JP2004277413A - π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 式 R−SiX1X2X3 (I)(式中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基でありかつ末端に官能基を有していてもよく、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物により上記課題を解決する。
【選択図】なし
Description
このようなケイ素系化合物として、分子の末端に官能基としてチオフェン環を1つ有し、チオフェン環が直鎖炭化水素基を介してケイ素原子と結合した化合物が提案されている(例えば、特許第2889768号公報:特許文献1)。
更に、電気伝導特性としては、官能基である1つのチオフェン分子では、HOMO−LUMOエネルギーギャップが大きく、有機半導体層としてTFT等に使用しても、十分なキャリア移動度が得られないという課題が存在していた。
(式中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基でありかつ末端に官能基を有していてもよく、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物が提供される。
(式中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基でありかつ末端に官能基を有していてもよい。)
で表される化合物と、
式 Y−SiX1X2X3 (III)
(式中、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基であり、Yは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基である。)
で表される化合物とを反応させて、
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、R、X1、X2、X3は上記と同義である。)
で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物を得ることを特徴とするπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法が提供される。
(式中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基でありかつ末端に官能基を有していてもよい。)
で表される化合物と、
式 Y−SiX1X2X3 (III)
(式中、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基であり、Yは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基である。)
で表される化合物とを、グリニヤール反応に付して、
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、R、X1、X2、X3は上記と同義である。)
で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物を得ることを特徴とするπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法が提供される。
しかも、上記のような化合物を簡便に製造することが可能になる。
式(I)中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基であり、末端に官能基を有していてもよい。
上記ユニットを構成する単環の芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、シメン、スチレン、ジビニルベンゼン等が挙げられる。なかでも、ベンゼンが特に好ましい。
上記ユニットは、3〜10個結合してπ電子共役系の有機残基となる。更に、上記ユニットは、収率、経済性、量産化を考慮すると、3〜8個結合していることがより好ましい。
以下に本発明のケイ素化合物の合成方法を説明する。
・式 R−Li (II)で表される化合物と、 式 Y−SiX1X2X3 (III)(式中、X1、X2、X3及びYは上記と同義である。)で表される化合物とを反応させるか、又は、
・式 R−MgX (IV)(式中、R及びXは上記と同義である。)で表される化合物と、上記式(III)で表される化合物とをグリニヤール反応させることにより得ることができる。
この反応で用いられるアルキルリチウムとしては、n−ブチルリチウム、s−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム等の低級(炭素数1〜4程度)アルキルリチウムが挙げられる。その使用量は化合物R−X1モルに対して1〜5モルが好ましく、より好ましくは1〜2モルである。アルキルマグネシウムハライドとしてはエチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムクロリド等が挙げられる。その使用量は原料化合物RH1モルに対して1〜10モルが好ましく、より好ましくは1〜4モルである。
以下では、単環の芳香族炭化水素の例であるベンゼンに由来するユニットと、単環の複素環化合物の例であるチオフェンに由来するユニットから構成される有機残基の前駆体の合成例を示す。ただし、チオフェンのような窒素含有複素環化合物と同様の方法で、窒素原子、酸素原子を含む複素環化合物についても、前駆体を形成することができる。
更に、チオフェンについては、グリニヤール試薬を利用する方法以外に、下記合成方法を利用することができる。
チオフェンの上記反応を利用して、チオフェン環の数を増加させることができる。
また、上記合成例で使用した原料は、汎用の試薬であり、試薬メーカーより入手、利用できる。以下に原料のCASナンバー、及び、試薬メーカーとして例えばキシダ化学より入手した場合の試薬の純度を示しておく。
まず、ケイ素化合物をヘキサン、クロロホルム、四塩化炭素等の非水系有機溶媒に溶解する。得られた溶液中に、有機薄膜を形成しようとする基板(好ましくは、水酸基、カルボキシル基等の活性水素を有する基板)を浸漬して、引き上げる。あるいは、得られた溶液を基板表面に塗布してもよい。その後、非水系有機溶媒で洗浄し、水洗し、放置するか加熱することにより乾燥して、有機薄膜を定着させる。
以下に、本発明のケイ素化合物及びその製造方法を実施例により具体的に説明する。
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、ターフェニル1.5モルを四塩化炭素に溶解させた後、NBS、AIBNを加え、3時間攪拌した後に減圧濾過することによって、ブロモターフェニルを得た。続いて、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、金属マグネシウム0.5モル、THF(テトラヒドロフラン)300mlを仕込み、前記ブロモターフェニル0.5モルを50〜60℃にて滴下ロートから2時間かけて滴下し、滴下終了後65℃にて2時間成熟させ、グリニヤール試薬を調製した。
次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からトルエン及び未反応のテトラクロロシランをストリップし、この溶液を蒸留して、標題化合物を50%の収率で得た。
また、化合物を含む溶液の紫外−可視吸収スペクトル測定を行ったところ、波長280nmに吸収が観測された。この吸収は、分子に含まれるターフェニル分子のπ→π*遷移に起因しており、化合物がターフェニル分子を含むことが確認できた。
更に化合物の核磁気共鳴(NMR)測定を行った。得られた化合物を直接NMR測定することは、化合物の反応性が高いことより不可能であるため、化合物をエタノールと反応させ(塩化水素の発生を確認した)、末端の塩素をエトキシ基に変換した後、測定を行った。
7.95ppm〜7.35ppm(m) (13H 芳香族由来)
2.60ppm(m) (3H エトキシ基由来)
これらの結果から、得られた化合物が式(1)に示すターフェニルトリクロロシランであることを確認した。
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、ターチオフェン1.0モルを四塩化炭素に溶解させた後、NBS、AIBNを加え、2.5時間攪拌した後に減圧濾過することによって、ブロモターチオフェンを得た。続いて、
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに、金属マグネシウム0.5モル、THF(テトラヒドロフラン)300mlを仕込み、前記ブロモターチオフェン0.5モルを50〜60℃にて滴下ロートから2時間かけて滴下し、滴下終了後65℃にて2時間成熟させ、グリニヤール試薬を調製した。
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた1リットルガラスフラスコにSiCl4(テトラクロロシラン)1.5モル、トルエン300mlを仕込み、氷冷し、内温20℃以下にて、前記グリニヤール試薬を2時間かけて加え、滴下終了後30℃にて1時間成熟を行った(グリニヤール反応)。
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、1060cm-1にSiC由来の吸収が観測され、化合物がSiC結合を有することが確認できた。
また、化合物を含む溶液の紫外−可視吸収スペクトル測定を行ったところ、波長360nmに吸収が観測された。この吸収は、分子に含まれるターチオフェン分子のπ→π*遷移に起因しており、化合物がターチオフェン分子を含むことが確認できた。
7.50ppm〜7.00ppm(m) (7H チオフェン環由来)
2.20ppm(m) (3H エトキシ基由来)
これらの結果から、この化合物が式(2)で示されるターチオフェントリクロロシランであることを確認した。
攪拌機、温度計、滴下ロートを備えた1リットルガラスフラスコに1.0モルのターチオフェンを含む300mlのテトラヒドロフラン溶液を仕込み、−78℃に冷却したのちに、1.0モルのn−ブチルリチウムをゆっくりと滴下し、その後、1時間攪拌することで、式(8)に示す構造を有したターチオフェンのリチウム塩を作製した。
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル及び核磁気共鳴を測定したところ、これらはいずれも実施例2で示した化合物と同じ位置に吸収が見られたため、この化合物が実施例2で作製した式(2)で示されるターチオフェントリクロロシランであることを確認した。
実施例2で得られたπ電子共役系分子含有ケイ素化合物を含むトルエン溶液を調製し、あらかじめ親水化処理により表面に水酸基を突出させたシリコン基板をトルエン溶液に浸漬することで、有機薄膜を成膜した。
紫外−可視吸収スペクトルにおいて、波長360nmにターチオフェン吸収が見られたことより、基板表面にケイ素化合物が吸着していることを確認できた。
この結果、本発明の化合物が結晶性の高い有機薄膜形成材料として利用可能であることが示された。
この結果から、本発明の化合物が半導体特性を有する材料として利用可能であることが示された。また、上述した(1)〜(7)の化合物についても、同様に移動度を測定したところ、同様の半導体特性を有することを確認した。
ハイドープすることにより導電性(0.1〜0.2Ω・cm)を付与したシリコン基板を、過酸化水素と濃硫酸の混合溶液(混合比3:7)中において1時間浸漬し、基板表面を親水化処理した。その後、不活性雰囲気下において、非水系溶媒(例えば、n−ヘキサデカン)に溶解させた溶液濃度10mMのターチオフェントリクロロシラン溶液に、得られた基板を5分間浸漬し、ゆっくりと引き上げた後、溶媒洗浄を行い、基板上に膜を形成した。
これにより、有機薄膜を構成する分子軸方向への導電性が得られるものと予測できる。
図1に示すように石英基板1上にAuの蒸着によって電極端子2a、2bを作製した。その後、両端子2a、2b間に所定の電圧を印加するための直流電源と、両端子2a、2b間の電流を検知するための電流計導電率測定手段4を設け、有機薄膜3の電気伝導度を測定した。
このように作製した電極端子での電気伝導度測定の結果、10-5〜10-7S/cmという値を示した。
これらの結果より、この有機薄膜が基板に対して垂直方向に優れた導電性を有し、かつ、平面方向に優れた半導体特性を有する。つまり、垂直方向と平面方向で電気特性として異方性を有していることが明白となった。
図2に示す有機薄膜トランジスタを作製するために、まず、シリコン基板10上にクロムを蒸着し、ゲート電極15を形成した。
次に、プラズマCVD法によりチッ化シリコン膜による絶縁膜16を堆積した後、クロム、金の順に蒸着を行い、通常のリソグラフィー技術によりソース電極13及びドレイン電極14を形成した。
また、Si−O−Siの二次元ネットワークに含まれるSiと結合したπ電子共役系分子間(隣接する分子間)において、直接的に共有結合を持たないため、オフ時の漏れ電流を軽減することが可能である。
以上のことから、本発明による新規物質によって、分子軸方向及び分子平面と垂直な方向に異方性のある導電性を有するとともに、且つ、高い結晶性を有した有機薄膜を提供することが可能になる。
実施例7と同様に、準備した電極付き基板を、5mMの2−オクチル−キンククインケチオフェントリエトキシシランのトルエン及び塩酸混合溶液中に一定時間(例えば10分)浸漬することによって、2−オクチル−クインケチオフェントリエトキシシラン膜を形成させることにより、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図5に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.5×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例7と同様に、準備した電極付き基板を、2mMの2−ドデシル−セプチチオフェントリエトキシシランのトルエン溶液中に一定時間(例えば5分)浸漬することによって、2−ドデシル−セプチチオフェントリクロロシラン膜を形成させ、有機半導体層を形成させることで、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図6に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.7×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例7と同様に、準備した電極付き基板を、3mMの2−ヘキサデシル−クオーターフェニルトリメトキシシランのトルエン溶液中に一定時間(例えば60分)浸漬することによって、2−ヘキサデシル−クオーターフェニルトリメトキシシラン膜を形成させることにより、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図7に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.3×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例7と同様に、準備した電極付き基板を、3mMの2−ヘキサデシル−オクチフェニルトリメトキシシラントルエン溶液中に一定時間(例えば60分)浸漬することによって、2−ヘキサデシル−オクチフェニルトリメトキシシラン膜を形成させることにより、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図8に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.6×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例7と同様に、準備した電極付き基板を、1mMの濃度で(化E)にて表される有機ケイ素化合物のTHF溶液中に一定時間(例えば15分)浸漬することによって、前記化合物薄膜を形成させた。このようにして、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図9に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が1.1×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
実施例7と同様に、準備した電極付き基板を、1mMの濃度で(化F)にて表される有機ケイ素化合物のキシレン溶液中に一定時間(例えば10分)浸漬することによって、前記化合物膜を形成させた。このようにして、有機半導体層を形成させ、有機薄膜トランジスタを形成した。形成した有機薄膜トランジスタの特性を図10に示す。この結果より形成した有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が2.2×10-1cm2/Vsであり、オン/オフ比が約6桁であった。
まず、攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに1.5モルの金属マグネシウム及びトルエン200mlを仕込み、0.5モルのジブロモビフェニルのトルエン溶液を30分かけて加え、滴下終了後65℃にて、2時間成熟させることにより、1つのブロモ基が置換されたグリニヤール試薬を調製した。続いて、攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた1リットルガラスフラスコに、1.0モルのテトラクロロシラン及びトルエン200mlを仕込み、氷冷し、内温15℃にて、前記グリニヤール試薬を1時間かけて加え、滴下後、1時間成熟させた。つづいて、反応液を減圧濾過することによって未反応物を除去したのち、ジエチルエーテルに溶解させた後に、攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに仕込み、1.0モルのCH3−CH2−O−MgBrのエーテル溶液を1時間かけて滴下した後に、70℃にて12時間還流させ、中間体1を形成した(収率60%)。
まず、攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに0.5モルのn−ブチルリチウムを仕込み、−78℃に冷却した後に中間体1を滴下ロートを用いて30分かけて加え、続いて、1.5モルのビス(ピナコラト)ジボロンを加えた後、12時間かけて、−78℃から室温まで容器の内温を上昇させることにより反応を進行させた。反応終了後、2M塩酸を加えることにより、中間体2を形成させた(収率60%)。
まず、1.0モルのターチオフェンを四塩化炭素に溶解させた後、NBSを加え、重合開始剤であるアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を加え、6時間攪拌したのち、減圧濾過することでジブロモターチオフェンを得た。
また、1.0モルのビフェニルを四塩化炭素に溶解させた後、NBSを加えAIBN存在下で、2時間攪拌することにより、ブロモビフェニルを形成し、続いて、攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに1.5モルの金属マグネシウム及びトルエン200mlを仕込み、0.5モルのブロモジフェニルのトルエン溶液を30分かけて加え、滴下終了後65℃にて、2時間成熟させることにより、グリニヤール試薬を調製した。
前記中間体2のトルエン溶液、3モル%Pd(PPh)3及び少量の炭酸ナトリウム水溶液を順次、攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに仕込み、続いて、前記中間体3のトルエン溶液を滴下ロートを用いて加えた後、85℃で12時間反応させることにより目的化合物を形成した(Suzukiカップリング)。
7.5ppm〜7.2ppm(m) (17H フェニル骨格由来)
7.1ppm〜6.9ppm(m) (6H チオフェン骨格由来)
3.8ppm〜3.7ppm(m) (6H エトキシ基メチレン由来)
1.4ppm〜1.2ppm(m) (9H エトキシ基メチル基由来)
これらの結果からこの化合物が、上記構造式にて表される化合物であることが確認できた。
下記構造式の有機ケイ素化合物(化J;但しnγ=2)の化合物の合成
まず、200mlナスフラスコに、α―ブロモキシレン(50mM)とトリエチルホスファイト(60mM)を仕込み、攪拌しながら、140℃まで温度を上昇させることにより反応を進行させた。更に180℃まで温度を上げ、トリエチルホスファイトの残存物を破壊した後、冷却することによって4−(メチル−ベンジル)−フォスホン酸(4−(Methyl−benzy)−phosphonic acid)を形成した。続いて、攪拌器、温度計、滴下ロートを備えた500mlガラスフラスコに水酸化ナトリウム10mMをアルゴン雰囲気中で乾燥DMFに加え、溶液温度を0℃とした後に、前記4−(メチル−ベンジル)−フォスホン酸(4−(Methyl−benzy)−phosphonic acid)(8mM)とトランス−4−スチルベンカルボキシアルデヒド(trans−4−stilbenecarboxaldehyde)(7mM)のDMF溶液(50ml)をゆっくりと加え、24時間攪拌し、反応を進行させた。反応終了後、生成物をエタノールで抽出することにより、4−[(E)−2−[4−{(E)−2−フェニルビニル}−フェニル]−ビニル]−フェニルメタン(4−{(E)−2−[4−{(E)−2−phenylvinyl}−phenyl]−vinyl}−phenylmethane)(化合物G)を合成した。更に、前記化合物Gを四塩化炭素に溶解させた後、NBSを加え、AIBNを加え、2時間攪拌したのち、減圧濾過し、下記構造式にて示される中間体4を合成した。
7.4ppm〜7.2ppm(m) (12H フェニル骨格由来)
7.1ppm〜7.0ppm(m) (4H ビニル基骨格由来)
3.8ppm〜3.7ppm(m) (6H エトキシ基メチレン由来)
2.5ppm〜2.4ppm(m) (3H メチル基由来)
1.4ppm〜1.2ppm(m) (9H エトキシ基メチル基由来)
これらの結果からこの化合物が、上記構造式にて表される化合物であることが確認できた。
2a、2b 電極端子
3 有機薄膜
4 電流計導電率測定手段
10 シリコン基板
12 有機半導体層
13 ソース電極
14 ドレイン電極
15 ゲート電極
16 絶縁膜
21 ブロッキング電極
22 対極
23 有機薄膜
24 検出器
Claims (10)
- 式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基でありかつ末端に官能基を有していてもよく、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である。)
で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物。 - 前記Rが、ユニット間にビニレン基を含む有機残基である請求項1に記載のπ電子共役系分子含有ケイ素化合物。
- 前記単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物が、ベンゼン又はチオフェンである請求項1に記載のπ電子共役系分子含有ケイ素化合物。
- 前記X1、X2及びX3が、いずれも同種のハロゲン原子又は低級アルコキシ基である請求項1に記載のπ電子共役系分子含有ケイ素化合物。
- 式 R−Li (II)
(式中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基でありかつ末端に官能基を有していてもよい。)
で表される化合物と、
式 Y−SiX1X2X3 (III)
(式中、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基であり、Yは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基である。)
で表される化合物とを反応させて、
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、R、X1、X2、X3は上記と同義である。)
で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物を得ることを特徴とするπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法。 - 式 R−MgX (IV)
(式中、Rは、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物に由来する基から選択されるユニットが3〜10個結合したπ電子共役系の有機残基でありかつ末端に官能基を有していてもよい。)
で表される化合物と、
式 Y−SiX1X2X3 (III)
(式中、X1、X2及びX3は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基であり、Yは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基である。)
で表される化合物とを、グリニヤール反応に付して、
式 R−SiX1X2X3 (I)
(式中、R、X1、X2、X3は上記と同義である。)
で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物を得ることを特徴とするπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法。 - 基Rが、単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物から選択される原料化合物の所定の結合位置をハロゲン化し、次いでグリニヤール反応に付す工程を1回以上繰り返すことにより、所定数の原料化合物を結合させて得られた化合物に由来する請求項5又は6に記載のπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法。
- 基Rを構成するユニットがチオフェンに由来し、基Rが、チオフェンの所定の結合位置をハロゲン化し、次いで得られたハロゲン化チオフェン同士をNCS又はPOCl3の存在下で反応させて結合させる工程を1回以上繰り返すことにより、所定数のチオフェンを結合させて得られた化合物に由来する請求項5又は6に記載のπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法。
- 基Rを構成するユニットがチオフェンに由来し、基Rが、チオフェンの所定の結合位置をハロゲン化し、次いで得られたハロゲン化チオフェンとジビニルスルホンとを反応させることで、スクシニル基の両側にチオフェンが結合した1,4−ジケトン体を得、次いで、1,4−ジケトン体をローウェッソン剤又はP4S10の存在下で閉環反応させる工程を1回以上繰り返すことにより、所定数のチオフェンを結合させて得られた化合物に由来する請求項5又は6に記載のπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法。
- 基Rが、所定の結合位置にメチル基を有する単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物から選択される原料化合物のメチル基をハロゲン化し、次いで、そのハロゲンを5価のリン化合物で置換した後、得られた化合物と所定の結合位置にアルデヒド基を有する単環の芳香族炭化水素及び単環の複素環化合物から選択される原料化合物とを反応させる工程を1回以上繰り返すことにより、所定数の原料化合物を結合させて得られた化合物に由来する請求項5又は6に記載のπ電子共役系分子含有ケイ素化合物の製造方法。
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