JP2004307847A - 機能性有機薄膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に、 式 R−SiX1X2X3 (I)(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)で表されるケイ素化合物を用いて成膜されてなる機能性有機薄膜により上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよい基からなるπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物を用いて成膜されてなる機能性有機薄膜が提供される。
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよい基からなるπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物を用いて、化学吸着法により、機能性有機薄膜を形成することからなる機能性有機薄膜の製造方法が提供される。
R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよい基からなるπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物に由来する第一の単分子膜と、該第一の単分子膜上に少なくとも一膜以上形成された基からなるπ電子共役系のユニットが複数結合したケイ素化合物を含む第二の単分子膜とからなる機能性有機薄膜が提供される。
R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよい基からなるπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物を用いて化学吸着法により第一の単分子膜を成膜し、該第一の単分子膜上に、化学吸着法を用いて、π電子共役系のユニットが複数結合したケイ素化合物を含む第二の単分子膜を少なくとも一膜以上形成する工程を含む機能性有機薄膜の製造方法が提供される。
なお、式(I’)中、R’は、末端に官能基が置換されていること以外は、Rと同義である。
以下にケイ素化合物の合成方法を説明する。
・式 R−Li (II)で表される化合物と、 式 Y−SiX1X2X3 (III)(式中、X1、X2、X3及びYは上記と同義である。)で表される化合物とを反応させるか、又は、
・式 R−MgX (IV)(式中、R及びXは上記と同義である。)で表される化合物と、上記式(III)で表される化合物とをグリニヤール反応させることにより得ることができる。
チオフェンの上記反応を利用して、チオフェン環の数を増加させることができる。
この式(I)のケイ素化合物は、例えば、化学吸着法によって、以下のように薄膜とすることができる。
まず、図6(a)に示したように、基板31上に、例えば、化学吸着法により、末端に官能基(例えば、アミノ基等)を有したケイ素化合物の単分子膜を形成する。得られた基板31を、例えば、末端の官能基と反応しうる官能基(例えば、カルボキシル基等)を有した化合物(例えば、式(8)の化合物)を含む溶液中に一定時間浸漬させ、反応させることで、図6(b)に示したように、1層目の単分子膜の構造を変化させずに隣接分子との結合を有しない累積膜を形成することができる。
K2−R’−K3 (IV)
で表す化合物を用いて成膜することができる。式中、K2及びK3における官能基としては、上記K1と同様のものが挙げられる。
R−SiX4X5X6 (V)
(式中、Rは上記と同義であり、X4〜X6のうちのひとつが加水分解により水酸基を与える基であり、他の二つは隣接分子と反応しない官能基である。)
で表される化合物を用いて成膜することができる。なお、式中、X4〜X6の加水分解により水酸基を与える基は、X1〜X3で表す基と同様のものが挙げられる。また、隣接分子と反応しない官能基としては、例えばアルキル基が挙げられる。
更に、有機薄膜が累積膜である場合、図2に示すように、異なる機能を有する膜を累積することで、同一の膜において、異なる機能を膜のそれぞれの部分に分離することが可能となる。
・有機ELや有機リン光発光素子の電極間の膜(発光層、電子注入層、正孔注入層等)
・有機半導体レーザ(例えば、ダイオードのような電流注入型レーザ)の電極間の膜(それぞれの電極から注入されたホール及び電子を有機薄膜上で再結合させることで発光させ、得られた光を一定方向から取り出すことができる)
・太陽電池のp型及びn型材料(有機薄膜が、光励起特性を有するため、p型及びn型材料をそれぞれ薄膜とし重ねれば、p−nジャンクションを形成できるので、太陽電池を形成できる)
・燃料電池のセパレータ−
・ガスセンサの気体分子又はにおいセンサのにおい成分の吸着膜(くし型電極上に有機薄膜を設置すれば、気体分子の吸着による有機薄膜の導電性の変化により気体分子の濃度を評価するガスセンサを形成できる)
・イオンセンサのイオン感応膜
・バイオセンサ(例えば、免疫センサ)の感応膜(有機薄膜の酵素の選択性を利用する)
以下に、本発明の機能性有機薄膜及びその製造方法の実施例を説明する。
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、ターフェニル1.5モルを四塩化炭素に溶解させた後、NBS、AIBNを加え、3時間攪拌した後に減圧濾過することによって、ブロモターフェニルを得た。続いて、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、金属マグネシウム0.5モル、THF(テトラヒドロフラン)300mlを仕込み、前記ブロモターフェニル0.5モルを50〜60℃にて滴下ロートから2時間かけて滴下し、滴下終了後65℃にて2時間成熟させ、グリニヤール試薬を調製した。
2.60ppm〜2.5ppm(m) (6H エトキシ基エチル基由来)
1.4ppm〜1.3ppm(m) (9H エトキシ基メチル基由来)
これらの結果から、得られた化合物が式(1)に示すターフェニルトリクロロシランであることを確認した。
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、ターチオフェン1.0モルを四塩化炭素に溶解させた後、NBS、AIBNを加え、2.5時間攪拌した後に減圧濾過することによって、ブロモターチオフェンを得た。続いて、
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、金属マグネシウム0.5モル、THF(テトラヒドロフラン)300mlを仕込み、前記ブロモターチオフェン0.5モルを50〜60℃にて滴下ロートから2時間かけて滴下し、滴下終了後65℃にて2時間成熟させ、グリニヤール試薬を調製した。
2.60ppm〜2.5ppm(m) (6H エトキシ基エチル基由来)
1.4ppm〜1.3ppm(m) (9H エトキシ基メチル基由来)
これらの結果から、この化合物が式(2)で示されるターチオフェントリクロロシランであることを確認した。
酸化膜(SiO2)を表面に有するSi基板を、過酸化水素と濃硫酸との混合溶液(混合比3:7)中において1時間浸漬し、石英基板表面を親水化処理した。
まず、前記の式(2’)の化合物であるアミノターチオフェントリクロロシランを、実施例2と同様にグリニヤール法により製造した。
比較例1:ビフェニルトリクロロシランによる膜形成
実施例3と同様に親水化処理したSi基板を、不活性雰囲気下において、ビフェニルトリクロロシランを非水系溶媒(例えば、n−ヘキサデカン)に溶解させた5mMのビフェニルトリクロロシラン溶液に5分間浸漬し、ゆっくりと引き上げ、溶媒洗浄を行い、Si基板上に単分子膜を形成した。
ハイドープすることにより導電性(0.1〜0.2Ω・cm)を付与したSi基板を、酸化水素と濃硫酸との混合溶液(混合比3:7)中において1時間浸漬し、基板表面を親水化処理した。
図3に示すように石英基板1上にAuの蒸着によって電極端子2a、2bを作製した。その後、両端子2a、2b間に所定の電圧を印加するための直流電源と、両端子2a、2b間の電流を検知するための電流計導電率測定手段4を設け、機能性有機薄膜3の電気伝導度を測定した。
実施例1と同様の方法、すなわち過渡光電流測定法による移動度の測定の結果、クオーターチオフェントリクロロシラン有機薄膜の移動度は1×10-1cm2/Vsであった。
比較例2:オクタデシルトリクロロシランを用いた薄膜の電気伝導度測定
実施例5及び6と同様にして、単分子膜を形成する材料としてオクタデシルトリクロロシランを用いた場合、膜の電気伝導度は垂直方向及び平面方向いずれも10-12S/cm以下という値を示し、電気的に絶縁体であることが明らかになった。
作製した膜の有する半導体特性を調べるため、図4に示すように、機能性有機薄膜23の両側にブロッキング電極21と対極22を備えたものを作製した。この系において、電極21−電極22間に電圧を加えた状態で、矢印に示す方向からブロッキング電極に光パルスを加えると、電極21側でキャリアが生成され、順次電極22に移動する。これを検出器24により検出すれば、キャリアの移動時間や、キャリアの分布状態より移動度を評価することができる(過渡光電流測定法)。この測定法を用いてターチオフェントリクロロシラン単分子膜の移動度を測定した結果、1×10-1cm2/Vsであった。
図5に示す有機薄膜トランジスタを作製するために、まず、シリコン基板10上にクロムを蒸着し、ゲート電極15を形成した。
実施例8と同様に、準備した電極付き基板を、5mMの2−オクチルーキンククインケチオフェントリエトキシシランのトルエン及び塩酸混合溶液中に一定時間(例えば10分)浸漬することによって、2−オクチル−クインケチオフェントリエトキシシラン膜を形成させることにより、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図7に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.5×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例8と同様に、準備した電極付き基板を、2mMの2−ドデシルーセプチチオフェントリエトキシシランのトルエン溶液中に一定時間(例えば5分)浸漬することによって、2−ドデシル−セプチチオフェントリクロロシラン膜を形成させ、有機半導体層を形成させることで、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図8に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.7×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例8と同様に、準備した電極付き基板を、3mMの2−ヘキサデシルークオーターフェニルトリメトキシシランのトルエン溶液中に一定時間(例えば60分)浸漬することによって、2−ヘキサデシル−クオーターフェニルトリメトキシシラン膜を形成させることにより、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図9に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.3×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例8と同様に、準備した電極付き基板を、3mMの2−ヘキサデシルーオクチフェニルトリメトキシシラントルエン溶液中に一定時間(例えば60分)浸漬することによって、2−ヘキサデシル−オクチフェニルトリメトキシシラン膜を形成させることにより、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図10に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.6×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例8と同様に、準備した電極付き基板を、1mMの濃度で(化E)にて表される有機ケイ素化合物のTHF溶液中に一定時間(例えば15分)浸漬することによって、前記化合物薄膜を形成させた。このようにして、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図11に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.1×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例8と同様に、準備した電極付き基板を、1mMの濃度で(化F)にて表される有機ケイ素化合物のキシレン溶液中に一定時間(例えば10分)浸漬することによって、前記化合物膜を形成させた。このようにして、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図12に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が2.2×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
2a、2b 電極端子
3 機能性有機薄膜
4 電流計導電率測定手段
10 シリコン基板
12 有機半導体層
13 ソース電極
14 ドレイン電極
15 ゲート電極
16 絶縁膜
21 ブロッキング電極
22 対極
23 機能性有機薄膜
24 検出器
31 シリコン基板
Claims (13)
- 基板上に、
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物を用いて成膜されてなる機能性有機薄膜。 - 前記機能性有機膜が、基板上にシロキサン結合を介して結合されてなる請求項1に記載の機能性有機薄膜。
- 前記ユニットが単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物から選択され、かつ、前記有機残基が、前記ユニットが3〜10個結合してなる請求項1に記載の機能性有機薄膜。
- 前記有機残基が、ユニット間にビニレン基を含む請求項1に記載の機能性有機薄膜。
- 前記単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物がベンゼン又はチオフェン基である請求項3に記載の機能性有機薄膜。
- 前記X1、X2及びX3が、いずれも同種のハロゲン原子又は低級アルコキシ基である請求項1に記載の機能性有機薄膜。
- 前記機能性有機薄膜が、前記ケイ素化合物に由来する単分子膜の1又は複数の繰り返し膜であり、単分子膜の膜厚が1nm〜12nmである請求項1に記載の機能性有機薄膜。
- 前記機能性有機薄膜が、分子結晶性を有する請求項1に記載の機能性有機薄膜。
- 前記機能性有機薄膜が、基板表面に対し垂直方向に導電性を示し、表面方向に半導電性を示す電気的異方性を有する請求項1に記載の機能性有機薄膜。
- 基板上に、
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物を用いて、化学吸着法により、機能性有機薄膜を形成することからなる機能性有機薄膜の製造方法。 - 基板上に、式
R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物に由来する第一の単分子膜と、該第一の単分子膜上に少なくとも一膜以上形成されたπ電子共役系のユニットが複数結合したケイ素化合物を含む第二の単分子膜とからなる機能性有機薄膜。 - 前記第二の単分子膜が、式
K2−R’−K3 (IV)
(式中、R’は、π電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、K2及びK3は官能基又は水素原子を示す。ただし、K2及びK3は同時に水素原子でない)
で表される化合物を用いて成膜された膜である請求項11に記載の機能性有機薄膜。 - 基板上に、式
R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、末端に官能基が置換されていてもよいπ電子共役系のユニットが複数結合してなる有機残基であり、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるケイ素化合物を用いて化学吸着法により第一の単分子膜を成膜し、該第一の単分子膜上に、化学吸着法を用いて、π電子共役系のユニットが複数結合したケイ素化合物を含む第二の単分子膜を少なくとも一膜以上形成する工程を含む機能性有機薄膜の製造方法。
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JP2004277413A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-10-07 | Sharp Corp | π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びその製造方法 |
JP2006273890A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Tokyo Institute Of Technology | 異方性イオン伝導性高分子膜 |
JP2013067171A (ja) * | 2003-04-15 | 2013-04-18 | Nippon Soda Co Ltd | 有機薄膜の製造方法 |
-
2004
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