JP4403238B2 - ミクロ相分離構造膜、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、イオンの可動を高速化することのできるソフトな部分と固体の形状を維持するためのハードな部分を併せ持つ材料の設計が可能となる有機化合物・高分子材料が注目されている。架橋型高分子ゲルの編目構造や異種高分子のブレンド、イオン性液体、液晶などによって製造される膜面内での層状構造を利用したイオン伝導機構が開発されているが、用いられる原料の化学構造から、その配向制御は困難であり、電極基板に対してイオン輸送の異方性を示すことはできない(非特許文献1、2、3)。
本発明は、上記知見に基づいてなされたものであり、親水性ポリマー成分及び疎水性ポリマー成分が、反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位を介して結合してなるブロック共重合体を含むミクロ相分離構造膜であって、前記疎水性ポリマー成分からなるマトリックス内に、膜表面に対して垂直方向に配向した、前記親水性ポリマー成分からなるシリンダー構造を有し、前記マトリックスと前記シリンダー構造との間に、反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位を有することを特徴とするミクロ相分離構造膜を提供するものである。
前記共重合体の分子量分布(Mw/Mn)は1.4以下であることが好ましい。
前記反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位としては、下記式(5)〜(32)のいずれかで表わされるものが挙げられる。
前記シリンダー構造は、六方細密型のシリンダー構造であることが好ましい。
前記ミクロ相分離構造膜は、基板の上に形成されてもよい。
また、本発明は、前記ミクロ相分離構造膜における前記シリンダー構造がエッチングによって空孔化されてなる多孔質構造体を提供する。
前記共重合体の分子量分布(Mw/Mn)は1.4以下であることが好ましい。
前記反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位としては、下記式(5)〜(32)のいずれかで表わされるものが挙げられる。
前記基板としては、疎水性物質からなる基板、又は表面を疎水化処理した基板が好ましい。
前記ブロック共重合体溶液を、加熱処理して前記溶媒を蒸発させてもよい。
前記加熱処理に加え、基板表面の配向処理を施してもよい。
前記加熱処理の温度は、ブロック共重合体の融点より10℃低い温度から、分解温度より低い温度の範囲で実施されることが好ましい。
前記疎水性ポリマー成分としては、メソゲン側鎖、長鎖アルキル側鎖又は疎水性側鎖を有するポリ(アクリレート)又はポリ(メタクリレート)、ポリ(スチレン)、又はビニルポリマーが挙げられる。
前記疎水性ポリマー成分重合体としては、下記一般式で表されるものが挙げられる。
前記反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位としては、下記式(5’)〜(22’)のいずれかで表わされるものが挙げられる。
また、本発明は、前記多孔質膜構造体からなる燃料電池用高分子電解質を提供する。
また、本発明は、上記燃料電池用高分子電解質を有する燃料電池を提供する。
また、本発明は、前記方法によって得られたミクロ相分離構造膜における親水性ポリマー成分の部分をエッチングにより空孔化する工程を有する、多孔質構造体の製造方法を提供する。
また、本発明の多孔質構造体は、異方性イオン伝導材料や燃料電池用高分子電解質として用いることのできる多孔質構造体であり、燃料電池用高分子電解質、イオン交換樹脂、マイクロリアクター用薄膜、タンパク質の分離膜、有機ゼオライトや種々のピラー用の高配向用テンプレート等の異方性イオン伝導材料として用いることができる。
本発明のミクロ相分離構造膜は、親水性ポリマー成分及び疎水性ポリマー成分が、反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位を介して結合してなるブロック共重合体を含むミクロ相分離構造膜であって、前記疎水性ポリマー成分からなるマトリックス内に、膜表面に対して垂直方向に配向した、前記親水性ポリマー成分からなるシリンダー構造を有し、前記マトリックスと前記シリンダー構造との間に、反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位を有する。
E−(Y1−F)n−Y2−G
上記式において、E、F及びGは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、1,4−フェニレン、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、ナフタレン−2,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、ピリダジン−3,6−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイルであり、を表わし、Y1及びY2は、同一であっても異なっていてもよく、単結合、−CH2CH2−、−CH2O− 、−OCH2− 、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−C≡C−、−CH=CH−、−CF=CF−、−(CH2)4−、−CH2CH2CH2O− 、 −OCH2CH2CH2−、−CH=CH−CH2CH2−、−CH2CH2−CH=CH−、−N=N−、−CH=CH−C(=O)O−又は−OC(=O)−CH=CH−を表わし、nは、0〜3の整数である。)
また、長鎖アルキル側鎖とは、炭素数が好ましくは6〜22個のアルキル側鎖を意味する。
疎水性側鎖としては、例えば脂肪族側鎖等が挙げられる。
一般式(1)におけるA、すなわち、反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位としては、特に制限はないが、例えば、下記一般式(5)〜(32)のいずれかで表わされるものが挙げられる。
上記式において、R4は、シアノ基又はカルボン酸エステルを表わす。
また、Fuはフラーレンを表し、フラーレン としては、例えば、C60、C70、C76、C78、C82等を挙げることができ、これらは単独または2種以上併用して用いてもよい。
b及びcは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、0〜4の整数を表わし、好ましくは1又は2である。
dは0〜3の整数を表し、好ましくは0又は1である。
また、e、f及びgは同一であっても異なっていてもよく、それぞれ1〜10の整数を表し、好ましくはeは2又は3であり、fは好ましくは2〜5の整数であり、gは、好ましくは2又は3である。
また、R8は水素、又は芳香族炭化水素、又は複素環を表す。芳香族炭化水素としては、Arと同様であり、複素環としては、ピリジン、イミダゾール等が挙げられる。
また、MはH2(金属が入っていないポルフィリンを意味する)、又はZn2+、Fe2+、Fe3+、Cu2+、Mn2+、Pt2+等の金属イオンを表す。
また、MLは遷移金属錯体を表す。遷移金属錯体としては、Ru(bpy)2、Cu(bpy)等が挙げられる。なお、bypは、2,2’−ビピリジンのことを意味する。
また、Porはポルフィリン類を表す。ポルフィリン類としては、テトラフェニルポルフィリン、プロとポルフィリン、クロロフィル等が挙げられる。
X2は、水素、ハロゲン、又はアルキル基を有するフェノキシ基を表す。
アルキル基を有するフェノキシ基としては、例えば、下記式で表すものが挙げられる。
一般式(1)で表わされるブロック共重合体の具体例としては、上述した、一般式(5)〜(32)で表わされる、反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位を有するものとして、それぞれ、一般式(5’’)〜(32’’)で表わされるものが挙げられる。一般式(5’’)〜(32’’)で用いられている、R5は親水性ポリマー成分を表し、R6は疎水性ポリマー成分を表す。すなわち、本発明で用いられるブロック共重合体は、親水性ポリマー成分及び疎水性ポリマー成分が、反応性基、電子受容体・電子供与体又は色素を有する構成単位を介して結合してなる。
一般式(1)で表わされるブロック共重合体としては、その分子量は、好ましくは5,000〜10,0000、更に好ましくは10,000〜50,000である。
本発明のミクロ相分離構造膜の製造方法において用いられるブロック共重合体分子量分布(Mw/Mn)は1.4以下であることが好ましく、1.3以下であることが更に好ましい。なお、本明細書において、分子量分布(Mw/Mn)はゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)法によって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mnより算出した値を意味する。
すなわち、高速液体グロマトグラム装置に、東ソー(株)製、ゲル浸透クロマトグラフィー用カラム(商品名:TSKgel HXL−M)を装着し、溶離液としてテトラヒドロフランを用いて、分子量の測定を行う。まず、標準資料として、平均分子量が既知のポリスチレンについて測定を行う。上記ポリスチレンの溶出時間と、測定試料の溶出時間とを比較することによって、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mnを算出し、分子量分布を求める。
前記ブロック共重合体の製造方法については後述する。
本発明の多孔質構造体は、前述した、本発明のミクロ相分離構造膜における前記シリンダー構造がエッチングによって空孔化されてなる。すなわち、本発明の多孔質構造体は、疎水性ポリマー成分を含有してなる多孔質構造体であって、複数の柱状の孔を有しており、かつ孔の表面に反応性基を有する構成単位を有していることを特徴とする。
エッチングは、シリンダー構造(親水性ポリマー成分)のみを優先的に除去するウェットエッチングやドライエッチング、又は波長が400nm以下のβ線又は紫外線照射による分解とエッチングとの組み合わせを用いる方法が挙げられるこの場合、親水性ポリマー成分の部分(シリンダー造部分)と、疎水性ポリマー成分の部分(マトリックス部分)のエッチング速度比が島構造部分の方が大きい溶剤を用いることが好ましい。また、シリンダー構造部分のエッチング速度がマトリックス構造部分のエッチング速度よりも大きくなるようなドライエッチングを用いることもできる。
その他のエッチングの方法としては、オゾンエッチング、フッ素イオンエッチング、プラズマエッチング等が挙げられる。
また、反応性基としては、例えば、下記群から選択される反応性基が挙げられる。
本発明のミクロ相分離構造膜の製造方法は、親水性ポリマー成分及び疎水性ポリマー成分が、反応性基を有する構成単位を介して結合してなるブロック共重合体を、該ブロック共重合体が溶解可能な溶媒に溶解し、ブロック共重合体溶液を調製する工程;上記ブロック共重合体溶液を基板表面に塗布するか、上記ブロック共重合体溶液を、該溶液が溶解しない液体に滴下する工程;及び上記溶媒を蒸発させて上記ブロック共重合体のミクロ相分離構造膜を形成する工程を有する。
本発明の多孔質構造体の製造方法において用いられるブロック共重合体の製造方法に特に制限はないが、得られるブロック共重合体の分子量及び構造を制御できるという点、並びに、反応性基を有する構成単位を有する共重合体を容易に製造できるという点から、原子移動ラジカル重合法(ATRP)を用いて製造することが好ましい。
原子移動ラジカル重合 は、有機ハロゲン化物、又はハロゲン化スルホニル化合物を開始剤、周期律表第8族、9族、10族、または11族元素を中心金属とする金属錯体を触媒として重合される。
また、ATRP法においては、原子移動ラジカル重合 の触媒として用いられる遷移金属Xの錯体としては、周期律表第8族、9族、10族、または11族の遷移金属(X)を中心金属とする金属錯体を触媒を用いる。このうち、好ましいものとして、一価および0価の銅、二価のルテニウム、二価の鉄または二価のニッケルの錯体を挙げることができる。これらの中でも、コストや反応制御の点から銅の錯体が好ましい。
一価の銅化合物としては、例えば、塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第一銅、シアン化第一銅、酸化第一銅、過塩素酸第一銅などがあげられる。その中でも塩化第一銅、臭化第一銅が、重合の制御の観点から好ましい。また、二価のルテニウムとしては、クメンジクロロルテニウムダイマーやトリスジクロライドトリフェニルフォスフィンルテニウム等が挙げられる。
また、ATRP法は、無溶媒(塊状重合)又は、種々の溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、炭化水素系溶媒、ハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、アルコール系溶媒、ニトリル系溶媒、エステル系溶媒などをあげることができ、これらは単独で又は二種以上を混合して用いることができる。溶媒としては、ジクロロベンゼン、アニソール等を用いることが好ましい。
ATRP法によってブロック共重合体を製造する方法としては、単量体を逐次添加する方法、あらかじめ合成した重合体を高分子開始剤として次のブロックを重合する方法、別々に重合した重合体を反応により結合する方法等が挙げられる。これらの方法は、目的に応じて使い分けることができるが、重合工程の簡便性の点から、あらかじめ合成した重合体を高分子開始剤として、次のブロックを重合する方法が好ましい。
なお、本発明で用いられるブロック共重合体を製造する方法としては、上述したATRP法に限定されず、例えば、親水性ポリマー部分と疎水性ポリマー部分とを結合させた後に、反応性基を有する構成単位を結合させる方法であってもよい。
前記ブロック共重合体溶液を調製するために用いられる、ブロック共重合体を溶解可能な溶媒としては、前記ブロック共重合体を溶解し得るものであれば特に制限なく用いることができ、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、四塩化炭素、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、二塩化エチレン、塩化メチル、及びこれらの混合物等が挙げられる。また、溶液中のブロック共重合体の濃度は、0.1〜5質量%程度とすることが好ましい。また、ブロック共重合体が溶解し難い場合には、撹拌、加熱等の操作を行ってもよい。
また、ブロック共重合体溶液が溶解しない液体としては、ブロック共重合体を溶解するために用いた溶媒が溶解しないものであれば、特に制限なく用いることができ、例えば、水、電解質溶液、水銀、流動パラフィン、オクタノール等が挙げられる。滴下量は、好ましくは、液体1cm2あたり1〜100滴である。
配向処理のために、加温状態で1×105〜3×107V/m、好ましくは1×105〜3×106V/mの電界を印加してもよい。上記ブロック共重合体は電界に沿って配向するため、所望の方向に電界をかければよい。例えば、微小な櫛形電極を用いたり、微小な電極を高分子被覆した電極に近づけて電圧印加して、領域選択的に相分離構造の配向制御をすることが可能である。特に、基板にほぼ垂直に分子が配向したものは基板に垂直にシリンダー構造が形成されるため有用性が高い。従って、基板にほぼ垂直に電界を印加し、ブロック共重合体をほぼ垂直に配向させることが好ましい。
また、電界は1×105〜3×107V/mの間の一定の電界をかけてもよく、その電界の方向(+/−)もいずれでもよい。また、電界の最高値を1×105〜3×107V/mとし、電界をその+方向もしくは−方向又はその両方向に交互に掃引(具体的には印加する電位を掃引)させてもよい。このように、電界の方向を切り替えて印加すると、より配向が明瞭になるため好ましい。
電極基板としては、電気伝導性のある電極材料であればよく、白金、ステンレス、金等の金属板、グラファイト、インジウムスズ酸化物を被覆したガラスやプラスチックフィルム、シリコンウェハ等を用いることができる。電界液としては、溶媒に水又はテトラヒドロフラン、クロロホルム、ジメチルするホキシド、ジメチルホルムアミド等の有機溶媒を用い、これに溶質として塩化カリウム、塩化ナトリウム、臭化カリウム、硫酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、硝酸ナトリウム等の電解質を溶解させたものを用いることができる。
上述のようにして得られたミクロ相分離構造膜は、ナノメートル領域の周期的な分離構造である六方細密型のシリンダー構造を形成しており、親水性ポリマー鎖のドメインによって、シリンダー構造(親水性ポリマー成分からなる)が形成され、疎水性ポリマー鎖によってマトリックス(疎水性ポリマー成分からなる)を形成したものとなる。
本発明の多孔質構造体の製造方法は、前述した、ミクロ相分離構造膜の製造方法によって得られたミクロ相分離構造膜における親水性ポリマー成分の部分をエッチングにより空孔化する工程を有する。
エッチングは、シリンダー構造(親水性ポリマー成分)のみを優先的に除去するウェットエッチングやドライエッチング、又は波長が400nm以下のβ線又は紫外線照射による分解とエッチングとの組み合わせを用いる方法が挙げられるこの場合、親水性ポリマー成分の部分(シリンダー造部分)と、疎水性ポリマー成分の部分(マトリックス部分)のエッチング速度比が島構造部分の方が大きい溶剤を用いることが好ましい。また、シリンダー構造部分のエッチング速度がマトリックス構造部分のエッチング速度よりも大きくなるようなドライエッチングを用いることもできる。
その他のエッチングの方法としては、オゾンエッチング、フッ素イオンエッチング、プラズマエッチング等が挙げられる。
実施例1
アルゴン雰囲気下で、片末端メトキシポリエチレングリコール(MeO−PEO114OH)2.5g、及びトリオクチルアミン(1.74g)を塩化メチレン(20mL)に溶解し、−20℃に冷却した。次いで、3−ブロモ−9−カンファースルホン酸塩化物(1.64g)を投入し、室温で24時間撹拌を行った。次いで、反応溶液を撹拌したエーテル(150mL)にゆっくりと滴下し、生成物を沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、ろ取した粗生成物を2−プロパノール(200mL)に投入し、ゆっくりと60℃に加熱し、粗生成物を溶解した。次いで、この溶液を室温に12時間放置し、固体を析出させた。析出した固体をろ過した後、減圧下に乾燥することによって、MeO−PEO114CamBr(ポリエチレンオキシ−α−メトキシ−ω−3-ブロモ−10−カンファースルホネート)を得た。1H−NMRによりカンファースルホン酸の導入率を求めたところ、カンファースルホン酸の導入率は100%であった。
トリオクチルアミンに代え、トリエチルアミンを用いた以外は、実施例1と同様に操作を行い、MeO−PEO114CamBrを得た。得られたMeO−PEO114CamBrのカンファースルホン酸の導入率は60%であった。
トリオクチルアミンに代え、トリエチルアミンを用い、3−ブロモ−9−カンファースルホン酸塩化物に代え、イソブチロ酪酸塩化物(2.0g)を用い、反応温度を全て70℃で行った以外は、実施例1と同様に操作を行い、MeO−PEO114COMe2Brを得た。得られたMeO−PEO114COMe2Brのカルボン酸の導入率は100%であった
実施例1で得られたMeO−PEO114CamBrを高分子開始剤として用い、以下のようにしてブロック共重合体を製造した。アルゴン雰囲気下で、MeO−PEO114CamBr(50mg)、下記式で表される、液晶性メタクリル酸エステルモノマー(MA(Chal)(490mg)、RuCl2(p−シメン)(ルテニウムダイマー)(9.0mg)、トリシクロヘキシルホスフィン(6.7mg)をアニソール(2.5mL)に溶解し、80℃で24時間撹拌した。24時間の撹拌後、反応溶液を空気に暴露して触媒を失活させて重合反応を停止させた。次いで、反応溶液を室温まで冷却した後、反応溶液をクロロホルム(15mL)で希釈し、シリカゲルカラムに通じて触媒を除去し、次いで溶媒を留去した。次いで、得られた生成物を熱イソプロパノールで洗浄して、未反応のモノマー及び高分子開始剤を除去し、ブロック共重合体を得た。得られたブロック共重合体について、1H−NMRにより、液晶性ポリメタクリル酸エステルの重合度を求め、また、ポリスチレンを基準物質として用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって数平均分子量(Mn)及び分子量分布(Mw/Mn)を求めた。
液晶性ポリメタクリル酸エステルの重合度は53であり、数平均分子量(Mn)は41,200であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.32であった。
液晶性メタクリル酸エステルモノマー(MA(Chal)(1.0g)、以外は、実施例4と同様に操作を行い、ブロック共重合体を得た。得られたブロック共重合体の液晶性ポリメタクリル酸エステルの重合度は121であり、数平均分子量(Mn)は39,800であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.39であった。
実施例1で得られたMeO−PEO114CamBr、及び実施例5及び6で得られたブロック共重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーを行ったところ、実施例5及び6で得られたブロック共重合体の分子量は、実施例1で得られたMeO−PEO114CamBrよりも、狭い分子量分布を保持したまま高分子量域に移動していた。このことは、実施例5及び6で得られた生成物がブロック共重合体であることを示す。
実施例4で得られたブロック共重合体を2重量%の濃度になるようにトルエンに溶解し、得られたブロック共重合体溶液を、水面上に展開した。得られた水面展開膜を鋼製のグリッドにすくいとった後、真空下、80℃の温度で24時間熱処理を行い、ミクロ相分離構造膜を得た。得られたミクロ相分離構造膜を、酸化ルテニウムの上記に暴露し、PEOドメインのみを選択的に染色した後、透過型電子顕微鏡写真で観察した。透過型電子顕微鏡写真を図1に示す。図1は得られたミクロ相分離構造膜の膜方向を観察した透過型電子顕微鏡写真である。
実施例4で得られたブロック共重合体を2重量%の濃度になるようにトルエンに溶解し、得られたブロック共重合体溶液を、シリコン基板上にスピンコートにより展開した。真空下、80℃の温度で24時間熱処理を行い、ミクロ相分離構造膜を得た。得られた薄膜に313nmの光を照射することにより液晶性高分子の領域のカルコン部位を架橋させた。次いで、この薄膜を160〜180℃の温度で24時間熱処理を行いスルホン酸エステル部位を熱により開裂させた。この薄膜をメタノールを用いて洗浄し、遊離したシリンダー部位であるポリエチレンオキシドを除去した。次いで、真空下で室温で24時間乾燥させた。
薄膜の評価方法はFTIRによりポリエチレンオキシド除去前に存在しているポリエチレンオキシドのC−O−Cの伸縮振動に由来する1200〜1100cm−1をポリエチレンオキシド除去後に消失したことにより評価した。またラマン分光によりスルホン酸エステル由来の1172〜1165cm−1SO2−Oの伸縮振動がエッチング後、スルホン酸SO3Hに由来する1165〜1150cm−1と1352〜1342cm−1にシフトしたことにより評価した。
以下のチャートに従い、開始剤を合成した。
5-(Boc-アミノ)-1-ペンタノール(1)の合成
300ml二口フラスコに、5-アミノペンタノール10g (98mmol)及び脱水ジクロロメタン50mlを入れ氷浴中で攪拌した。次いで、フラスコに50mlの脱水ジクロロメタンに溶解したジ-炭酸-ジ-t-ブチル22.5g (23.6ml,103mmol)を、滴下漏斗を用いて少しずつ滴下した。滴下終了後室温に戻し18時間攪拌した。反応終了後溶媒を除去し、クロロホルム100mlに溶解させ5%-炭酸水素ナトリウム50mlで3回、純水50mlで1回、飽和食塩水50mlで1回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を留去して定量的に19.9g の5-(Boc-アミノ)-1-ペンタノール(1)を得た。
500ml二口フラスコに、上述のようにして得られた5-(Boc-アミノ)-1-ペンタノール(1) 15g (73.8mmol)、トリエチルアミン11.1g (15.3ml,109.7mmol)、脱水THF 50mlを入れ氷浴中で攪拌した。次いで、フラスコに、50mlの脱水THFに溶解した2-ブロモイソブチルブロミド20.3g (10.9ml,88.3mmol)を滴下漏斗を用いて少しずつ滴下した。滴下終了後、室温に戻し18時間攪拌した。反応終了後溶媒を除去し、クロロホルム100mlに溶解させ5%-炭酸水素ナトリウム50mlで3回、純水50mlで1回、飽和食塩水50mlで1回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を留去した後、シリカゲルクロマトグラフィー(和光純薬工業製シリカゲル60N, 球状, 中性、Φ4.5×15cm、酢酸エチル+ヘキサン=1:4で溶出)で精製し、2-ブロモ-2-メチルプロピオン酸5’-(Boc‐アミノペンチル)(2)を収量22.7g、収率87%で得た。
200mlナス型フラスコに、上述のようにして得られた2-ブロモ-2-メチルプロピオン酸5’-(Boc‐アミノペンチル) (2)20g(56.8mmol)及びジクロロメタン100mlを加え、室温で攪拌した。次いで、フラスコに、トリフルオロ酢酸 7.4g(64.9mmol)を加え、室温で18時間攪拌した。溶媒を留去して、2-ブロモ-2-メチルプロピオン酸5’-アミノペンチル(3)を収量14.3gで定量的に得た。
500mlの三口フラスコに、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸無水物8.7g (22.2mmol)及び硫酸130mlを入れ55℃で24時間攪拌した。24時間後にヨウ素187mg (0.74mmol)を加えさらに5時間攪拌した。次いで、臭素8.1g(2.6ml,54.4mmol)を滴下し、反応温度を85℃にして24時間攪拌した。反応終了後、純水40mlを加え、生成した沈殿をろ過して赤色の固体1,7-ジブロモペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸無水物を収量11.1g(20.2mmol)、収率91%で得た。
1000mlナス型フラスコに、上述のようにして得られた1,7-ジブロモペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸無水物(4)8.0g (14.5mmol)、4-t-オクチルフェノール 11.6g (56.2mmol)、炭酸カリウム3.9g (28.2mmol)、及びジメチルホルムアミド540mlを加え、アルゴン雰囲気下、80℃で18時間攪拌した。反応終了後、54mlの酢酸を加えてさらに攪拌し沈殿を析出させた。析出した沈殿物を濾取し、メタノールで洗浄した後、真空乾燥させて赤紫色の固体ビス1,7-(4-t-オクチルフェノキシ)ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸無水物(5)を収量6.39g(7.98mmol)、収率55%で得た。
500mlの三口フラスコにビス1,7-(4-t-オクチルフェノキシ)ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸無水物(5)1.36g (1.76mmol)、イミダゾール 1.32g (19.4mmol)、クロロホルム250mlを入れ、80℃のオイルバス中で加熱攪拌した。温度到達後、上述のようにして得られた2-ブロモ-2-メチルプロピオン酸5’-アミノペンチル(3)0.47g(1.76mmol)を10mlのクロロホルムに溶かし少しずつ加えた。さらにトリフルオロ酢酸を少量加え3日間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、酢酸を80ml加えて30分間攪拌した。反応溶液を水で3回,飽和食塩水で1回分液操作を行い、得られた有機相を炭酸カリウムで乾燥させた。溶液をろ過し、溶媒を留去して、得られた残渣をシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー(和光純薬工業製シリカゲル60N, 球状, 中性、Φ9×25cm、クロロホルムで溶出)で精製し、赤色固体N-(5-(2-ブロモ-2-メチルエチルカルボニルオキシ)ペンチル)-ビス(1,7-t-オクチルフェノキシ)ペリレン-3,4-ジカルボキシイミド-9,10-ジカルボン酸無水物(6)を収量96mg(0.092mmol)、収率5.2%で得た。
50mlナス型フラスコに、N-(5-(2-ブロモ-2-メチルエチルカルボニルオキシ)ペンチル)-ビス(1,7-t-オクチルフェノキシ)ペリレン-3,4-ジカルボキシイミド-9,10-ジカルボン酸無水物96mg(0.092mmol)、イミダゾール485mg (7.13mmol)、PEO114-NH2 558mg(0.11mmol)、クロロホルム15ml、N,N-ジメチルアセトアミド7.4mlを加え、100℃のオイルバス中で48時間加熱攪拌した。溶媒を留去し、クロロホルム50mlに溶解させ、水100mlで2回、飽和食塩水100mlで1回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を留去して、得られた固体を分取クロマトグラフィー(日本分析工業製 JAIGEL-3HA 501202,501204,クロロホルムで溶出)で精製し、赤色の開始剤を収量485mg(0.079mmol)、収率86%で得た。
次いで、以下に示すチャートのようにして共重合体を作製した。
得られたブロック共重合体PEO114-pery-b-PMA(Az)50の2重量%クロロホルム溶液を調製し、シリコン基板上にスピンコートして薄膜を作成した。水面上で基板から剥離させたものを銅グリッド上にすくい取り、真空中140℃で熱処理した後、四酸化ルテニウムでPEOドメインを選択染色したものを透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した。結果を図2に示す。図2に示すように、得られたミクロ相分離構造膜には、ヘキサゴナルドットパターンが観測された。
また、ブロック共重合体PEO114-pery-b-PMA(Az)50の2重量%クロロホルム溶液を、シリコン基板上にバーコートしたサンプルを劈開して、断面を原子間力顕微鏡(AFM)によって観測したところ、図3に示したように、膜断面を貫通したシリンダー型の構造が観測された。
Claims (21)
- 親水性ポリマー成分及び疎水性ポリマー成分が、反応性基を有する構成単位を介して結
合してなるブロック共重合体を含むミクロ相分離構造膜であって、
前記親水性ポリマー成分がポリ(エチレンオキシド)であり、前記疎水性ポリマー成分
がメソゲン側鎖を有するポリ(アクリレート)又はポリ(メタクリレート)であり、
前記疎水性ポリマー成分からなるマトリックス内に、膜表面に対して垂直方向に配向し
た、前記親水性ポリマー成分からなるシリンダー構造を有し、前記マトリックスと前記シ
リンダー構造との間に、反応性基を有する構成単位を有し、
前記反応性基を有する構成単位が、下記式(5)〜(32)のいずれか表わされること
を特徴とするミクロ相分離構造膜。
uはフラーレンを表し、b及びcは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、0
〜4の整数を表わし、dは0〜3の整数を表し、e、f及びgは同一であっても異なって
いてもよく、それぞれ1〜10の整数を表し、Arは複数の芳香環からなる芳香族炭化水
素又はキノン類を表し、R8は水素、又は芳香族炭化水素、又は複素環を表し、MはH2
又は金属イオンを表し、MLは遷移金属錯体を表し、Porはポルフィリン類を表し、X
2は、水素、ハロゲン、又はアルキル基を有するフェノキシ基を表す。) - 前記共重合体の分子量分布(Mw/Mn)が1.4以下である、請求項1記載のミクロ
相分離構造膜。 - 前記共重合体が 下記一般式(1)で表される、請求項1記載のミクロ相分離構造膜。
数を表し、Aは、下記式(5)〜(32)のいずれか表わされる反応性基であり、Rは下
記一般式(2)、(3)又は(4)で表わされる置換基である。)
ある。)
ある。)
ある。)
uはフラーレンを表し、b及びcは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、0
〜4の整数を表わし、dは0〜3の整数を表し、e、f及びgは同一であっても異なって
いてもよく、それぞれ1〜10の整数を表し、Arは複数の芳香環からなる芳香族炭化水
素又はキノン類を表し、R8は水素、又は芳香族炭化水素、又は複素環を表し、MはH2
又は金属イオンを表し、MLは遷移金属錯体を表し、Porはポルフィリン類を表し、X
2は、水素、ハロゲン、又はアルキル基を有するフェノキシ基を表す。) - 前記反応性基が、下記からなる群から選択される、請求項1〜3のいずれか1項記載の
ミクロ相分離構造膜。
- 前記シリンダー構造が、六方細密型のシリンダー構造である、請求項1〜4のいずれか
1抗記載のミクロ相分離構造膜。 - 基板の上に形成されてなる、請求項1〜5のいずれか1項記載のミクロ相分離構造膜。
- 請求項1〜6のいずれか1項記載のミクロ相分離構造膜における前記シリンダー構造が
エッチングによって空孔化されてなる多孔質構造体。 - 親水性ポリマー成分及び疎水性ポリマー成分が、反応性基を有する構成単位を介して結
合してなるブロック共重合体であって、前記親水性ポリマー成分がポリ(エチレンオキシ
ド)であり、前記疎水性ポリマー成分がメソゲン側鎖を有するポリ(アクリレート)又は
ポリ(メタクリレート)であり、前記反応性基を有する構成単位が、下記式(5)〜(3
2)のいずれか表わされる共重合体を、該ブロック共重合体が溶解可能な溶媒に溶解し、
ブロック共重合体溶液を調製する工程;
上記ブロック共重合体溶液を基板表面に塗布するか、上記ブロック共重合体溶液を、該
溶液が溶解しない液体に滴下する工程;及び
上記溶媒を蒸発させて上記ブロック共重合体のミクロ相分離構造膜を形成する工程を有
することを特徴とするミクロ相分離構造膜の製造方法。
uはフラーレンを表し、b及びcは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、0
〜4の整数を表わし、dは0〜3の整数を表し、e、f及びgは同一であっても異なって
いてもよく、それぞれ1〜10の整数を表し、Arは複数の芳香環からなる芳香族炭化水
素又はキノン類を表し、R8は水素、又は芳香族炭化水素、又は複素環を表し、MはH2
又は金属イオンを表し、MLは遷移金属錯体を表し、Porはポルフィリン類を表し、X
2は、水素、ハロゲン、又はアルキル基を有するフェノキシ基を表す。) - 前記共重合体の分子量分布(Mw/Mn)が1.4以下である、請求項8記載のミクロ
相分離構造膜の製造方法。 - 前記共重合体が 下記一般式(1)で表される、請求項8記載のミクロ相分離構造膜の
製造方法。
数を表し、Aは、下記式(5)〜(32)のいずれか表わされる反応性基であり、Rは下
記一般式(2)、(3)又は(4)で表わされる置換基である。)
uはフラーレンを表し、b及びcは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、0
〜4の整数を表わし、dは0〜3の整数を表し、e、f及びgは同一であっても異なって
いてもよく、それぞれ1〜10の整数を表し、Arは複数の芳香環からなる芳香族炭化水
素又はキノン類を表し、R8は水素、又は芳香族炭化水素、又は複素環を表し、MはH2
又は金属イオンを表し、MLは遷移金属錯体を表し、Porはポルフィリン類を表し、X
2は、水素、ハロゲン、又はアルキル基を有するフェノキシ基を表す。)
ある。)
ある。)
ある。) - 前記反応性基が、下記からなる群から選択される、請求項8〜10のいずれか1項記載
のミクロ相分離構造膜の製造方法。
- 前記基板が、疎水性物質からなる基板、又は表面を疎水化処理した基板である、請求項
8〜11のいずれか1項記載のミクロ相分離構造膜の製造方法。 - 前記ブロック共重合体溶液を、加熱処理して前記溶媒を蒸発させる、請求項8〜12の
いずれか1項記載のミクロ相分離構造膜の製造方法。 - 前記加熱処理に加え、基板表面の配向処理を施す、請求項13記載のミクロ相分離構造
膜の製造方法。 - 前記加熱処理の温度が、ブロック共重合体の融点より10℃低い温度から、分解温度よ
り低い温度の範囲で実施される、請求項13又は14記載のミクロ相分離構造膜の製造方
法。 - 疎水性ポリマー成分を含有してなる多孔質構造体であって、複数の柱状の孔を有してお
り、かつ孔の表面に、反応性基を有する構成単位を有していることを特徴とする多孔質構
造体であって、
前記疎水性ポリマー成分がメソゲン側鎖、長鎖アルキル側鎖又は疎水性側鎖を有するポ
リ(アクリレート)又はポリ(メタクリレート)であり、
前記反応性基を有する構成単位が、下記式(5’)〜(22’)のいずれかで表わされ
る、多孔質構造体。
b及びcは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、0〜4の整数を表わす。) - 前記疎水性ポリマー成分重合体が、下記一般式で表される構造を含む、請求項16記載
の多孔質構造体。
される置換基である。)
ある。)
ある。)
ある。) - 前記反応性基が、下記からなる群から選択される、請求項16又は17記載の多孔質構
造体。
- 請求項7、16〜18のいずれか1項記載の多孔質構造体からなる燃料電池用高分子
電解質。 - 請求項19記載の燃料電池用高分子電解質を有する燃料電池。
- 請求項8〜15のいずれか1項記載の方法によって得られたミクロ相分離構造膜におけ
る親水性ポリマー成分の部分をエッチングにより空孔化する工程を有する、多孔質構造体
の製造方法。
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