JP2021519510A - アモルファスシリコンのリモート容量結合プラズマ堆積 - Google Patents
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Abstract
アモルファスシリコン材料を堆積するための方法が提供され、プロセスチャンバと流体連結しているプラズマユニット内にプラズマを生成することと、活性種及び中性種を含有する活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通してプラズマを流すこととを含む。活性化流体は、イオンを含有しない、又はプラズマよりも低濃度のイオンを含有する。本方法は更に、活性化流体を、プロセスチャンバ内のデュアルチャネルシャワーヘッドの第1の入口に流すことと、シリコン前駆体をデュアルチャネルシャワーヘッドの第2の入口に流すこととを含む。その後、本方法は、活性化流体とシリコン前駆体の混合物をデュアルチャネルシャワーヘッドから流出させることと、プロセスチャンバに配置された基板上にアモルファスシリコン層を形成することとを含む。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路の製造に関し、より具体的には、アモルファスシリコン材料を堆積させるための方法に関する。
[0001]半導体集積回路を製造するためのプラズマ堆積及びエッチングプロセスは、何十年にもわたって広く使用されてきた。これらのプロセスは、通常、ガスをイオン化させるために処理チャンバ内で十分な電力の電界にさらされるプラズマ生成ガスからのプラズマの形成を伴う。これらのガスをプラズマに形成するために必要な温度は、同じガスを熱イオン化するために必要な温度よりもはるかに低くてよい。したがって、プラズマ生成プロセスを使用して、ガスを単に加熱することによって可能であるよりも著しく低いチャンバ処理温度で、始動ガスから反応性ラジカル及びイオン種を生成することが可能である。これにより、プラズマは、基板温度を閾値より高くすることで基板上の材料を溶融、分解、又は損傷させることなく、基板表面に材料を堆積させる及び/又は基板表面から材料をエッチングすることができる。
[0002]例示的なプラズマ堆積プロセスには、基板の露出面上での酸化ケイ素又は窒化ケイ素等の誘電体材料のプラズマ化学気相堆積(PECVD)が含まれる。従来のPECVDは、処理チャンバ内でガス及び/又は堆積前駆体を混合し、ガスからプラズマを打ち出して、反応して基板上に材料を堆積させる反応種を生成することを伴う。プラズマは通常、反応生成物の効率的な堆積を容易にするために、基板の露出面の近くに位置づけされる。
[0003]同様に、プラズマエッチングプロセスは、基板の選択された部分を、化学的に反応する及び/又は基板から材料を物理的にスパッタするプラズマ活性化エッチング種に曝露することを含む。プラズマエッチングされる材料の除去速度、選択性、及び方向は、他のパラメータの中でもとりわけ、エッチャントガス、プラズマ励起エネルギー、及び基板と帯電プラズマ種との間の電気的バイアスを調整することによって制御することが可能である。高密度プラズマ化学気相堆積(HDP−CVD)等の一部のプラズマ技術では、プラズマエッチングと堆積を同時に行って基板上に特徴を作製する。
[0004]プラズマ環境は一般に高温堆積環境よりも基板への破壊が少ないが、プラズマ環境は依然として製造上の課題を生み出す。浅いトレンチや間隙をオーバエッチングするエネルギープラズマでは、エッチングの精度が問題になる可能性がある。プラズマ中のエネルギー種、特にイオン化種は、堆積した材料に望ましくない反応を引き起こし、材料の性能に悪影響を与える場合がある。
[0005]したがって、製造中の基板上のアモルファスシリコン材料等のシリコン材料のプラズマ堆積プロセスをより正確に制御する方法が必要である。
[0006]一又は複数の実施形態では、アモルファスシリコン材料を堆積させる方法は、プロセスチャンバと流体連結しているプラズマユニット内にプラズマを生成することと、活性種及び中性種を含有する活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通してプラズマを流すこととを含む。活性化流体は、イオンを含有しない、又はプラズマよりも低濃度のイオンを含有する。本方法は更に、活性化流体をプロセスチャンバ内のデュアルチャネルシャワーヘッドの第1の入口に流すことと、シリコン前駆体をデュアルチャネルシャワーヘッドの第2の入口に流すこととを含む。その後、本方法は、活性化流体とシリコン前駆体の混合物をデュアルチャネルシャワーヘッドから流出させることと、プロセスチャンバに配置された基板上にアモルファスシリコン層を形成することとを含む。
[0007]他の実施形態では、アモルファスシリコン材料を堆積させる方法は、プロセスチャンバと流体連結しているプラズマユニット内にプラズマを生成することと、活性種及び中性種を含む活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通してプラズマを流すこととを含む。活性化流体は、イオンを含有しない、又はプラズマよりも低濃度のイオンを含有する。本方法は更に、プロセスチャンバ内に活性化流体、シリコン前駆体、及びドーパント前駆体の混合物を生じさせるために、デュアルチャネルシャワーヘッドを通して活性化流体、シリコン前駆体、及びドーパント前駆体を流すことと、基板上にアモルファスシリコン層を形成するために、プロセスチャンバに配置された基板を混合物に暴露することとを含む。
[0008]他の実施形態では、アモルファスシリコン材料を堆積させる方法は、プロセスチャンバと流体連結している電子ビーム(Eビーム)ユニット内にプラズマを生成することと、活性種及び中性種を含む活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通してプラズマを流すこととを含む。活性化流体は、イオンを含有しない、又はプラズマよりも低濃度のイオンを含有する。本方法は更に、プロセスチャンバ内に活性化流体とドーパント前駆体の混合物を生じさせるために、デュアルチャネルシャワーヘッドを通して活性化流体とシリコン前駆体とを流すことと、基板上にアモルファスシリコン層を形成するために、プロセスチャンバに配置された基板を混合物に暴露することとを含む。
[0009]上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。
[0012]理解を容易にするために、可能な場合は、図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が使用されている。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる列挙なしに他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図される。
[0013]本明細書で論じ、説明した実施形態は、基板上にアモルファス層及び材料を堆積させるための方法及びシステムを提供する。図1に、アモルファスシリコン層やその他の材料を堆積するのに使用可能な容量結合プラズマ(CCP)化学気相堆積(CVD)システム100を示す。1又は複数の実施形態では、アモルファスシリコン材料を堆積させるための方法は、プロセスチャンバ150と流体連結しているプラズマユニット120内にプラズマ110を生成することを含む。プラズマユニット120は、アイソレータ(分離器)又はイオンサプレッサ(イオン抑制器)126によって分離された面板122及びイオンブロッカ(イオン遮断器)124を含み得る。プラズマユニット120に1又は複数のキャリアガス及び/又は1又は複数の反応性ガス(ガス流108として示す)が導入され得、それらの間にプラズマ110を生成又は生じさせるために点火され得る。
[0014]プラズマ110をイオンサプレッサ126に流す又はイオンサプレッサ126を通過させて、1又は複数の反応種及び/又は1又は複数の中性種を含有する活性化流体112を生じさせることができる。幾つかの例では、活性化流体112は、イオンを含有しない、又は実質的にイオンを含有しない。他の例では、活性化流体112は、1又は複数のイオン種を含むが、プラズマ110よりも低濃度のイオンを有するため、活性化流体112のイオン濃度はプラズマのイオン濃度よりも低くなる。イオンサプレッサ126は、反応種及び/又は中性種が豊富な活性化流体112を生じさせるために、すべてではないが、ほとんどのイオンがそこを通過することを妨げる。
[0015]1又は複数の実施形態では、活性化流体112は、プラズマのイオン濃度よりも約50%、約65%、又は約80%から約85%、約90%、約95%、約97%、約98%、約99%、約99.5%、又は約99.9%少ないイオン濃度を含有する。例えば、活性化流体112は、プラズマのイオン濃度よりも約50%から約99.9%、約50%から約99%、約50%から約95%、約50%から約90%、約50%から約85%、約50%から約80%、約70%から約99.9%、約70%から約99%、約70%から約95%、約70%から約90%、約70%から約85%、約70%から約80%、約90%から約99.9%、約90%から約99%、約90%から約95%、又は約90%から約92%少ないイオン濃度を含有する。
[0016]活性化流体112は、プロセスチャンバ150内のデュアルチャネル(二流路)シャワーヘッド130の第1の入口132に流す、又はそこを通過させることができる。1又は複数のシリコン前駆体及び/又は1又は複数のドーパント前駆体(例えば、ホウ素又はリン前駆体)(矢印140によって示す前駆体)は、デュアルチャネルシャワーヘッド130の1又は複数の入口134(例えば、1つの入口を示したが、2つ、3つ以上の入口を含み得る)に流す、又はそこを通過させることができる。活性化流体、シリコン前駆体、及び1又は複数のオプションのドーパント前駆体を、デュアルチャネルシャワーヘッド130内で混合して又は他の方法で組み合わせて、気体又は流体混合物114を生じさせることができる。
[0017]その後、活性化流体、シリコン前駆体、及び1又は複数のオプションのドーパント前駆体を含有する混合物114を、デュアルチャネルシャワーヘッド130から、基板支持体104上等、その下に位置づけされた基板102に流す、又はそこを通過させることができる。プロセスチャンバ150に配置された基板102上にアモルファスシリコン層が堆積又は形成される。
[0018]図2に、アモルファスシリコン層及び他の材料を堆積させるのに使用可能な電子ビームユニット220を備えたCVDシステム200を示す。1又は複数の実施形態では、アモルファスシリコン材料を堆積させる方法は、プロセスチャンバ250と流体連結している電子ビームユニット220(プラズマジェネレータでもある)内にプラズマ210を生成することを含む。電子ビームユニット220は、アイソレータ又はイオンサプレッサ126によって分離された面板122及びイオンブロッカ124を含み得る。電子ビームユニット220に1又は複数のキャリアガス及び/又は1又は複数の反応性ガス(ガス108として示す)が導入され得、電子ビームを介してそれらの間にプラズマ210を生成する又は生じさせるために点火され得る。
[0019]プラズマ210をイオンサプレッサ126に流す又はイオンサプレッサ126を通過させて、1又は複数の反応種及び/又は1又は複数の中性種を含有する活性化流体112を生じさせることができる。幾つかの例では、活性化流体112は、イオンを含有しない、又は実質的にイオンを含有しない。他の例では、活性化流体112は、1又は複数のイオン種を含むが、プラズマ210よりも低濃度のイオンを有する。イオンサプレッサ126は、反応種及び/又は中性種が豊富な活性化流体112を生じさせるために、すべてではないが、ほとんどのイオンがそこを通過することを妨げる。
[0020]活性化流体112は、プロセスチャンバ250内のデュアルチャネルシャワーヘッド130の第1の入口132に流す、又はそこを通過させることができる。1又は複数のシリコン前駆体及び/又は1又は複数のドーパント前駆体(例えば、ホウ素又はリン前駆体)(矢印140によって示す前駆体)は、デュアルチャネルシャワーヘッド130の1又は複数の入口134(例えば、1つの入口を示したが、2つ、3つ以上の入口を含み得る)に流す、又はそこを通過させることができる。活性化流体、シリコン前駆体、及び1又は複数のオプションのドーパント前駆体を、デュアルチャネルシャワーヘッド130内で混合して又は他の方法で組み合わせて、気体又は流体混合物114を生じさせることができる。
[0021]その後、活性化流体、シリコン前駆体、及び1又は複数のオプションのドーパント前駆体を含有する混合物114を、デュアルチャネルシャワーヘッド130から、基板支持体104上等、その下に位置づけされた基板102に流す、又はそこを通過させることができる。プロセスチャンバ250に配置された基板102上にアモルファスシリコン層が堆積又は形成される。
[0022]プラズマユニット120、デュアルチャネルシャワーヘッド130、プロセスチャンバ150、及びシステム100、200の他の構成要素に関連するさらなる詳細及び開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第9,144,147号明細書に更に記載されている。
[0023]システム100、200はまた更に、面板122及び/又はイオンサプレッサ124に電力を提供して、プラズマ励起領域にプラズマ110、210を生成するために、CCPユニット又はプラズマユニット120又は電子ビームユニット220に電気的に結合された電源(図示せず)も含み得る。電源は、実施されるプロセスに応じて、ユニット120、220に調整可能な量の電力を供給するように構成され得る。例えば、堆積プロセスにおいて、ユニット120、220に供給される電力は、堆積された層の共形性を設定するように調整され得る。堆積した誘電体膜は、通常、より低いプラズマ出力においてより流動性が高く、プラズマ出力が上昇すると流動性から共形的にシフトする。例えば、プラズマ励起領域に維持されるアルゴン含有プラズマ110、210は、プラズマ又はRF電力が約1000ワットから約100ワット以下(例えば、約900、800、700、600、又は500ワット以下)に低下するにつれて、より流動性の高いシリコン層を生じさせ得、プラズマ電力が約1,000ワット以上(例えば、約1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700ワット以上)から上昇するにつれて、より共形的な層を生じさせ得る。プラズマ出力が低から高に上昇するにつれて、流動性から共形的な堆積材料又は層への移行は、比較的滑らかで連続的であり得る、又は比較的離散的な閾値を介して進行し得る。プラズマ出力(単独で、又は他の堆積パラメータに加えて)を調整して、堆積材料又は層の共形特性と流動性特性との間のバランスを選択することが可能である。
[0024]プラズマ、RF、又は電子ビーム出力は、約10、約50、約100、約150、約200、約300、又は約500ワットから約600、約700、約800、約1000、約1200、約1500、約1800、約2000ワット、又はそれ以上であり得る。例えば、プラズマ、RF、又は電子ビーム出力は、約10ワットから約2000ワット、約10ワットから約1500ワット、約10ワットから約1000ワット、約10ワットから約500ワット、約10ワットから約100ワット、約100ワットから約2000ワット、約100ワットから約1500ワット、約100ワットから約1000ワット、約100ワットから約500ワット、又は約100ワットから約250ワットであり得る。
[0025]プロセスチャンバ内の圧力は、約0.1、約1、約5、約10、約25、又は約50トルから約75、約100、約150、約200、又は約300トルであり得る。例えば、プロセスチャンバ内の圧力は、約0.1トルから約300トル、約0.1トルから約200トル、約0.1トルから約100トル、約0.1トルから約50トル、約0.1トルから約10トル、約10トルから約300トル、約10トルから約200トル、約10トルから約100トル、又は約10トルから約50トルであり得る。
[0026]面板の温度は、約−50℃、約−25℃、約0℃、約20℃、約30℃、又は約50℃から約80℃、約100℃、約150℃、約200℃、又は約250℃であり得る。例えば、面板の温度は、約−50℃から約250℃、約−50℃から約200℃、約−50℃から約150℃、約−50℃から約100℃、約−50℃から約50℃、約−50℃から約0℃、約0℃から約250℃、約0℃から約200℃、約0℃から約150℃、約0℃から約100℃、約0℃から約50℃、約0℃から約25℃、約25℃から約250℃、約25℃から約200℃、約25℃から約150℃、約25℃から約100℃、又は約25℃から約50℃であり得る。
[0027]ヒータ、基板支持体、基板、及び/又はプロセスチャンバの温度は、約−50℃、約−25℃、約0℃、約20℃、約30℃、約50℃、約80℃、又は約100℃から約150℃、約200℃、約250℃、約300℃、約350℃、約400℃、又は約450℃であり得る。例えば、ヒータ、基板支持体、基板、及び/又はプロセスチャンバの温度は、約−50℃から約450℃、約−50℃から約400℃、約−50℃から約350℃、約−50℃から約300℃、約−50℃から約250℃、約−50℃から約200℃、約−50℃から約150℃、約−50℃から約100℃、約−50℃から約50℃、約−50℃から約0℃、約0℃から約450℃、約0℃から約400℃、約0℃から約350℃、約0℃から約300℃、約0℃から約250℃、約0℃から約200℃、約0℃から約150℃、約0℃から約100℃、約0℃から約50℃、約0℃から約25℃、約25℃から約450℃、約25℃から約400℃、約25℃から約350℃、約25℃から約300℃、約25℃から約250℃、約25℃から約200℃、約25℃から約150℃、約25℃から約100℃、又は約25℃から約50℃であり得る。
[0028]1又は複数の実施形態では、1又は複数のキャリアガス及び/又は1又は複数の反応種ガスを、プラズマユニット又は電子ビームユニットに流す、又はそこを通過させる。キャリアガス及び/又は反応種ガスは、非限定的に、アルゴン、ネオン、ヘリウム、クリプトン、テトラフルオロメタン、窒素、水素、それらのラジカル、又はそれらの任意の組み合わせであり得る、又はそれらを含み得る。1又は複数の例では、水素ラジカルが中性及びラジカルキャリアガスとともに生成され、活性化ガス又は流体が生じる。シリコン前駆体は、非限定的に、シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン(TSA)、ジシリルアミン(DSA)、1又は複数のフルオロシラン、1又は複数のクロロシラン、又はそれらの任意の組み合わせのうちの1又は複数であり得る、又はそれらを含み得る。フルオロシランはSiFxH4−xの化学式を有し得、クロロシランはSiClxH4−xの化学式を有し得、ここで、xは整数1、2、3、又は4である。
[0029]キャリアガス及び/又は反応種ガスの流量は、約10sccmから約3000sccm、約10sccmから約2000sccm、約10sccmから約1000sccm、約10sccmから約500sccm、又は約10sccmから約100sccmであり得る。シリコン前駆体の流量は、約10sccmから約500sccm、約10sccmから約300sccm、約10sccmから約200sccm、約10sccmから約100sccm、又は約10sccmから約50sccmであり得る。ドーパント前駆体の流量は、約1sccmから約100sccm、約1sccmから約80sccm、約1sccmから約50sccm、約1sccmから約30sccm、約1sccmから約20sccm、約1sccmから約10sccm、又は約1sccmから約5sccmであり得る。
[0030]実施形態において、ドーパントは、ドープされたアモルファスシリコン材料又は層を生じさせるために使用され、ドーパント前駆体は、非限定的に、ホウ素含有前駆体、リン含有前駆体、炭素含有前駆体又はそれらの任意の組み合わせのうちの1又は複数であり得る、又はこれらを含み得る。ホウ素含有前駆体は、非限定的に、ジボラン、トリボラン、1又は複数のトリアルキルボラン(例えば、トリメチルボラン又はトリエチルボラン)、1又は複数のハロゲン化ホウ素(例えば、三フッ化ホウ素又は三塩化ホウ素)、1又は複数のトリアリルボラン、又はそれらの任意の組み合わせであり得る、又はそれらを含み得る。リン含有前駆体は、非限定的に、1又は複数のホスフィン、オキシ塩化リン、1又は複数の亜リン酸アルキル(例えば、亜リン酸モノメチル、亜リン酸ジメチル、又は亜リン酸トリメチル)、又はそれらの任意の組み合わせであり得る、又はそれらを含み得る。
[0031]本開示の実施形態は更に、以下の段落のいずれか1又は複数に関する。
[0032]1.プロセスチャンバと流体連結しているプラズマユニット内にプラズマを生成することと、活性種及び中性種を含む活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通してプラズマを流すことであって、活性化流体は、イオンを含有しない、又はプラズマよりも低濃度のイオンを含有する、プラズマをイオンサプレッサに流すことと、活性化流体を、プロセスチャンバ内のデュアルチャネルシャワーヘッドの第1の入口に流すことと、シリコン前駆体をデュアルチャネルシャワーヘッドの第2の入口に流すことと、活性化流体とシリコン前駆体の混合物をデュアルチャネルシャワーヘッドから流出させることと、プロセスチャンバに配置された基板上にアモルファスシリコン層を形成することとを含む方法。
[0033]2.ドーパント前駆体をデュアルチャネルシャワーヘッドに流すことを更に含み、ドーパント前駆体がホウ素含有前駆体、リン含有前駆体、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落1に記載の方法。
[0034]3.ドーパント前駆体がホウ素含有前駆体を含み、ホウ素含有前駆体がジボラン、トリボラン、トリアルキルボラン、トリアリルボラン、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落2に記載の方法。
[0035]4.ドーパント前駆体がリン含有前駆体を含み、リン含有前駆体がホスフィン、オキシ塩化リン、亜リン酸アルキル、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落2又は3の方法。
[0036]5.シリコン前駆体が、シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン(TSA)、ジシリルアミン(DSA)、フルオロシラン(SiFxH4−x)、クロロシラン(SiClxH4−x)、又はそれらの任意の組み合わせを含み、xは整数1、2、3、又は4である、段落1から4のいずれか一項に記載の方法。
[0037]6.プラズマユニットを通してキャリアガスを流すことを更に含み、キャリアガスがアルゴン、ヘリウム、窒素、水素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落1から5のいずれか一項に記載の方法。
[0038]7.プラズマユニットが、容量結合プラズマ(CCP)ユニット又は電子ビームを含む、段落1から6のいずれか一項に記載の方法。
[0039]8.プロセスチャンバと流体連結しているプラズマユニット内にプラズマを生成することと、活性種及び中性種を含む活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通してプラズマを流すことであって、活性化流体は、イオンを含有しない、又はプラズマよりも低濃度のイオンを含有する、プラズマをイオンサプレッサに流すことと、プロセスチャンバ内に活性化流体、シリコン前駆体、及びドーパント前駆体の混合物を生成するために、デュアルチャネルシャワーヘッドを通して活性化流体、シリコン前駆体、及びドーパント前駆体を流すことと、基板上にアモルファスシリコン層を形成するために、プロセスチャンバに配置された基板を混合物に暴露することとを含む方法。
[0040]9.ドーパント前駆体が、ホウ素含有前駆体、リン含有前駆体、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落8に記載の方法。
[0041]10.ドーパント前駆体がホウ素含有前駆体を含み、ホウ素含有前駆体がジボラン、トリボラン、トリアルキルボラン、トリアリルボラン、ハロゲン化ホウ素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落9に記載の方法。
[0042]11.ドーパント前駆体がリン含有前駆体を含み、リン含有前駆体がホスフィン、オキシ塩化リン、亜リン酸アルキル、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落9又は10の方法。
[0043]12.シリコン前駆体が、シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン(TSA)、ジシリルアミン(DSA)、フルオロシラン(SiFxH4−x)、クロロシラン(SiClxH4−x)、又はそれらの任意の組み合わせを含み、xは整数1、2、3、又は4である、段落8から11のいずれか一項に記載の方法。
[0044]13.プラズマユニットを通してキャリアガスを流すことを更に含み、キャリアガスがアルゴン、ヘリウム、窒素、水素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落8から12のいずれか一項に記載の方法。
[0045]14.プラズマユニットが、容量結合プラズマ(CCP)ユニット又は電子ビームを含む、段落8から13のいずれか一項に記載の方法。
[0046]15.プロセスチャンバと流体連結している電子ビームユニット内にプラズマを生成することと、活性種及び中性種を含む活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通してプラズマを流すことであって、活性化流体は、イオンを含有しない、又はプラズマよりも低濃度のイオンを含有する、イオンサプレッサを通してプラズマを流すことと、プロセスチャンバ内に活性化流体とドーパント前駆体の混合物を生じさせるために、デュアルチャネルシャワーヘッドを通して活性化流体とシリコン前駆体とを流すことと、基板上にアモルファスシリコン層を形成するために、プロセスチャンバに配置された基板を混合物に暴露することとを含む方法。
[0047]16.ドーパント前駆体をデュアルチャネルシャワーヘッドに流すことを更に含み、ドーパント前駆体がホウ素含有前駆体、リン含有前駆体、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落15に記載の方法。
[0048]17.ドーパント前駆体がホウ素含有前駆体を含み、ホウ素含有前駆体がジボラン、トリボラン、トリアルキルボラン、トリアリルボラン、ハロゲン化ホウ素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落16に記載の方法。
[0049]18.ドーパント前駆体がリン含有前駆体を含み、リン含有前駆体がホスフィン、オキシ塩化リン、亜リン酸アルキル、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落16又は17の方法。
[0050]19.シリコン前駆体が、シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン(TSA)、ジシリルアミン(DSA)、フルオロシラン(SiFxH4−x)、クロロシラン(SiClxH4−x)、又はそれらの任意の組み合わせを含み、xは整数1、2、3、又は4である、段落15から18のいずれか一項に記載の方法。
[0051]20.電子ビームユニットを通してキャリアガスを流すことを更に含み、キャリアガスがアルゴン、ヘリウム、窒素、水素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、段落15〜19のいずれか一項に記載の方法。
[0052]段落1から20のいずれか一項に記載の方法によって製造された組成物、物品、材料、又は膜。
[0053]前述の内容は本開示の実施形態を対象としているが、他の実施形態及び更なる実施形態をその基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、それらの範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。本明細書に記載されているすべての文書は、本文と矛盾しない範囲の優先権書類及び/又は試験手順を含めて、参照により本明細書に組み込まれる。前述の一般的な説明及び特定の実施形態から明らかなように、本開示の形態を例示及び説明してきたが、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な修正を行うことができる。したがって、本開示はそれらによって限定されるものではない。同様に、「含む(comprising)」という用語は、米国法の目的における「含む(including)」という用語と同義であると見なされる。同様に、組成物、要素、又は要素の群に「含む」という遷移句が先行する場合は常に、同じ組成物、1又は複数の要素に遷移句「本質的に〜から構成される」、「から構成される」、「から構成される群から選択される」又は「である」が組成物、1又は複数の要素の引用に先行することも想定される、またはその逆も想定されることを理解すべきである。
[0054]特定の実施形態及び特徴は、1組の数値上限及び1組の数値下限を使用して説明されている。特に指示のない限り、任意の2つの値の組み合わせ、例えば、任意の下限値と任意の上限値の組み合わせ、任意の2つの下限値の組み合わせ、及び/又は任意の2つの上限値の組み合わせを含む範囲が想定されることを理解されたい。特定の下限、上限、及び範囲は、以下の1又は複数の請求項に記載されている。
Claims (15)
- プロセスチャンバと流体連結しているプラズマユニット内にプラズマを生成することと、
活性種及び中性種を含有する活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通して前記プラズマを流すことであって、前記活性化流体は、イオンを含有しない、又は前記プラズマよりも低濃度のイオンを含有する、前記プラズマを流すことと、
前記活性化流体を、前記プロセスチャンバ内のデュアルチャネルシャワーヘッドの第1の入口に流すことと、
シリコン前駆体を前記デュアルチャネルシャワーヘッドの第2の入口に流すことと、
前記活性化流体と前記シリコン前駆体の混合物を前記デュアルチャネルシャワーヘッドから流出させることと、
前記プロセスチャンバに配置された基板上にアモルファスシリコン層を形成することと
を含む方法。 - ドーパント前駆体を前記デュアルチャネルシャワーヘッドに流すことを更に含み、前記ドーパント前駆体が、ホウ素含有前駆体、リン含有前駆体、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ドーパント前駆体が、前記ホウ素含有前駆体を含み、前記ホウ素含有前駆体が、ジボラン、トリボラン、トリアルキルボラン、トリアリルボラン、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記ドーパント前駆体が、リン含有前駆体を含み、前記リン含有前駆体が、ホスフィン、オキシ塩化リン、亜リン酸アルキル、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記シリコン前駆体が、シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン(TSA)、ジシリルアミン(DSA)、フルオロシラン(SiFxH4−x)、クロロシラン(SiClxH4−x)、又はそれらの任意の組み合わせを含み、xは整数1、2、3、又は4である、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマユニットを通してキャリアガスを流すことを更に含み、前記キャリアガスが、アルゴン、ヘリウム、窒素、水素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマユニットが、容量結合プラズマ(CCP)ユニット又は電子ビームを含む、請求項1に記載の方法。
- プロセスチャンバと流体連結しているプラズマユニット内にプラズマを生成することと、
活性種及び中性種を含む活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通して前記プラズマを流すことであって、前記活性化流体は、イオンを含有しない、又は前記プラズマよりも低濃度のイオンを含有する、イオンサプレッサを通して前記プラズマを流すことと、
前記プロセスチャンバ内に前記活性化流体、シリコン前駆体、及びドーパント前駆体の混合物を生じさせるために、デュアルチャネルシャワーヘッドを通して前記活性化流体、前記シリコン前駆体、及び前記ドーパント前駆体を流すことと、
基板上にアモルファスシリコン層を形成するために、前記プロセスチャンバに配置された前記基板を前記混合物に暴露することと
を含む方法。 - 前記ドーパント前駆体がホウ素含有前駆体を含み、前記ホウ素含有前駆体がジボラン、トリボラン、トリアルキルボラン、トリアリルボラン、ハロゲン化ホウ素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記ドーパント前駆体が、リン含有前駆体を含み、前記リン含有前駆体が、ホスフィン、オキシ塩化リン、亜リン酸アルキル、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記シリコン前駆体が、シラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン(TSA)、ジシリルアミン(DSA)、フルオロシラン(SiFxH4−x)、クロロシラン(SiClxH4−x)、又はそれらの任意の組み合わせを含み、xは整数1、2、3、又は4である、請求項8に記載の方法。
- 前記プラズマユニットを通してキャリアガスを流すことを更に含み、前記キャリアガスが、アルゴン、ヘリウム、窒素、水素、又はそれらの任意の組み合わせを含み、前記プラズマユニットが容量結合プラズマ(CCP)ユニット又は電子ビームを含む、請求項8に記載の方法。
- プロセスチャンバと流体連結している電子ビームユニット内にプラズマを生成することと、
活性種及び中性種を含む活性化流体を生じさせるために、イオンサプレッサを通して前記プラズマを流すことであって、前記活性化流体は、イオンを含有しない、又は前記プラズマよりも低濃度のイオンを含有する、イオンサプレッサを通して前記プラズマを流すことと、
前記プロセスチャンバ内に前記活性化流体とドーパント前駆体の混合物を生じさせるために、デュアルチャネルシャワーヘッドを通して前記活性化流体とシリコン前駆体とを流すことと、
基板上にアモルファスシリコン層を形成するために、前記プロセスチャンバに配置された前記基板を前記混合物に暴露することと
を含む方法。 - ドーパント前駆体を前記デュアルチャネルシャワーヘッドに流すことを更に含み、前記ドーパント前駆体がホウ素含有前駆体、リン含有前駆体、又はそれらの任意の組み合わせを含み、前記シリコン前駆体がシラン、ジシラン、トリシラン、トリシリルアミン(TSA)、ジシリルアミン(DSA)、フルオロシラン(SiFxH4−x)、クロロシラン(SiClxH4−x)、又はそれらの任意の組み合わせを含み、xは整数1、2、3、又は4である、請求項13に記載の方法。
- 前記電子ビームユニットを通してキャリアガスを流すことを更に含み、前記キャリアガスが、アルゴン、ヘリウム、窒素、水素、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項13に記載の方法。
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