JP5994788B2 - パターン形成用自己組織化組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
[A]スチレン単位を有するポリスチレンブロック、及び(メタ)アクリル酸アルキル単位を有するポリ(メタ)アクリル酸アルキルブロックを含むブロック共重合体(以下、「[A]ブロック共重合体」ともいう)
を含有するパターン形成用自己組織化組成物であって、
[A]ブロック共重合体が、主鎖の少なくとも一方の末端に結合し、かつヘテロ原子を含む基(α)を有することを特徴とするパターン形成用自己組織化組成物である。
(1)本発明のパターン形成用自己組織化組成物を用い、基板上に相分離構造を有する自己組織化膜を形成する工程、及び
(2)上記自己組織化膜の一部の相を除去する工程
を含む。
上記(1)工程前に、
(0−1)基板上に下層膜を形成する工程、及び
(0−2)上記下層膜上にプレパターンを形成する工程
をさらに有し、
上記(1)工程において、自己組織化膜を上記プレパターンによって区切られた上記下層膜上の領域に形成し、
上記(1)工程後に、
(2’)プレパターンを除去する工程
をさらに有する方法であることが好ましい。
自己組織化(Directed Self Assembly)とは、外的要因からの制御のみに起因せず、自発的に組織や構造を構築する現象を指す。本発明においては、パターン形成用自己組織化組成物を基板上に塗布することにより、自己組織化による相分離構造を有する膜(自己組織化膜)を形成し、この自己組織化膜における一部の相を除去することにより、パターンを形成することができる。
[A]ブロック共重合体は、スチレン単位を有するポリスチレンブロック、及び(メタ)アクリル酸アルキル単位を有するポリ(メタ)アクリル酸アルキルブロックを含むブロック共重合体であり、その主鎖の少なくとも一方の末端に結合し、かつヘテロ原子を含む基(α)を有する。
[A]ブロック共重合体は、リビングアニオン重合、リビングラジカル重合等によって合成することが出来るが、これらのうち、任意の末端構造を容易に導入することができるリビングアニオン重合がより好ましい。例えばポリスチレンブロック、ポリメタクリル酸メチルブロック及びこれら以外の他のブロックを所望の順で重合しながら連結し、その重合末端を、任意の末端処理剤で処理し、上記式(1)で表される基等の上記基(α)を導入することにより合成することができる。
n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等のアルカン類;
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;
クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;
酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;
アセトン、2−ブタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−ヘプタノン等のケトン類;
テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;
メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、4−メチル−2−ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。
イソシアネート化合物、チオイソシアネート化合物、イミダゾリジノン、イミダゾール、アミノケトン、ピロリドン、ジエチルアミノベンゾフェノン、ニトリル化合物、アジリジン、ホルムアミド、エポキシアミン、ベンジルアミン、オキシム化合物、アジン、ピドラゾン、イミン、アゾカルボン酸エステル、アミノスチレン、ビニルピリジン、アミノアクリレート、アミノジフェニルエチレン、イミド化合物等の含窒素化合物;
アルコキシシラン、アミノシラン、ケトイミノシラン、イソシアネートシラン、シロキサン、グリシジルシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、ピリジルシラン、ピペラジルシラン、ピロリドンシラン、シアノシラン、イソシアン酸シラン等のシラン化合物;
ハロゲン化スズ、ハロゲン化ケイ素、二酸化炭素等が挙げられる。これらのうち、エポキシ化合物が好ましく、1,2−ブチレンオキシド、ブチルグリシジルエーテル、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル及びプロピレンオキシドが好ましい。
当該パターン形成用自己組織化組成物は、通常溶媒を含有する。上記溶媒としては、例えば[A]ブロック共重合体の合成方法において例示した溶媒と同様の溶媒を挙げることができる。これらのうちプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。なお、これらの溶媒は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。
当該パターン形成用自己組織化組成物は、さらに界面活性剤を含有してもよい。当該パターン形成用自己組織化組成物が界面活性剤を含有することで、基板等への塗布性を向上させることができる。
当該パターン形成用自己組織化組成物は、例えば上記溶媒中で、[A]ブロック共重合体、界面活性剤等を所定の割合で混合することにより調製できる。また、パターン形成用自己組織化組成物は、適当な溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。
本発明のパターン形成方法は、
(1)本発明のパターン形成用自己組織化組成物を用い、基板上に相分離構造を有する自己組織化膜を形成する工程、及び
(2)上記自己組織化膜の一部の相を除去する工程
を含むパターン形成方法である。
さらに、上記(2)工程後に、(3)上記形成されたパターンをマスクとして、上記基板をエッチングする工程をさらに有することが好ましい。以下、各工程について詳述する。なお、各工程については、図1〜5を参照しながら説明する。
本工程は、下層膜形成用組成物を用いて、基板上に下層膜を形成する工程である。これにより、図1に示すように、基板101上に下層膜102が形成された下層膜付き基板を得ることができ、自己組織化膜はこの下層膜102上に形成される。上記自己組織化膜が有する相分離構造(ミクロドメイン構造)は、パターン形成用自己組織化組成物が含有する[A]ブロック共重合体の各ブロック間の相互作用に加えて、下層膜102との相互作用によっても変化するため、下層膜102を有することで構造制御が容易となり、所望のパターンを得ることができる。さらに、自己組織化膜が薄膜である場合には、下層膜102を有することでその転写プロセスを改善することができる。
本工程は、図2に示すように、上記下層膜102上に、プレパターン形成用の組成物を用いてプレパターン103を形成する工程である。上記プレパターン103によってパターン形成用自己組織化組成物の相分離によって得られるパターン形状が制御され、所望の微細パターンを形成することができる。即ち、パターン形成用自己組織化組成物が含有する[A]ブロック共重合体が有するブロックのうち、プレパターンの側面と親和性が高いブロックはプレパターンに沿って相を形成し、親和性の低いブロックはプレパターンから離れた位置に相を形成する。これにより所望のパターンを形成することができる。また、プレパターンの材質、サイズ、形状等により、パターン形成用自己組織化組成物の相分離によって得られるパターンの構造を細かく制御することができる。なお、プレパターンとしては、最終的に形成したいパターンに合わせて適宜選択することができ、例えばラインアンドスペースパターン、ホールパターン等を用いることができる。
本工程は、パターン形成用自己組織化組成物を用い、基板上に相分離構造を有する自己組織化膜を形成する工程である。上記下層膜及びプレパターンを用いない場合には、基板上に直接当該パターン形成用自己組織化組成物を塗布して塗膜を形成し、相分離構造を備える自己組織化膜を形成する。また、上記下層膜及びプレパターンを用いる場合には、図3及び図4に示すように、パターン形成用自己組織化組成物をプレパターン103によって挟まれた下層膜102上の領域に塗布して塗膜104を形成し、基板101上に形成された下層膜102上に、基板101に対して略垂直な界面を有する相分離構造を備える自己組織化膜105を形成する工程である。即ち、互いに不相溶な2種以上のブロックを有する[A]ブロック共重合体を含有するパターン形成用自己組織化組成物を基板上に塗布し、アニーリング等を行うことで、同じ性質を有するブロック同士が集積して秩序パターンを自発的に形成する、いわゆる自己組織化を促進させることができる。これにより、海島構造、シリンダ構造、共連続構造、ラメラ構造等の相分離構造を有する自己組織化膜を形成することができるが、これらの相分離構造としては、基板101に対して略垂直な界面を有する相分離構造であることが好ましい。本工程において、当該パターン形成用自己組織化組成物を用いることで、相分離が起こり易くなるため、より微細な相分離構造(ミクロドメイン構造)を形成することができる。
本工程は、図4及び図5に示すように、上記自己組織化膜105が有する相分離構造のうちの一部のブロック相105aを除去する工程である。自己組織化により相分離した各相のエッチングレートの差を用いて、ポリメタクリル酸メチルブロック相105aをエッチング処理により除去することができる。相分離構造のうちのポリメタクリル酸メチルブロック相105a及び後述するようにプレパターン103を除去した後の状態を図5に示す。なお、上記エッチング処理の前に、必要に応じて放射線を照射してもよい。上記放射線としては、エッチングにより除去する相がポリメタクリル酸メチルブロック相である場合には、254nmの放射線を用いることができる。上記放射線照射により、ポリメタクリル酸メチルブロック相が分解されるため、よりエッチングされ易くなる。
本工程は、図4及び図5に示すように、プレパターン103を除去する工程である。プレパターン103を除去することにより、より微細かつ複雑なパターンを形成することが可能となる。なお、プレパターン103の除去の方法については、相分離構造のうちの一部のブロック相105aの除去の方法の上記説明を適用できる。また、本工程は、上記(2)工程と同時に行ってもよいし、(2)工程の前又は後に行ってもよい。
本工程は、(2)工程後、残存した相分離膜の一部のブロック相であるポリスチレンブロック相105bからなるパターンをマスクとして、下層膜及び基板をエッチングすることによりパターニングする工程である。基板へのパターニングが完了した後、マスクとして使用された相は溶解処理等により基板上から除去され、最終的にパターニングされた基板(パターン)を得ることができる。上記エッチングの方法としては、(2)工程と同様の方法を用いることができ、エッチングガス及びエッチング溶液は、下層膜及び基板の材質により適宜選択することができる。例えば、基板がシリコン素材である場合には、フロン系ガスとSF4の混合ガス等を用いることができる。また、基板が金属膜である場合には、BCl3とCl2の混合ガス等を用いることができる。なお、当該パターン形成方法により得られるパターンは半導体素子等に好適に用いられ、さらに上記半導体素子はLED、太陽電池等に広く用いられる。
重合体のMw及びMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により東ソー社製のGPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を使用し、以下の条件により測定した。
溶離液:テトラヒドロフラン(和光純薬工業社)
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
13C−NMR分析は、日本電子社製JNM−EX400を使用し、測定溶媒としてDMSO−d6を使用して行った。ポリマーにおける各構造単位の含有率は、13C−NMRで得られたスペクトルにおける各構造単位に対応するピークの面積比から算出した。
[合成例1]
500mLのフラスコ反応容器を減圧乾燥した後、窒素雰囲気下、蒸留脱水処理を行ったテトラヒドロフラン200gを注入し、−78℃まで冷却した。その後、s−ブチルリチウム(s−BuLi)の1Nシクロヘキサン溶液を0.27g注入し、蒸留脱水処理を行ったスチレン10.7g(0.103モル)を30分かけて滴下注入した。このとき反応溶液の内温が−60℃以上にならないように注意した。滴下終了後30分間熟成した後、さらに蒸留脱水処理を行ったメタクリル酸メチル10.3g(0.103モル)を30分かけて滴下注入し、30分間反応させた。この後、末端処理剤として1,2−ブチレンオキシド1gを注入し反応させた。反応溶液を室温まで昇温し、得られた反応溶液を濃縮してプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)で置換した後、シュウ酸2%水溶液1,000gを注入撹拌し、静置後、下層の水層を取り除いた。この操作を3回繰り返し、リチウム塩を除去した後、超純水1,000gを注入撹拌し、下層の水層を取り除いた。この操作を3回繰り返しシュウ酸除去した後、溶液を濃縮してn−ヘキサン500g中に滴下して、重合体を析出させた。減圧濾過した樹脂をn−ヘキサンで2回洗浄した後、60℃で減圧乾燥させることで、白色のブロック共重合体(A−1)20.5gを得た。
ブロック共重合体(A−1)のMwは41,200であり、Mw/Mnは1.13であった。また、13C−NMR分析の結果、ブロック共重合体(A−1)におけるスチレン単位の含有率とメタクリル酸メチル単位の含有率の比は50.1(モル%):49.9(モル%)であった。なお、ブロック共重合体(A−1)はポリスチレンブロックとポリメタクリル酸メチルブロックとのジブロック共重合体であり、上記ポリメタクリル酸メチルブロックの末端が末端処理剤により修飾されていた。
s−BuLiの1Nシクロヘキサン溶液の使用量、及び末端処理剤の種類を表1に記載の通りとした以外は合成例1と同様の方法によりジブロック共重合体(A−2)〜(A−6)及び(a−1)〜(a−2)を合成した。各ブロック共重合体におけるスチレン単位の含有率とメタクリル酸メチル単位の含有率、Mw及びMw/Mnは、表1に示した。
[実施例1〜5及び比較例1〜2]
上記ジブロック共重合体を、それぞれプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解し、1質量%溶液とした。これらの溶液を孔径200nmのメンブレンフィルターで濾過してパターン形成用自己組織化組成物を調製し、下記の方法によりパターンを形成した。
12インチシリコンウエハ上に、架橋剤を含む下層膜形成用組成物を、CLEAN TRACK ACT12(東京エレクトロン製)を使用してスピンコートした後、205℃で60秒間ベークして膜厚77nmの下層膜を形成した。次に、この下層膜上に、酸解離性樹脂、光酸発生剤及び有機溶媒を含有するArFレジスト組成物をスピンコートした後、120℃で60秒間プレベーク(PB)して膜厚60nmのレジスト膜を形成した。次いで、ArF液浸露光装置(NSR S610C、ニコン製)を使用し、NA;1.30、CrossPole、σ=0.977/0.78の光学条件にて、マスクパターンを介して露光した。その後、115℃で60秒間PEBを行った後、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により23℃で30秒間現像し、水洗し、乾燥し、プレパターン(1)(直径75nmホール/150nmピッチ)を得た。次いで、このプレパターンに254nmの紫外線を150mJ/cm2の条件で照射後、170℃で5分間ベークすることで評価用基板を得た。
次に、各パターン形成用自己組織化組成物を上記評価用基板上に厚さ30nmになるように塗布し、250℃で5分間加熱して相分離させ、ミクロドメイン構造を形成した。さらに、254nmの放射線を3,000mJ/cm2で照射し、メチルイソブチルケトン(MIBK)/2−プロパノール(IPA)=2/8(質量比)の溶液中に5分間浸漬させてメタクリル酸メチル相を除去し、パターン(1)を形成した。
マスクパターンの形状を変えてプレパターン(2)(75nmライン/150nmピッチ)を得た以外は上記パターン形成方法1と同様に操作して、パターン(2)を形成した。
上記のように形成したパターン(1)について、測長SEM(S−4800、日立社製)を用いて観察し、その白く見える溝部分の幅を測定し、ミクロドメイン構造幅(nm)とした。
また、上記のように形成したパターン(2)について、走査型電子顕微鏡(CG4000、日立ハイテクノロジーズ製)を用い、パターン上部から観察し、任意の10点においてパターンの線幅を測定した。線幅の測定値から分布度合いとしての3シグマ値を求め、この値をLWR(nm)とした。LWR(nm)が5nm以下である場合を良好と、5nmを超える場合及びミクロドメイン構造を形成しない場合を不良と判断した。
上記ミクロドメイン構造幅及びLWRの評価結果を表2に示す。なお、表2中の「−」は、ミクロドメイン構造を形成しなかったために、ミクロドメイン構造幅及びLWRを測定できなかったことを示す。
102 下層膜
103 プレパターン
104 塗膜
105 自己組織化膜
105a ポリメタクリル酸メチルブロック相
105b ポリスチレンブロック相
Claims (8)
- [A]スチレン単位を有するポリスチレンブロック、及び炭素数1〜4のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキル単位を有するポリ(メタ)アクリル酸アルキルブロックを含むブロック共重合体
を含有するパターン形成用自己組織化組成物であって、
[A]ブロック共重合体が、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルブロックの主鎖の少なくとも一方の末端に結合し、かつ酸素原子を含む基(α)を有し、
[A]ブロック共重合体における(メタ)アクリル酸アルキル単位に対するスチレン単位のモル比が、30/70以上70/30以下であり、かつ
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)による重量平均分子量(Mw)が1000以上150,000以下であることを特徴とするパターン形成用自己組織化組成物。 - 上記(メタ)アクリル酸アルキル単位が、メタクリル酸メチル単位である請求項1に記載のパターン形成用自己組織化組成物。
- [A]ブロック共重合体が、ポリスチレンブロック及びポリ(メタ)アクリル酸アルキルブロックからなるジブロック共重合体又はトリブロック共重合体である請求項1に記載のパターン形成用自己組織化組成物。
- 上記基(α)が、エポキシ化合物に由来する請求項1に記載のパターン形成用自己組織化組成物。
- (1)請求項1に記載のパターン形成用自己組織化組成物を用い、基板上に相分離構
造を有する自己組織化膜を形成する工程、及び
(2)上記自己組織化膜の一部の相を除去する工程
を含むパターン形成方法。 - 上記(1)工程前に、
(0−1)基板上に下層膜を形成する工程、及び
(0−2)上記下層膜上にプレパターンを形成する工程
をさらに有し、
上記(1)工程において、自己組織化膜を上記プレパターンによって区切られた上記下層膜上の領域に形成し、
上記(1)工程後に、
(2’)プレパターンを除去する工程
をさらに有する請求項6に記載のパターン形成方法。 - 得られるパターンがラインアンドスペースパターン又はホールパターンである請求項6に記載のパターン形成方法。
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JP2015179272A (ja) * | 2015-04-01 | 2015-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法、パターン形成装置及びコンピュータ可読記憶媒体 |
TW201700595A (zh) * | 2015-04-01 | 2017-01-01 | Jsr Corp | 圖案形成用組成物及圖案形成方法 |
US20180323078A1 (en) * | 2015-12-24 | 2018-11-08 | Intel Corporation | Pitch division using directed self-assembly |
WO2018008481A1 (ja) * | 2016-07-07 | 2018-01-11 | Jsr株式会社 | パターン形成用組成物及びパターン形成方法 |
EP3858872B1 (en) | 2016-12-21 | 2022-05-11 | Merck Patent GmbH | Compositions and processes for self-assembly of block copolymers |
CN107245133B (zh) * | 2017-06-05 | 2020-04-17 | 复旦大学 | 一种低淬火温度快速组装的小尺寸嵌段高分子材料及其制备和应用 |
JP7541306B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2024-08-28 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造形成用樹脂組成物、相分離構造を含む構造体の製造方法、及びブロックコポリマー |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991012284A1 (fr) * | 1990-02-14 | 1991-08-22 | Elf Atochem S.A. | Macromonomeres multisequences fonctionnalises et leur procede de fabrication |
JPH06202329A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-07-22 | Sony Corp | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
DE19829172A1 (de) | 1998-06-30 | 2000-01-05 | Univ Konstanz | Verfahren zur Herstellung von Antireflexschichten |
TWI221851B (en) * | 2000-04-05 | 2004-10-11 | Kaneka Corp | Vibration damper composition |
JP3782357B2 (ja) | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
AU2003296188A1 (en) * | 2002-12-28 | 2004-07-29 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
JP2005007244A (ja) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Ube Ind Ltd | 高分子混合物の作製方法 |
JP2005008701A (ja) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Ube Ind Ltd | 高分子膜及びその作製方法 |
US7714071B2 (en) * | 2004-03-17 | 2010-05-11 | Dow Global Technologies Inc. | Polymer blends from interpolymers of ethylene/α-olefins and flexible molded articles made therefrom |
JP2007246600A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 自己組織化高分子膜材料、自己組織化パターン、及びパターン形成方法 |
JP5457027B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2014-04-02 | 日本曹達株式会社 | ブロックコポリマー |
US20080038467A1 (en) | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Eastman Kodak Company | Nanostructured pattern method of manufacture |
US8080615B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-12-20 | Micron Technology, Inc. | Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide |
US7989026B2 (en) * | 2008-01-12 | 2011-08-02 | International Business Machines Corporation | Method of use of epoxy-containing cycloaliphatic acrylic polymers as orientation control layers for block copolymer thin films |
US7906031B2 (en) | 2008-02-22 | 2011-03-15 | International Business Machines Corporation | Aligning polymer films |
JP2010058403A (ja) | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Fujifilm Corp | 高分子膜および積層体 |
JP5399098B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-01-29 | 東ソー株式会社 | ブロック共重合体及びその製造方法 |
US8765238B2 (en) * | 2009-03-18 | 2014-07-01 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Polymeric/inorganic composite materials for use in medical devices |
WO2011116217A1 (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | Board Of Regents The University Of Texas System | Surface treatments for alignment of block copolymers |
US9388268B2 (en) * | 2010-10-11 | 2016-07-12 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Patternable polymer block brush layers |
EP2781550B1 (en) * | 2011-11-09 | 2019-10-16 | JSR Corporation | Directed self-assembling composition for pattern formation, and pattern-forming method |
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