JP5135571B2

JP5135571B2 - 異方性イオン伝導性高分子膜

Info

Publication number: JP5135571B2
Application number: JP2005090602A
Authority: JP
Inventors: 智一彌田; 晶澤李; 香織鎌田
Original assignee: Tokyo Institute of Technology NUC
Current assignee: Tokyo Institute of Technology NUC
Priority date: 2005-03-28
Filing date: 2005-03-28
Publication date: 2013-02-06
Anticipated expiration: 2025-03-28
Also published as: JP2006273890A

Description

この発明は、イオン伝導性に異方性を持つイオン伝導性高分子膜に関し、より詳細には、電解質膜等として有用な異方性イオン伝導性高分子膜に関する。

イオニクスの分野では、液体の電解質がいまだに用いられており、全固体化素子の実現には未解決課題が多い。これまでに開発されたイオン伝導材料による固体燃料電池は、ジルコニウム、イットリウム、ビスマス、バナジウムなどの酸化物又は硫化物を利用した固体酸化物燃料電池、溶融炭酸塩やリン酸を用いた固体燃料電池、Nafion（登録商標）やDow（登録商標）に代表されるフッ素系高分子電解質膜を用いた固体燃料電池などが挙げられる。ポリエチレン、ポリプロピレンによる層型多孔平膜やポリオレフィン系樹脂などは、薄膜化が可能でかつ高孔率であるという特徴から、リチウムイオンの伝導用の固体電解質として実用化されている。更に最近では、機能性官能基が導入されたクラウンエーテル、有機カチオン構造をもつ有機系溶融塩であるイオン性液体、オリゴエチレンオキシド部位を側鎖にもつポリメタクリレートやポリエチレン、ポリスチレンなどの高分子のイオン伝導性が報告されている（非特許文献１、２）。

このようなイオン伝導体を安価で大量生産するために、細孔構造の微細化と孔形制御や膜内における配向制御の実現が求められているが、現存技術により達成された例は少ない（非特許文献３，４）。
また、イオンの可動を高速化できるソフトな部分と固体の形状を保つためのハードな部分を併せもつ材料の設計が可能である有機化合物・高分子材料に注目が注がれている。架橋型高分子ゲルの網目状構造や異種高分子のブレンド、イオン性液体、液晶などによってつくられる膜面内での層状構造を利用したイオン伝導機構が開発されているが（非特許文献３，５，６）、用いる原料の化学構造から、その配向制御が困難であり、電極基板に対してイオン輸送の異方性を示すには至っていない。

特開2004-124088 K. Kimura, et al., Macromolecules, 37, 1871 (2004). C. T. Imrie, et al., Adv. Mater., 11, 832 (1999). T. Kato, et al., JACS, 126, 994 (2004). C. Tschierske, J. Mater. Chem., 11, 2647 (2001). Adam. Z. Weber, et al., J. Electrochem. Soc., 150 (7), A1008 (2003). T. Kato, et al., JACS, 125, 3196 (2003).

本発明は、ナノメートル領域での相分離を示す高分子薄膜による配向型極微細パターン化平膜（特許文献１）を利用して、その膜内における相分離構造の配向に依存した物質拡散特性を特徴とする異方性イオン伝導材料の製造方法を提供する。

本発明においては、両親媒性高分子を成膜することにより得られる薄膜の高い高配向型ナノシリンダー構造（特許文献１）を利用した。この両親媒性高分子を用いることにより、電極基板に対するナノシリンダー構造の配向制御と合成化学的なシリンダー径の制御が可能になり、シリンダーを形成する親水性高分子鎖と可動イオンとの錯体形成による選択的イオン伝導が可能になり、更に可動イオンの価数を問わないなどの利点を有する。
即ち、本発明は、両親媒性高分子とプロトン又は金属カチオンから成る異方性イオン伝導性高分子膜であって、該両親媒性高分子が、下記一般式(化１)
（式中、m及びnは、それぞれ5〜500の整数を表し、aは1〜22の整数を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは水素原子又は炭素数1〜22のアルキル基を表す。）で表されるブロック共重合体を融点以上で加熱することにより得られ、膜中に一定方向に配向した該親水性ポリマー成分から成るシリンダーを有し、該シリンダーが該膜の表面に対して略垂直方向に配向し、該膜内のシリンダーの配向方向に対してより高いイオン伝導性を示す異方性イオン伝導性高分子膜である。

本発明の異方性イオン伝導性高分子膜は、両親媒性高分子によるナノメートルオーダーの相分離構造をイオン伝導路とし、その相分離構造の配向に基づく異方性イオン伝導特性を示すため、イオニクス素子を全固体化するため新たな固体電解質材料として提供される。

本発明の異方性イオン伝導性高分子膜は、両親媒性ブロック共重合体（特許文献１）を主原料とするものであり、その構造は、親水性ナノシリンダーとそのマトリックスとなる疎水性液晶ドメインからなり、その親水性ナノシリンダー部分にプロトン又は金属カチオンを錯体形成させて含ませたものである。
この親水性ナノシリンダーのシリンダー径とシリンダー間距離はこの高分子の構造により精密に決定することができ、またこの親水性ナノシリンダーの膜内配向は、熱処理や電界印加などにより制御することができる。
本発明の異方性イオン伝導性高分子膜は、親水性部位との錯形成を駆動力とするため１価イオンはもとより２価及び３価以上の可動イオンの導入が可能である。

この両親媒性ブロック共重合体は、互いに非相溶な親水性ポリマー成分（Ａ）及び疎水性ポリマー成分（Ｂ）とが共有結合で連結されているブロック共重合体であり、これらは相反する化学的・物理的性質をもつ。また、その分子量分布は1.3以下であり、構成高分子鎖Ａ及びＢの順序は問わない。
親水性高分子鎖Ａとして、例えば、ポリ（エチレンオキシド）、ポリ（プロピレンオキシド）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（アクリルアミド）、オリゴ（エチレンオキシド）やクラウンエーテルやクリプタンド又は糖鎖等の親水性側鎖を有するポリ（メタクリレート）又はポリ（アクリレート）等、好ましくはポリ（エチレンオキシド）メチルエーテルが挙げられる。
疎水性高分子鎖Ｂとして、例えば、メソゲン側鎖、長鎖アルキル側鎖又は疎水性側鎖を有するポリ（メタクリレート）若しくはポリ（アクリレート）、ポリ（スチレン）、ビニルポリマー等が挙げられる。

メソゲン側鎖とは、例えば、下記一般式
Ｅ−（Ｙ1−Ｆ）n−Ｙ2−Ｇ
で表される構造単位を１つ以上有するものが挙げられる。
式中、Ｅ、Ｆ及びＧは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピラジン−２，５−ジイル、ピリダジン−３，６−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルであり、を表わし、Ｙ１及びＹ２は、同一であっても異なっていてもよく、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−又は−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−を表わし、nは０〜３の整数を表す。
長鎖アルキル側鎖とは、炭素数が好ましくは６〜２２個のアルキル側鎖をいう。
疎水性側鎖としては、例えば脂肪族側鎖等が挙げられる。
このブロック共重合体の分子量は、好ましくは５０００〜１０００００、より好ましくは１００００〜５００００である。

本発明で用いるブロック共重合体は、下記一般式(化２)
（式中、m及びnは、それぞれ5〜500の整数を表し、aは1〜22の整数を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは水素原子又は炭素数1〜22のアルキル基を表す。）で表される。

本発明の異方性イオン伝導性高分子膜としての膜厚は約30nm〜約10μmが好ましい。
両親媒性ブロック共重合体から異方性イオン伝導性高分子膜を成膜する方法に特に制限はなく、通常、溶媒に溶解した高分子を基板上に塗布し、溶媒を乾燥させることにより行う。
溶媒には、通常トルエン、テトラヒドロフラン、キシレン、クロロホルム、ピリジンなどの有機溶媒が用いられる。また、基板には、ドープ型シリコンウェハ、ITO、チタン板、銅板、白金などの電極基板などを用いることができる。
成膜法として、通常、スピンコート法(膜厚80〜200 nm)、水面展開法(膜厚50〜100 nm)、バーコーティング法(膜厚500 nm〜2μm)、マイクログラビア法(膜厚50〜200 nm)が用いられる（カッコ内は通常得られる膜厚を示す。）。

このような異方性イオン伝導性高分子膜において配向したシリンダー構造を形成させるために、加熱処理を行う。
この加熱処理は通常以下の手順で行う。
この高分子薄膜を融点以上の温度で加熱すると、親水性ポリマーから成る多数のシリンダーが、膜表面に対して略垂直方向に配向した構造をとる。
融点は、DSC（示差走査熱量測定）で測定することができ、本発明の両親媒性ブロック共重合体の融点は通常120〜140℃である。

このようにして得られる異方性の高分子膜は、ナノメートル領域の周期的な相分離構造である六方細密型のシリンダー構造を形成する。この親水性高分子鎖のドメインによりつくられるシリンダー構造は、疎水性マトリックス中の液晶配列により、より安定化される。
このシリンダー径は通常0.003〜0.020μm程度であり、シリンダー間距離は通常0.010〜0.060μm程度である。これらは、小角X線散乱測定、透過型電子顕微鏡、又は原子間力顕微鏡により測定することができる。
このシリンダー径は、両親媒性ブロック共重合体の親水性ポリマー部分（例えば、上記一般式（化２）におけるｍ）の大きさに依存し、シリンダー間距離は両親媒性ブロック共重合体の疎水性ポリマー部分（例えば、上記一般式（化２）におけるｎ）の大きさに依存するので、これらが適当な大きさを有する両親媒性ブロック共重合体を設計することにより、所望のシリンダー構造を持つ異方性イオン伝導性高分子膜を製造することが可能である。
このシリンダー部分は、上記の配向のための手段により、所望の方向を向かせることが可能であるが、高分子膜の表面に対して垂直方向に配向したものが、その用途から見て極めて有用であると考えられる。

次に、上記で得た異方性の高分子膜の親水性ポリマー部分にイオン伝導性を付与する方法について説明する。
親水性ナノシリンダー部分に含ませるイオン伝導源としては、プロトン、Na, Li, Kなどの一価金属、Mg, Ca, Ni, Cu, Zn, Co, Pb, Cd, Hgなどの二価金属の金属カチオンが挙げられる。
プロトンを導入するためには、通常リン酸等の酸やアルコール、好ましくは酸を用いる。
金属カチオンを導入するためには、通常これらの金属塩を用いる。例えば、上記金属とCF₃SO₃, Br, Cl, F, I, ClO₄, BF₄, PF₆, SO₃, OH, NO₃, CH₃SO₃, CH₃COO, AlCl₄, AlO₂, SO₄, S, CO₃, PO₄, SO₃などとの塩を用いることができる。

可動イオンの導入方法に特に制限は無く、成膜時若しくは成膜後、又は配向処理の前若しくは後のいずれでもよい。導入方法としては，例えば、（１）上記両親媒性ブロック共重合体を溶解させた溶液に上記の酸や金属塩を溶解させて成膜する方法、（２）上記両親媒性ブロック共重合体を成膜した後で生成した膜を、上記の酸や金属塩を溶解させた溶液に浸す方法、又は（３）上記両親媒性ブロック共重合体を成膜した後で生成した膜を、上記の酸や金属塩を溶解させた溶液に浸し、これに電界を印加する方法などが挙げられる。
このなかで特に（１）が簡便であり好ましい。この場合、可動イオンとなる電解質（プロトン又は金属カチオン）が混入した高分子溶液を用い薄膜を作製する。加熱乾燥後の薄膜中には、可動イオンが親水性シリンダー部位と選択的に錯形成し、シリンダーが基板に対して垂直方向に配向する。この高分子薄膜は、ナノシリンダー配向に対して平行方向ではイオン伝導性を示し、垂直方向では示さないという異方性イオン伝導性を示す。
また、電解質イオンのほかにDNAなどの生体関連分子、金属（金属酸化物を含む）又は汎用ポリマーでつくられた多分散微粉体などをシリンダー部分に含ませることにより、幅広い対象物質がそのサイズあるいは化学的性質に基づき、親水性ナノシリンダー部位で特異的に物質輸送される特徴を持たせることも可能である。

このようにして得られた異方性イオン伝導性高分子膜は異方性イオン伝導性を示すため、用途に応じて適宜使用することができる。例えば、１枚の異方性イオン伝導性高分子膜において配向を変化させた部分を設けてもよい。また、同一であっても又は異なってもよい複数の異方性イオン伝導性高分子膜を積層して所望の膜厚で用いてもよい。
また、このような異方性イオン伝導性高分子膜をイオン伝導膜として、この異方性イオン伝導性高分子膜を二つの電極で挟んで素子としてもよい。このような電極（アノードとカソード）として、いかなる電極を用いてもよいが、白金やニッケル等の金属板、白金や金等の貴金属触媒を担持した多孔性炭素やフッ素系高分子材料、白金や金等の金属薄膜で被覆された絶縁板（高分子等）などを用いることができる。上記のイオン伝導膜をこの２枚の電極で挟み素子を構成することができる。

以下、実施例にて本発明を例証するが本発明を限定することを意図するものではない。
製造例１
ポリ（エチレンオキシド）メチルエーテル（分子量5000）を親水性高分子鎖、含アゾベンゼン液晶性側鎖を有する重合度が47のポリメタクリレートを疎水性高分子鎖とするブロック共重合体を合成した。合成は、銅錯体を触媒とする原子移動ラジカル重合法により行った。
得られたブロック共重合体は下記一般式(化３)
で表され、数平均分子量は28100、Mw/Mn＝1.08、ポリメタクリレート(MA)含量は82重量％、融点は120℃であった。

製造例１で得たブロック共重合体（pEO-b-pMA(Az)）とリチウムトリフレート(LiCF₃SO₃)を精製したテトラヒドロフランに溶解した。混合比は、エチレンオキシドモノマーユニット[EO]に対するリチウムイオン濃度[Li⁺]である[EO]:[Li⁺]が120:1、20:1、及び4:1の3種類を用意した。混合液を室温にて6時間撹拌し、ポリエチレンオキシド部位とLiイオン間の錯形成を促した。その後、この溶液を用い、石英基板又は導電性シリコンウェハ上にスピンコート法による成膜を行った（膜厚約0.3μｍ）。得られたリチウムイオン−高分子錯体からなる薄膜を真空下140℃にて10時間熱処理した。

得られた膜の原子間力顕微鏡（AFM）写真を図１に示す。
リチウムイオンが[EO]:[Li⁺]=120:1、20:1の薄膜の熱処理後の表面には、六方細密充填型のpEOドメインからなるドットパターンが観察された。また断面像から、基板に垂直に配向したpEOシリンダー構造が観察された(図１)。よりLiイオンを多く含む [EO]:[Li⁺]=4:1の成膜条件を満たす薄膜中には、規則性と配向性が低い相分離構造が見られた。

得られた膜のDSC曲線を図２に示す。２つの液晶相転移温度（６８℃及び１００℃）、融点（１３８℃）とアゾベンゼン液晶相の種類が分かる。相分離構造を小角Ｘ線散乱により測定すると、この構造は温度に依存しており、融点以下ではシリンダー型、融点以上では球状相分離構造を形成する。

次に、得られた膜のイオン伝導性を図３に示す２方向でインピーダンス分析法により測定した。イオン伝導度の温度依存性を表１及び図４に示す。[EO]:[Li⁺]=20:1の混合比を用いた薄膜に大きな異方性(450)をもつイオン伝導特性が見られた。[EO]:[Li⁺]=4:1の混合比を用いた薄膜の異方性は、40であった。図１のAFM表面観察と併せて考察すると、リチウムイオン−高分子錯体である本薄膜は、膜内のシリンダーの配向方向に対してより高いイオン伝導性を示す異方性イオン伝導体であるといえる。

本発明の異方性イオン伝導性高分子膜は面外配向が可能であることから、高選択的、高密度、高エネルギー型のイオン伝導材料として高分子電解質型燃料電池をはじめ選択透過(輸送)膜、分離膜、固体吸収材料(分離吸収材料)、高エネルギー吸収材料(振動吸収材料)などに応用展開できる。

異方性イオン伝導性高分子膜の原子間力顕微鏡写真を示す図である。ＡとＢは、[EO]:[Li⁺]=120:1、ＣとＤは、[EO]:[Li⁺]=20:1、ＥとＦは、[EO]:[Li⁺]=4:1の混合比で作製したものを示し、Ａ、Ｃ、Ｅは表面写真、Ｂ、Ｄ、Ｆは断面写真を示す。図中のスケールバーは200nmを示す。異方性イオン伝導性高分子膜のDSC曲線を示す図である。異方性イオン伝導性高分子膜のイオン伝導性の測定方向を示す図である。異方性イオン伝導性高分子膜のイオン伝導性を示す図である。

Claims

両親媒性高分子とプロトン又は金属カチオンから成る異方性イオン伝導性高分子膜であって、該両親媒性高分子が、下記一般式(化１)
（式中、m及びnは、それぞれ5〜500の整数を表し、aは1〜22の整数を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは水素原子又は炭素数1〜22のアルキル基を表す。）で表されるブロック共重合体を融点以上で加熱することにより得られ、膜中に一定方向に配向した該親水性ポリマー成分から成るシリンダーを有し、該シリンダーが該膜の表面に対して略垂直方向に配向し、該膜内のシリンダーの配向方向に対してより高いイオン伝導性を示す異方性イオン伝導性高分子膜。
請求項１に記載の異方性イオン伝導性高分子膜を複数枚積層してなる異方性イオン伝導性高分子膜。
請求項１又は２に記載の異方性イオン伝導性高分子膜を二つの電極で挟んでなる素子。