JP6532941B2 - ブロック共重合体 - Google Patents

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Description

本出願は2014年9月30日付提出された大韓民国特許出願第2014−0131964号、2015年6月4日付提出された大韓民国特許出願第2015−0079486号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175411号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175414号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175410号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175415号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175412号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175413号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175407号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175406号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175400号、2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175401号および2014年12月8日付提出された大韓民国特許出願第2014−0175402号に基づいた優先権の利益を主張し、該当大韓民国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
本出願はブロック共重合体およびその用途に関するものである。
ブロック共重合体は化学的構造が互いに異なる高分子ブロックが共有結合を通じて連結されている分子構造を有している。ブロック共重合体は相分離によってスフィア(sphere)、シリンダー(cylinder)またはラメラ(lamella)などのような構造を形成することができる。ブロック共重合体の自己組織化現象によって形成された構造のドメインの大きさは調節され得、多様な形態の構造の製作が可能で高密度磁気保存媒体、ナノ線製作、量子ドットまたは金属ドットなどのような多様な次世代ナノ素子や磁気記録媒体またはリソグラフィーなどによるパターン形成などに応用され得る。
大韓民国特許出願第2014−0131964号 大韓民国特許出願第2015−0079486号 大韓民国特許出願第2014−0175411号 大韓民国特許出願第2014−0175414号 大韓民国特許出願第2014−0175410号 大韓民国特許出願第2014−0175415号 大韓民国特許出願第2014−0175412号 大韓民国特許出願第2014−0175413号 大韓民国特許出願第2014−0175407号 大韓民国特許出願第2014−0175406号 大韓民国特許出願第2014−0175400号 大韓民国特許出願第2014−0175401号 大韓民国特許出願第2014−0175402号
本出願はブロック共重合体、高分子膜、高分子膜の形成方法およびパターン形成方法などを提供する。
例示的なブロック共重合体は、第1ブロックと前記第1ブロックとは異なる第2ブロックを含むことができる。ブロック共重合体の各ブロックは一種の単量体のみによって形成されるか、あるいは2種以上の単量体によって形成され得る。ブロック共重合体は一つの第1ブロックと一つの第2ブロックのみを含むジブロック共重合体であるか、第1および第2ブロックの中の一つ以上を2個以上含むか、あるいは第1および第2ブロックの他に他のブロックをさらに含むトリブロック以上のブロック共重合体であり得る。
ブロック共重合体は共有結合に連結された2個またはそれ以上の高分子鎖を含むため相分離が起きる。下記記述する本出願のブロック共重合体は、微細相分離(microphase seperation)によるナノスケールの構造を形成することができる。前記ナノスケールの構造の形態または大きさは、例えば、分子量などのようなブロック共重合体の大きさや、ブロック間の相対的比率の調節を通じて調節することができる。本発明者らは、下記記述する本出願のブロック共重合体は特に自己組織化によってシリンダー構造を効率的に形成できることを確認した。
本出願のブロック共重合体は、例えば、下記の数式1で計算されるXの範囲が2.5〜10やあるいは1.1〜1.7であり得る。
[数式1]
X=1+(D×M)/(K×L)
数式1でDは第1ブロックの密度(D1)と第2ブロックの密度(D2)の比率(D2/D1)であり、Mは、第1ブロックのモル質量(M1)と第2ブロックのモル質量(M2)の比率(M1/M2)であり、KはH−NMRで第2ブロックに起因して現れるピークの面積(A2)と第1ブロックに起因して現れるピークの面積(A1)の比率(A2/A1)であり、Lは第1ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H1)と第2ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H2)の比率(H1/H2)である。
数式1に適用されるK値を求めるためのH−NMRの測定方式は特に制限されず、公知の方式で進めることができる。前記測定方式の一例は下記の実施例に記述されている。NMR測定結果からピークの面積を計算する方式は公知であり、例えば、NMR測定結果第1ブロックと第2ブロックそれぞれから由来するピークが互いに重ならない場合に該当ピークの面積を通じて求めることができ、ピークが互いに重なる場合には前記重なる部分を勘案して比率を求めることができる。H−NMRスペクトルを解釈してピークの面積を求めることができる解釈プログラムが多様に知られており、例えば、MestReCプログラムを用いてピークの面積を計算することができる。
数式1に適用されるD値を求めるためのブロック共重合体の各ブロックの密度は公知の浮力法を利用して測定することができる。例えば、エタノールのように空気中での質量と密度を知っている溶媒内でのブロック共重合体の質量を分析して密度を測定することができる。前記各ブロックの密度は、例えば、そのブロックを形成する単量体でのみ製造された単独重合体を浮力法に適用して測定することができる。
数式1に適用されるM値は前述した通りブロック共重合体の各ブロックの繰返し単位のモル質量の比率である。このようなモル質量は、公知の方式で求めることができ、例えば、ブロック共重合体の各ブロックを形成する単量体のモル質量の比率でも前記M値を求めることができる。このような場合、ブロック共重合体のいずれか一つのブロックが2種以上の単量体で形成される場合に前記M値を計算するためのモル質量は前記2種以上の単量体の中でそのブロックに最も多いモル数で含まれている単量体のモル質量を代入することができる。
数式1に適用されるL値は前述した通りブロック共重合体の各ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数の比率である。このような比率も各繰返し単位の化学構造に基づいて求めることができ、例えば、ブロック共重合体の各ブロックを形成する単量体の化学構造での水素原子の数またはH−NMRによって求めることができる。この場合も、ブロック共重合体のいずれか一つのブロックが2種以上の単量体で形成される場合に前記L値を計算するためのモル質量は前記2種以上の単量体の中でそのブロックに最も多いモル数で含まれている単量体のモル質量を代入することができる。
本出願において、密度などのように温度によって変化され得る物性は、特に規定しない限り、常温で測定した数値である。用語常温は、加温されるか、減温されていない自然のままの温度であり、約10℃〜30℃、約25℃または約23℃の温度を意味し得る。
数式1でXは、ブロック共重合体内の第1および第2ブロックの比率を代表する数値である。一般にブロック共重合体内の各ブロックの比率はGPC等を通して得られる分子量に基づいて確認されているが、本発明者らはこのような方式はブロック間の比率を正確に反映できず、したがって設計されたとおりのブロック共重合体が得られないことを確認した。例えば、後述するようにブロック共重合体のいずれか一つのブロックをマクロ開始剤にしてブロック共重合体を合成する場合にマクロ開始剤と単量体の反応性によっては目的とする水準に各ブロックを含むブロック共重合体が合成されない場合があるが、GPCだけではこのような点を正確に確認することができない。
数式1によるXは他の例示において2.5〜6.7、2.5〜5、2.8〜5または3.3〜5の範囲であり得る。
数式1によるXはさらに他の例示において1.1〜1.45、1.1〜1.35、1.1〜1.33または1.1〜1.25程度であり得る。
例えば、前記第1ブロックが後述するように、ハロゲン原子で置換された芳香族構造を含む第2ブロックと共に含まれるハロゲン原子を有さない芳香族構造を含むブロックであるか、ハロゲン原子を含む第2ブロックと共に含まれる側鎖を有するブロックである場合に前記Xが2.5〜10の範囲内であるブロック共重合体は前記第1ブロックによって形成されたドメイン内で第2ブロックがシリンダー状で存在する構造を形成することができ、前記Xが1.1〜1.7の範囲内であるブロック共重合体は、前記第2ブロックによって形成されるドメイン内で前記第1ブロックがシリンダー状で存在する構造を形成することができる。
本出願において、用語側鎖は、高分子の主鎖に連結された鎖を意味し、用語鎖形成原子は、ブロック共重合体に結合されている前記側鎖を形成する原子であって、前記鎖の直鎖構造を形成する原子を意味する。前記側鎖は直鎖型または分枝型であり得るが、鎖形成原子の数は最も長い直鎖を形成している原子の数だけで計算され、前記鎖形成原子に結合されている他の原子(例えば、鎖形成原子が炭素原子である場合にその炭素原子に結合している水素原子など)は計算されない。例えば、分枝型鎖である場合に前記鎖形成原子の数は最も長い鎖部位を形成している鎖形成原子の数で計算され得る。例えば、側鎖がn−ペンチル基である場合に鎖形成原子はすべて炭素であってその数は5であり、側鎖が2−メチルペンチル基である場合にも鎖形成原子はすべて炭素であってその数は5である。前記鎖形成原子としては、炭素、酸素、硫黄または窒素などが例示され得、適切な鎖形成原子は炭素、酸素または窒素であるか、炭素または酸素であり得る。前記鎖形成原子の数は8以上、9以上、10以上、11以上または12以上であり得る。前記鎖形成原子の数は、また、30以下、25以下、20以下または16以下であり得る。
前記ブロック共重合体の数平均分子量(Mn(Number Average Molecular Weight))は、例えば、3,000〜300,000の範囲内にあり得る。本明細書において用語数平均分子量は、GPC(Gel Permeation Chromatograph)を使って測定した標準ポリスチレンに対する換算数値であり、本明細書において用語分子量は特に規定しない限り、数平均分子量を意味する。分子量(Mn)は他の例示においては、例えば、3000以上、5000以上,7000以上、9000以上、11000以上、13000以上または15000以上であり得る。分子量(Mn)はさらに他の例示において250000以下,200000以下、180000以下、160000以下、140000以下、120000以下,100000以下、90000以下、80000以下,70000以下、60000以下、50000以下,40000以下、30000以下または25000以下程度であり得る。ブロック共重合体は、1.01〜1.60の範囲内の分散度(polydispersity、Mw/Mn)を有することができる。分散度は他の例示において約1.1以上、約1.2以上、約1.3以上または約1.4以上であり得る。
このような範囲でブロック共重合体は適切な自己組織化特性を表わすことができる。ブロック共重合体の数平均分子量などは目的とする自己組織化構造などを勘案して調節され得る。
前記ブロック共重合体は適切な自己組織化怒るのは相分離特性の確保のために制御された構造を有することができる。例えば、前記言及されたパラメーターの中の一つ以上を満足させるブロック共重合体の第1ブロックと第2ブロックのうち少なくとも一つまたはすべては少なくとも芳香族構造を含むことができる。第1ブロックと第2ブロックはすべて芳香族構造を含むことができ、このような場合に第1および第2ブロックに含まれる芳香族構造は同一であるか相異し得る。また、前記言及されたパラメーターの中の一つ以上を満足させるブロック共重合体の第1および第2ブロックのうち少なくとも一つは前述した側鎖を含むか、後述する一つ以上のハロゲン原子を含むことができるが、このような側鎖とハロゲン原子は前記芳香族構造に置換され得る。本出願のブロック共重合体は2個のブロックを含むか、それ以上のブロックを含むことができる。
記述した通り前記ブロック共重合体の第1ブロックおよび/または第2ブロックは芳香族構造を含むことができる。このような芳香族構造は第1および第2ブロックのうちいずれか一つのブロックにのみ含まれるか、両ブロックにすべて含まれ得る。両ブロックがすべて芳香族構造を含む場合に各ブロックが含む芳香族構造は互いに同一であるか相異し得る。
本明細書において用語、芳香族構造、アリール基またはアリーレン基は、特に規定しない限り、ベンゼン環を有するか、2個以上のベンゼン環が一つまたは2個の炭素原子を共有して連結されているか、または任意のリンカーによって連結されている構造を含む化合物またはその誘導体から由来する構造、1価残基または2価残基を意味し得る。前記アリール基またはアリーレン基は、例えば、炭素数6〜30、炭素数6〜25、炭素数6〜21、炭素数6〜18または炭素数6〜13のアリール基であり得る。アリール基またはアリーレン基としては、ベンゼン(benzene)などでも、ナフタレン(naphthalene)、アゾベンゼン(azobenzene)、アントラセン(anthracene)、フェナントレン(phenanthrene)、テトラセン(tetracene)、ピレン(pyrene)またはベンゾピレン(benzopyrene)などから由来した1価または2価残基等も例示され得る。
前記芳香族構造はブロック主鎖に含まれている構造であるか、あるいはブロック主鎖に側鎖形態で連結されている構造であり得る。各ブロックが含むことができる芳香族構造の適切な制御を通じて前述したパラメーターの調節が可能であり得る。
例えば、前述したパラメーターの調節のためにブロック共重合体の第1ブロックには鎖形成原子が8個以上である鎖が側鎖に連結され得る。本明細書において用語鎖と側鎖は互いに同じ対象を指し示し得る。第1ブロックが芳香族構造を含む場合に、前記鎖は前記芳香族構造に連結され得る。
側鎖は、前記言及した通り8個以上、9個以上、10個以上、11個以上または12個以上の鎖形成原子を含む鎖であり得る。前記鎖形成原子の数は、また、30個以下、25個以下、20個以下または16個以下であり得る。鎖形成原子は、炭素、酸素、窒素または硫黄原子であり得、適切に炭素または酸素であり得る。
側鎖としては、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基のような炭化水素鎖が例示され得る。前記炭化水素鎖の炭素原子のうち少なくとも一つは硫黄原子、酸素原子または窒素原子で代替され得る。
側鎖が芳香族構造に連結される場合に前記鎖は芳香族構造に直接連結されているか、あるいはリンカーを媒介として連結され得る。前記リンカーとしては、酸素原子、硫黄原子、−NR1−、−S(=O)2−、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X1−または−X1−C(=O)−など例示され得、前記でRは水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基またはアリール基であり得、X1は単一結合、酸素原子、硫黄原子、−NR2−、−S(=O)2−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり得、前記でRは、水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基またはアリール基であり得る。適切なリンカーとしては酸素原子が例示され得る。側鎖は、例えば、酸素原子または窒素原子を媒介として芳香族構造に連結され得る。
芳香族構造がブロックの主鎖に側鎖形態で連結されている場合に前記芳香族構造も前記主鎖に直接連結されているか、リンカーを媒介として連結され得る。この場合リンカーとしては、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)2−、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X1−または−X1−C(=O)−などが例示され得、前記でXは単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)2−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり得る。芳香族構造を主鎖に連結する適切なリンカーとしては、−C(=O)−O−または−O−C(=O)−などが挙げられるが、これに制限されるものではない。
他の例示においてブロック共重合体の第1および/または第2ブロックに含まれる芳香族構造は1個以上、2個以上、3個以上、4個以上または5個以上のハロゲン原子を含むことができる。ハロゲン原子の数は、例えば、30個以下、25個以下、20個以下、15個以下または10個以下であり得る。ハロゲン原子としては、フッ素または塩素などが例示され得、フッ素原子の使用が有利であり得る。このようにハロゲン原子を含む芳香族構造を有するブロックは他のブロックとの適切な相互作用を通じて効率的に相分離構造を具現することができる。
ハロゲン原子を含む芳香族構造としては、炭素数6〜30、炭素数6〜25、炭素数6〜21、炭素数6〜18または炭素数6〜13の芳香族構造を例示できるが、これに制限されるものではない。
ブロック共重合体で第1および第2ブロックがすべて芳香族構造を含む場合に、適切な相分離構造の具現のために第1ブロックはハロゲン原子を含まない芳香族構造を含み、第2ブロックはハロゲン原子を含む芳香族構造を含むことができる。また、前記第1ブロックの芳香族構造には前記言及した側鎖が直接または酸素や窒素を含むリンカーを媒介として連結され得る。
ブロック共重合体が側鎖を有するブロックを含む場合にこのブロックは例えば、下記の化学式1で表示されるブロックであり得る。
Figure 0006532941
化学式1でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Xは単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)2−、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X1−または−X1−C(=O)−であり、前記でXは酸素原子、硫黄原子、−S(=O)2−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Yは8個以上の鎖形成原子を有する鎖が連結された環構造を含む1価置換基であり得る。
本出願において、用語単一結合はその部位に別途の原子が存在しないことを意味する。例えば、化学式1でXが単一結合であれば、Yが直接高分子鎖に連結された構造が具現され得る。
本明細書において用語アルキル基は、特に規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4の直鎖、分枝鎖またはリング型のアルキル基であり得、これは任意に一つ以上の置換基によって置換され得る(ただし、前述した側鎖がアルキル基である場合に前記アルキル基は、8個以上、9個以上、10個以上、11個以上または12個以上の炭素原子を含むことができ、このアルキル基の炭素原子の数は、30個以下、25個以下、20個以下または16個以下であり得る。)。
本明細書において用語アルケニル基またはアルキニル基は、特に規定しない限り、炭素数2〜20、炭素数2〜16、炭素数2〜12、炭素数2〜8または炭素数2〜4の直鎖、分枝鎖またはリング型のアルケニル基またはアルキニル基であり得、これは任意に一つ以上の置換基によって置換され得る(ただし、前述した側鎖としてのアルケニル基またはアルキニル基は、8個以上、9個以上、10個以上、11個以上または12個以上の炭素原子を含むことができ、このアルケニル基またはアルキニル基の炭素原子の数は、30個以下、25個以下、20個以下または16個以下であり得る。)。
本明細書において用語アルキレン基は、特に規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4の直鎖、分枝鎖またはリング型のアルキレン基であり得、これは任意に一つ以上の置換基によって置換され得る。
本明細書において用語アルケニレン基またはアルキニレン基は、特に規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4の直鎖、分枝鎖またはリング型のアルキレン基であり得、これは任意に一つ以上の置換基によって置換され得る。
また、化学式1でXは他の例示において−C(=O)O−または−OC(=O)−であり得る。
化学式1でYは前述した鎖を含む置換基であり、前記は、例えば、炭素数6〜18または炭素数6〜12の芳香族構造を含む置換基であり得る。前記で鎖は、例えば、8個以上、9個以上、10個以上、11個以上または12個以上の炭素原子を含む直鎖アルキル基であり得る。このアルキル基は、30個以下、25個以下、20個以下または16個以下の炭素原子を含むことができる。このような鎖は、前記芳香族構造に直接または前記言及したリンカーを媒介として連結され得る。
第1ブロックは他の例示において下記の化学式2で表示され得る。
Figure 0006532941
化学式2でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Xは−C(=O)−O−であり、Pは炭素数6〜12のアリーレン基であり、Qは酸素原子であり、Zは鎖形成原子が8個以上である前記鎖である。
化学式3でPは他の例示においてフェニレンであり得、Zは他の例示において炭素数9〜20、炭素数9〜18または炭素数9〜16の直鎖アルキル基であり得る。前記でPがフェニレン基である場合にQは前記フェニレンのパラ位置に連結され得る。前記でアルキル基、アリーレン基、フェニレン基および鎖は任意に一つ以上の置換基で置換され得る。
ブロック共重合体がハロゲン原子を含む芳香族構造を有するブロックを含む場合に前記ブロックは例えば、下記の化学式3で表示されるブロックであり得る。
Figure 0006532941
化学式3でXは、単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)2−、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X1−または−X1−C(=O)−であり、前記でXは単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)2−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Wは少なくとも1個のハロゲン原子を含むアリール基である。
化学式3でXは他の例示において単一結合や、アルキレン基であり得る。
化学式3でWのアリール基は、炭素数6〜12のアリール基であるか、フェニル基であり得、このようなアリール基またはフェニル基は1個以上、2個以上、3個以上、4個以上または5個以上のハロゲン原子を含むことができる。前記でハロゲン原子の数は、例えば、30個以下、25個以下、20個以下、15個以下または10個以下であり得る。ハロゲン原子ではフッ素原子が例示され得る。
化学式3のブロックは他の例示において下記の化学式4で表示され得る。
Figure 0006532941
化学式4でXは、化学式3で定義した通りであり、R〜Rはそれぞれ独立的に水素、アルキル基、ハロアルキル基またはハロゲン原子であり、R〜Rが含むハロゲン原子の数は1個以上である。
化学式4でR〜Rはそれぞれ独立的に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のハロアルキル基またはハロゲンであり得、前記でハロゲンは塩素またはフッ素であり得る。
化学式4でR〜Rの2個以上、3個以上、4個以上、5個以上または6個以上はハロゲンを含むことができる。前記ハロゲン数の上限は特に制限されず、例えば、12個以下、8個以下または7個以下であり得る。
ブロック共重合体は前記のような2種のブロックのうちいずれか一つまたはすべてを他のブロックと共に含むか、前記2種のブロックのみを含むブロック共重合体であり得る。
ブロック共重合体を製造する方式は特に制限されない。ブロック共重合体は、例えば、LRP(Living Radical Polymerization)方式で重合することができ、その例としては有機希土類金属複合体を重合開始剤に用いるか、有機アルカリ金属化合物を重合開始剤に用いてアルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩などの無機酸塩の存在下で合成する陰イオン重合、有機アルカリ金属化合物を重合開始剤に用いて有機アルミニウム化合物の存在下で合成する陰イオン重合方法、重合制御剤として原子移動ラジカル重合剤を利用する原子移動ラジカル重合法(ATRP)、重合制御剤として原子移動ラジカル重合剤を利用するものの電子を発生させる有機または無機還元剤下で重合を遂行するARGET(Activators Regenerated by Electron Transfer)原子移動ラジカル重合法(ATRP)、ICAR(Initiators for continuous activator regeneration)原子移動ラジカル重合法(ATRP)、無機還元剤可逆的付加−開裂連鎖移動剤を利用する可逆的付加−開裂連鎖移動による重合法(RAFT)または有機テルリウム化合物を開始剤として利用する方法などがあり、このような方法のうち適切な方法が選択されて適用され得る。
例えば、前記ブロック共重合体は、ラジカル開始剤およびリビングラジカル重合試薬の存在下で、前記ブロックを形成できる単量体を含む反応物をリビングラジカル重合法で重合することを含む方式で製造することができる。ブロック共重合体の製造過程は、例えば前記過程を経て生成された重合生成物を非溶媒内で沈殿させる過程をさらに含むことができる。
ラジカル開始剤の種類は特に制限されず、重合効率を考慮して適切に選択することができ、例えば、AIBN(azobisisobutyronitrile)または2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル(2,2’−azobis−(2,4−dimethylvaleronitrile))などのアゾ化合物や、BPO(benzoyl peroxide)またはDTBP(di−t−butyl peroxide)などのような過酸化物系列を使うことができる。
リビングラジカル重合過程は、例えば、メチレンクロライド、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、アセトン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはジメチルアセトアミドなどのような溶媒内で遂行され得る。
非溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ノルマルプロパノールまたはイソプロパノールなどのようなアルコール、エチレングリコールなどのグリコール、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタンまたはペトロリウムエーテルなどのようなエーテル系列が使われ得るが、これに制限されるものではない。
本出願はまた前記ブロック共重合体を含む高分子膜に関するものである。前記高分子膜は多様な用途に用いることができ、例えば、多様な電子または電子素子、前記パターンの形成工程または磁気保存記録媒体、フラッシュメモリーなどの記録媒体またはバイオセンサなどに使われ得る。
一つの例示において前記高分子膜で前記ブロック共重合体は、自己組織化を通じてシリンダー(cylinder)構造を含む周期的構造を具現していることができる。例えば、ブロック共重合体で前記第1または第2ブロックまたはそれと共有結合された他のブロックのセグメント内で他のセグメントがシリンダー形態などのような規則的な構造を形成していることもあり得る。
本出願はまた前記ブロック共重合体を使って高分子膜を形成する方法に関するものである。前記方法は前記ブロック共重合体を含む高分子膜を自己組織化された状態で基板上に形成することを含むことができる。例えば、前記方法は前記ブロック共重合体またはそれを含むコート液を塗布して層を形成し、これを熟成する過程を含むことができる。前記で熟成工程は熱的熟成(thermal annealing)工程であるか、溶媒熟成(solvent annealing)工程であり得る。
熱的熟成は、例えば、ブロック共重合体の相転移温度またはガラス転移温度を基準として遂行され得、例えば、前記ガラス転移温度または相転移温度以上の温度で遂行され得る。このような熱的熟成が遂行される時間は特に制限されず、例えば、約1分〜72時間の範囲内で遂行され得るが、これは必要に応じて変更され得る。熱的熟成過程で熱処理温度は、例えば,100℃〜250℃程度であり得るが、これは使われるブロック共重合体を考慮して変更され得る。
前記溶媒熟成工程は、適切な常温の非極性溶媒および/または極性溶媒内で、約1分〜72時間の間遂行されることもできる。
本出願はまたパターン形成方法に関するものである。前記方法は、例えば、基板および前記基板の表面に形成されており、自己組織化された前記ブロック共重合体を含む高分子膜を有する積層体で前記ブロック共重合体の第1または第2ブロックを選択的に除去する過程を含むことができる。前記方法は前記基板にパターンを形成する方法であり得る。例えば前記方法は、前記ブロック共重合体を含む高分子膜を基板に形成し、前記膜内に存在するブロック共重合体のいずれか一つまたはそれ以上のブロックを選択的に除去した後に基板を食刻することを含むことができる。このような方式で、例えば、ナノスケールの微細パターンの形成が可能である。また、高分子膜内のブロック共重合体の形態にしたがって前記方式を通じてナノロッドまたはナノホールなどのような多様な形態のパターンを形成することができる。必要であれば、パターン形成のために前記ブロック共重合体と他の共重合体あるいは単独重合体などを混合することができる。このような方式に適用される前記基板の種類は特に制限されず、必要に応じて選択され得、例えば、酸化ケイ素などが適用され得る。
例えば、前記方式は高いアスペクト比を表わす酸化ケイ素のナノスケールのパターンを形成することができる。例えば、酸化ケイ素上に前記高分子膜を形成し、前記高分子膜内のブロック共重合体が所定構造を形成している状態でブロック共重合体のいずれか一つのブロックを選択的に除去した後、酸化ケイ素を多様な方式、例えば、反応性イオン食刻等でエッチングしてナノロッドまたはナノホールのパターンなどを含む多様な形態を具現することができる。また、このような方法を通じてアスペクト比が大きなナノパターンの具現が可能であり得る。
例えば、前記パターンは、数十ナノメートルのスケールで具現され得、このようなパターンは、例えば、次世代情報電子用磁気記録媒体などを含む多様な用途に活用され得る。
例えば、前記方式によれば、約10nm〜40nmの幅を有するナノ構造物、例えば、ナノ線が約20nm〜80nmの間隔をおいて配置されているパターンを形成することができる。他の例示においては約10nm〜40nmの幅、例えば直径を有するナノホールが約20nm〜80nmの間隔を形成すれば配置されている構造の具現も可能である。
また、前記構造でナノ線やナノホールが大きいアスペクト比(aspect ratio)を有するようにすることができる。
前記方法でブロック共重合体のいずれか一つのブロックを選択的に除去する方式は特に制限されず、例えば、高分子膜に適正な電磁気波、例えば、紫外線などを照射して相対的にソフトなブロックを除去する方式を使うことができる。この場合、紫外線照射条件はブロック共重合体のブロックの種類によって決定され、例えば、約254nm波長の紫外線を1分〜60分の間照射して遂行できる。
紫外線の照射に引き続き高分子膜を酸などで処理して紫外線によって分解されたセグメントをさらに除去する段階を遂行することもできる。
選択的にブロックが除去された高分子膜をマスクにして基板をエッチングする段階は特に制限されず、例えば、CF4/Arイオンなどを使った反応性イオン食刻段階を通じて遂行することができ、この過程に引き続き酸素プラズマ処理などによって高分子膜を基板から除去する段階をさらに遂行できる。
本出願は、自己組織化特性ないしは相分離特性が優秀で多様な用途で効果的に使われ得るブロック共重合体およびその用途を提供することができる。
実施例または比較例のブロック共重合体のNMRスペクトルである。 実施例または比較例のブロック共重合体のNMRスペクトルである。 実施例または比較例のブロック共重合体のNMRスペクトルである。 実施例または比較例のブロック共重合体のNMRスペクトルである。 実施例または比較例のブロック共重合体の自己組織化膜に対するSEMまたはAFMイメージである。 実施例または比較例のブロック共重合体の自己組織化膜に対するSEMまたはAFMイメージである。 実施例または比較例のブロック共重合体の自己組織化膜に対するSEMまたはAFMイメージである。 数式1のK値を計算するための方式を例示的に示す図面である。
以下、本出願に係る実施例および比較例を通じて本出願をより詳細に説明するか、本出願の範囲は下記提示された実施例によって制限されるものではない。
1.NMR測定
NMR分析は三重共鳴5mm探針(probe)を有するVarian Unity Inova(500MHz)分光計を含むNMR分光計を使って常温で遂行した。NMR測定用溶媒(CDCl3)に分析対象物質を約10mg/ml程度の濃度に希釈させて使用し、化学的移動はppmで表現した。
<適用略語>
br=広い信号、s=単一線、d=二重線、dd=二重二重線、t=三重線、dt=二重三重線、q=四重線、p=五重線、m=多重線。
2.GPC(Gel Permeation Chromatograph)
数平均分子量(Mn)および分子量分布はGPC(Gel permeation chromatography)を使って測定した。5mLバイアル(vial)に実施例または比較例のブロック共重合体またはマクロ開始剤などの分析対象物を入れ、約1mg/mL程度の濃度になるようにTHF(tetrahydro furan)に希釈する。その後、Calibration用標準試料と分析しようとする試料をsyringe filter(pore size:0.45μm)を通じて濾過させた後測定した。分析プログラムはAgilent technologies社のChemStationを使用し、試料のelution timeをcalibration curveと比較して重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)をそれぞれ求め、その比率(Mw/Mn)で分子量分布(PDI)を計算した。GPCの測定条件は下記の通りである。
<GPC測定条件>
機器:Agilent technologies社の1200 series
カラム:Polymer laboratories社のPLgel mixed B 2個使用
溶媒:THF
カラム温度:35℃
サンプル濃度:1mg/mL,200L注入
標準試料:ポリスチレン(Mp:3900000、723000、316500、52200、31400、7200、3940、485)
数式1によるXの測定
数式1に適用される各変数であるD、M、KおよびLはそれぞれ下記の方式で求めることができる。
まずDは空気中での質量と密度を知っている溶媒(エタノール)内に分析しようとする試料(第1ブロックを形成する単量体でのみ製造された単独重合体または第2ブロックを形成する単量体でのみ製造された単独重合体)を入れ、その質量を通じてそれぞれのブロックの密度を得、それらの比率を計算して求めることができる。
また、Mは、ブロック共重合体の各ブロックを形成する単量体のモル質量の比率で求めることができるが、例えば、実施例の各ブロック共重合体の場合に後述する第1ブロックを形成する単量体である製造例1の単量体のモル質量は346.5g/molで、第2ブロックを形成するペンタフルオロスチレンのモル質量は194.1g/molであるから、その比率から前記Mは約1.79で計算され得る。
また、Lは、ブロック共重合体の各ブロックを形成する単量体の水素原子の数の比率で求めることができるが、例えば、実施例の各ブロック共重合体の場合に後述する第1ブロックを形成する単量体である製造例1の単量体の水素原子の数は34で、第2ブロックを形成するペンタフルオロスチレンの水素原子の数は3であるから、その比率から前記Lは、約11.3で計算され得る。
最後にKは前述したNMR測定方式によって得られたスペクトルの面積を通じて計算できるが、このような場合にブロック共重合体の各ブロックから由来するピークが重ならない場合には各ブロックから由来するピークの面積を単純に得、その比率を通じてKを求めることができる。
ところが、ブロック共重合体の各ブロックから由来するピークが重なる部分がある場合にはこれを勘案して前記Kを求めなければならない。例えば、添付された図8は、下記の実施例および比較例で適用した製造例1の化学式Aの化合物由来の単位とペンタフルオロスチレン由来の単位を含むブロック共重合体の例示的なNMRスペクトルであるが、その図面でeで表示される部分とdで表示される部分は第2ブロック、すなわち前記ペンタフルオロスチレン由来単位に起因するピークであり、残りのa、b、c、f、g、h、iおよびjは製造例1の化学式Aの化合物由来の単位に起因するピークである。図面からわかるように、eおよびgで表示されるピークとdおよびfで表示されるピークが重なっており、このような場合に前記重複の有無を勘案して前記K値を求めなければならない。
このような場合に前記重複の有無などを勘案してK値を求める方式は公知であり、例えば、MestReCプログラムなどのようなNMR解釈プログラムなどを適用して前記を求めることができる。
製造例1.単量体(A)の合成
下記の化学式Aの化合物(DPM−C12)は次の方式で合成した。250mLのフラスコにヒドロキノン(hydroquinone)(10.0g、94.2mmol)および1−ブロモドデカン(1−Bromododecane)(23.5g、94.2mmol)を入れ,100mLのアセトニトリル(acetonitrile)に溶かした後過量のポタシウムカーボネート(potassium carbonate)を添加し、75oCで約48時間の間窒素条件下で反応させた。反応後残存するポタシウムカーボネートをフィルタリングして除去し、反応に使ったアセトニトリルも除去した。これにDCM(dichloromethane)と水の混合溶媒を添加してウォークアップし、分離した有機層を集めてmgSOに通過させて脱水した。引き続き、カラムクロマトグラフィーでDCM(dichloromethane)を使って白色固体相の目的物(4−ドデシルオキシフェノール)(9.8g、35.2mmol)を約37%の収得率で得た。
<NMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d6.77(dd、4H);d4.45(s、1H);d3.89(t、2H);d1.75(p、2H);d1.43(p、2H);d1.33−1.26(m、16H);d0.88(t、3H)。
フラスコに合成された4−ドデシルオキシフェノール(9.8g、35.2mmol)、メタクリル酸(6.0g、69.7mmol)、DCC(dicyclohexylcarbodiimide)(10.8g、52.3mmol)およびDMAP(p−dimethylaminopyridine)(1.7g、13.9mmol)を入れ、120mLのメチレンクロライドを添加した後、窒素下室温で24時間の間反応させた。反応終了後、反応中に生成された塩(urea salt)をフィルターで除去し、残存するメチレンクロライドも除去した。カラムクロマトグラフィーでヘキサンとDCM(dichloromethane)を移動床として使用して不純物を除去し、さらに得られた生成物をメタノールと水の混合溶媒(1:1混合)で再結晶させて白色固体相の目的物(7.7g、22.2mmol)を63%の収得率で得た。
<NMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.76(p、2H);d1.43(p、2H);1.34−1.27(m、16H);d0.88(t、3H)。
Figure 0006532941
化学式AでRは炭素数12の直鎖アルキル基である。
実施例1.
製造例1の単量体(A)5.0gとRAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)試薬(シアノイソプロチルジチオベンゾエート)165mg、ラジカル開始剤であるAIBN(Azobisisobutyronitrile)79mgおよびアニソール11.9mLを25mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、70℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させ、桃色のマクロ開始剤を製造した。前記マクロ開始剤の収得率は約57.0重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ10300および1.21であった。
前記マクロ開始剤0.35g、ペンタフルオロスチレン(第2ブロックを形成する単量体)3.2gおよびアニソール1.2mLを10mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、115℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させて薄桃色のブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体の収得率は約13重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ15、600および1.15であった。前記ブロック共重合体は製造例1の単量体(A)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレン単量体から由来した第2ブロックを含む。実施例1で製造されたブロック共重合体の1HNMRの分析結果は図1に記載した。
実施例2.
製造例1の単量体(A)5.0gとRAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)試薬であるシアノイソプロチルジチオベンゾエート106.5mg、ラジカル開始剤であるAIBN(Azobisisobutyronitrile)79mgおよびアニソール11.9mLを25mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、70℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させ、桃色のマクロ開始剤を製造した。前記マクロ開始剤の収得率は約57.0重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ10,400および1.19であった。マクロ開始剤0.3g、ペンタフルオロスチレン単量体3.3gおよびベンゼン1.2mLを10mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、115℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させて薄桃色のブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体の収得率は約18重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ17、800および1.14であった。前記ブロック共重合体は製造例1の単量体(A)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレン単量体から由来した第2ブロックを含む。実施例2のブロック共重合体の1HNMRの分析結果は図2に記載した。
実施例3.
製造例1の単量体(A)5.0gとRAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)試薬であるシアノイソプロチルジチオベンゾエート456mg、ラジカル開始剤であるAIBN(Azobisisobutyronitrile)34mgおよびアニソール12.8mLを25mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、70℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させ、桃色のマクロ開始剤を製造した。前記マクロ開始剤の収得率は約60.0重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ5,700および1.18であった。マクロ開始剤0.2g、ペンタフルオロスチレン単量体3.4gおよびアニソール1.2mLを10mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、115℃で15時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させて薄桃色のブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体の収得率は約16重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ59,000および1.22であった。前記ブロック共重合体は製造例1の単量体(A)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレン単量体から由来した第2ブロックを含む。実施例3のブロック共重合体の1HNMRの分析結果は図3に記載した。
比較例1.
製造例1の単量体(A)5.0gとRAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)試薬であるシアノイソプロチルジチオベンゾエート106.5mg、ラジカル開始剤であるAIBN(Azobisisobutyronitrile)79mgおよびアニソール11.9mLを25mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、70℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させ、黄色のマクロ開始剤を製造した。前記マクロ開始剤の収得率は約52.0重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ9,100および1.20であった。マクロ開始剤0.5g、ペンタフルオロスチレン単量体4.5gおよびアニソール1.7mLを10mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、115℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させて淡い黄色のブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体の収得率は約15重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ23,200および1.12であった。前記ブロック共重合体は製造例1の単量体(A)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレン単量体から由来した第2ブロックを含む。比較例1のブロック共重合体の1HNMRの分析結果は図4に記載した。
実施例および比較例の各マクロ開始剤および製造されたブロック共重合体に対するGPC測定結果を下記の表1に整理して記載し、実施例1〜3および比較例1の各ブロック共重合体のX値を下記の表2に整理して記載した。
Figure 0006532941
Figure 0006532941
試験例1.自己組織化特性の評価
実施例または比較例のブロック共重合体をフルオロベンゼン(fluorobezene)に0.7重量%の固形分濃度に希釈させて製造したコート液をシリコンウェハ上に約5nmの厚さでスピンコート(コート面積:横×縦=1.5cm×1.5cm)し、常温で約1時間の間乾燥させた後、さらに約160℃の温度で約1時間の間熱的熟成(thermal annealing)して自己組織化された膜を形成した。形成された膜に対してSEM(Scanning electron microscope)イメージを撮影した。図5は実施例1に対して撮影したAFMイメージであり、図6は、実施例2に対して撮影したSEMイメージである。図面から確認されるように実施例のブロック共重合体の場合、シリンダー構造の高分子膜が効果的に形成されたし、実施例3の場合もやはりシリンダー構造の高分子膜が形成された。これに対して比較例1の場合、シリンダー構造に適切な相分離が誘導されなかった。図7は、比較例1に対するSEM結果であり、これから効果的なシリンダー構造の相分離が誘導されなかったことを確認することができる。


Claims (10)

  1. 側鎖を有する第1ブロックと前記第1ブロックとは異なる第2ブロックを含み、
    下記の数式1によるXの範囲が2.5〜10であり、
    前記第1ブロックは、前記側鎖が連結されている、ハロゲン原子を含まない芳香族構造を含み、前記第2ブロックはハロゲン原子を含む芳香族構造を含み、
    前記側鎖は8個以上の鎖形成原子を有する炭化水素鎖であり、前記鎖形成原子は、炭素原子であり、前記第1ブロックは、下記の化学式1で表示される単位を含むブロックであり、前記第2ブロックは、下記の化学式3で表示される単位を含むブロックである、ブロック共重合体:
    [数式1]
    X=1+(D×M)/(K×L)
    数式1でDは第1ブロックの密度(D1)と第2ブロックの密度(D2)の比率(D2/D1)であり、Mは、第1ブロックの繰返し単位のモル質量(M1)と第2ブロックの繰返し単位のモル質量(M2)の比率(M1/M2)であり、KはH−NMRで第2ブロックに起因して現れるピークの面積(A2)と第1ブロックに起因して現れるピークの面積(A1)の比率(A2/A1)であり、Lは第1ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H1)と第2ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H2)の比率(H1/H2)である
    Figure 0006532941
    前記化学式1でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Xは単結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O) 2− 、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X −または−X −C(=O)−であり、前記でX は酸素原子、硫黄原子、−S(=O) −、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Yは、前記炭化水素鎖が連結された芳香族構造を含む1価置換基である;
    Figure 0006532941
    化学式3でX は、単結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O) −、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X −または−X −C(=O)−であり、前記でX は単結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O) −、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Wは少なくとも1個のハロゲン原子を含むアリール基である
  2. 側鎖を有する第1ブロックおよび前記第1ブロックとは異なる第2ブロックを含み、
    下記の数式1によるXの範囲が1.1〜1.7であり、
    前記第1ブロックは、前記側鎖が連結されている、ハロゲン原子を含まない芳香族構造を含み、前記第2ブロックはハロゲン原子を含む芳香族構造を含み、
    前記側鎖は8個以上の鎖形成原子を有する炭化水素鎖であり、前記鎖形成原子は、炭素原子であり、前記第1ブロックは、下記の化学式1で表示される単位を含むブロックであり、前記第2ブロックは、下記の化学式3で表示される単位を含むブロックである、ブロック共重合体:
    [数式1]
    X=1+(D×M)/(K×L)
    数式1でDは第1ブロックの密度(D1)と第2ブロックの密度(D2)の比率(D2/D1)であり、Mは、第1ブロックの繰返し単位のモル質量(M1)と第2ブロックの繰返し単位のモル質量(M2)の比率(M1/M2)であり、KはH−NMRで第2ブロックに起因して現れるピークの面積(A2)と第1ブロックに起因して現れるピークの面積(A1)の比率(A2/A1)であり、Lは第1ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H1)と第2ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H2)の比率(H1/H2)である
    Figure 0006532941
    前記化学式1でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Xは単結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O) 2− 、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X −または−X −C(=O)−であり、前記でX は酸素原子、硫黄原子、−S(=O) −、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Yは、前記炭化水素鎖が連結された芳香族構造を含む1価置換基である;
    Figure 0006532941
    化学式3でX は、単結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O) −、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X −または−X −C(=O)−であり、前記でX は単結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O) −、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Wは少なくとも1個のハロゲン原子を含むアリール基である
  3. シリンダー構造を形成する、請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体。
  4. 前記側鎖は、前記芳香族構造に酸素原子または窒素原子を媒介として連結されている、請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体。
  5. 前記側鎖の鎖形成原子は9個以上である、請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体。
  6. 数平均分子量が3,000〜300,000の範囲内にある、請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体。
  7. 分散度(Mw/Mn)が1.01〜1.60の範囲内にある、請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体。
  8. 自己組織化された請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体を含む、高分子膜。
  9. 自己組織化された請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体を含む高分子膜を基板上に形成することを含む、高分子膜の形成方法。
  10. 基板の表面に形成されている自己組織化された請求項1または請求項2に記載のブロック共重合体を含む高分子膜から前記ブロック共重合体の第1または第2ブロックを除去する段階を含む、パターン形成方法。
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