JP4249843B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置に関し、特に、プラズマを発生させる交流電力を真空容器の内部に導入する構造に特徴があるプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図17は誘電結合型のプラズマ発生装置を有する従来のプラズマ処理装置の正面断面図である。真空容器は下部容器10と上部容器12からなり、両者は互いに連通している。概略円筒形状の下部容器10は金属製である。上部容器12は放電容器となっており、その側壁は誘電体製の電力導入窓14になっている。電力導入窓14は例えば内径362mm、高さ100mmの円筒形状である。電力導入窓14の周囲には、これを取り囲むように、ほぼ環状(ループ状)のアンテナ18が配置されている。上部容器12の上板16は金属製で接地されている。真空容器の内部は排気口20から排気される。処理ガスは上板16に接続されたガス導入系22から導入される。被処理基板26は基板ホルダー24の上に載っている。基板ホルダー24がプラズマ処理時の位置にあるときは、その表面(基板26を載せる面)は、上部容器12の下端(下部容器10に連通する部分)の近傍に位置している。
【0003】
図17のプラズマ処理装置は次のように用いる。真空容器の内部に処理ガスを導入して100Pa以下の所望の放電圧力に維持する。その状態で、アンテナ18に周波数13.56MHzの高周波電力を供給し、電力導入窓14を通して電力を上部容器12の内部に供給する。これにより、上部容器12内にプラズマが発生する。プラズマ中の活性種は、基板ホルダー24に載っている基板26の表面を処理する(例えば、エッチングしたり成膜したりする)。
【0004】
図19は図17の装置で用いているアンテナ18の斜視図である。このアンテナ18は実質的に環状であり、その一部に給電部としての切れ目を入れてある。アンテナ18の横断面形状は水平方向に細長い矩形である。この横断面の上下方向の寸法aは2mm、水平方向の寸法bは15mmである。上下方向の寸法aは、円筒形状の電力導入窓の中心軸に平行に測った寸法であり、アンテナ幅と呼ぶことができる。水平方向の寸法bは、電力導入窓の中心軸に垂直に測った寸法であり、アンテナ厚みと呼ぶことができる。
【0005】
アンテナ18を用いてプラズマを生成する場合、周波数13.56MHzの高周波電力を用いると、ほぼ完全な誘導結合によりプラズマが生成される(特開平8−203695号公報を参照)。このアンテナ18は、上部容器12内のプラズマに向かい合う内周面の部分の面積が小さいので(すなわち、アンテナ幅aが小さいので)、ほぼ完全な誘導結合のみによってプラズマ生成が実現され、効率的なプラズマ生成が可能となる。
【0006】
図18は図17の装置において基板交換をするときの状態を示す正面断面図である。基板ホルダー24を下げてから、ゲートバルブ28を開いて基板搬入出口30を開放し、適当な基板搬送装置(図示せず)を用いて基板26を交換する。誘電体製の電力導入窓14には基板搬入出口30を設けることが困難であるから、このように下部容器10に基板搬入出口30を設けて、基板ホルダー24を下げてから基板26を交換する必要がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、真空容器中でプラズマ処理を行うと真空容器の内壁面に膜が堆積する。例えば、基板上の酸化膜をエッチングをする場合には、フロン系の処理ガスを用いるので有機系の膜が堆積する。また、CVDプロセスでは、基板以外の部分にも膜が堆積する。真空容器の内壁面に堆積した膜は、真空容器の内壁面の温度が変化すると剥離しやすくなる。その理由は、堆積膜の熱膨張係数が真空容器の内壁面の熱膨張係数と異なることに起因して、真空容器の内壁面の温度が変化すると堆積膜に応力が発生するからである。剥離した堆積膜は真空容器内に落下して、ゴミの原因となる。堆積膜の応力による剥離を防ぐためには、真空容器を一定温度に加熱維持する必要がある。
【0008】
図17に示すプラズマ処理装置では、高周波電力を導入するための電力導入窓14は不可欠であるが、この電力導入窓14は誘電体でできているので、金属製の下部容器10に比べて、所定温度に均一に加熱することが難しい。電力導入窓14の加熱方法としては、抵抗加熱や、光加熱、液体による加熱などが考えられる。しかし、電力導入窓14の近傍では高周波の電界が強くなっているので、抵抗加熱や、ランプによる光加熱の場合には、その電気回路が高周波の電界を乱すとともに、高周波電力が加熱用電気回路に重畳されて電気回路を損傷させるおそれがある。また、誘電体として一般的な石英ガラスを用いると、この石英ガラスは赤外領域の光のほとんどを透過するので、光を用いた加熱方法では加熱効率が悪くて、均一な加熱が難しい。液体を用いた加熱方法では、電力導入窓を二重構造にしてその隙間に液体を流して電力導入窓の温度制御を行うことになるが、液体の漏洩の危険性があり、電力導入窓の構造も複雑になる。このように、誘電体製の電力導入窓を均一に加熱するのは容易ではない。電力導入窓を均一に加熱できなければ、電力導入窓の内壁面に堆積した膜が、応力によって剥離する危険性が増大する。
【0009】
電力導入窓は、基板の大面積化に伴い大面積化の傾向にあるため、電力導入窓には温度勾配が発生しやすくなる。この温度勾配も堆積膜の剥離をし易くする原因になる。さらに、誘電体製の電力導入窓が大型化すると、破損の危険性も増大する。
【0010】
結局、従来のプラズマ処理装置では、誘電体製の電力導入窓の内壁面に膜が堆積してしまうと、この堆積膜の剥離を防ぐのが難しい。
【0011】
本発明は上述の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、電力導入窓に堆積した膜が剥離しても、これが基板に対するゴミとならないプラズマ処理装置を提供することにある。本発明の別の目的は、ゴミの少ない経済効率の良いプラズマ処理装置を提供することにある。本発明のさらに別の目的は、放電容器のところで基板交換が可能なプラズマ処理装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマを発生させるための交流電力を真空容器の内部に導入するための電力導入部に特徴がある。この電力導入部は誘電体を備えていて、この誘電体の少なくとも一部は真空容器の内部空間に露出している。そして、この誘電体の露出した部分は、プラズマ処理時の位置にある基板ホルダーの基板載置面からは見えない位置にあり、かつ、基板ホルダーの基板載置面と真空容器の排気口との間に位置している。
【0013】
電力導入部の誘電体の部分をこのような位置に配置すると、基板から見える真空容器の部分を金属材料で作ることができる。この金属製の真空容器部分は、所望の温度に加熱維持することが容易なので、この真空容器部分に膜が堆積しても、この堆積膜に膜応力が発生しない。ゆえに、この真空容器部分からは堆積膜が剥がれにくくなる。一方で、電力導入部の誘電体の部分に堆積した膜は、上述の金属製の真空容器部分に比べれば、温度変化に起因して生じる膜応力によって剥がれやすくなる。しかし、電力導入部は、基板からは見えない位置にあり、かつ基板よりも下流側に位置しているので、電力導入部の堆積膜が剥がれても、これが基板に落下することはなく、基板に対するゴミとして悪影響を及ぼすことがない。
【0014】
また、基板から見える部分の真空容器部分を金属で作ると、この部分に基板の搬入出口を設けるのも容易になる。このような位置に基板搬入出口を設ければ、基板ホルダーをプラズマ処理時の位置に保ったままで基板交換が可能になる。したがって、基板ホルダーの移動機構が不要になり、基板ホルダーを簡略化できる。
【0015】
さらに、電力導入部の誘電体を真空容器の一部(真空封止部分)として利用する場合には、従来装置と比較して、真空容器の一部としての誘電体の面積を小さくできる。したがって、誘電体が破損する危険性が少なくなり、安全性が向上する。また、電力導入部を取り外さなくても、金属製の真空容器部分を開放するだけで、真空容器の内部の保守作業が可能になる。すなわち、取り扱いに注意を要する電力導入部の着脱をしなくて済むという点で保守作業が容易になる。
【0016】
本発明を導入ガスの流れ方向の観点から表現すると次のようになる。ガス導入系から導入された導入ガスが真空容器の内部を流れるときの流れの方向に沿って上流と下流を定義すると、電力導入部の誘電体が真空容器の内部空間に露出している部分よりも上流側に基板ホルダーの基板載置面が存在し、上記露出部分よりも下流側に排気系への排気口が存在している。
【0017】
電力導入部の代表的な構成は次の通りである。電力導入部は実質的に円環形状のアンテナを含み、このアンテナと真空容器の内部空間との間に誘電体が存在している。このアンテナに高周波電力が供給される。アンテナは、誘電体の内部に埋め込んでもよいし、誘電体製の窓の大気側に配置してもよい。そして、前記電力導入部と前記基板ホルダーとの間に排気用の隙間が形成され、前記誘電体の前記露出した部分は、前記隙間に近づくにつれて基板ホルダーの基板載置面から離れる方向に、すなわち排気方向に、傾斜している。このように傾斜させることで、処理ガスの溜りができにくくなり、処理ガスの流れがスムーズになる。処理ガスの流れがスムーズになれば、それだけ真空容器の内壁に堆積する膜も少なくなり、ゴミの発生が少なくなる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。なお、特許請求の範囲を補正したことにより、以下の実施例中には、補正後の特許請求の範囲に含まれないものもあるが、出願当初の明細書に記載した通りに実施例として記載している。図1は、本発明の第1の実施形態の正面断面図であり、図2はその一部を切り欠いて示した斜視図である。真空容器は下部容器32と電力導入部34と上部容器36からなり、これらは互いに連通している。電力導入部34と上部容器36とで放電容器を構成している。概略円筒形状の下部容器32は金属製である。電力導入部34は円環形状であり、放電容器の下方部分を構成している。真空容器の内部には基板ホルダー38が配置されていて、処理対象である基板26は基板ホルダー38の上に載せられる。基板ホルダー38の表面(基板26を載せる面)の高さ位置は、電力導入部34の最上部の高さよりも高い位置にある。放電容器の内部では、電力導入部34から供給される高周波電力によって放電が生じ、プラズマが発生する。
【0019】
基板ホルダー38にはバイアス電圧を印加できるようにしてもよい。バイアス電圧としては、直流バイアス電圧だけ、交流バイアス電圧だけ、直流バイアス電圧と交流バイアス電圧の併用、の3種類のうちのどれかを採用できる。また、基板ホルダー38には基板温度を調整するための温度調整機構を設けてもよい。
【0020】
上部容器36は金属製であり、下部容器32と同様に接地電位である。上部容器36の上板にはガス導入系40が接続されている。このガス導入系40の先端にはシャワーヘッド状のガス吹き出し口を設けるのが好ましい。ガス導入系40は上部容器36の側壁に接続することもできる。上部容器36の側壁の大気側にはヒータ42を設けてある。このヒータ42により、上部容器36の内壁面を所望温度(例えば70℃以上の適当な温度)に加熱維持することができる。
【0021】
上部容器36の内部は、電力導入部34と基板ホルダー38の間の環状の隙間37を通して下部容器32の内部とつながっている。ガス導入系40から供給された処理ガスは、上述の環状の隙間37を通して下部容器32内に導かれて、排気口44から排気される。これにより、上部容器36の内部が所望の減圧状態に維持される。
【0022】
電力導入部34は、実質的に環状の(一部に切れ目を有する)アンテナ46を内蔵している。図3は電力導入部34の一部を切り欠いて示した斜視図である。この電力導入部34は、実質的に環状のアンテナ46を、横断面が矩形をした環状の誘電体48(例えばアルミナ等のセラミックス)の内部に埋め込んだものである。そして誘電体48の表面を導電性(すなわち金属製)の覆い50で覆っている。覆い50は誘電体48の内周面と外周面と底面とを覆っている。誘電体48の上面は放電空間内に露出している。覆い50は、真空容器の一部として組み立てられた状態では、上部容器36及び下部容器32に接触していて、接地電位となっている。したがって、この電力導入部34は、覆い50の存在しない方向すなわち上方に向かって高周波電力を真空容器の内部に供給することになる。アンテナ46には切れ目があり、この切れ目のところに二つの端子52が接合されている。これらの端子52は半径方向外方に延びていて、プラズマ発生用の電源に接続されている。端子52の付近では、覆い50が部分的に取り除かれていて誘電体48が外周面に露出している。この電力導入部34の寸法は、内径が340mm、外径が500mm、高さが80mmである。
【0023】
図4(A)は電力導入部34の横断面の拡大断面図である。誘電体48の上面(真空容器の内部空間に面している表面)とアンテナ46の上端との距離Hは、放電特性に影響を与える。距離Hを短くすると、強い電界を真空容器内に発生できるので、効率の良い放電を行うことができる。一方で、距離Hを短くすることについては次のような制約がある。プラズマ56が発生すると、誘電体48の上面には負電圧のシース54が形成される。負シース54の厚みtはプラズマ密度に依存している。この厚みtは、アンテナ46とプラズマ56との間の容量結合に影響を与え、整合条件を変化させる。アンテナ46とプラズマ56の間の距離(Hとtの合計値にほぼ等しい)のうち、負シース54の厚みtの占める割合が相対的に小さくなれば、厚みtが多少変化しても、アンテナ46とプラズマ56の間の距離(H+t)の変化割合は比較的少なくて済む。したがって、距離Hをある程度大きくしておけば、負シース54の厚みtが多少変化しても整合条件はあまり変化しなくなる。そこで、安定した放電を得るためには、距離Hは5mm以上とするのが好ましい。なお、距離Hはどんなに大きくしても、アンテナ46と覆い50(接地電位)との最短距離までである。距離Hがアンテナ46と覆い50の最短距離よりも大きくなると、アンテナ46とプラズマ56との電気的結合よりも、アンテナ46と覆い50との電気的結合の方が強くなってしまい、効率良くプラズマ56に電力を供給することが不可能になってくるからである。アンテナ46と覆い50との距離は、実際上はプラズマ処理装置の大きさの制約から自ずと定まってくるものであり、通常は数十mm程度である。
【0024】
この実施形態では誘電体48を一体型としているが、図4(B)に示すように、誘電体48の上に別の円環形状の誘電体58を重ねるようにしてもよい。この誘電体58は、安定な放電を得るための距離を確保する役割を果たす。
【0025】
図4(A)に戻って、アンテナ46の横断面は矩形であり、その水平方向の寸法aがアンテナ幅である。この狭いアンテナ幅の部分がプラズマに対向することになる。効率的なプラズマ生成を行うためには、電力導入部34の横断面において、誘電体48の水平方向(すなわち半径方向)の寸法における中心位置にアンテナ46を配置するのが好ましい。この実施形態では、アンテナ46の内径は420mm、外径は422mm、高さ(アンテナの厚み)は20mmである。アンテナ幅aは2mmである。一般的には、アンテナの厚みはアンテナ幅の3倍以上にするのが好ましい。この実施形態ではアンテナの厚みはアンテナ幅の10倍になっている。
【0026】
上述の構成を有するプラズマ処理装置は、次のように使用する。図1において、真空容器の内部を排気系で排気し、所定の真空状態にする。その後、ガス導入系40から処理ガスを上部容器36内に導入し、同時に排気系で排気して、所望の減圧状態(例えば、100Pa以下の圧力)に保つ。次に、プラズマ発生用の電源からアンテナ46に高周波電力を供給して、上部容器36の内部にプラズマを生成する。高周波電力は、主として誘電体48の上面近傍の処理ガスの粒子を活性化させてプラズマを生成する。生成されたプラズマは、上部容器36内で拡散して、基板ホルダー38上の基板26の表面に達する。基板26の表面はプラズマ中の活性種により処理される(エッチングされたり成膜されたりする)。
【0027】
このようなプラズマ処理装置において、基板26の表面からは、金属製の上部容器36の内壁面だけが見えて、電力導入部34を見ることはできない。上部容器36の内壁面は一定温度に維持されているので、上部容器36の内壁面に膜が堆積しても、この堆積膜は剥がれにくい。すなわち、上部容器36の内壁面の温度変化が小さいので、堆積膜と上部容器との熱膨張係数の差に起因する膜応力があまり発生せず、堆積膜は剥離しにくい。これに対して、電力導入部34は温度制御をしていないので、電力導入部34の放電空間への露出面(特に誘電体48の上面)に堆積した膜は、膜応力により剥離しやすい。しかしながら、電力導入部34は基板26の表面からは見えない位置にあるので、電力導入部34から堆積膜が剥離したとしても、その剥離物が基板表面に落下することがなく、基板表面に対するゴミとして悪影響を及ぼすことがない。
【0028】
プラズマ処理装置のように高密度プラズマを利用する装置では、供給ガスが過度に解離したときに生成されるガス分子が問題になることがある。例えば、シリコン酸化膜のエッチングで用いるC4F8ガスでは、CF、CF2といった高解離の活性種が多く発生する。シリコン酸化膜のエッチングの化学反応式によれば、C:Fの成分比が1:4であることが望ましいが、高解離の活性種ではC/Fの比率が大きいので、エッチングのための理想的な比率から外れている。したがって、上述の高解離の活性種が増えると、エッチング反応の際に、Cの多い堆積膜が逆に形成されてしまう。この高解離の活性種は真空容器の内壁面にも堆積する。ゆえに、高解離の活性種を抑制することは、真空容器の内壁面の堆積膜を減少させることにつながり、ゴミを減少させることになる。
【0029】
高解離の活性種は次のようなメカニズムで発生すると考えられる。電力導入部34の誘電体48の上面近傍は、高周波電力が実際に供給される領域であり、この領域の電子は、処理ガスの分子の結合エネルギーを超える高いエネルギーを有している。このような電子が処理ガスを高度に解離して、高解離の活性種を発生させている。活性種は、荷電粒子と中性粒子とに大別されるが、プラズマ中では、中性粒子密度の方が荷電粒子密度よりも大きい。荷電粒子は、主としてプラズマの空間電位の差(電気的なポテンシャルの差)によって拡散し、一方で、中性粒子は、1Pa程度よりも高い圧力ではガスの流れや圧力差の影響を受ける。この実施形態では、電力導入部34は基板ホルダー38の基板載置面(上面)よりも排気側に(図面では下側に)配置されているので、電力導入部34の近傍で発生した高解離のガス分子は、基板26の方向に拡散することなく、処理ガスと共に排気されやすい。したがって、高解離のガス分子が基板26に到達する確率は低くなる。
【0030】
この実施形態では、真空容器の一部を兼ねた誘電体48の、真空容器内部に露出する面積は、図17に示す従来のプラズマ処理装置と比較して小さくできる。したがって、真空容器の一部を兼ねた誘電体を小さくすることができ、誘電体が破損する危険性が小さくなり、安全性が向上する。
【0031】
プラズマ処理装置は、実際の使用に際しては保守作業も必要である。図17に示した従来のプラズマ処理装置では、保守作業の際に、誘電体の電力導入窓14の取り外し・取り付けをする必要があり、その取り扱いには十分注意しなければならない。これに対して、図1に示す本実施形態のプラズマ処理装置では、上部容器36を取り外すだけで放電容器の内部の保守作業が可能になり、保守作業が容易になる。
【0032】
本実施形態の電力導入部34では、図3に示すように、誘電体48の上面がすべて、放電容器の内部空間に露出している。しかし、放電効率が低下しない程度に、誘電体48の上面の一部をさらに導電性の覆い50で覆っても構わない。すなわち、誘電体48の上面の内周側と外周側とを導電性の覆い50で覆って、誘電体48の上面の半径方向の中央部分だけを円環状に露出させるようにしてもよい。その際、誘電体48の円環状の露出部分の半径方向の露出幅は、アンテナ幅aの2倍以上にするのが好ましい。
【0033】
本実施形態のアンテナ46の横断面の形状は、図4(A)に示すように矩形であるが、これを図4(C)に示すように、上端が鋭角のナイフ状にしてもよい。こうすると、アンテナ46aとプラズマとの間の容量結合はさらに小さくなる。アンテナの形状は本発明の本質に関わるものではないから、これ以外にも、アンテナの形状はさまざまに変更できて、そのようにしても本発明の効果は失われない。
【0034】
次に、基板の搬入出について述べる。図5は図1のプラズマ処理装置において基板搬入出口が見えるように切断した側面断面図である。上部容器36の側壁には基板搬入出口59が設けられている。ゲートバルブ60を開くことで、適当な基板搬送装置を用いて基板26を搬入出することができる。このように、上部容器36に基板搬入出口59を設けることで、基板ホルダー38をプラズマ処理を行うときと同じ位置に保ったままで、基板26の搬入出が可能になる。したがって、基板ホルダー38の昇降装置は不要になり、基板ホルダー38を簡略化できる。
【0035】
図6は本発明の第2の実施形態の正面断面図である。ただし、放電容器とその近傍だけを示している。この第2の実施形態は、上部容器の上部の形状と電力導入部の構造とが第1の実施形態と異なっている。それ以外の部分は第1の実施形態と同じである。上部容器36bの上部はドーム形状(すなわち、丸天井)になっている。また、電力導入部34bは、その横断面形状において、その上面(すなわち誘電体48bの表面)が中心に向かって下がるように(すなわち、中心に近づくにつれて基板ホルダーの基板載置面から離れる方向に)傾斜している。処理ガスはガス導入系40からシャワー状に導入され、基板には常に新しい処理ガスが供給される。上述のように上部容器36bをドーム形状にし、かつ、電力導入部34bの上面を傾斜させたことにより、放電容器の内部空間には、直角に交差するような隅部がなくなった。これにより、処理ガスの溜りができにくい。これに対して、図1に示す第1の実施形態では、上部容器36の側壁とその上板との交差個所や、電力導入部34の上面と上部容器36の側壁との交差個所において、直角に交差する隅部があるので、この部分に処理ガスの渦ができやすい。したがって、処理ガスの溜りができやすい。第2の実施例は第1の実施例と比較して、処理ガスの流れがスムーズであり、処理ガスが効率的に交換される。さらに、上部容器36bの側壁に補助用のガス導入口を設けてガスの流れを矯正するようにしてもよい。こうすると、処理ガスの交換がさらにスムーズになる。処理ガスの流れがスムーズになれば、それだけ真空容器の内壁に堆積する膜も少なくなり、ゴミの発生が少なくなる。
【0036】
図4(D)は図6の第2の実施形態で使用している電力導入部34bの横断面形状を拡大して示したものである。誘電体48bの上面(すなわち、電力導入部34bの上面)は中心に向かって(図の右側に向かって)下がるように傾斜している。アンテナ46bの横断面の形状は2mm×20mmの矩形であり、その長手方向は誘電体48bの表面に対して垂直になっている。アンテナ46bの上端から誘電体48bの表面までの距離は、図4(A)の場合と同様に、5mm以上にするのが好ましい。
【0037】
図7は本発明の第3の実施形態の正面断面図である。ただし、放電容器とその近傍だけを示している。この第3の実施形態は、電力導入部の構造だけが第2の実施形態と異なっている。それ以外の部分は第2の実施形態と同じである。電力導入部34cは、その横断面形状において、その上面が、下に凸の曲線となっており(3次元的には曲面になっている)、この曲線が、全体として中心に向かって下がるように傾いている。この実施形態では、図6に示す第2の実施形態よりもさらに渦の発生が少なくなり、処理ガスの流れがスムーズになる。図4(E)は図7の第3の実施形態で使用している電力導入部34cの横断面形状を拡大して示したものである。誘電体48cの上面(すなわち、電力導入部34cの上面)は曲面となっている。アンテナ46cの横断面の形状は2mm×20mmの矩形であり、その長手方向は誘電体48cの表面の接線に対して垂直になっている。アンテナ46cの上端から誘電体48cの表面までの距離は、図4(A)の場合と同様に、5mm以上にするのが好ましい。
【0038】
この実施形態のように電力導入部34cの上面を曲面にすることで、クリーニングガスを用いたクリーニングが容易となる。クリーニングに要する時間は、クリーニングガス粒子が最も到達しにくい領域(電力導入部34cの上面と上部容器36cの側壁とが交差する隅部86)でのクリーニング効率によって決定される。図7に示す第3の実施形態では、電力導入部34cの上面を、曲率の大きな曲面にすることで、図6に示す第2の実施形態よりも、上述の隅部86でのクリーニングガス粒子の到達率を向上させることができ、クリーニング速度を高めることができる。
【0039】
図8は本発明の第4の実施形態の正面断面図である。ただし、放電容器とその近傍だけを示している。この第4の実施形態は、電力導入部の構造だけが第3の実施形態と異なっている。それ以外の部分は第3の実施形態と同じである。電力導入部34dの上面の形状は、図7に示す第3の実施形態と同じである。したがって、処理ガスの流れは良好である。ただし、アンテナを誘電体に埋め込む代わりに、板状の電力導入窓62を用いている。図4(F)は図8の第4の実施形態で使用している電力導入部34dの横断面形状を拡大して示したものである。電力導入窓62は、下に凸の曲面となっている曲面板である。その厚さは例えば5mmである。電力導入窓62の下側にアンテナ46dが配置されている。電力導入窓62で真空封止がされているので、アンテナ46dは大気中に配置されている。アンテナ46dの形状は図4(E)に示すものと同じである。アンテナ46dは、その周方向の数箇所において、誘電体製の台座64で支持されている。台座64の材料としては例えばポリテトラフルオロエチレン(RTFE)を用いる。誘電体の内部にアンテナを埋め込む場合と比較して、本実施例のように電力導入窓を用いると、電流導入部を安価に製作できる。
【0040】
図9は本発明の第5の実施形態の正面断面図である。ただし、放電容器とその近傍だけを示している。この第5の実施形態は、磁場印加機構を設けた点だけが第3の実施形態と異なっている。それ以外の部分は第3の実施形態と同じである。この第5の実施形態では、放電容器(上部容器36cと電力導入部34cとから構成される)を取り囲むように磁場印加機構を設けてある。この磁場印加機構は三つのコイル66で構成されている。この磁場印加機構を用いて、磁場強度がゼロとなる円環形状の領域を作ることができる。この領域はNL(Neutral Line)と呼ばれている。三つのコイル66のそれぞれを直流電源に接続して、各コイルに流す電流を調整することで、磁場強度及び磁場方向を制御することができ、これによって、上述のNLの形状及び位置を変更できる。そして、アンテナ46cの近傍に上述のNL領域がくるように調整して、放電を行う。放電空間内に磁場を印加すると、放電容器の内壁面でプラズマ中の粒子が消滅するのを抑制することができ、効率的にプラズマを維持できる。
【0041】
上述の第5の実施形態では、三つのコイル66を用いてNLを形成する例を示したが、他の磁場形状を形成したり、他の磁場印加手法を用いたりすることもできる。例えば、磁石を用いて放電容器の内壁面近傍に複数のラインカスプ磁場(すなわち、バケット磁場)を形成してプラズマの効率的な維持を図ることも可能である。
【0042】
図10は本発明の第6の実施形態の正面断面図である。これまでに説明した第1〜第5の実施形態では、電力導入部と基板ホルダーの間に排気用の隙間を形成しているが、第6の実施形態では、電力導入部34eと上部容器36eの間に排気用の隙間80を形成している。電力導入部34eの内周面は基板ホルダー38eの外周面に固定されていて、電力導入部34eは基板ホルダー38eを隙間なく取り囲んでいる。電力導入部34eの外周は下部容器32eに固定されている。電力導入部34eの上面は基板ホルダー38eの上面よりも低い位置にある。処理ガスはガス導入系40からシャワー状に供給される。処理ガスは基板26に到達した後、放電容器の中心部から外周部に向かって流れて行く。そして、放電空間の最外周で排気されて行く。したがって、放電容器の内壁面の近傍ではガスの渦が発生しにくく、効率的な処理ガスの交換が行われる。
【0043】
図11は図10のプラズマ処理装置で使用している電力導入部34eの一部を切り欠いて示した斜視図である。実質的に環状のアンテナ46eは環状の誘電体48eの内部に埋め込まれている。誘電体48eの内周面と外周面は導電性の覆い50eで覆われている。この電力導入部34eは誘電体48eと覆い50eの間で真空封止されている。アンテナ46eの端子52eは誘電体48eから下側(大気側)に突き出ている。高周波電力は、下部容器32eの下側から端子52eを介してアンテナ46eに供給され、さらに、誘電体48eの上面から放電容器内に供給される。この実施形態では、電力導入部34eの上面を水平面にしているが、処理ガスの流れを円滑にするために、外側に向かって下がって行くように上面を傾斜させてもよい。その場合に、電力導入部の上面を、横断面形状において、直線状にしてもよいし、曲線状にしてもよい。
【0044】
図12は本発明の第7の実施形態の正面断面図である。この実施形態では、電力導入部34fの外周と上部容器36fの間に隙間82を形成すると共に、電力導入部34fの内周と基板ホルダー38fの間にも、排気用の隙間84を形成している。電力導入部34fの外周は複数の支持部68(図13を参照)によって上部容器36fの内壁面に固定されている。この実施形態では、上述の第6の実施形態と同様に、放電空間の最外周で発生しやすい処理ガスの渦を抑制することができる。さらに、電力導入部34fの内外周で排気できるので、電力導入部34fの近傍での処理ガスの排気を効率的に行うことができる。
【0045】
図13は図12のプラズマ処理装置で使用している電力導入部34fの一部を切り欠いて示した斜視図である。この電力導入部34fは、実質的に円環形状のアンテナ46fを誘電体48fの内部に埋め込んだものである。誘電体48fの内外周は導電性の覆い50fで覆われている。覆い50fの外周面には、複数の支持部68が周方向に間隔をおいて固定されており、この支持部68の外周面が上部容器36fの内壁面に固定されている。アンテナ46fの端子52fの近傍には、支持部70があって、この支持部70の内部には誘電体48fが埋め込まれている。したがって、端子52fは上部容器36fからは絶縁されている。支持部68を省略して、支持部70だけで電力導入部34fを上部容器に固定するようにしてもよい。この実施形態では、電力導入部34fの上面を水平面にしているが、処理ガスの流れを円滑にするために、上面の内周端と外周端を直線状または曲線状に下向きに傾斜させることもできる。
【0046】
これまで説明してきた実施形態では、実質的に1巻きのアンテナをひとつだけ用いた誘導結合の例を示した。しかし、これ以外にも、渦巻き状のアンテナを用いてもよいし、実質的に1巻きで直径の異なる複数のアンテナを並列に結合させたものを用いてもよい。
【0047】
以上の実施形態ではアンテナを用いた誘導結合型のプラズマ生成手段を説明してきたが、本発明はその他のプラズマ生成手段にも適用できる。そのような一例として矩形導波管を用いたマイクロ波電力導入部の例を以下に示す。
【0048】
図14は本発明の第8の実施形態の正面断面図である。電力導入部34g以外の構成は第2の実施形態と同じである。電力導入部34gは円形状に巻いた矩形導波管で構成されている。この電力導入部34gは、これまで説明してきたすべての実施形態と同様に、基板ホルダー38上の基板26からは見えない位置に配置されている。
【0049】
図15は図14に示した第8の実施形態で使用している電力導入部34gの一部を切り欠いて示した斜視図である。この電力導入部34gは横断面が矩形の導波管を円環状に巻いたものであり、開口する終端71を備えている。この矩形導波管は下部容器32(図14を参照)に接続された状態で接地電位となる。この矩形導波管の上面(放電空間に面している表面)には複数個の誘電体窓72が設けられている。この誘電体窓72の設置場所は、マイクロ波電力を投入したときに矩形導波管内に形成される定在波の電界が強い位置となるようにする。矩形導波管の内部は大気となっており、誘電体窓72で真空封止されている。矩形導波管の終端71にマイクロ波を導入すると、誘電体窓72からマイクロ波電力が放電容器内に放射される。これにより、放電容器内にプラズマが発生する。
【0050】
この実施形態に定常磁場を印加してECR放電の条件を満たすことで、効率の良いECR放電によるプラズマ生成を行うことも可能である。また、本発明はUHF帯の高周波を利用する場合にも適用できる。
【0051】
図16は本発明の第9の実施形態の一部を切り欠いて示した斜視図である。この実施形態は、上部容器36hの上板の構成が第1の実施形態と異なっており、それ以外の構成は第1の実施形態と同じである。上部容器36hの上板74には導電性の電極73が設けられており、上板74との間は絶縁物76で電気的に絶縁されている。電極73には高周波電源78(または直流電源)から電力が供給される。この電力の供給によって電極73の表面(図16における下面)がスパッタされ、基板26上に薄膜が形成される。これは、よく知られたスパッタリング成膜過程である。一方で、電力導入部34hによって高密度プラズマが生成されるので、通常のスパッタリング装置よりも高速度の成膜が可能になる。そして、電力導入部34hによって基板26の表面近傍に高密度プラズマが生成されることで、スパッタされた粒子のうちの多くの部分が基板の表面近傍でイオン化されて基板に入射する。したがって、基板表面に凹凸パターンが形成されている場合に、そのパターンの溝の底部にも高速度の成膜が可能である。これは、イオン化により、スパッタされた粒子の直進性が改善されるためである。これに対して、従来のマグネトロンスパッタリング装置を考えると、電極(ターゲット)の表面近傍に高密度プラズマが生成されるため、スパッタされた粒子のイオン化は電極の近傍で生じる。このときには、イオン化された粒子の大部分は電極に再入射するために、本実施形態におけるような効果は得られない。
【0052】
この実施形態では、導電性の電極73を使っているが、絶縁性薄膜を成膜するために電極73の表面に絶縁性の物質を重ねてもよい。そのときは直流電源は使えない。
【0053】
図16の実施形態において、電極73の背面に適切な磁気回路を設置してもよく、こうすると成膜速度をさらに高速化できる。
【0054】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置は、電力導入部が基板ホルダーの基板載置面からは見えない位置にあるので、基板から見える真空容器の部分を金属材料で作ることができる。金属製の真空容器部分は温度制御が容易になるので、堆積膜が剥がれにくくなる。また、金属製の真空容器部分に基板搬入出口を設けるのも容易になり、基板ホルダーの位置をプラズマ処理時と同じ位置に保ったままで基板交換が可能になる。
【0055】
さらに、電力導入部の誘電体を真空容器の一部(真空封止部分)として利用する場合には、従来装置と比較して、真空容器の一部としての誘電体の面積を小さくでき、安全性が向上する。また、電力導入部を取り外さなくても、金属製の真空容器部分を開放するだけで、真空容器の内部の保守作業が可能になる。そして、電力導入部と基板ホルダーとの間に排気用の隙間を形成して、誘電体の露出部分を、その隙間に近づくにつれて基板ホルダーの基板載置面から離れる方向に、すなわち排気方向に、傾斜させているので、処理ガスの溜りができにくくなり、処理ガスの流れがスムーズになる。処理ガスの流れがスムーズになれば、それだけ真空容器の内壁に堆積する膜も少なくなり、ゴミの発生が少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の正面断面図である。
【図2】図1のプラズマ処理装置の一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図3】図1のプラズマ処理装置で使用している電力導入部の一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図4】各種の電力導入部の横断面を拡大して示した断面図である。
【図5】図1のプラズマ処理装置において基板搬入出口が見えるように切断した側面断面図である。
【図6】本発明の第2の実施形態の放電容器とその近傍を示した正面断面図である。
【図7】本発明の第3の実施形態の放電容器とその近傍を示した正面断面図である。
【図8】本発明の第4の実施形態の放電容器とその近傍を示した正面断面図である。
【図9】本発明の第5の実施形態の放電容器とその近傍を示した正面断面図である。
【図10】本発明の第6の実施形態の正面断面図である。
【図11】図10に示すプラズマ処理装置で使用している電力導入部の一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図12】本発明の第7の実施形態の正面断面図である。
【図13】図12に示すプラズマ処理装置で使用している電力導入部の一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図14】本発明の第8の実施形態の正面断面図である。
【図15】図14に示すプラズマ処理装置で使用している電力導入部の一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図16】本発明の第9の実施形態の一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図17】従来のプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図18】図17に示すプラズマ処理装置の基板交換時の状態を示す正面断面図である。
【図19】図17に示すプラズマ処理装置で使用しているアンテナの一部を切り欠いて示した斜視図である。
【符号の説明】
26 基板
32 下部容器
34 電力導入部
36 上部容器
38 基板ホルダー
40 ガス導入系
42 ヒータ
44 排気口
46 アンテナ
48 誘電体
50 覆い
59 基板搬入出口
Claims (1)
- 次の(イ)〜(ハ)を備えていて、(ニ)及び(ホ)の特徴を有するプラズマ処理装置。
(イ)ガス導入系を接続できて、真空排気系につながる排気口を備えている、少なくとも一部が導電性の真空容器。
(ロ)前記真空容器の内部に配置された基板ホルダー。
(ハ)プラズマを発生させるための交流電力を前記真空容器の内部に導入するための電力導入部であって、次の(a)及び(b)の特徴を備えた電力導入部。
(a)この電力導入部は誘電体を備えていて、この誘電体の少なくとも一部は前記真空容器の内部空間に露出している。
(b)前記誘電体の前記露出した部分は、プラズマ処理時の位置にある前記基板ホルダーの基板載置面からは見えない位置にあり、かつ、前記基板載置面と前記排気口との間に位置している。
(ニ)前記電力導入部は実質的に円環形状のアンテナを含み、このアンテナと真空容器の内部空間との間に前記誘電体が存在し、前記アンテナに高周波電力が供給される。
(ホ)前記電力導入部と前記基板ホルダーとの間に排気用の隙間が形成され、前記誘電体の前記露出した部分は、前記隙間に近づくにつれて排気方向に傾斜している。
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JP2009152539A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体デバイスの連続製造方法及びチャンバー |
GB2462589B (en) * | 2008-08-04 | 2013-02-20 | Sony Comp Entertainment Europe | Apparatus and method of viewing electronic documents |
US20110159213A1 (en) * | 2009-12-30 | 2011-06-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition improvements through radical-component modification |
US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8716154B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
US10388493B2 (en) * | 2011-09-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields |
US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
JP2021143409A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置 |
RU2764318C1 (ru) * | 2021-07-15 | 2022-01-17 | Константин Дмитриевич Клочков | Способ воздействия на цель и устройство для его осуществления |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5246532A (en) * | 1990-10-26 | 1993-09-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
US5556475A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-17 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
JPH0714823A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-17 | Sony Corp | エッチング装置 |
JP3279744B2 (ja) | 1993-07-09 | 2002-04-30 | アネルバ株式会社 | 高周波プラズマ処理装置 |
US5865896A (en) * | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
JP3279762B2 (ja) | 1993-08-28 | 2002-04-30 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH07224386A (ja) | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Anelva Corp | 基板保持機構 |
JP3640420B2 (ja) | 1994-11-16 | 2005-04-20 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3426382B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2003-07-14 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3585578B2 (ja) | 1995-05-30 | 2004-11-04 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR100290813B1 (ko) * | 1995-08-17 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라스마 처리장치 |
JPH09106899A (ja) | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマcvd装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法 |
JPH09111460A (ja) | 1995-10-11 | 1997-04-28 | Anelva Corp | チタン系導電性薄膜の作製方法 |
EP0777258A3 (en) | 1995-11-29 | 1997-09-17 | Applied Materials Inc | Self-cleaning plasma processing reactor |
JPH09186000A (ja) | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP3922752B2 (ja) | 1995-12-28 | 2007-05-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH09263949A (ja) | 1996-03-25 | 1997-10-07 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP3666999B2 (ja) | 1996-07-26 | 2005-06-29 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH1064697A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
EP0841683A3 (en) * | 1996-10-08 | 1999-12-01 | Applied Materials, Inc. | Active shield for generating a plasma for sputtering |
JPH10298786A (ja) | 1997-02-19 | 1998-11-10 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
JPH10284299A (ja) | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Applied Materials Inc | 高周波導入部材及びプラズマ装置 |
JPH10302997A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
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