KR100801767B1 - 황색 내지 적색 방출 인광물질을 사용하는 광원 - Google Patents
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Abstract
니트리도실리케이트형 MxSiyNz:Eu(여기에서, M은 Ca, Sr 및 Ba로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 알칼리 토류 금속이고, z = 2/3x + 4/3y이다)의 호스트 격자를 갖는 황색 내지 적색 방출 인광물질을 이용하는 광원에 기술되어 있다.
Description
본 발명은 황색 내지 적색광을 방출시키는 인광물질을 사용하는 전기 광원에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diodes)에 관한 것이다. 그러나, 본 발명이 이로 한정되는 것은 아니다. 상기 인광물질은 희토류 활성 실리콘 니트리드류에 속한다. 그 밖의 응용 분야로는 전기 램프, 특히 고출력 방전 램프 또는 형광 램프가 있다.
Eu2+ 도핑된 물질의 경우에, 보통은 UV-청색 방출이 관찰된다[참고문헌: Blasse and Grabmeier: Luminescent Materials, Springer Verlag, Heidelberg, 1994]. 여러 연구는 가시 스펙트럼의 녹색 및 황색 부분에서의 방출이 또한 가능함을 보여준다[참고문헌: Blasse: Special Cases of divalent lanthanide emission, Eur. J. Solid State Inorg. Chem. 33(1996), p.175; Poort, Blokpoel and Blasse: Luminescence of Eu2+ in Barium and Strontium Aluminate and Gallate, Chem. Mater. 7(1995), p.1547; Poort, Reijnhoudt, van der Kuip, and Blasse: Luminescence of Eu2+ in Silicate host lattices with Alkaline earth ions in a row, J. Alloys and Comp. 241(1996), p.75]. 지금까지는, 적색 Eu2+ 발광이 알칼리 토류 황화물 및 암염형의 관련 격자내[Nakao, Luminescence centers of MgS, CaS and CaSe Phosphors Activated with Eu2+ Ion, J. Phys. Soc. Jpn. 48(1980), p.534], 알칼리 토류 티오갈레이트(thiogallates)내[참고문헌: Davolos, Garcia, Fouassier, and Hagenmuller, Luminescence of Eu2+ in Strontium and Barium Thiogallates, J. Solid. State Chem. 83(1989), p.316], 및 몇몇 붕산염내[참고문헌: Diaz and Keszler; Red, Green, and Blue Eu2+ luminescence in solid state Borates: a structure-property relationship, Mater. Res. Bull. 31(1996), p.147]와 같은 몇몇의 예외적인 경우에만 관찰되었다. 알칼리 토류 실리콘 니트리드내의 Eu2+ 발광이 지금까지는 단지 MgSiN2:Eu[참고문헌: Gaido, Dubrovskii, and Zykov: Photoluminescence of MgSiN2 Activated By Europium, lzv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 10(1974), p.564; Dubrovskii, Zykov and Chernovets: Luminescence of rare earth Activated MaSiN2, lzv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 17(1981), p.1421] 및 Mg1-xZnxSiN2:Eu[참고문헌: Lim, Lee, Chang: Photoluminescence Characterization of Mg1-xZnxSiN2:Tb for Thin Film Electroluminescent Devices Application, Inorganic and Organic Electroluminescence, Berlin, Wissenschaft und Technik Verlag, (1996), p.363]에 대해서만 보고되었다. 양자에 대하여, 스펙트럼의 녹색 및 녹색/청색 부분에서의 Eu2+ 발광이 발견되었다.
니트리도실리케이트형의 새로운 호스트 격자는 알칼리 토류 이온(M=Ca, Sr 및 Ba)이 혼입되어 있는 가교된 SiN4 사면체의 3차원 네트워크에 기초하고 있다. 그러한 격자는 예를 들어 Ca2Si5N8[참고문헌: Schlieper and Schlick: Nitridosilicate I, Hochtemperatursynthese und Kristallstruktur von Ca2Si5N8, Z. anorg. allg. Chem. 621, (1995), p.1037], Sr2Si5N8 및 Ba2Si5N8[참고문헌: Schlieper, Millus and Schlick: Nitridosilicate II, Hochtemperatursynthese und Kristallstrukturen von Sr2Si5N8 and Ba2Si5N8, Z. anorg. allg. Chem. 621, (1995), p.1380], 및 BaSi7N10[참고문헌: Huppertz and Schnick: Edge-Sharing SiN4 tetrahedra in the highly condensed Nitridosilicate BaSi7N10, Chem. Eur. J. 3(1997), p.249]이다. 격자형은 하기 표 1에 제시되어 있다.
황화물을 기재로 하는 인광물질(예를 들어, 알칼리토류 황화물)은 조명에의 응용, 특히 LED 응용에 대해서는 별로 바람직하지 못한데, 그 이유는 이들 물질이 캡슐화 수지 시스템과 상호작용하며 부분적으로 가수분해성 공격을 받기 때문이다. 적색을 방출시키는 Eu2+ 활성 붕산염은 LED의 작동 온도에서 벌써 어느 정도 온도 켄칭(quenching)을 보인다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술의 단점을 해소시키는 데에 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 개선된 전반적인 색상 렌디션(rendition) R9를 지닌 광원을 제공하는 데에 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 높은 색상 렌디션을 지닌 백색 LED를 제공하는 데에 있다.
특히, 적어도 100℃까지의 아주 높은 안정성은 LED 응용에 있어 바람직하다. 이들의 전형적인 작동 온도는 약 80℃이다.
이러한 목적은 청구항 1의 특징에 의해 성취된다. 유리한 구체예는 종속항에서 확인될 수 있다.
본 발명의 광원은 신규한 황색-적색 방출 인광물질을 사용한다. 이러한 인광물질의 흡수 범위는 적어도 청색 내지 녹색 스펙트럼 영역에 있다. 더욱이, 이들 인광물질은 상기한 흡수 범위에 있으면서도 형광 방출을 나타낸다. 그러한 Eu2+ 도핑된 발광 물질은 황색 내지 적색 스펙트럼 영역에서의 방출, 특히 장파장 적색, 오렌지 또는 황색 방출을 나타낸다. 이러한 인광물질은 호스트 격자로서 알칼리 토류 실리콘 니트리드를 기재로 한다. 이들을 인광물질로서 사용하는 경우 특히, LED 응용에 대하여 매우 유망하다. 지금까지는 청색 방출 다이오드를 황색 방출 다이오드와 결합함으로써 백색 LED가 실현되었다. 그러한 결합은 단지 불량한 색 표현을 갖는다. 보다 좋은 성능은 다색(예를 들어, 적색-녹색-청색) 시스템을 이용함으로써 성취될 수 있다. 통상, 상기한 신규 물질은 녹색 방출(또는 황색 방출) 인광물질 예를 들어, 스트론튬알루미네이트 SrAl2O4:Eu2+와 함께 사용될 수 있는데, 그것의 방출 최대치는 약 520 nm이다.
상세하게는, 황색 내지 적색 방출 인광물질을 사용하는 신규한 광원은 니트리도실리케이트형 MxSiyNz:Eu의 호스트 격자를 이용하는데, 여기에서 M은 Ca, Sr, Ba 군으로부터 선택된 하나 이상의 알칼리 토금속이고, z = (2/3)x + (4/3)y이다. 질소의 혼입은 공유 결합의 비율 및 리간드-장 분할을 증가시킨다. 결과적으로, 이것은 산화물 격자와 비교하여 여기 및 방출 대역을 장파장쪽으로 두드러지게 이동시킨다.
x = 2 및 y = 5인 형태의 인광물질이 바람직하다. 또 다른 바람직한 구체예에서, 인광물질은 x = 1 및 y = 7인 형태의 것이다.
인광물질내 금속 M은, 생성되는 인광물질이 비교적 짧은 황색 내지 적색 파장에서 방출되므로 스트론튬인 것이 바람직하다. 따라서, 효율이 대부분의 기타 선정된 금속 M에 비하여 오히려 높다.
추가 구체예에서, 인광물질은 성분 M으로서 상이한 금속의 혼합물 예를 들어, Ca(10 원자%)와 Ba(나머지)의 혼합물을 사용한다.
이러한 물질은 UV 및 청색 가시 스펙트럼(450 nm 초과까지)에서 높은 흡수율 및 양호한 여기를 보이고, 높은 양자 효율 및 100℃까지 저온 켄칭을 보인다.
이것은 하나 이상의 인광물질(적색 및 녹색)과 함께 청색광 방출 광원에 의한 발광 변환 LED에 이용될 수 있다. 또 다른 응용 분야로는 휴대용 형광 램프, 및 고출력 방전 램프에서의 이트륨 바나데이트의 대체 사용이 포함된다.
도 1은 비도핑된 Ba2Si5N8 및 Ba2Si5N8:Eu의 확산 반사 스펙트럼들을 도시하는 도면이다.
도 2는 비도핑된 BaSi7N10 및 BaSi7N10:Eu의 확산 반사 스펙트럼들을 도시하는 도면이다.
도 3은 Ba2Si5N8:Eu의 방출 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 4는 BaSi7N10:Eu의 방출 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 5 내지 도 7은 Sr2Si5N8:Eu의 여러 구체예의 방출 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 8은 Ca2Si5N8:Eu의 방출 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 9는 백색 LED의 방출 스펙트럼을 도시하는 도면이다.
도 10은 백색광에 대한 광원으로서 이용되는 반도체 요소를 도시하는 도면이다.
Eu2O3(순도 99.99%) 또는 Eu 금속(99.99%), Ba 금속( > 99%), Sr 금속(99%), Ca3N2(98%) 또는 Ca 분말(99.5%), 및 Si3N4(99.9%)을 상업적으로 가용한 개시제로서 사용하였다. Ba 및 Sr을 질소 분위기하에 550 및 800℃에서 소성하여 질화시켰다. 후속하여, Ca3N2 또는 질화시킨 Ba, Ca 또는 Sr을 약절구내에서 갈고, 질소 분위기하에서 Si3N4와 화학양론적으로 혼합시켰다. Eu 농도는 알칼리 토류 이온에 대하여 10 원자%이었다. 분말 혼합물을 질소/수소 분위기하에 약 1300-1400℃에서 수평 관로내의 몰리브덴 도가니내에서 소성시켰다. 소성 후, 분말을 분말 X선 회절(Cu, Kα선)로 특성화시켜, 모든 화합물이 형성되었음을 확인하였다.
비도핑된 Ba2Si5N8, Ca2Si5N8 및 BaSi7N10은 회백색 분말이다. 이러한 비도핑된 희토류 활성 실리콘 니트리드는 가시 영역(400-650 nm)에서는 반사율이 높지만, 250-300 nm 사이에서는 반사율이 급격히 감소한다(도 1, 도 2). 반사율의 감소는 호스트 격자 흡수에 기인한다. Eu 도핑된 표본은 오렌지-황색인 BaSi7N10:Eu를 제외하고는 오렌지-적색이다(하기 표 1 참조). 강한 착색은 Eu2+ 도핑된 희토류 활성 실리콘 니트리드에 대해 독특한 것이며, 이 점이 이러한 물질을 흥미있는 오렌지-적색 인광물질을 만든다. Ba2Si5N8:Eu의 반사 스펙트럼의 전형적인 예는, Eu에 기인한 흡수가 호스트 격자 흡수와 겹치고 500-550 nm까지 연장됨을 나타낸다(도 1). 이것은 이러한 화합물이 적색-오렌지 색상임을 설시하는 것이다. 유사한 반사 스펙트럼이 Sr2Si5N8:Eu 및 Ca2Si5N8:Eu에 대해서도 관찰되었다.
BaSi7N10:Eu에 대하여, Eu의 흡수는 가시 부분에서 매우 낮은데(도 2), 이 점은 이 화합물이 오렌지-황색 색상임을 설명한다.
모든 표본은 가시 스펙트럼의 오렌지-적색 부분에서 방출 최대치를 가지며 UV 여기하에 효율적 발광을 보인다(하기 표 1 참조). 방출 스펙트럼의 2개의 전형적 예를 도 3 및 도 4에서 확인할 수 있다. 이들은 BaSi7N10:Eu에 대하여 660 nm 이하에서 최대치를 가지며 매우 긴 파장(Eu2+ 방출에 대해)에서 방출됨을 보인다(도 4). 여기 대역은 낮은 에너지에서 관찰되는 데, 이것은 N3- 함유 격자에서 기대될 수 있는 바와 같이 낮은 에너지에서의 Eu2+ 5d 대역의 중력 중심 및 Eu2+ 5d 대역의 강한 리간드 장 분할의 결과이다[참고문헌: Van Krevel, Hintzen, Metselaar, and Meijerink, Long Wavelength Ce3+-luminescence in Y-Si-O-N Materials, J. Alloys and Comp. 168(1998) 272].
이러한 물질은 낮은 에너지 여기 대역으로 인해 청색광을 적색광으로 변환시킬 수 있기 때문에, 이들은 예를 들어, 적색, 황색 및/또는 녹색 방출 인광물질과 결합된 주로 청색으로 방출되는 LED(통상 GaN 또는 InGaN)에 기초한 백색 광원으로 이용될 수 있다.
| 화합물 | 결정구조 | 색 | 방출 최대치(nm)* |
| Ca2Si5N8:Eu | 단사정계 | 오렌지-적색 | 600 내지 630 |
| Sr2Si5N8:Eu | 사방정계 | 오렌지-적색 | 610 내지 650 |
| Ba2Si5N8:Eu | 사방정계 | 오렌지-적색 | 620 내지 660 |
| BaSi7N10:Eu | 단사정계 | 오렌지-황색 | 640 내지 680 |
* 활성제의 제조 및 농도 상태에 의존함; 통상 Eu 농도 값은 알칼리 토류 이온 M에 대하여 1 내지 10%로 변동될 수 있다.
이러한 방출 최대치는 장파장쪽으로 현저히 멀리 존재한다. 특정 예는 Sr1.8Eu0.2Si5N8형의 인광물질이다. 이의 방출 스펙트럼은 도 5에 도시되어 있다.
M을 실현하는 또 다른 구체예는 Zn의 사용이다. 그것은 Ba, Sr 또는 Ca를 완전히 또는 부분적으로 대체할 수 있다.
Si를 완전히 또는 부분적으로 대체하는 추가 구체예는 Ge이다. 상세한 구체예는 Sr1.8Eu0.2Ge5N8이다.
몇몇 특정 구체예를 조사하였다:
적색 방출 인광물질 Sr2Si5N8:Eu2+의 제조 조건 및 광학 특성을 조사하였다. 최적화에서 약 70%의 양자 효율인 나타났다. 방출은 표본내의 Eu2+ 농도 및 가열 조건에 따라 610 내지 650 nm 사이에서 조율될 수 있다. 400 nm 내지 460 nm에서의 흡수율은 높았고(단지 15-40%의 반사), 80 ℃에서의 형광체의 온도 켄칭은 낮았다(단지 4%). 인광물질의 입경은 밀링없이 5 ㎛ 미만이다. 이러한 특성이 이 인광물질을 특히 UV 및 청색 LED 모두에서의 응용에 매우 흥미롭게 만든다.
질화물 합성에 대하여, 개시 물질은 Si3N4(99.9%(주로 α-상), Alfa Aesar), Sr 금속(모수석 조각 99.9%, Alfa Aesar) 및 Eu2O3(4N)이었다. Sr 금속은 질화시켜야 하고, Eu2O3 대신에 Eu 금속을 사용하는 경우에도, 이것을 질화시켜야 한다.
Sr 금속을 아르곤 글로브박스내의 아가스(agath) 막자사발에서 수동으로 밀링시키고, N2 분위기하에 800℃에서 질화시켰다. 이로써 80% 넘게 질화되었다.
다시 밀링시킨 후, 질화된 금속을 Si3N4 및 Eu2O3와 함께 글로브박스내에서 다시 수동으로 밀링시키고 혼합하였다. 이 혼합물의 가열에서는 통상 하기 매개변수가 사용되었다:
800℃까지 18℃/분
800℃에서 5h
Tend(1300-1575℃)까지 18℃/분
Tend(1300-1575℃)에서 5시간
H2(3.75%)/N2 400l/시간
Ca2Si5N8:Eu2+의 표본을 개시 물질로서 Ca3N2를 사용하여 만들었다.
모든 표본들의 개관이 표 2에 주어져 있다. 통상 표본들을 첫 번째로 800℃에서 가열시키고 나서, 두 번째로 상승된 온도(1300-1600℃)에서 동일한 사이클로 가열하였다. 그 후, 표본을 밀링시키고(공기 하의 밀링), 체로 거르고 측정하였다.
| 코드 | Ca/Sr | Eu2+(%) | 시간 1(h) | 온도 1(℃) | 시간 2(h) | 온도 2(℃) |
| EC/HU 31/00 | Ca | 10 | 5 | 800 | 5 | 1400 |
| EC/HU 42/00 | Ca | 1 | 5 | 800 | 5 | 1565 |
| EC/HU 41/00 | Ca0.4Sr1.4 | 10 | 5 | 800 | 5 | 1565 |
| EC/HU 62/00 | Sr | 1 | 5 | 800 | 5 | 1400 |
| EC/HU 63/00 | Sr | 2 | 5 | 800 | 5 | 1400 |
| EC/HU 64/00 | Sr | 3 | 5 | 800 | 5 | 1400 |
| EC/HU 65/00 | Sr | 5 | 5 | 800 | 5 | 1400 |
| EC/HU 66/00 | Sr | 8 | 5 | 800 | 5 | 1400 |
| EC/HU 67/00 | Sr | 10 | 5 | 800 | 5 | 1400 |
이러한 가열 후에 수득된 표본은 10% Eu2+ 함유 Sr2Si5N8 표본에 대하여 진한 오렌지색을 나타내었다. Eu2+ 함량이 적을 수록 색이 흐려졌다. Ca 표본은 황색-오렌지 색을 나타내었다.
또한, 또 다른 흥미있는 특징이 있었다: 분말 입자는 평균 입경 d50이 약 0.5 내지 5 ㎛로 매우 작았고, 통상 그 값은 d50 = 1.3 ㎛이었다. 작은 입경은 형광 물질로 LED를 가공하는데 유리하다. 예를 들어, 이들은 수지내에 동질 분포를 허용한다.
| 코드 | Ca/Sr | Eu2+(%) | 방출 최대치 (nm) | 반사 400(%) | 반사 460(%) | QE(%) | x | y |
| EC/HU 31/00 | Ca | 10 | 619 | 12 | 19 | 26 | 0.600 | 0.396 |
| EC/HU 42/00 | Ca | 1 | 603 | 47 | 58 | 37 | 0.555 | 0.435 |
| EC/HU 41/00 | Ca0.4Sr1.4 | 10 | 660 | 17 | 22 | 59 | 0.636 | 0.354 |
| EC/HU 62/00 | Sr | 1 | 609 | 53 | 58 | 70 | 0.602 | 0.393 |
| EC/HU 63/00 | Sr | 2 | 618 | 43 | 48 | 73 | 0.615 | 0.381 |
| EC/HU 64/00 | Sr | 3 | 621 | 36 | 41 | 72 | 0.622 | 0.374 |
| EC/HU 65/00 | Sr | 5 | 624 | 26 | 32 | 67 | 0.632 | 0.365 |
| EC/HU 66/00 | Sr | 8 | 636 | 21 | 26 | 67 | 0.641 | 0.356 |
| EC/HU 67/00 | Sr | 10 | 644 | 17 | 22 | 64 | 0.642 | 0.354 |
표 3에 대하여, 이미 상기에서 개요된 바와 같이 모든 표본은 통상 첫 번째로 제 1 사이클에서 가열된다(예를 들어, 5시간 동안 800℃에서).
표 3에는 방출 최대치, 평균 파장, 400 및 460 nm에서의 반사율, 양자 효율 및 마지막으로 x 및 y 색배열이 포함되어 있다.
표 3으로부터, 순수한 Ca 표본이 Sr 표본만큼 바람직하지 못하다는 것이 유추될 수 있다. Sr-Ca 화합물이 순수한 Sr 화합물의 파장보다 긴 방출 파장을 갖는다는 사실이 놀랍다.
특정 구체예가 도 6 내지 도 8에 도시되어 있다. 도 6에는 Eu 비율이 3%이고 양자 효율이 72%인 표본 HU 64/00(Sr2Si5N8:Eu2+)의 에너지 분포(임의단위: a.u. ;arbitrary unit) 및 반사율(%)이 도시되어 있다. 도 7에는 Eu 비율이 5%이고 양자 효율이 67%인 표본 HU 65/00(Sr2Si5N8:Eu2+)의 에너지 분포(a.u.) 및 반사율(%)이 도시되어 있다. 도 8에는 Eu 비율이 1%이고 양자 효율이 37%인 표본 HU 42/00(Ca2Si5N8:Eu2+)의 에너지 분포(a.u.) 및 반사율(%)이 도시되어 있다.
광원의 특정 예는 백색 LED이며, 이의 원리는 예를 들어 US-A 5 998 925호 또는 US-A 6 066 861호에 잘 공지되어 있다. 이는 청색을 방출시키는 일차 광원(피크 방출 파장 약 380 내지 470nm), 바람직하게는 (In)GaN-칩을 사용하며, 이의 방사선은 수지 및 1종 이상의 인광물질을 기재로 하는 변환 물질에 의해 부분적으로 흡수된다. 개선된 색상 렌디션이, 일차 광원의 청색 광을 위해 2개 또는 3개의 변환 인광물질을 사용하는 백색 LED에 대하여 수득될 수 있다. 이러한 구체예는 주요 방출 파장이 480 내지 600nm인 제 1 인광물질, 예를 들어 이트륨 기재 가닛(garnet), 티오갈레이트 및/또는 클로로실리케이트를, 주요 방출 파장이 600nm 초과, 바람직하게는 650nm 초과인 본 발명의 신규한 유형의 희토류 활성 실리콘 니트리드의 제 2 인광 물질과 함께 함유할 수 있다. 상이한 인광물질의 방출 파장 사이의 약간의 중첩은 600 내지 650nm 사이에서 발생할 수 있다. 특히, 제 1 인광물질 YAG:Ce (황색) 및 제 2 인광물질 M2Si5N8:Eu2+ (적색)와 함께 420 내지 470nm (피크 파장) 사이의 일차 방출 파장을 기초로 하는 백색 LED를 사용함으로써, M의 혼합물의 상세 사항 및 이의 선택에 따라 달라지나, 85 이하, 심지어는 약 90의 색상 렌디션 Ra가 수득되었다.
보다 녹색의 방사선(최대 파장 약 490nm)을 지닌 제 1 인광물질에 의해 더욱 더 개선된다.
또 다른 구성은 여기하는 3개의 인광물질(RGB-개념)에 대한 UV-방사선 일차 광원인데, 여기에서 적색(Red) 성분은 본 발명의 신규한 유형의 희토류 활성 실리콘 니트리드의 인광물질이고, 녹색(Green) 및 청색(Blue) 성분은 상기된 바와 같이 널리 공지된 인광물질이다.
이외에도, 본 발명의 신규한 인광물질은, Eu로 도핑된 본 발명의 희토류 활성 실리콘 니트리드의 니트리드 인광물질에 의해 광이 완전히 변환되는 피크 방출 파장이 약 380 내지 480 nm인 일차 광원(바람직하게는 InGaN-Chip(칩))에 기초할 수 있는 매우 안정한 적색 또는 오렌지색 또는 황색 방출 LED를 생성시키는데 사용될 수 있다. 이들 LED는 황색 내지 적색으로 직접 여기되는 널리 알려진 시판 LED와 비교하여 보다 높은 효율 및 개선된 안정성을 나타낸다.
도 9는 수개의 백색 LED의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 이들 스펙트럼은 칩을 커버링하고 있는 에폭시 수지 내에서 부분적으로 변환되는, 피크 방출 파장이 460nm인 InGaN-칩 방출 일차 방사선에 기초한 것이다.
백색광에 대한 광원의 개략적인 구성은 도 10에 명백하게 도시되어 있다. 광원은, 460nm의 피크 방출 파장, 및 결합선(14)을 포함하는 제 1 및 제 2 전기 단자(2 및 3)를 갖는 InGaN 유형의 반도체 요소(칩 1)이며, 상기 반도체 요소는 기초 하우징(8) 내의 리세스(9) 영역에 매립되어 있으며 광이 투과되지 않는다. 상기 하우징(8)과 리세스(9) 사이의 경계선은 칩(1)으로부터 방출된 청색의 일차 방사선에 대해 반사기(reflector)로 작용하는 벽이다. 리세스(9)는 주요 구성성분으로서 에폭시 주조 수지 및 인광물질 안료(6)(하기 물질(5)에 대해서 15중량% 미만)을 포함하는 포팅(potting) 물질(5)로 충전된다. 특히, 메틸 에테르 및 에어로실에 의해 추가 소량이 제공된다.
수 개의 구체예의 수지는 상이한 인광물질의 조성물을 포함한다. 상세하게는, 대조물은 YAG:Ce 인광물질에 의해서만 일차 방출된 청색광 변환을 기초로 하는 표준 백색 LED에 의해 제공된다. 이의 중량 비율은 수지의 3.6 중량%이다(곡선 1). YAG:Ce 이외에 Sr2Si5N8:Eu2+을 포함하는 세 개의 구체예를 조사하였다. 인광물질의 전체 변환 비율을 일정(3.6%)하게 유지시키면서, 0.25% 양의 YAG:Ce를 Sr2Si5N8:Eu2+ 로 대체시켰다(곡선 2 참조). Sr2Si5N8:Eu2+의 양을 0.5% (곡선 3) 및 0.75% (곡선 4)로 증가시켰다. 이들의 색상 렌디션 Ra는 대조물(곡선 1)과 비교하여 6% (곡선 2), 10% (곡선 3) 및 12% (곡선 4)로 현저하게 개선되었다.
Claims (13)
- 일차 광원의 방사선의 일부 또는 전부를 변환시키는 황색 내지 적색 방출 인광물질을 사용하는 광원에 있어서,인광물질이 니트리도실리케이트형 MxSiyNz:Eu(여기에서, M은 Ca, Sr, Ba 및 Zn으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 알칼리 토류 금속이고, z는 (2/3)x + (4/3)y이다)의 호스트 격자를 가지며,상기 호스트 격자에서 SiN4 사면체는 알칼리 토류 이온이 혼입되어 있는 3차원 네트워크로 가교된 것을 특징으로 하는 광원.
- 제 1항에 있어서, x가 2이고, y가 5임을 특징으로 하는 광원.
- 제 1항에 있어서, x가 1이고, y가 7임을 특징으로 하는 광원.
- 제 1항에 있어서, M이 스트론튬임을 특징으로 하는 광원.
- 제 1항에 있어서, M이 상기 군의 2종 이상의 금속의 혼합물임을 특징으로 하는 광원.
- 제 1항에 있어서, Si가 Ge로 완전히 또는 부분적으로 대체됨을 특징으로 하는 광원.
- 제 1항에 있어서, 인광물질의 평균 입경이 0.5 내지 5μm임을 특징으로 하는 광원.
- 제 1항에 있어서, 광원이 일차 방사선을 방출하고, 인광물질의 이차 방사선이 일차 방사선에 의한 여기 하에서 방출됨을 특징으로 하는 광원.
- 제 8항에 있어서, 일차 방사선이 청색이며, 일차 방사선이 하나의 추가 인광물질의 이차 방사선과 합쳐져서 백색광이 수득됨을 특징으로 하는 광원.
- 제 9항에 있어서, 청색 방사선의 피크 파장이 420 내지 470nm임을 특징으로 하는 광원.
- 제 9항에 있어서, 일차 방사선이 하나 이상의 추가 인광물질의 추가 이차 방사선과 합쳐져서 백색광이 수득됨을 특징으로 하는 광원.
- 제 9항에 있어서, 색상 렌디션 지수(color rendition index) Ra가 85 이상임을 특징으로 하는 광원.
- 제 12항에 있어서, 색상 렌디션 지수 Ra가 90 이상임을 특징으로 하는 광원.
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Families Citing this family (236)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6680569B2 (en) * | 1999-02-18 | 2004-01-20 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Red-deficiency compensating phosphor light emitting device |
| EP1104799A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
| AT410266B (de) * | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
| DE10105800B4 (de) | 2001-02-07 | 2017-08-31 | Osram Gmbh | Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung |
| JP4789350B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2011-10-12 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP4193446B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2008-12-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE10147040A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
| AU2003221442A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-08 | Nichia Corporation | Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device |
| AU2003215785A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-10-08 | Philips Intellectual Property And Standards Gmbh | Tri-color white light led lamp |
| DE10229267A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Vorrichtung zur optischen Signalverarbeitung und nichtlineares optisches Bauelement |
| KR101095753B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2011-12-21 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치 |
| EP1413619A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-04-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Luminescent material, especially for LED application |
| EP1413618A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-04-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Luminescent material, especially for LED application |
| US20040061810A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Backlight for a color LCD using wavelength-converted light emitting devices |
| WO2004036962A1 (en) * | 2002-10-14 | 2004-04-29 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Light-emitting device comprising an eu(ii)-activated phosphor |
| US6717353B1 (en) * | 2002-10-14 | 2004-04-06 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor converted light emitting device |
| JP2004210921A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Nichia Chem Ind Ltd | オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置 |
| MY149573A (en) | 2002-10-16 | 2013-09-13 | Nichia Corp | Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor |
| CN101045862B (zh) * | 2002-10-16 | 2012-05-09 | 日亚化学工业株式会社 | 氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置 |
| JP4529349B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2010-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系蛍光体および発光装置 |
| DE60330892D1 (de) * | 2002-11-08 | 2010-02-25 | Nichia Corp | Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs |
| JP5138145B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2013-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源 |
| DE10254175A1 (de) * | 2002-11-21 | 2004-06-09 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Plasmabildschirm mit blauemittierendem Leuchtstoff |
| US7544309B2 (en) * | 2002-12-13 | 2009-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
| KR100511562B1 (ko) * | 2003-01-29 | 2005-09-02 | 한국화학연구원 | 백색 발광 다이오드 및 능동 발광형 액정 디스플레이에 적용되는 스트론튬실리케이트계 황색 형광체와 이의 제조방법 |
| KR101142725B1 (ko) | 2003-03-13 | 2012-05-04 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광막, 발광장치, 발광막의 제조방법 및 발광장치의제조방법 |
| US7038370B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-05-02 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Phosphor converted light emitting device |
| DE10316769A1 (de) * | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff |
| CN100383988C (zh) * | 2003-08-20 | 2008-04-23 | 刘行仁 | 白光发光二极管及其光转换用荧光体 |
| JP2005079500A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Lite-On Technology Corp | 白色光発光装置 |
| EP1515368B1 (en) * | 2003-09-05 | 2019-12-25 | Nichia Corporation | Light equipment |
| US7723740B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2005093912A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2005093913A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| TW200523340A (en) | 2003-09-24 | 2005-07-16 | Patent Treuhand Ges Fur Elek Sche Gluhlampen Mbh | Hochefeizienter leuchtstoff |
| JP4457110B2 (ja) | 2003-09-24 | 2010-04-28 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 改善された演色性を有するｌｅｄをベースとする高効率の照明系 |
| US7965031B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-06-21 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | White-emitting LED having a defined color temperature |
| US20050069726A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Douglas Elliot Paul | Light emitting composite material and devices thereof |
| US7488432B2 (en) * | 2003-10-28 | 2009-02-10 | Nichia Corporation | Fluorescent material and light-emitting device |
| US20070132360A1 (en) * | 2003-11-11 | 2007-06-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Low-pressure vapor discharge lamp with a mercury-free gas filling |
| TWI359187B (en) * | 2003-11-19 | 2012-03-01 | Panasonic Corp | Method for preparing nitridosilicate-based compoun |
| JP3837588B2 (ja) | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
| JP4568894B2 (ja) | 2003-11-28 | 2010-10-27 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 複合導体および超電導機器システム |
| JP3931239B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-06-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 発光素子及び照明器具 |
| JP4976857B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-07-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線源および蛍光材料を有する照明システム |
| EP1566426B1 (en) * | 2004-02-23 | 2015-12-02 | Philips Lumileds Lighting Company LLC | Phosphor converted light emitting device |
| TWI262609B (en) * | 2004-02-27 | 2006-09-21 | Dowa Mining Co | Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor |
| JP4511849B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-07-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ |
| US7239080B2 (en) * | 2004-03-11 | 2007-07-03 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd | LED display with overlay |
| EP1734096B1 (en) | 2004-03-22 | 2011-07-06 | Fujikura Ltd. | Light-emitting device and illuminating device |
| US20070040502A1 (en) * | 2004-04-20 | 2007-02-22 | Gelcore Llc | High CRI LED lamps utilizing single phosphor |
| US7229573B2 (en) * | 2004-04-20 | 2007-06-12 | Gelcore, Llc | Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation |
| KR101157313B1 (ko) | 2004-04-27 | 2012-06-18 | 파나소닉 주식회사 | 형광체 조성물과 그 제조방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광 장치 |
| JP4576997B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-11-10 | 株式会社デンソー | 通信システム、鍵配信装置、暗号処理装置 |
| KR100658700B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-12-15 | 서울옵토디바이스주식회사 | Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치 |
| JP4524468B2 (ja) | 2004-05-14 | 2010-08-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ |
| US7700002B2 (en) * | 2004-05-27 | 2010-04-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Illumination system comprising a radiation source and fluorescent material |
| JP4491585B2 (ja) | 2004-05-28 | 2010-06-30 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 金属ペーストの製造方法 |
| WO2005120135A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent structure and led with an el structure |
| JP4414821B2 (ja) | 2004-06-25 | 2010-02-10 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ |
| JP4565141B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-10-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と発光器具 |
| WO2006006099A1 (en) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
| WO2006005005A2 (en) | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Sarnoff Corporation | Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors |
| US20060006366A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Vladimir Abramov | Wave length shifting compositions for white emitting diode systems |
| JP4511885B2 (ja) | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源 |
| JP4521227B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 窒素を含有する蛍光体の製造方法 |
| US7476337B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
| JP4933739B2 (ja) | 2004-08-02 | 2012-05-16 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置 |
| US7138756B2 (en) | 2004-08-02 | 2006-11-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same |
| US7267787B2 (en) * | 2004-08-04 | 2007-09-11 | Intematix Corporation | Phosphor systems for a white light emitting diode (LED) |
| US8017035B2 (en) * | 2004-08-04 | 2011-09-13 | Intematix Corporation | Silicate-based yellow-green phosphors |
| US7575697B2 (en) * | 2004-08-04 | 2009-08-18 | Intematix Corporation | Silicate-based green phosphors |
| DE102004038199A1 (de) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | LED mit niedriger Farbtemperatur |
| US20060049414A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-09 | Chandran Ramachandran G | Novel oxynitride phosphors |
| JP4524470B2 (ja) | 2004-08-20 | 2010-08-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源 |
| US7476338B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-01-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method for the same, and light source |
| JP4543250B2 (ja) | 2004-08-27 | 2010-09-15 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
| US20090261364A1 (en) * | 2004-08-31 | 2009-10-22 | Kyota Ueda | Fluorescent substance |
| JP5105347B2 (ja) | 2004-09-22 | 2012-12-26 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
| US7452483B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-11-18 | Global Tungsten & Powders Corp. | Yellow-emitting phosphor blend for electroluminescent lamps |
| US8278816B2 (en) * | 2004-09-30 | 2012-10-02 | Global Tungsten & Powders Corp. | High CRI electroluminescent lamp |
| US7749405B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-07-06 | Global Tungsten & Powders Corp. | White-emitting phosphor blend and electroluminescent lamp containing same |
| JP4543253B2 (ja) | 2004-10-28 | 2010-09-15 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
| US7321191B2 (en) * | 2004-11-02 | 2008-01-22 | Lumination Llc | Phosphor blends for green traffic signals |
| US7671529B2 (en) * | 2004-12-10 | 2010-03-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Phosphor converted light emitting device |
| EP1837386B1 (en) | 2004-12-28 | 2016-11-23 | Nichia Corporation | Nitride phosphor, method for producing same and light-emitting device using nitride phosphor |
| JP2006213910A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸窒化物蛍光体及び発光装置 |
| CN101103088A (zh) * | 2005-01-10 | 2008-01-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包含陶瓷发光转换器的照明系统 |
| US7541728B2 (en) * | 2005-01-14 | 2009-06-02 | Intematix Corporation | Display device with aluminate-based green phosphors |
| JP4756261B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-08-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
| JP4892193B2 (ja) | 2005-03-01 | 2012-03-07 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 蛍光体混合物および発光装置 |
| US7439668B2 (en) | 2005-03-01 | 2008-10-21 | Lumination Llc | Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality |
| US7524437B2 (en) | 2005-03-04 | 2009-04-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
| WO2006095285A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
| US7276183B2 (en) | 2005-03-25 | 2007-10-02 | Sarnoff Corporation | Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices |
| KR101142519B1 (ko) | 2005-03-31 | 2012-05-08 | 서울반도체 주식회사 | 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널 |
| US7445730B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-11-04 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
| US7443094B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-10-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
| EP1867695A4 (en) | 2005-04-01 | 2013-03-27 | Mitsubishi Chem Corp | ALLOY POWDER AS A RAW MATERIAL FOR FUNCTIONAL AND PHOSPHOROUS INORGANIC MATERIAL |
| ATE410910T1 (de) * | 2005-04-20 | 2008-10-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Beleuchtungssystem mit einem keramischen lumineszenzumwandler |
| DE102005019376A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Lumineszenzkonversions-LED |
| JP4975269B2 (ja) | 2005-04-28 | 2012-07-11 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
| CN101175835B (zh) * | 2005-05-24 | 2012-10-10 | 三菱化学株式会社 | 荧光体及其应用 |
| JP5052507B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2012-10-17 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子 |
| JP4931372B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2012-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR100601200B1 (ko) | 2005-06-17 | 2006-07-13 | 서울반도체 주식회사 | 적색 형광체와 이를 이용한 발광 다이오드 |
| TW200717866A (en) * | 2005-07-29 | 2007-05-01 | Toshiba Kk | Semiconductor light emitting device |
| EP1911826B1 (en) * | 2005-08-04 | 2009-12-16 | Nichia Corporation | Phosphor and light-emitting device |
| TWI266563B (en) * | 2005-08-12 | 2006-11-11 | Epistar Corp | Compound, phosphor composition and light-emitting device containing the same |
| DE102005041153A1 (de) | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh | Nitridocarbid-Leuchtstoffe |
| JP2007067184A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Showa Denko Kk | Ｌｅｄパッケージ |
| JP4898332B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2012-03-14 | セイコーインスツル株式会社 | 表示装置 |
| EP1929502A4 (en) | 2005-09-30 | 2010-03-24 | Univ California | CER-BASED FLUORESCENT MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS |
| KR100724591B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-06-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트 |
| US20070125984A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Sarnoff Corporation | Phosphors protected against moisture and LED lighting devices |
| US8906262B2 (en) | 2005-12-02 | 2014-12-09 | Lightscape Materials, Inc. | Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same |
| DE102005059521A1 (de) | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit einem derartigen Leuchtstoff |
| BRPI0620413A2 (pt) * | 2005-12-21 | 2011-11-08 | Cree Led Lighting Solutions | dispositivo de iluminação e método de iluminação |
| JP4991027B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-08-01 | 日亜化学工業株式会社 | オキシ窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
| CN101385145B (zh) | 2006-01-05 | 2011-06-08 | 伊鲁米特克斯公司 | 用于引导来自led的光的分立光学装置 |
| JP5030077B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-09-19 | 三菱化学株式会社 | 複合窒化物または複合酸窒化物セラミックス合成用前駆体およびそれを使用した複合窒化物または複合酸窒化物セラミックスの製造方法 |
| JP5181492B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2013-04-10 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体原料及び蛍光体原料用合金の製造方法 |
| US8323529B2 (en) * | 2006-03-16 | 2012-12-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Fluorescent material and light emitting diode using the same |
| WO2007123183A1 (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Mitsubishi Chemical Corporation | カラー画像表示装置 |
| US8282986B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-10-09 | Osram Sylvania, Inc. | Method of applying phosphor coatings |
| CN102816566A (zh) | 2006-05-19 | 2012-12-12 | 三菱化学株式会社 | 含氮合金以及使用该含氮合金的荧光体制造方法 |
| CN101077973B (zh) * | 2006-05-26 | 2010-09-29 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置 |
| SG138477A1 (en) * | 2006-06-16 | 2008-01-28 | Xia Lei | Device with screen as remote controller for camera, camcorder or other picture/video capture device |
| KR101258229B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
| CN101117576B (zh) * | 2006-07-31 | 2010-07-28 | 北京中村宇极科技有限公司 | 一种氮氧化合物发光材料及其所制成的照明或显示光源 |
| US20080029720A1 (en) | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
| DE102006036577A1 (de) | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff |
| EP2062960B1 (en) | 2006-08-15 | 2012-09-19 | Dalian Luminglight Co., Ltd. | Silicate-base luminescent materials having multiple emission peaks, processes for preparing the same and light emitting devices using the same |
| JP5378644B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-12-25 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体の製造方法 |
| US8087960B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-01-03 | Illumitex, Inc. | LED system and method |
| CN101605867B (zh) * | 2006-10-03 | 2013-05-08 | 渲染材料公司 | 金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用它们的led照明器件 |
| JP5168880B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-03-27 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置 |
| TWI359857B (en) * | 2006-12-25 | 2012-03-11 | Ind Tech Res Inst | White light illumination device |
| CN101605866B (zh) * | 2007-02-07 | 2013-01-02 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包含复合物单片陶瓷发光转换器的照明系统 |
| JP2008208238A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Showa Denko Kk | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを備えた照明器具と画像表示装置 |
| JP4840778B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2011-12-21 | 国立大学法人大阪大学 | 蛍光体の製造方法、蛍光体、並びに蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
| WO2008126540A1 (ja) | 2007-03-23 | 2008-10-23 | Ube Industries, Ltd. | α型窒化ケイ素蛍光体及びその製造方法 |
| JP2007189254A (ja) * | 2007-03-30 | 2007-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2008123581A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-16 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 燃焼合成による多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体の製造方法及び多元系窒化物乃至酸窒化物蛍光体 |
| DE102007018099A1 (de) | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff |
| JP2009010315A (ja) * | 2007-05-30 | 2009-01-15 | Sharp Corp | 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置 |
| US9279079B2 (en) * | 2007-05-30 | 2016-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus |
| US7942556B2 (en) * | 2007-06-18 | 2011-05-17 | Xicato, Inc. | Solid state illumination device |
| WO2009003988A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh | Ce3+, eu2+ and mn2+ - activated alkaline earth silicon nitride phosphors and white-light emitting led |
| CN101157854B (zh) | 2007-07-02 | 2010-10-13 | 北京宇极科技发展有限公司 | 一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用 |
| WO2009017206A1 (ja) | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体及びその製造方法、結晶性窒化珪素及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
| JP5200741B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2013-06-05 | 三菱化学株式会社 | 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料 |
| KR101045201B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2011-06-30 | 삼성전기주식회사 | (옥시)나이트라이드 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자및 형광체 제조 방법 |
| KR20090019677A (ko) * | 2007-08-21 | 2009-02-25 | 삼성전기주식회사 | 옥시 나이트라이드 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자및 형광체 제조 방법. |
| ATE509082T1 (de) * | 2007-10-15 | 2011-05-15 | Leuchtstoffwerk Breitungen | Verfahren zur herstellung eines seltenerddotiertem erdalkali-siliciumnitrid- leuchtstoffes, auf diese weise herstellbarer seltenerddotierter erdalkali-siliciumnitrid- leuchtstoff und strahlungsemittierende vorrichtung mit derartigem seltenerddotiertem erdalkali-siliciumnitrid-leuchtstoff |
| CN101842461B (zh) * | 2007-10-15 | 2015-09-16 | 发光物质工厂布赖通根有限责任公司 | 掺杂稀土的碱土硅氮化物无机发光材料,制造方法以及含有这种无机发光材料的辐射转化装置 |
| US9086213B2 (en) * | 2007-10-17 | 2015-07-21 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes |
| US7984999B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-07-26 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member |
| US8018139B2 (en) * | 2007-11-05 | 2011-09-13 | Enertron, Inc. | Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine |
| US8167674B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| JP5251140B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-07-31 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
| KR20100122485A (ko) | 2008-02-08 | 2010-11-22 | 일루미텍스, 인크. | 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법 |
| US8567973B2 (en) * | 2008-03-07 | 2013-10-29 | Intematix Corporation | Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs) |
| WO2009117148A2 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Nanogram Corporation | Metal silicon nitride or metal silicon oxynitride submicron phosphor particles and methods for synthesizing these phosphors |
| US8274215B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-09-25 | Intematix Corporation | Nitride-based, red-emitting phosphors |
| WO2009143283A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Lightscape Materials, Inc. | Silicate-based phosphors and led lighting devices using the same |
| EP2163593A1 (en) | 2008-09-15 | 2010-03-17 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Production of nitride-based phosphors |
| JP2010090231A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Canon Inc | 画像表示装置 |
| US20100109025A1 (en) * | 2008-11-05 | 2010-05-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Over the mold phosphor lens for an led |
| US9428688B2 (en) | 2008-11-17 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Phosphor composition |
| US9464225B2 (en) * | 2008-11-17 | 2016-10-11 | Cree, Inc. | Luminescent particles, methods of identifying same and light emitting devices including the same |
| DE102008058295A1 (de) | 2008-11-20 | 2010-05-27 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Rot emittierender Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff sowie Verfahren zur Herstellung des Leuchtstoffs |
| US8220971B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-07-17 | Xicato, Inc. | Light emitting diode module with three part color matching |
| TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
| JP5549969B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-07-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 窒化物系または酸窒化物系の蛍光体原料混合物及びＥｕを含むＳｒ２Ｓｉ５Ｎ８、ＣａＡｌＳｉＮ３又はＳｒＡｌＳｉＮ３蛍光体の製造方法 |
| WO2010098141A1 (ja) | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 |
| DE102009010705A1 (de) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Merck Patent Gmbh | Co-dotierte 2-5-8 Nitride |
| CN101629077A (zh) * | 2009-08-14 | 2010-01-20 | 上海芯光科技有限公司 | 多元系氧氮化物基或氮化物基荧光粉及其制备方法 |
| DE102009037732A1 (de) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Konversions-LED mit hoher Effizienz |
| US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
| US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
| TWI374704B (en) | 2009-11-09 | 2012-10-21 | Ind Tech Res Inst | Light transformation particle and photobioreactor |
| DE102009055185A1 (de) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 | Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigen Leuchtstoff |
| US9631782B2 (en) * | 2010-02-04 | 2017-04-25 | Xicato, Inc. | LED-based rectangular illumination device |
| WO2011105836A2 (ko) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 한국화학연구원 | 실리케이트계 전구체를 이용한 질화물계 형광체의 제조방법 |
| JP2011181579A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 発光装置、及びこれを用いた照明光源、表示装置ならびに電子機器 |
| US8104908B2 (en) * | 2010-03-04 | 2012-01-31 | Xicato, Inc. | Efficient LED-based illumination module with high color rendering index |
| DE102010028949A1 (de) | 2010-05-12 | 2011-11-17 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Scheinwerfermodul |
| KR100984273B1 (ko) | 2010-05-25 | 2010-10-01 | 충남대학교산학협력단 | 질화물 형광체, 이의 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자 |
| US8207663B2 (en) | 2010-07-09 | 2012-06-26 | Nitto Denko Corporation | Phosphor composition and light emitting device using the same |
| KR20130098322A (ko) | 2010-08-04 | 2013-09-04 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 규질화물 형광체용 질화규소 분말 그리고 그것을 이용한 CaAlSiN3계 형광체, Sr2Si5N8계 형광체, (Sr, Ca)AlSiN3계 형광체 및 La3Si6N11계 형광체, 및 그 제조 방법 |
| US20120051045A1 (en) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Xicato, Inc. | Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source |
| US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
| JP5849961B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2016-02-03 | 三菱化学株式会社 | 共沈原料を用いた窒化物蛍光体の製造方法、窒化物蛍光体、及びその原料 |
| US8329484B2 (en) * | 2010-11-02 | 2012-12-11 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Phosphor with Ce3+/Ce3+, Li+ doped luminescent materials |
| JP5592764B2 (ja) * | 2010-11-16 | 2014-09-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US8343785B2 (en) | 2010-11-30 | 2013-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitridosilicate phosphor tunable light-emitting diodes by using UV and blue chips |
| WO2012073177A1 (en) | 2010-12-01 | 2012-06-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Red emitting luminescent materials |
| KR101292320B1 (ko) * | 2011-03-11 | 2013-07-31 | 금호전기주식회사 | 형광체 및 그 제조방법 |
| US8716731B2 (en) | 2011-04-11 | 2014-05-06 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Tunable phosphor for luminescent |
| WO2012165906A2 (ko) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | 한국화학연구원 | 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용한 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법, 할로질화물 적색 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자 |
| KR101270080B1 (ko) | 2011-09-22 | 2013-05-31 | 홍혜원 | 고휘도 실리콘 화합물 형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자 |
| JP6002772B2 (ja) | 2011-10-17 | 2016-10-05 | グリレム アドヴァンスド マテリアルズ カンパニー リミテッドＧｒｉｒｅｍ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 窒化物赤色発光材料、それを含む発光素子及び発光デバイス |
| CN103045256B (zh) | 2011-10-17 | 2014-08-27 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件 |
| WO2013102222A1 (en) | 2011-12-30 | 2013-07-04 | Intematix Corporation | Nitride phosphors with interstitial cations for charge balance |
| US8663502B2 (en) | 2011-12-30 | 2014-03-04 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based phosphors |
| DE102012000217A1 (de) | 2012-01-07 | 2013-07-11 | Michael Licht | Vis led |
| DE102012101920A1 (de) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| KR101406367B1 (ko) | 2012-03-28 | 2014-06-12 | 서울대학교산학협력단 | 나이트라이드 적색 형광체 제조 방법 |
| US9938460B2 (en) | 2012-04-02 | 2018-04-10 | National Taiwan University | Phosphor, light emitting apparatus and method of forming phosphor |
| CN104428395B (zh) * | 2012-07-13 | 2017-03-15 | 默克专利有限公司 | 制备无机发光材料的方法 |
| US8597545B1 (en) | 2012-07-18 | 2013-12-03 | Intematix Corporation | Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors |
| JP2015530740A (ja) * | 2012-08-10 | 2015-10-15 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 燐光体変換発光ダイオード、ランプ、及び照明体 |
| TWI516572B (zh) | 2012-12-13 | 2016-01-11 | 財團法人工業技術研究院 | 螢光材料、及包含其之發光裝置 |
| CN102994079A (zh) | 2012-12-21 | 2013-03-27 | 北京有色金属研究总院 | 氮氧化物橙-红色荧光物质，包括其的发光膜或发光片及发光器件 |
| CN103881706B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-01-20 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置 |
| US20140185269A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Intermatix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
| WO2014151263A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
| JP6040500B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2016-12-07 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
| DE102013105307A1 (de) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung |
| KR20150069618A (ko) * | 2013-12-13 | 2015-06-24 | 주식회사 효성 | 반도체 레이저 다이오드용 청색 발광 물질 |
| EP3092284A1 (de) * | 2014-01-09 | 2016-11-16 | Merck Patent GmbH | Leuchtstoffe auf basis von europium-dotierten erdalkalimetall-silicooxynitriden |
| KR102219263B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2021-02-24 | 대주전자재료 주식회사 | 산질화물계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치 |
| DE102014107972B9 (de) | 2014-04-17 | 2022-07-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln |
| US9331253B2 (en) * | 2014-09-03 | 2016-05-03 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties |
| KR102357584B1 (ko) | 2014-12-17 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
| US11101409B2 (en) | 2014-12-24 | 2021-08-24 | Koninklijke Philips N.V. | Phosphor converted LED |
| KR102477353B1 (ko) | 2015-08-06 | 2022-12-16 | 삼성전자주식회사 | 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치 |
| JP2017088800A (ja) | 2015-11-16 | 2017-05-25 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 蛍光体およびその製造方法 |
| JP6460056B2 (ja) | 2016-06-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体の製造方法 |
| CN107880883B (zh) | 2016-09-29 | 2022-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物荧光体的制造方法、及氮化物荧光体 |
| DE102016011999A1 (de) | 2016-10-06 | 2018-04-12 | Michael Licht | Uv-led |
| JP6843351B2 (ja) * | 2017-01-05 | 2021-03-17 | 太平洋セメント株式会社 | 蛍光体の製造法 |
| WO2020203234A1 (ja) | 2019-04-03 | 2020-10-08 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法および発光素子 |
| EP3943445A1 (en) * | 2020-07-21 | 2022-01-26 | Karlsruher Institut für Technologie | Bulk materials of doped multinary nitrides and nitridosilicates, their production method and uses |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311999A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-01-19 | 日本電気株式会社 | 中国語の音声認識装置 |
| KR19980070526A (ko) * | 1997-01-15 | 1998-10-26 | 니시무로다이조 | 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2007009807A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の制御装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255670B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-07-03 | General Electric Company | Phosphors for light generation from light emitting semiconductors |
| US6252254B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
| US6287993B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-09-11 | Kabushiki Kaisha Ohara | Long-lasting phosphorescent glasses and glass-ceramics |
| US6680569B2 (en) * | 1999-02-18 | 2004-01-20 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Red-deficiency compensating phosphor light emitting device |
| WO2001024284A1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-05 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion |
| EP1104799A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
-
1999
- 1999-11-30 EP EP99123747A patent/EP1104799A1/en not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-11-30 CN CNB00803138XA patent/CN1200992C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 CA CA002360330A patent/CA2360330A1/en not_active Abandoned
- 2000-11-30 AT AT00977603T patent/ATE287435T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-11-30 KR KR1020017009507A patent/KR100700231B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-30 JP JP2001541144A patent/JP4886139B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 US US09/889,899 patent/US6682663B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 WO PCT/EP2000/012047 patent/WO2001039574A1/en active IP Right Grant
- 2000-11-30 CA CA002359896A patent/CA2359896A1/en not_active Abandoned
- 2000-11-30 EP EP00977603A patent/EP1238041B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 KR KR1020017009610A patent/KR100801767B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-30 JP JP2001541319A patent/JP4886140B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 HU HU0105080A patent/HUP0105080A3/hu unknown
- 2000-11-30 DE DE60038668T patent/DE60038668T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 WO PCT/EP2000/012046 patent/WO2001040403A1/en active IP Right Grant
- 2000-11-30 EP EP00989932A patent/EP1153101B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 DE DE60017596T patent/DE60017596T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 CN CNB008030111A patent/CN1195817C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 US US09/889,959 patent/US6649946B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-30 HU HU0200436A patent/HUP0200436A3/hu unknown
- 2000-11-30 AT AT00989932T patent/ATE393200T1/de not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-29 TW TW090101621A patent/TW581801B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-01-29 TW TW090101622A patent/TW524840B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311999A (ja) * | 1986-03-12 | 1988-01-19 | 日本電気株式会社 | 中国語の音声認識装置 |
| KR19980070526A (ko) * | 1997-01-15 | 1998-10-26 | 니시무로다이조 | 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2007009807A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の制御装置 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 대한민국공개특허공보 제1998-070526호 |
| 전자공학회논문집 36 31 1999 * |
| 전자공학회논문집, 36(10), 1999. 10 * |
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