JP6637705B2 - 相分離構造膜及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、液晶に限らず、高分子膜全般において多元成分の自己組織化手法により、ナノメートルオーダーで膜面垂直方向の組成分析、配列制御を報告した例も知られていない。
本発明の相分離構造膜としては、基板上に形成されているものが挙げられ、基板側から他方の面に向かうに従って、上記2種以上のSLCPの等方転移温度が段階的に高くなっているものが挙げられる。
上記高分子としては、下記一般式(1)、(2)又は(3)のいずれかで表わされる構造を有するものが挙げられる。
上記親水性ポリマー成分としては、ポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、ポリ(ビニルアルコール)、ポリ(アクリル酸)、ポリ(メタクリル酸)、ポリ(アクリルアミド)、又は親水性側鎖を有するポリ(アクリレート)、親水性側鎖を有するポリ(メタクリレート)であり、上記疎水性ポリマー成分がメソゲン側鎖、長鎖アルキル側鎖又は疎水性側鎖を有するポリ(アクリレート)又はポリ(メタクリレート)、ポリ(スチレン)、又はビニルポリマーが挙げられる。
上記トリブロック共重合体としては、下記一般式(5)で表わされるものが挙げられる。
上記基板としては、疎水性物質からなる基板、又は表面を疎水化処理した基板が挙げられる。
上記加熱処理に加え、電場又は磁場の印加、基板表面の配向処理を施してもよい。
本発明の相分離構造膜の製造方法においては、本発明の相分離構造膜を構成する液晶性側鎖を有する高分子を使用することができる。
特に、PEO−SLCPジブロック共重合体の薄膜(膜厚〜2mm)は、SLCP側鎖メソゲンのホメオトロピック配向に駆動される空気界面からのグレイン成長により、直径2〜20nm、アスペクト比〜100にも及ぶ、特異な垂直貫通PEOシリンダーアレイ構造を形成する(最も一般的なPS−PMMAでは膜厚50nm以上になるとシリンダーの垂直性が失われる)。最近この相分離膜において、相界面を自在に官能基修飾する手法が本発明者らによって発明されている。これに本発明による階層配列制御を組み合わせると、薄膜を垂直貫通するシリンダーによって定義される一軸上に、任意官能基を任意配列で配置することが可能となる。これにより、例えば複数触媒サイトをシリンダーに沿って、一意配列に配置することで、フロー系での連続反応を触媒可能なナノリアクターや、レドックス応答を示す官能基を酸化還元電位順に配列させることで整流機能を発現させるなど、高度な機能設計が期待される。
(1)SLCPは、それが有するメソゲン基の種類に応じて、高温融解状態からの冷却過程における液晶転移温度(等方転移温度、等方−スメクチック転移)が大きく異なる。例えば、主鎖にメタクリレート骨格、C11のメチレンスペーサー、末端基としてノルマルブチル基を有するSLCPでは、メソゲン基の構造に応じて、等方転移温度は、スチルベンの場合は170℃、アゾベンゼンの場合は120℃、カルコンの場合は60℃程度にそれぞれ等方転移温度を示す。
(1)等方転移温度より高い温度からの冷却過程において、等方転移温度を下回ると、はじめに第一層目の液晶相が薄膜の空気界面に析出し、側鎖メソゲン基はホメオトロピック(垂直)配向する。第二層目以降は、一層目の液晶相の直下に同じくホメオトロピック配向し、以下、空気側から基板側に向けて、液晶レイヤーが積層することを本発明者らは見いだした。
上記の性質に着目し、以下に説明するように、その多元ブレンド薄膜において、膜面垂直方向の積層配列(組成分布)を一意に制御可能と期待される。
本発明の相分離構造膜は、2種以上の液晶性側鎖を有する高分子が積層されてなる相分離構造膜であって、上記2種以上の液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度が異なることを特徴とする。
本発明の相分離構造膜は、2種以上の液晶性側鎖を有する高分子が積層されてなる。すなわち、本発明の相分離構造膜は、複数種の液晶性側鎖を有する高分子を含むものであり、ブロック共重合体の種類だけ積層構造が形成される。実用上、本発明の相分離構造膜は、2〜5種の液晶性側鎖を有する高分子を含み、2〜5層の積層構造を有しているものであると好ましい。
また、上記高分子としては、下記一般式(1)、(2)又は(3)のいずれかで表わされる構造を有するものであってもよい。
すなわち、本発明の相分離構造膜を構成する液晶性側鎖を有する高分子は、上記式(1)、(2)又は(3)で表される側鎖を有する高分子化合物であってもよく、又は、上記式(1)、(2)及び(3)で表わされる側鎖をランダムに含む高分子化合物であってもよいが、本発明において使用される液晶性側鎖を有する高分子は、それぞれが非相溶性であり、等方転移温度が異なるものである。
本発明の相分離構造膜は、好ましくは基板上に形成され、基板側から他方の面に向かうに従って、上記2種以上の液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度が、段階的に高くなっている。
また、本発明のミクロ相分離構造膜を構成する2種以上の高分子は、それぞれが非相溶性であることが好ましい。
E−(Y1−F)n−Y2−G
(式中、E、F及びGは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、1,4−フェニレン、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、ナフタレン−2,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、ピリダジン−3,6−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイルであり、を表わし、Y1及びY2は、同一であっても異なっていてもよく、単結合、−CH2CH2−、−CH2O− 、−OCH2− 、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−C≡C−、−CH=CH−、−CF=CF−、−(CH2)4−、−CH2CH2CH2O− 、 −OCH2CH2CH2−、−CH=CH−CH2CH2−、−CH2CH2−CH=CH−、−N=N−、−CH=CH−C(=O)O−又は−OC(=O)−CH=CH−を表わし、nは、0〜3の整数である。)
また、本発明の液晶性メソゲン側鎖の重合度は、親水性ポリマー成分との相溶性の点から、5以上であることが好ましく、10以上であることが更に好ましい。また、液晶性メソゲン側鎖の重合度は、溶融時の粘度の点から、500以下であることが好ましく、50以下であることが更に好ましい。なお、液晶性メソゲン側鎖の重合度は、NMR測定又はGPC測定により測定することができる。
このようなトリブロック共重合体を用いることにより、相分離界面に機能性官能基を導入することが可能となる。
上記液晶性側鎖を有する高分子、ブロック共重合体の製造方法に特に制限はないが、得られるブロック共重合体の分子量及び構造を制御できるという点、並びに、反応性基を有する構成単位を有する共重合体を容易に製造できるという点から、原子移動ラジカル重合法(ATRP)を用いて製造することが好ましい。
原子移動ラジカル重合 は、有機ハロゲン化物、又はハロゲン化スルホニル化合物を開始剤、周期律表第8族、9族、10族、または11族元素を中心金属とする金属錯体を触媒として重合される。
また、ATRP法においては、原子移動ラジカル重合 の触媒として用いられる遷移金属Xの錯体としては、周期律表第8族、9族、10族、または11族の遷移金属(X)を中心金属とする金属錯体を触媒を用いる。このうち、好ましいものとして、一価および0価の銅、二価のルテニウム、二価の鉄または二価のニッケルの錯体を挙げることができる。これらの中でも、コストや反応制御の点から銅の錯体が好ましい。
一価の銅化合物としては、例えば、塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第一銅、シアン化第一銅、酸化第一銅、過塩素酸第一銅などがあげられる。その中でも塩化第一銅、臭化第一銅が、重合の制御の観点から好ましい。また、二価のルテニウムとしては、クメンジクロロルテニウムダイマーやトリスジクロライドトリフェニルフォスフィンルテニウム等が挙げられる。
また、ATRP法は、無溶媒(塊状重合)又は、種々の溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、炭化水素系溶媒、ハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、アルコール系溶媒、ニトリル系溶媒、エステル系溶媒などをあげることができ、これらは単独で又は二種以上を混合して用いることができる。溶媒としては、ジクロロベンゼン、アニソール等を用いることが好ましい。
ATRP法によってブロック共重合体を製造する方法としては、単量体を逐次添加する方法、あらかじめ合成した重合体を高分子開始剤として次のブロックを重合する方法、別々に重合した重合体を反応により結合する方法等が挙げられる。これらの方法は、目的に応じて使い分けることができるが、重合工程の簡便性の点から、あらかじめ合成した重合体を高分子開始剤として、次のブロックを重合する方法が好ましい。
本発明のミクロ相分離構造膜の製造方法は、 等方転移温度が異なる2種以上の液晶性側鎖を有する高分子を、該液晶性側鎖を有する高分子が溶解可能な溶媒に溶解し、液晶性側鎖を有する高分子混合溶液を調製する工程;
上記液晶性側鎖を有する高分子混合溶液を基板表面に塗布する工程;
上記液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度のうち、最も高い等方転移温度よりも高い温度でアニーリングする工程:及び
上記液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度のうち、最も低い等方転移温度よりも低い温度まで冷却する工程を有することを特徴とする。
本発明の相分離構造膜の製造方法においては、2種以上の液晶性側鎖を有する高分子を使用するが、それぞれの液晶性メソゲン側鎖の等方転移温度が異なるものを使用する。それぞれの液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度の差は5℃以上あることが好ましく、その差は10〜100℃程度であることが更に好ましい。等方転移温度の差が上記より小さいと、本発明の相分離構造膜の製造に際し、相分離積層膜の製造に際し、相間での組成分離が完全ではなくなると考えられる。
液晶性側鎖を有する高分子を溶解可能な溶媒としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、四塩化炭素、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、二塩化エチレン、塩化メチル等が挙げられる。用いられる溶媒としては、ブロック共重合体を溶解し得るものであれば、上記のものに制限されない。また、溶液中の液晶性側鎖を有する高分子の濃度は、重合体全量の濃度として、0.1〜5質量%程度とする。また、液晶性側鎖を有する高分子が溶解し難い場合には、撹拌、加熱等の操作を行ってもよい。本発明のミクロ相分離構造膜の製造方法においては、2種以上の液晶性側鎖を有する高分子を上記溶媒に溶解するが、2種以上の液晶性側鎖を有する高分子を上記溶媒に同時に混合して溶解してもよく、また、2種以上の液晶性側鎖を有する高分子を別個に上記溶媒に溶解して、それぞれの液晶性側鎖を有する高分子溶液を得、それらを混合してもよい。
上述したように、例えば、主鎖にメタクリレート骨格、C11のメチレンスペーサー、末端基としてノルマルブチル基を有するSLCPでは、メソゲン基の構造に応じて、等方転移温度は、スチルベンの場合は170℃、アゾベンゼンの場合は120℃、カルコンの場合は60℃程度にそれぞれ等方転移温度を示す。
図1においては、スチルベン構造を有するブロック共重合体、アゾベンゼン構造を有するブロック共重合体、及びカルコン構造を有するブロック共重合体を用いてミクロ相分離構造膜を製造する場合について説明する。図1において使用する、スチルベン構造を有するブロック共重合体、アゾベンゼン構造を有するブロック共重合体、及びカルコン構造を有するブロック共重合体の構造式を、それぞれ以下の式(7)、(8)及び(9)に示す。
一般式(5)で表わされるトリブロックを用いた場合の上記反応について、以下に模式的に示す。
上記反応が起こり、ミクロ相分離構造膜を構成するブロック共重合体は以下のような構造を有するものとなる。
ターゲットとなる基質と特異的に相互作用する官能基を配置することで、化学選択的分離膜としての応用が可能である。
界面にカルボン酸やアミン等イオン性官能基を配置させた場合、これら官能基の近傍でのみ炭酸カルシウムの結晶成長やシリカゲルのゲル化が促進され、結果シリンダー状もしくは中空筒状の無機物ナノ規則構造物が得られると期待される。このような微細造形におけるテンプレートとしての優位性も高いと考えられる。
本発明によれば、薄膜を垂直貫通するシリンダーによって定義される一軸上に、任意官能基を任意配列で配置することが可能となる。これにより、例えば複数触媒サイトをシリンダーに沿って、一意配列に配置することで、フロー系での連続反応を触媒可能なナノリアクターや、レドックス応答を示す官能基を酸化還元電位順に配列させることで整流機能を発現させるなど、高度な機能設計が期待される。
実施例1
以下の方法により、式(7)により表される液晶性ブロック共重合体を製造した。アルゴン雰囲気下、片末端メトキシポリエチレングリコール(MeO−PEO114OH) 10g、及びトリエチルアミン(0.6g)を塩化メチレン(200mL)に溶解し、0℃に冷却した。次いで、α-Bromoisobutyryl bromide(1.17g)を投入し、室温で24時間撹拌を行った。次いで、反応溶液を撹拌したエーテル(1000mL)にゆっくりと滴下し、生成物を沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、減圧下に乾燥することによって、MeO−PEO114-Br(ポリエチレンオキシ−α−メトキシ−ω−2-ブロモ-イソブチレート)10gを得た。
液晶性メタクリル酸エステルモノマー(StbMA)に代え、液晶性メタクリル酸エステルモノマー(AzMA)を用いた以外は、実施例1と同様に操作を行い、ジブロック共重合体PEO114−PAzMA55(SEC;Mn=26000,Mw/Mn=1.11))(上記式(8)で表わされるブロック共重合体)を得た。
液晶性メタクリル酸エステルモノマー(StbMA)に代え、液晶性メタクリル酸エステルモノマー(ChalMA)を用いた以外は、実施例1と同様に操作を行い、ジブロック共重合体PEO114−PChalMA60(SEC;Mn=28700,Mw/Mn=1.18)) (上記式(9)で表わされるブロック共重合体)を得た。
液晶性メタクリル酸エステルモノマー(StbMA)に代え、液晶性メタクリル酸エステルモノマー(StbMA)と液晶性メタクリル酸エステルモノマー(AzMA)の30:26混合物を用いた以外は、実施例1と同様に操作を行い、ジブロック共重合体PEO114−(PStbMA30-ran-PAzMA26)(SEC;Mn=27500,Mw/Mn=1.14))を得た。
実施例1、実施例2及び実施例3で得られたブロック共重合体PEO114−PStbMA60とPEO114−PAzMA55、PEO114−PChalMA60をクロロホルム中に溶解させ、DSC(示差走査熱量測定)のアルミ製試料パンの上に滴下した。これを真空乾燥し、クロロホルムを除去することで、1:1:1ブレンドサンプルを作製し、同様にDSC測定を行った。また、それぞれのブロック共重合体を、1:1:1の混合比でクロロホルム中に溶解させ、DSC(示差走査熱量測定)のアルミ製試料パンの上に滴下した。これを真空乾燥し、クロロホルムを除去することで、1:1:1ブレンドサンプルを作製し、DSC測定を行った。200℃からの冷却プロファイルを図2に示す。スチルベン、アゾベンゼン、カルコンの相転移温度は170℃、118℃、65℃に観測されたが、その1:1:1ブレンドサンプルにおいても、それぞれの成分が別々に、単独サンプルと同じ温度で転移し、非相溶性が確認された。
実施例1で得られたブロック共重合体PEO114−PStbMA60、実施例2で得られたPEO114−PAzMA55、実施例4で得られたPEO114−(PStbMA30 -ran-PAzMA26)をクロロホルム中に溶解させ、DSC(示差走査熱量測定)のアルミ製試料パンの上に滴下した。これを真空乾燥し、クロロホルムを除去することで、1:1:1ブレンドサンプルを作製し、同様にDSC測定を行った。また、それぞれのブロック共重合体を、1:1:1の混合比でクロロホルム中に溶解させ、DSC(示差走査熱量測定)のアルミ製試料パンの上に滴下した。これを真空乾燥し、クロロホルムを除去することで、1:1:1ブレンドサンプルを作製し、DSC測定を行った。200度からの冷却プロファイルを図3に示す。スチルベン、スチルベン-アゾベンゼンランダム共重合体、アゾベンゼンの相転移温度は170℃、141℃、118℃に観測されたが、その1:1:1ブレンドサンプルにおいても、それぞれの成分が別々に、単独サンプルと同じ温度で転移し、非相溶性が確認された。
実施例1で得られたブロック共重合体PEO114−PStbMA60と、実施例2で得られたPEO114−PAzMA55を1:1の混合比で、3重量%の濃度になるように1,1,2-トリクロロエタンに溶解し、ポリエチレンテレフタレート基板およびシリコンウェーハ上にスピンコート(1000rpm、30秒)により展開した。次いで、190℃の温度で2時間熱処理を行い、約6時間かけて室温まで放冷することで、相分離二層膜を得た。
実施例7で得られたミクロ相分離二層膜について、四酸化ルテニウムでPEOドメインを選択染色したものを透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した。結果を図4Aに示す。また、拡大図を図4B、図4Cに示す。得られたミクロ相分離構造膜は、垂直貫通シリンダーアレイ構造を有することが確認された。さらに、基板側のアゾベンゼン層と空気側のスチルベン層でルテニウムによる染色効率が異なるため、二層構造に起因する明確なコントラストが確認された。
実施例7で得られたミクロ相分離二層膜について、四酸化ルテニウムでPEOドメインを選択染色したものを走査型透過電子顕微鏡(STEM)で観察し、その元素分析マッピングをEDX(エネルギー分散型X線分光法)により行った。結果を図5に示す。水色のラインに沿って元素分析を行った。各測定点における窒素濃度を数字で示している(NDは検出不能を意味する)。基板側のアゾベンゼン層と空気側のスチルベン層で窒素濃度に明確なコントラストが見られた。窒素原子はアゾベンゼン構造中にのみ含まれることを考えると、基板側の相を構成するブロック共重合体はPEO114−PAzMA55であり、空気側の相を構成するブロック共重合体はPEO114−PStbMA60であることがわかる。
実施例7で得られたSi基板上のミクロ相分離二層膜について、ホットステージ上で温度可変の斜角度入射X線小角散乱実験(GI−SAXS)を行った。図6左側にX線光子計数型検出器による二次元イメージを、右側にその垂直方向(アウトプレーン)スリットプロファイルを示す。190℃では、スチルベン、アゾベンゼン両等方転移温度を上回るため、層構造は確認されない。150℃まで冷却すると、スチルベンの等方相―液晶相転移温度を下回るため、スチルベン液相層構造に由来する回折ピークが現れる。このピークのq値から計算される層間隔は、3.56nmとなり、これはスチルベン特有の層間隔である。更に110℃まで冷却すると、アゾベンゼンの等方相―液晶相転移温度を下回り、アゾベンゼンの層構造に由来する新たな回折ピークが現れる。この結果は、スチルベンとアゾベンゼンが等方転移温度の高い順に析出し、二層構造を形成したことを強く示唆するものである。
実施例7で得られたSi基板上のミクロ相分離二層膜について、TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析法)を用いて、100μm四方の面積に対し、垂直方向の組成分析を行った。図7に結果を示す。基板に用いたシリコン、およびアゾベンゼンに特有の窒素を含有するフラグメントについて、エッチング時間に対する検出強度をプロットした。まず、Siのピーク(Calcd; 27.9769, obsd;27.9764)から、エッチングは115秒で基板に一部到達し、145秒では100μmの解析範囲におけるすべての点で基板に到達したことが分かる。このSi検出強度の傾斜は、TOF-SIMS試料台に基板を貼り付ける際生じる、水平面からの微小な傾きに由来するものと考えられる。一方で、アゾベンゼンに由来するフラグメント(C+N; 26.0064(obsd.), 2C+N; 38.0049(obsd.), 6C+4H+N; 90.0422(obsd.) )は、エッチング時間60秒までは非常に検出強度は低く、90秒以降ではその強度が50〜100倍まだ向上する。このことから、エッチング時間60秒まではスチルベン層を、90秒以降はアゾベンゼン層をエッチングしていることが分かり、スチルベン-アゾベンゼン二層構造が確認された。また60秒から90秒まで、アゾベンゼンフラグメントの検出強度に傾斜があるが、シリコン検出強度の傾斜と同じエッチング時間幅(30秒)で観測されたことを考慮すると、この傾斜はサンプルの水平面からの微小な傾きに由来するものであり、スチルベン−アゾベンゼンの組成傾斜は極めて急峻なものであると結論できる。
実施例1で得られたブロック共重合体PEO114−PStbMA60、実施例2で得られたPEO114−PAzMA55、及び実施例4で得られたPEO114−(PStbMA30 -ran-PAzMA26)を1:1:1の混合比で、3重量%の濃度になるように1,1,2-トリクロロエタンに溶解し、ポリエチレンテレフタレート基板およびシリコンウェーハ上にスピンコート(1000rpm、30秒)により展開した。次いで、190℃の温度で2時間熱処理を行い、約6時間かけて室温まで放冷することで、相分離三層膜を得た。
実施例12で得られたミクロ相分離二層膜について、四酸化ルテニウムでPEOドメインを選択染色したものを透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した。結果を図8に示す。得られたミクロ相分離構造膜は、垂直貫通シリンダーアレイ構造を有することが確認された。さらに、基板側のアゾベンゼン層と、中間のアゾベンゼンスチルベン混合層、空気側のスチルベン層でルテニウムによる染色効率が異なるため、三層構造に起因する明確なコントラストが確認された。
Claims (26)
- 基板上に、2種以上の液晶性側鎖を有する高分子が積層されてなる相分離構造膜であって、
上記2種以上の液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度が異なっており、基板側から他方の面に向かうに従って、上記2種以上の液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度が段階的に高くなっている、相分離構造膜。 - 上記高分子が、スチルベンゼン構造、アゾベンゼン構造、カルコン構造、又はそれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の相分離構造膜。
- 上記高分子が、下記一般式(1)、(2)又は(3)のいずれかで表わされる構造を有する、請求項1又は2に記載の相分離構造膜。
- 上記液晶性側鎖を有する高分子が、上記液晶性側鎖と、該液晶性側鎖と非相溶な親水性ポリマー成分とを有するブロック共重合体である、請求項1〜3のいずれか1項記載の相分離構造膜。
- 上記親水性ポリマー成分が、ポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、ポリ(ビニルアルコール)、ポリ(アクリル酸)、ポリ(メタクリル酸)、ポリ(アクリルアミド)、又は親水性側鎖を有するポリ(アクリレート)、親水性側鎖を有するポリ(メタクリレート)であり、上記疎水性ポリマー成分がメソゲン側鎖、長鎖アルキル側鎖又は疎水性側鎖を有するポリ(アクリレート)又はポリ(メタクリレート)、ポリ(スチレン)、又はビニルポリマーである、請求項4に記載の相分離構造膜。
- 上記ブロック共重合体が、下記一般式(4)で表わされるブロック共重合体を含む、請求項4に記載の相分離構造膜膜。
- 上記液晶性側鎖を有する高分子の少なくとも1種が、親水性ポリマー成分と、該親水性ポリマー成分と非相溶な液晶性メソゲン側鎖とが、求核性官能基と反応し得る構造を含む連結部を介して結合してなるトリブロック共重合体である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の相分離構造膜。
- 上記トリブロック共重合体が、下記一般式(5)で表わされる、請求項7記載の相分離構造膜膜。
- 一般式(5)におけるR2が、下記式のいずれかで表わされる、請求項8記載の相分離構造膜。
- 上記トリブロック共重合体が、下記一般式(6)で表わされる、請求項7記載の相分離構造膜膜。
- 一般式(6)におけるR3が、下記式のいずれかで表わされる、請求項10記載の相分離構造膜。
- 等方転移温度が異なる2種以上の液晶性側鎖を有する高分子を、該液晶性側鎖を有する高分子が溶解可能な溶媒に溶解し、液晶性側鎖を有する高分子混合溶液を調製する工程;
上記液晶性側鎖を有する高分子混合溶液を基板表面に塗布する工程;
上記液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度のうち、最も高い等方転移温度よりも高い温度でアニーリングする工程:及び
上記液晶性側鎖を有する高分子の等方転移温度のうち、最も低い等方転移温度よりも低い温度まで冷却する工程を有することを特徴とする相分離構造膜の製造方法。 - 上記液晶性側鎖を有する高分子が、スチルベンゼン構造、アゾベンゼン構造、カルコン構造、又はそれらの組み合わせを含む、請求項12に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記液晶性側鎖を有する高分子が、下記一般式(1)、(2)又は(3)のいずれかで表わされる構造を有する、請求項12又は13に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記アニーリングが、上記最も高い等方転移温度よりも10℃以上高い温度で実施される、請求項12〜14のいずれか1項に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記基板が、疎水性物質からなる基板、又は表面を疎水化処理した基板である、請求項12〜15のいずれか1項に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 基板表面に塗布された液晶性側鎖を有する高分子混合溶液を、低い極性相と接触させて加熱処理を施して上記溶媒を蒸発させる、請求項12〜16のいずれか1項に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記加熱処理に加え、電場又は磁場の印加、基板表面の配向処理を施す、請求項17に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記液晶性側鎖を有する高分子が、上記液晶性側鎖と、該液晶性側鎖と非相溶な親水性ポリマー成分とを有するブロック共重合体である、請求項12〜18のいずれか1項に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記親水性ポリマー成分が、ポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、ポリ(ビニルアルコール)、ポリ(アクリル酸)、ポリ(メタクリル酸)、ポリ(アクリルアミド)、又は親水性側鎖を有するポリ(アクリレート)、親水性側鎖を有するポリ(メタクリレート)であり、上記疎水性ポリマー成分がメソゲン側鎖、長鎖アルキル側鎖又は疎水性側鎖を有するポリ(アクリレート)又はポリ(メタクリレート)、ポリ(スチレン)、又はビニルポリマーである、請求項19に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記液晶性側鎖を有する高分子が、下記一般式(4)で表わされるブロック共重合体を含む、請求項19又は20に記載の相分離構造膜膜の製造方法。
- 上記2種以上の液晶性側鎖を有する高分子の少なくとも1種が、親水性ポリマー成分と、該親水性ポリマー成分と非相溶な液晶性メソゲン側鎖とが、求核性官能基と反応し得る構造を含む連結部を介して結合してなるトリブロック共重合体である、請求項12〜18のいずれか1項に記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記トリブロック共重合体が、下記一般式(5)で表わされる、請求項22に記載の相分離構造膜膜の製造方法。
- 一般式(5)におけるR2が、下記式のいずれかで表わされる、請求項23記載の相分離構造膜の製造方法。
- 上記トリブロック共重合体が、下記一般式(6)で表わされる、請求項22に記載の相分離構造膜膜の製造方法。
- 一般式(6)におけるR3が、下記式のいずれかで表わされる、請求項25記載の相分離構造膜の製造方法。
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