 채널을 통해서 열교환 유체가 유동하여 웨이퍼 기판의 온도를 제어한다. 열교환 유체의 순환에 의해서 기판 온도를 비교적 낮은 온도들(예를 들어, 약 -20℃ 내지 약 90 ℃)로 유지할 수 있다. 예시적인 열교환 유체들에는 에틸렌 글리콜 및 물이 포함된다.
받침대(150)는 또한 기판을 가열 온도(예를 들어, 약 90 ℃ 내지 약 1100 ℃)에서 유지하기 위해서 가열 요소(예를 들어, 저항형 가열 요소)로 구성될 수 있다. 예시적인 가열 요소들은, 평행한 동심적인 원들의 형태의 둘 또는 셋 이상의 완전한 회전체들(full turns)을 만드는, 기판 지지 플래터에 매립된 단일-루프(loop) 히터 요소를 포함할 수 있다. 히터 요소의 외측 부분이 지지 플래튼의 주변부 근처로 연장될 수 있는 한편, 내측 부분은 더 작은 반경을 가지는 동심적인 원의 경로를 따라서 연장될 수 있다. 히터 요소의 배선(wiring)이 받침대의 스템(stem)을 통과할 수 있다.
도 3은 이온 억제부 플레이트 및 샤워헤드 모두를 포함하는 프로세싱 시스템을 통한 가스 혼합물들의 쌍의 가스 유동 경로들의 단순화된 개략도(300)를 도시한다. 블록(305)에서, 플라즈마 발생 가스 혼합물과 같은 제 1 가스가 가스 유입구를 통해서 프로세싱 챔버로 공급된다. 제 1 가스가 이하의 가스들 중 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다: CF4, NH3, NF3, Ar, He, H2O, H2, O2, 등. 블록(310)에서, 프로세싱 챔버 내부에서, 제 1 가스가 플라즈마 방전을 통해서 여기되어 하나 또는 둘 이상의 플라즈마 유출물들을 형성할 수 있다. 대안적으로(또는 인-시츄(in-situ) 플라즈마 발생에 부가적으로), 프로세싱 챔버에 커플링된 원격 플라즈마 시스템(RPS)을 이용하여 엑스-시츄(ex-situ) 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 그러한 원격 플라즈마 시스템의 플라즈마 여기 생성물들이 프로세스 챔버 내로 도입된다. RPS 플라즈마 여기 생성물들은 이온적으로-대전된 플라즈마 종뿐만 아니라 중성 및 라디칼 종을 포함할 수 있다.
플라즈마 유출물들이 인-시츄 플라즈마 유닛, RPS 유닛, 또는 양자 모두에 의해서 발생되든지 간에, 블록(315)에서 플라즈마 유출물들이 프로세싱 챔버 내의 이온 억제부를 통과하게 될 수 있다. 이온 억제부는, 플라즈마 활성화된 제 1 가스가 프로세싱 챔버 내의 가스 반응 영역으로 이동될 때, 라디칼 및/또는 중성 종의 통과는 허용하면서, 이온 종의 통과는 차단 및/또는 제어할 수 있다. 블록(320)에서, 제 2 가스가 프로세싱 챔버 내로 도입될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제 2 가스의 내용물들(contents)은 실시되는 프로세스에 의존한다. 예를 들어, 제 2 가스는 증착 프로세스들을 위한 증착 화합물들(예를 들어, Si-함유 화합물들) 및 에칭 프로세스들을 위한 에칭제들을 포함할 수 있다. 제 1 가스와 제 2 가스가 프로세스 챔버의 가스 반응 영역에 도달할 때까지, 제 1 가스와 제 2 가스 사이의 접촉 및 반응이 방지될 수 있다.
가스 반응 영역에 앞서서 제 1 가스와 제 2 가스가 상호작용하는 것을 방지하기 위한 하나의 방식은 그 가스들이 이중-구역 샤워헤드 내의 독립적인 채널들을 통해서 유동하게 하는 것이다. 블록(330)은, 활성화된 제 1 가스가 제 2의 복수의 채널들을 통과하는 제 2 가스와 상호작용하지 않고 샤워헤드를 통과할 수 있게 허용하는 제 1의 복수의 채널들을 가지는 DZSH를 통과하는 활성화된 제 1 가스 및 제 2 가스를 도시한다. DZSH를 빠져나간 후에, 블록(335)에서 제 1 및 제 2 가스들이 프로세싱 챔버의 가스 반응 영역 내에서 함께 혼합될 수 있다. 실시되는 프로세스에 따라서, 조합된 가스들은 기판의 노출된 표면들 상에 재료를 증착하도록, 기판으로부터 재료들을 에칭하도록, 또는 둘 다 하도록 반응할 수 있다.
이제 도 4를 참조하면, 이온 억제 요소로서 또한 작용하는 샤워헤드(402)를 가지는 프로세싱 시스템(400)의 단순화된 단면도가 도시되어 있다. 도시된 구성에서, 플라즈마 발생을 위한 제 1 가스 공급원(402)은, 제 1 플라즈마가 발생될 수 있는 선택적인 RPS 유닛(404)에 유체적으로 커플링되고 그리고 플라즈마 유출물들이 가스 유입구(408)를 통해서 프로세싱 챔버(406) 내로 이송될 수 있다. 프로세싱 챔버(406) 내부에서, 가스들이 가스 분배 플레이트(412) 내의 홀들(410)을 통해서 플레이트(412)와 샤워헤드(402) 사이에 규정된 가스 영역(414) 내로 통과될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 영역(414)은, 가스 분배 플레이트(412)와 샤워헤드(402)가 가스를 추가적으로 여기시키기 위한 및/또는 제 1 플라즈마를 발생하기 위한 제 1 및 제 2 전극들로서 작용하는 플라즈마 여기/활성화 영역일 수 있다. 가스 분배 플레이트(412) 내의 홀들(410)은, 플라즈마 역류를 비활성화하도록 치수적으로 또는 기하형태적으로 구성될 수 있다. 플레이트(412) 및 샤워헤드(402)가 전하를 플레이트(412) 및 샤워헤드(402)로 공급하여 가스들을 여기시키고 및/또는 플라즈마를 발생시키는 RF 파워 발생기(422)와 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 전하가 플레이트(412)로 인가되는 동안 샤워헤드(402)가 접지된다.
가스 영역(414) 내의 여기된 가스들 또는 활성화된 가스들은 기판의 표면으로부터 재료를 에칭하고 및/또는 기판의 표면 상으로 재료를 증착하기 위해 샤워헤드(402)를 통해서 기판(418) 근처의 가스 반응 영역(416) 내로 통과할 수 있다. 샤워헤드(402)는, 여기된 가스들이 가스 영역(414)으로부터 가스 반응 영역(416) 내로 통과되게 허용하는 한편 또한 제 2 가스(즉, 전구체 가스/혼합물)가 외부 공급원(미도시)으로부터 제 2 가스 유입구(미도시)를 통해서 가스 반응 영역(416) 내로 유동할 수 있게 허용하는 이중 구역 샤워헤드(DZSH)일 수 있다. 활성화된/여기된 가스와 제 2 가스가 가스 반응 영역(416) 내로 유동할 때까지, DZSH는 활성화된/여기된 가스가 제 2 가스와 혼합되는 것을 방지할 수 있다.
여기된 가스는 DZSH 내의 복수의 홀들(424)을 통해서 유동할 수 있고, 그러한 복수의 홀들은 플라즈마(즉, 이온적으로 대전된 종) 통과를 제어 또는 방지하는 한편 활성화된/여기된 가스들(즉, 반응성 라디칼 또는 대전되지 않은 중성 종)의 통과를 허용하도록 치수적으로 및/또는 기하형태적으로 구성될 수 있다. 도 7a는 DZSH 내에서 이용될 수 있는 홀 구성들의 예시적인 실시예들을 제공한다. 홀들(424)에 더하여, DZSH는, 제 2 가스가 통과하여 유동하는 복수의 채널들(426)을 포함할 수 있다. 제 2 가스(전구체 가스)가 홀들(424) 근처에 위치된 하나 또는 둘 이상의 개구들(미도시)을 통해서 샤워헤드(402)를 빠져나갈 수 있다. DZSH가 제 2 가스 전달 시스템 및 이온 억제 요소 모두로서 작용할 수 있다.
전술한 바와 같이, 혼합된 가스들은, 플래튼(420) 상에 위치될 수 있는 기판(418)의 표면 상에 재료를 증착하고 및/또는 그 표면을 에칭할 수 있다. 플래튼(420)이 프로세싱 챔버(406) 내에서 수직으로 이동될 수 있다. 프로세싱 챔버(406) 내의 기판(418)의 프로세싱은 홀들(424)의 구성들, 가스 영역(414) 내의 압력, 및/또는 프로세싱 챔버 내의 기판(418)의 위치에 의해서 영향을 받을 수 있다. 또한, 홀들(424)의 구성 및/또는 가스 영역(414) 내의 압력은 가스 여기 영역(416) 내로의 통과가 허용되는 이온 종(플라즈마)의 양을 제어할 수 있다. 가스 혼합물의 이온 농도가 에칭 선택비를 변경하는 것에 더하여 증착된 유전체 재료의 등각성-대-유동성의 균형을 천이시킬 수 있다.
이제 도 5를 참조하면, 이온 억제 요소로서 작용하는 플레이트(512)(즉, 이온 억제부 플레이트)를 가지는 다른 프로세싱 시스템(500)의 단순화된 횡단면도가 도시되어 있다. 도시된 구성에서, 제 1 가스 공급원(502)은 제 1 플라즈마가 발생될 수 있는 RPS 유닛(504)에 유체적으로 커플링되고 그리고 플라즈마 유출물들이 가스 유입구(508)를 통해서 프로세싱 챔버(506) 내로 이송될 수 있다. 플라즈마 유출물들은 이온 억제부 플레이트(512)와 가스 유입구(508) 사이에 규정된 가스 영역(514)으로 이송될 수 있다. 가스 영역(514) 내부에서, 가스들이 이온 억제부(512) 내의 홀들(510)을 통해서 이온 억제부(512)와 기판(528) 사이에 규정된 가스 반응/활성화 영역(516) 내로 통과될 수 있다. 기판(518)이 전술한 바와 같이 플래튼(520) 상에서 지지될 수 있고, 그에 따라 기판이 프로세싱 챔버(506) 내에서 이동될 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 대전되지 않은 중성 또는 라디칼 종(즉, 활성화된 가스)의 통과를 허용하면서 이온적으로 대전된 종(즉, 플라즈마)의 통과를 방지 및/또는 제어하도록, 홀들(510)이 치수적으로 및/또는 기하형태적으로 구성될 수 있다. 이온 종의 통과는 가스 영역(514) 내의 플라즈마의 압력을 변경함으로써 제어될 수 있다. 가스 유입구(508)를 통해서 전달되는 가스의 양을 제어함으로써, 가스 영역(514) 내의 압력이 제어될 수 있다. 전구체 가스(즉, 제 2 가스)는, 이온 억제부(512)의 아래에 또는 평행하게 수직으로 배치된 하나 또는 둘 이상의 제 2 가스 유입구들(522)에서 프로세싱 챔버(506) 내로 도입될 수 있다. 제 2 가스 유입구(522)가 프로세싱 챔버(506) 벽들에서 하나 또는 둘 이상의 개구들, 튜브들, 등(미도시)을 포함할 수 있고 그리고 개구들, 튜브들 등으로 전구체 가스를 전달하기 위해서 하나 또는 둘 이상의 가스 분배 채널들(미도시)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 이온 억제부(512)가 하나 또는 둘 이상의 제 2 가스 유입구들을 포함하고, 그러한 제 2 가스 유입구들을 통해서 전구체 가스가 유동한다. 이온 억제부(512)의 제 2 가스 유입구들이 전구체 가스를 가스 반응 영역(516) 내로 전달할 수 있다. 그러한 실시예에서, 전술한 바와 같이, 이온 억제부(512)가 이온 억제부 및 이중 구역 샤워헤드 모두로서 기능한다. 홀들(510)을 통과하는 활성화된 가스 및 프로세싱 챔버(506) 내에 도입된 전구체 가스가 에칭 및/또는 증착 프로세스들을 위해서 가스 반응 챔버(516) 내에서 혼합된다.
이제까지 프로세싱 챔버들의 예시적인 실시예들을 설명하였고, 이제 이온 억제부 플레이트(412 및 512) 및 샤워헤드(402)와 같은 이온 억제부들의 예시적인 실시예들에 대해서 주목한다.
예시적인 이온
억제부들
도 6a는 본원 발명의 실시예들에 따른 이온-억제 요소(600)(이온 억제부)의 단순화된 사시도를 도시한다. 이온 억제 요소(600)는 도 4 및/또는 5의 이온 억제부 플레이트들에 상응할 수 있다. 사시도는 이온 억제 요소 또는 플레이트(600)의 상단부를 도시한다. 이온 억제 플레이트(600)는 일반적으로 원형 형상일 수 있고 그리고 복수의 플라즈마 유출물 통로들(602)을 포함할 수 있고, 통로들(602)의 각각은 플라즈마 유출물들이 제 1 영역(예를 들어, 플라즈마 영역)으로부터 제 2 영역(예를 들어, 가스 반응 영역 또는 샤워헤드)으로 통과할 수 있게 허용하는 하나 또는 둘 이상의 관통 홀들을 포함한다. 일 실시예에서, 통로(602)의 관통 홀들이 하나 또는 둘 이상의 원형 패턴들을 형성하도록 배열될 수 있으나, 다른 구성들도 가능하다. 전술한 바와 같이, 관통 홀들은, 대전되지 않은 중성 또는 라디칼 종의 통과를 허용하면서 이온 종의 통과를 제어 또는 방지하도록 기하형태적으로 또는 치수적으로 구성될 수 있다. 관통 홀들은 이온 억제 플레이트(600)의 상단부 표면을 향해서 더 큰 내경을 그리고 이온 억제 플레이트의 하단부 표면을 향해서 더 작은 내경을 가질 수 있다. 또한, 관통 홀들은 일반적으로 원통형, 원뿔형, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 관통 홀들의 구성들의 예시적인 실시예들이 도 7a-b에 제공되어 있다.
복수의 통로들이 이온 억제 플레이트(600)의 표면에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 분배될 수 있고, 그러한 균일한 분배는 이온 억제 플레이트(600)를 통한 제 2 영역 내로의 중성 또는 라디칼 종의 균일한 통과를 제공할 수 있다. 도 5의 실시예와 같은 일부 실시예들에서, 프로세싱 챔버가 이온 억제 플레이트(600) 만을 포함할 수 있는 한편, 다른 실시예들에서, 프로세싱 챔버가 이온 억제 플레이트(600) 및 도 6b의 샤워헤드와 같은 샤워헤드 모두를 포함할 수 있거나, 또는 프로세싱 챔버가 이중 구역 샤워헤드 및 이온 억제 플레이트 모두로서 작용하는 단일 플레이트를 포함할 수 있다.
도 6b는 본원 발명의 실시예에 따른 샤워헤드(620)의 단순화된 저면 사시도를 도시한다. 샤워헤드(620)는 도 4에 도시된 샤워헤드에 상응할 수 있다. 전술한 바와 같이, 샤워헤드(620)가 가스 반응 영역의 근처에서 가스 반응 영역 위에 수직으로 배치될 수 있다. 이온 억제 플레이트(600)와 유사하게, 샤워헤드(620)가 일반적으로 원형 형상일 수 있고 그리고 복수의 제 1 홀들(622) 및 복수의 제 2 홀들(624)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 홀들(622)은 플라즈마 유출물들이 샤워헤드(620)를 통해서 가스 반응 영역 내로 통과하도록 허용할 수 있는 한편, 복수의 제 2 홀들(624)은 실리콘 전구체, 에칭제들 등과 같은 전구체 가스가 가스 반응 영역 내로 통과할 수 있게 허용한다.
복수의 제 1 홀들(622)이 샤워헤드(620)의 상단부 표면으로부터 샤워헤드를 통해서 연장하는 관통 홀들일 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 제 1 홀들(622)의 각각이 샤워헤드(620)의 상단부 표면을 향해서 더 작은 내경(ID)을 그리고 하단부 표면을 향해서 더 큰 ID을 가질 수 있다. 또한, 복수의 제 1 홀들(622)의 하단부 엣지가 챔퍼 가공되어(chamfered)(626) 플라즈마 유출물들이 샤워헤드를 빠져나갈 때 가스 반응 영역 내에서 플라즈마 유출물들을 균일하게 분배시키는 것을 도울 수 있고, 그에 따라 플라즈마 유출물들과 전구체 가스들의 균일한 혼합을 촉진할 수 있다. 제 1 홀들(622)의 더 작은 ID가 약 0.5 mm 내지 약 20 mm일 수 있다. 일 실시예에서, 더 작은 ID가 약 1 mm 내지 6 mm일 수 있다. 제 1 홀들(622)의 횡단면 형상이 일반적으로 원통형, 원뿔형, 또는 이들의 임의 조합일 수 있다. 또한, 이온 억제 요소(600) 및 샤워헤드(620) 모두가 프로세싱 챔버 내에서 사용될 때, 제 1 홀들(622)이 통로들(602)의 관통 홀들과 동심적으로 정렬될 수 있다. 동심적인 배열은 프로세싱 챔버 내의 이온 억제 요소(600) 및 샤워헤드(620) 모두를 통한 활성화된 가스의 통과를 용이하게 할 수 있다.
다른 실시예에서, 복수의 제 1 홀들(622)은 샤워헤드(620)의 상단부 표면으로부터 샤워헤드를 통해서 연장하는 관통 홀들일 수 있고, 제 1 홀들(622)의 각각이 샤워헤드의 상단부 표면을 향해서 더 큰 ID을 그리고 샤워헤드의 하단부 표면을 향해서 더 작은 ID을 가진다. 또한, 제 1 홀들(622)은 큰 ID와 작은 ID 사이의 전이부인 테이퍼(taper) 영역을 포함할 수 있다. 그러한 구성은, 활성화된 가스의 통과를 허용하면서, 관통 홀들을 통한 플라즈마의 통과를 방지 또는 조절할 수 있다. 그러한 실시예들이 이온 억제 요소(600) 대신에 또는 이온 억제 요소(600)에 부가하여 이용될 수 있다. 그러한 관통 홀들의 예시적인 실시예들이 도 7a에 제공되어 있다.
복수의 제 1 홀들(622)의 수가 약 60개 내지 약 2000개일 수 있다. 복수의 제 1 홀들(622)은 또한 다양한 형상들을 가질 수 있으나, 일반적으로는 둥글다. 프로세싱 챔버가 이온 억제 플레이트(600) 및 샤워헤드(620) 모두를 포함하는 실시예들에서, 복수의 제 1 홀들(622)이 통로들(602)과 실질적으로 정렬되어 이온 억제 플레이트 및 샤워헤드를 통한 플라즈마 유출물들의 통과를 도울 수 있다.
복수의 제 2 홀들(624)이 샤워헤드(620)의 하단부 표면으로부터 샤워헤드를 부분적으로 통과하여, 샤워헤드를 통해서 부분적으로 연장될 수 있다. 복수의 제 2 홀들은, 전구체 가스(예를 들어, 증착 화합물들, 에칭제들 등)를 외부 가스 공급원(미도시)으로부터 제 2 홀들(624)로 전달하는 복수의 채널들(미도시)과 커플링되거나 연결될 수 있다. 제 2 홀들은 샤워헤드(620)의 하단부 표면에서 더 작은 ID와 샤워헤드의 내부에서 더 큰 ID를 가질 수 있다. 제 2 홀들(624)의 수가 상이한 실시예들에서 약 100개 내지 약 5000개 또는 약 500개 내지 약 2000개일 수 있다. 제 2 홀들의 더 작은 ID의 지름(즉, 하단부 표면에서의 홀의 지름)이 약 0.1 mm 내지 약 2 mm 일 수 있다. 제 2 홀들(624)은 일반적으로 둥글고 그리고 유사하게 원통형, 원뿔형, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 제 1 및 제 2 홀들 모두가 샤워헤드(620)의 하단부 표면에 걸쳐 균일하게 분배되어 플라즈마 유출물들 및 전구체 가스들의 균일한 혼합을 도울 수 있다.
도 7a를 참조하면, 관통 홀들의 구성들의 예시적인 실시예들이 도시되어 있다. 도시된 관통 홀들은 일반적으로 홀의 상부 단부를 향하는 큰 내경(ID) 영역 및 홀의 하단부 또는 하부 단부를 향하는 더 작은 ID 영역을 포함한다. 더 작은 ID 는 약 0.2 mm 내지 약 5 mm 일 수 있다. 또한, 홀들의 종횡비(즉, 더 작은 ID 대 홀 길이)가 약 1 내지 20 일 수 있다. 그러한 구성들은, 라디칼 또는 중성 종의 통과를 허용하면서 플라즈마 유출물의 이온 종의 통과를 실질적으로 차단 및/또는 제어할 수 있다. 예를 들어, 종횡비를 변화시키는 것은 관통 홀들의 통과하도록 허용되는 플라즈마의 양을 조절할 수 있다. 관통 홀들 바로 위의 영역 내의 플라즈마의 압력을 변화시킴으로써, 플라즈마 통과를 추가적으로 조절할 수 있다.
이제 특정 구성들을 참조하면, 관통 홀(702)이 홀의 상부 단부에서 큰 ID 영역(704)을 그리고 홀의 하부 단부에서 작은 ID 영역(706)을 포함할 수 있고, 큰 ID와 작은 ID 사이에는 계단형 엣지가 구비될 수 있다. 관통 홀(710)이 상부 단부에서 큰 ID 영역(712)을 그리고 홀의 하부 단부에서 큰 ID 영역(716)을 포함할 수 있고, 그들 사이에 작은 ID 영역(714)을 구비할 수 있다. 큰 ID 영역과 작은 ID 영역 사이의 전이는 그 영역들 사이의 급격한(abrupt) 전이를 제공하도록 블런트형(blunt) 또는 계단형(stepped) 일 수 있다.
관통 홀(720)이 홀의 상부 단부에서 큰 ID 영역(722)을 그리고 홀의 하부 단부에서 작은 ID 영역(726)을 포함할 수 있고, 상기 큰 영역과 작은 영역 사이에서 각도(θ)로 전이되는 테이퍼형 영역(724)을 구비할 할 수 있다. 작은 ID 영역(726)의 높이(728)가 홀의 전체 높이(727), 테이퍼형 영역(724)의 각도(θ), 큰 ID, 및 작은 ID에 의존할 수 있다. 일 실시예에서, 테이퍼형 영역(724)은 약 15°내지 약 30°, 그리고 바람직하게는 약 22°의 각도를 가지며; 전체 높이(727)는 약 4 mm 내지 약 8 mm, 그리고 바람직하게는 약 6.35 mm이며; 큰 ID 는 약 1 mm 내지 약 4 mm, 그리고 바람직하게는 약 2.54 mm이고; 작은 ID는 약 .2 mm 내지 1.2 mm, 그리고 바람직하게는 약 .89 mm이며, 그에 따라 작은 ID 영역(726)의 높이(728)가 약 1 mm 내지 약 3 mm, 그리고 바람직하게 약 2.1 mm 이다.
관통 홀(730)은 그 홀의 상부 단부에서의 제 1 ID 영역(732), 제 1 ID 영역(732)과 동심적으로 정렬되고 그 아래에 수직으로 배치되는 제 2 ID 영역(734), 그리고 제 2 ID 영역(734)과 동심적으로 정렬되고 그 아래에 수직으로 배치되는 제 3 ID 영역(736)을 포함할 수 있다. 제 1 ID 영역(732)은 큰 ID를 포함할 수 있고, 제 2 ID 영역(734)은 작은 ID를 포함할 수 있으며, 제 3 ID 영역(736)은 제 2 ID 영역(734)보다 약간 더 큰 ID를 포함할 수 있다. 제 3 ID 영역(736)은 홀의 하부 단부까지 연장될 수 있거나 또는 출구 ID(737)까지 외측으로 테이퍼링될 수 있다. 제 3 ID 영역(736)과 출구 ID(737) 사이의 테이퍼가 각도(θ3)로 테이퍼링될 수 있고, 상기 각도는 약 15°내지 약 30°, 그리고 바람직하게는 약 22°일 수 있다. 제 2 ID 영역(734)은 각도(θ1)로 제 1 ID 영역(732)으로부터 전이되는 챔퍼가공된 엣지를 포함할 수 있고, 상기 각도는 약 110°내지 약 140°일 수 있다. 유사하게, 제 2 ID 영역(734)이 각도(θ2)로 제 3 ID 영역(736)으로부터 전이되는 챔퍼가공된 엣지를 포함할 수 있고, 상기 각도는 또한 약 110°내지 약 140°일 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 영역(732)의 큰 ID가 약 2.5 mm 내지 약 7 mm, 그리고 바람직하게 약 3.8 mm이고; 제 2 ID 영역(734)의 작은 ID가 약 .2 mm 내지 약 5 mm, 그리고 바람직하게 약 .04 mm일 수 있고; 제 3 ID 영역(736)의 약간 더 큰 ID가 약 .75 mm 내지 약 2 mm, 그리고 바람직하게 약 1.1 mm일 수 있고; 그리고 출구 ID가 약 2.5 mm 내지 약 5 mm, 그리고 바람직하게 약 3.8 mm일 수 있다.
큰 ID 영역들과 작은 ID 영역들 사이의 전이부(블런트형, 계단형, 테이퍼형, 등)는, 라디칼 또는 중성 종의 통과를 허용하면서 이온 종이 홀들을 통과하는 것을 실질적으로 차단할 수 있다. 예를 들어, 이제 도 7b를 참조하면, 큰 ID 영역(722)과 작은 ID 영역(726) 사이에 전이 영역(724)을 포함하는 관통 홀(720)의 확대도가 도시되어 있다. 테이퍼형 영역(724)은 플라즈마(725)가 관통 홀(702)을 통해서 침투하는 것을 실질적으로 방지할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마(725)가 관통 홀(720) 내로 침투함에 따라, 이온 종이 테이퍼형 영역(724)의 벽들과 접촉함으로써 비활성화되거나 중성화될(ground out) 수 있고, 그에 따라 플라즈마가 관통 홀을 통과하는 것을 제한하고 그리고 플라즈마를 관통 홀(720) 위의 영역 내에서 수용(containing)한다. 그러나, 라디칼 또는 중성 종은 관통 홀(720)을 통과할 수 있다. 따라서, 원치 않는 종이 통과하는 것을 방지하거나 제어하도록, 관통 홀(720)이 플라즈마(725)를 필터링할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 관통 홀들의 작은 ID 영역(726)이 1 mm 또는 그 미만의 ID를 포함한다. 관통 홀들을 통해서 침투하는 라디칼 및/또는 중성 종의 상당한 농도를 유지하기 위해서, 작은 ID 영역의 길이 및/또는 테이퍼 각도가 제어될 수 있다.
플라즈마의 통과를 방지하는 것에 부가하여, 희망하는 레벨의 플라즈마가 관통 홀을 통과할 수 있게 허용되도록 플라즈마의 통과를 조절하기 위해서 본원에 설명된 관통 홀들이 이용될 수 있다. 관통 홀들을 통한 플라즈마의 유동을 조절하는 것은, 플라즈마의 희망하는 분율(fraction)이 비활성화 또는 중성화되지 않고 이온 억제부를 통과할 수 있도록 이온 억제부 플레이트 위쪽의 가스 영역 내의 플라즈마의 압력을 높이는 것을 포함할 수 있다.
이제 도 8을 참조하면, 용량 결합형 플라즈마(CCP) 유닛(800)의 단순화된 도면이 도시되어 있다. 구체적으로, 도시된 CCP 유닛(800)은, 플라즈마가 내부에서 수용되는 플라즈마 발생 영역(810)을 규정하는 상단부 플레이트(802) 및 하단부 플레이트(804)를 포함한다. 전술한 바와 같이, 플라즈마가 RPS(미도시)에 의해서 발생될 수 있고 그리고 관통 홀(806)을 통해서 플라즈마 발생 영역(810)으로 전달될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 예를 들어, 상단부 플레이트(802) 및 하단부 플레이트(804)를 파워 발생 유닛(미도시)에 커플링된 제 1 및 제 2 전극들로서 이용함으로써, 플라즈마가 CCP 유닛(800) 내에서 발생될 수 있다.
상단부 플레이트(802)는, 그러한 상단부 플레이트(802)를 통한 플라즈마의 역류를 방지하면서, 프로세스 가스 및/또는 플라즈마가 플라즈마 발생 영역(810) 내로 전달될 수 있게 허용하는 관통 홀(806)을 포함할 수 있다. 관통 홀(806)이 관통 홀(730)과 유사하게 구성될 수 있고, 제 1, 제 2, 및 제 3 ID 영역들(각각, 820, 822, 및 824)을 가지고, 근처의 영역들(828 및 829) 사이의 챔퍼가공된 엣지 및 제 3 ID 영역(824)과 출구 ID 사이에서 전이되는 테이퍼형 영역(826)을 가진다. 제 3 ID 영역(824)과 출구 ID 사이의 테이퍼형 영역(826) 및/또는 제 2 및 제 3 ID 영역들(각각, 822 및 824) 사이의 챔퍼가공된 엣지는, 플라즈마가 관통 홀(806)을 침투할 때, 이온 종을 비활성화 또는 중성화시킴으로써 플라즈마의 역류를 방지할 수 있다.
유사하게, 하단부 플레이트(804)는, 이온 종의 통과를 방지 또는 제어하면서 라디칼 또는 중성 종이 관통 홀을 통과할 수 있게 허용하는 관통 홀(808)을 포함할 수 있다. 관통 홀(808)이 관통 홀(720)과 유사하게 구성될 수 있고, 큰 ID 영역(830), 작은 ID 영역(832), 및 상기 큰 ID 영역(830)과 상기 작은 ID 영역(832) 사이에서 전이되는 테이퍼형 영역(834)을 가진다. 테이퍼형 영역(834)은, 앞서서 설명한 바와 같이, 라디칼 또는 중성 종이 통과할 수 있게 허용하면서, 이온 종을 비활성화 또는 중성화시키는 것에 의해서 플라즈마가 관통 홀(808)을 통해서 유동하는 것을 방지할 수 있다.
플라즈마가 관통 홀들(802 및/또는 804)을 통과하는 것을 추가적으로 방지하기 위해서, 상단부 플레이트(802) 및/또는 하단부 플레이트(804)가 전하를 수용(receive)하여 플라즈마를 전기적으로 바이어스시킬 수 있고 그리고 플라즈마를 플라즈마 발생 영역(810) 내에서 수용(contain)할 수 있고 및/또는 하단부 플레이트를 통과하는 활성화된 가스 내의 이온 농도를 조정할 수 있다. CCP 유닛(800) 내에서 상단부 플레이트(802) 및 하단부 플레이트(804)를 이용하면, 플라즈마가 플라즈마 발생 영역(810) 내에서 실질적으로 발생되고 및/또는 유지될 수 있는 한편, 라디칼 및 중성 종이 하나 또는 둘 이상의 전구체 가스들과 혼합되도록 가스 반응 영역으로 전달되어 기판 표면으로부터 재료를 에칭하거나 기판 표면 상으로 재료를 증착한다.
여러 실시예들을 설명하였지만, 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않으면서, 다양한 변형들, 대안적인 구성들, 및 등가물들이 사용될 수 있다는 것이 당업자에 의해 인지될 것이다. 부가적으로, 본 발명을 불필요하게 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해, 복수의 공지된 프로세스들 및 요소들을 설명하지 않았다. 따라서, 상기 설명이 본 발명의 범위를 한정하는 것으로서 취해지지 않아야 한다.
수치 범위가 주어진 경우, 그러한 수치 범위의 상한들과 하한들 사이에 존재하는 각각의 값은, 달리 명백히 표시되어 있지 않는 한 하한의 단위의 소수점 이하 추가 한 자리까지 또한 구체적으로 기재된 것으로 해석된다. 명시된 범위 내의 임의의 명시된 값 또는 그 범위에 속하는 값과 그러한 명시된 범위 내의 임의의 다른 명시된 값 또는 그 범위에 속하는 다른 값 사이에 존재하는 각각의 소범위가 포함된다. 이러한 소범위들의 상한들과 하한들은 독립적으로 그러한 범위에 포함되거나 그러한 범위에서 제외될 수 있고, 각각의 범위는, 상한과 하한 중 하나 또는 둘 모두가 그러한 소범위들에 포함되든지 그러한 소범위들에서 제외되든지 간에, 임의의 한계값이 명시된 범위에서 구체적으로 제외된 것이 아닌 한, 또한 본 발명에 포함된다. 명시된 범위가 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 경우, 그렇게 포함된 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 제외한 범위들이 또한 포함된다.
여기서 및 첨부된 청구항들에서 사용된 바와 같이, 단수 형태들("a", "an", 및 "the")은, 문맥이 명확히 달리 기술하고 있지 않는 한, 복수의 언급 대상들을 포함한다. 따라서, 예를 들어, "프로세스"에 대한 언급은 복수의 그러한 프로세스들을 포함하고, "전극 개구부"에 대한 언급은 하나 또는 둘 이상의 전극 개구부들 및 당업자에게 알려져 있는 전극 개구부의 균등물들에 대한 언급을 포함하고, 기타 등등의 경우도 마찬가지다.
또한, "포함한다(comprise)", "포함하는(comprising)", "구비한다(include)", "구비하는(including)" 및 "구비한다(includes)"라는 단어들은, 본 명세서에서 그리고 이하의 청구항들에서 사용되는 경우에, 기술된 특징들, 정수들, 구성요소들, 또는 단계들의 존재를 특정하도록 의도되지만, 이들이 하나 또는 둘 이상의 다른 특징들, 정수들, 구성요소들, 단계들, 동작들, 또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것은 아니다.
Claims (14)
- 기판 프로세싱 시스템으로서:
프로세싱 챔버에 제 1 가스를 공급하기 위한 가스 입구;
상기 가스 입구와 커플링되고 상기 챔버로 라디칼 전구체 종들을 공급하도록 구성되는 원격 플라즈마 유닛;
제 1의 복수의 개구부들을 구비한 샤워헤드 - 상기 제 1의 복수의 개구부들의 각 개구부는 상기 샤워헤드를 관통하여 연장하는 길이에 의해 특징지어지고, 상기 제 1의 복수의 개구부들의 각각은 각각의 개구부의 길이를 따라 적어도 부분적으로 상기 샤워헤드의 상부 표면으로부터 직경이 테이퍼링됨(taper) - ;
상기 제 1 가스를 활성화된 가스로 여기하도록 상기 프로세싱 챔버 내에 위치하는 활성화 영역으로서,
상기 활성화 영역은:
적어도 하나의 개구부를 포함하는 전극; 및
상기 샤워헤드 위에 위치되는 이온 억제부 플레이트(ion suppressor plate)
사이에서 규정되고,
상기 이온 억제부 플레이트는 상기 활성화된 가스의 통과를 허용하도록 제 2의 복수의 개구부들을 구비하는 전기 전도성 플레이트를 포함하고, 상기 이온 억제부 플레이트는 상기 활성화 영역을 상부 영역과 하부 영역으로 나누고, 상기 하부 영역은 상기 이온 억제부 플레이트의 하부 표면과 상기 샤워헤드의 상부 표면 사이에서 규정되고,
상기 제 2의 복수의 개구부들의 각 개구부는 상기 이온 억제부 플레이트를 관통하여 연장하는 길이에 의해 특징지어지고, 상기 제 2의 복수의 개구부들의 각각은 각각의 개구부의 길이를 따라 적어도 부분적으로 상기 이온 억제부 플레이트의 하부 표면으로부터 직경이 테이퍼링되고, 상기 제 2의 복수의 개구부들의 각 개구부의 직경 테이퍼는 상기 이온 억제부 플레이트 아래에서 생성되는 플라즈마 입자들이 상기 제 2의 복수의 개구부들을 통하여 위로 유동하는 것을 적어도 부분적으로 방지하도록 15° 내지 30°의 테이퍼 각도에 의해 특징지어지는,
상기 활성화 영역;
상기 샤워헤드와 기판 사이에서 규정되는 반응 영역; 및
상기 이온 억제부 플레이트 및 상기 샤워헤드에 커플링되는 전기 파워 공급부 - 상기 전기 파워 공급부는 상기 활성화 영역의 상기 하부 영역에서 플라즈마를 발생하도록 구성됨 -
를 포함하는,
기판 프로세싱 시스템.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 반응 영역 아래에 위치되는 받침대에 의해 지지되는,
기판 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 전기 파워 공급부는 상기 활성화 영역으로부터 상기 반응 영역으로 통과하는 활성화된 가스 내의 이온 농도를 조정하기 위해, 상기 이온 억제부 플레이트에서 조정가능한 바이어스 전압을 생성하도록 동작 가능한,
기판 프로세싱 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 이온 억제부 플레이트는 상기 반응 영역으로 통과하는 활성화된 가스 내의 이온 농도를 감소시키는,
기판 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
전극 및 이온 억제부 플레이트는 프로세싱 챔버 내부에 위치된 용량 결합형 플라즈마(capacitively coupled plasma; CCP) 유닛의 전극들을 포함하는,
기판 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1의 복수의 개구부들은 상기 제 2의 복수의 개구부들과 동심적으로(concentrically) 정렬되는,
기판 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1의 복수의 개구부들의 각 개구부의 직경 테이퍼는 15° 내지 30°의 테이퍼 각도에 의해 특징지어지는,
기판 프로세싱 시스템. - 가스 입구;
기판을 지지하도록 구성되는 받침대;
상기 가스 입구와 상기 받침대 사이에 위치되고 제 1의 복수의 개구부들을 규정하는 전기 전도성 플레이트를 포함하는 샤워헤드;
상기 가스 입구와 상기 샤워헤드 사이에 위치되고 제 2의 복수의 개구부들을 규정하는 전기 전도성 플레이트를 포함하는 가스 분배 플레이트 - 상기 가스 분배 플레이트는 제 1 전기 파워 공급부와 커플링되고, 상기 제 2의 복수의 개구부들의 각각의 개구부는 상기 가스 분배 플레이트를 관통하여 연장하는 길이에 의해 특징지어짐 - ;
상기 가스 분배 플레이트의 제 1 표면과 상기 샤워헤드의 제 1 표면 사이에서 규정되는 활성화 영역; 및
상기 샤워헤드의 제 1 표면을 대향하는 상기 샤워헤드의 제 2 표면과 상기 받침대 사이에서 규정되는 반응 영역을 포함하고,
상기 샤워헤드의 제 1 표면이 상기 받침대에 가까운 것보다 상기 샤워헤드의 제 2 표면이 상기 받침대에 더 가깝고,
상기 가스 분배 플레이트의 상기 제 1 표면을 대향하는 상기 가스 분배 플레이트의 제 2 표면이 상기 받침대에 가까운 것보다 상기 가스 분배 플레이트의 상기 제 1 표면이 상기 받침대에 더 가깝고,
상기 제 1의 복수의 개구부들의 각 개구부는 상기 샤워헤드를 관통하여 연장하는 길이에 의해 특징지어지고, 상기 제 1의 복수의 개구부들의 각각은 각각의 개구부의 길이를 따라 적어도 부분적으로 상기 샤워헤드의 제 1 표면으로부터 직경이 테이퍼링되고,
상기 제 2의 복수의 개구부들의 각각은 각각의 개구부의 길이를 따라 적어도 부분적으로 상기 가스 분배 플레이트의 제 1 표면으로부터 직경이 테이퍼링되고, 상기 제 2의 복수의 개구부들의 각 개구부의 직경 테이퍼는 15° 내지 30°의 테이퍼 각도에 의해 특징지어지는,
기판 프로세싱 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1의 복수의 개구부들의 각 개구부의 직경 테이퍼는 15° 내지 30°의 테이퍼 각도에 의해 특징지어지는,
기판 프로세싱 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 샤워헤드는 상기 제 1의 복수의 개구부들과 교차하지 않는 복수의 가스 주입 개구들을 포함하는,
기판 프로세싱 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1의 복수의 개구부들 중 적어도 하나의 개구부는 상기 제 2의 복수의 개구부들 중 적어도 하나의 개구부와 동심적으로 정렬되는,
기판 프로세싱 시스템. - 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161433633P | 2011-01-18 | 2011-01-18 | |
| US61/433,633 | 2011-01-18 | ||
| US13/251,663 US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2011-10-03 | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US13/251,663 | 2011-10-03 | ||
| PCT/US2011/066281 WO2012099681A2 (en) | 2011-01-18 | 2011-12-20 | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140043721A KR20140043721A (ko) | 2014-04-10 |
| KR101697479B1 true KR101697479B1 (ko) | 2017-01-18 |
Family
ID=46489871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020137021493A KR101697479B1 (ko) | 2011-01-18 | 2011-12-20 | 용량 결합형 플라즈마를 이용하는 반도체 프로세싱 시스템 및 방법들 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20120180954A1 (ko) |
| JP (1) | JP2014510390A (ko) |
| KR (1) | KR101697479B1 (ko) |
| CN (1) | CN103329251A (ko) |
| TW (1) | TW201234461A (ko) |
| WO (1) | WO2012099681A2 (ko) |
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- 2011-10-03 US US13/251,663 patent/US20120180954A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-20 KR KR1020137021493A patent/KR101697479B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-20 CN CN2011800659032A patent/CN103329251A/zh active Pending
- 2011-12-20 WO PCT/US2011/066281 patent/WO2012099681A2/en active Application Filing
- 2011-12-20 JP JP2013549429A patent/JP2014510390A/ja active Pending
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- 2012-01-16 TW TW101101602A patent/TW201234461A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201234461A (en) | 2012-08-16 |
| CN103329251A (zh) | 2013-09-25 |
| WO2012099681A2 (en) | 2012-07-26 |
| KR20140043721A (ko) | 2014-04-10 |
| JP2014510390A (ja) | 2014-04-24 |
| US20120180954A1 (en) | 2012-07-19 |
| US9144147B2 (en) | 2015-09-22 |
| US20130153148A1 (en) | 2013-06-20 |
| WO2012099681A3 (en) | 2012-09-13 |
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| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
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