JP6538157B2 - ブロック共重合体 - Google Patents
ブロック共重合体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6538157B2 JP6538157B2 JP2017517270A JP2017517270A JP6538157B2 JP 6538157 B2 JP6538157 B2 JP 6538157B2 JP 2017517270 A JP2017517270 A JP 2017517270A JP 2017517270 A JP2017517270 A JP 2017517270A JP 6538157 B2 JP6538157 B2 JP 6538157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- block copolymer
- peak
- formula
- chain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 title claims description 219
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 55
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 54
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 53
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 39
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 31
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 24
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 23
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 16
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 16
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 claims description 12
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 claims description 12
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 4
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 6
- 238000001654 grazing-incidence X-ray scattering Methods 0.000 description 35
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 24
- LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C=C)C(F)=C1F LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 18
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 16
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 13
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 11
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 description 11
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 9
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 1-bromododecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCBr PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003878 thermal aging Methods 0.000 description 5
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 benzoylphenoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150038746 bcp1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150023633 bcpB gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- WIZMCLXMWBKNKH-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound COC1=CC=C(OC(=O)C(C)=C)C=C1 WIZMCLXMWBKNKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHXJDKPJCDJBEM-UHFFFAOYSA-N 4-dodecoxyphenol Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC1=CC=C(O)C=C1 FHXJDKPJCDJBEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000012985 polymerization agent Substances 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 238000004736 wide-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutane Chemical compound CCCCBr MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 1-bromodecane Chemical compound CCCCCCCCCCBr MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNTGIJLWHDPAFN-UHFFFAOYSA-N 1-bromohexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCBr HNTGIJLWHDPAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 1-bromooctane Chemical compound CCCCCCCCBr VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOFZTCSTGIWCQG-UHFFFAOYSA-N 1-bromotetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCBr KOFZTCSTGIWCQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSOGDEOQBIUNTR-UHFFFAOYSA-N 2-(azidomethyl)oxirane Chemical compound [N-]=[N+]=NCC1CO1 JSOGDEOQBIUNTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYSAWGCLEHCQLX-UHFFFAOYSA-N 2-azidophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1N=[N+]=[N-] WYSAWGCLEHCQLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 1
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 C*(C)C[C@@](*C1*(*)=C(*)C(*)=C(*)C1*)C(C)(C)C Chemical compound C*(C)C[C@@](*C1*(*)=C(*)C(*)=C(*)C1*)C(C)(C)C 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005452 alkenyloxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005092 alkenyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150058790 bcp gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- 238000012711 chain transfer polymerization Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229940030980 inova Drugs 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00388—Etch mask forming
- B81C1/00428—Etch mask forming processes not provided for in groups B81C1/00396 - B81C1/0042
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F297/00—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/007—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/12—Polymerisation in non-solvents
- C08F2/14—Organic medium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/06—Hydrocarbons
- C08F212/08—Styrene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F216/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical
- C08F216/12—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical by an ether radical
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F293/00—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F293/00—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule
- C08F293/005—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule using free radical "living" or "controlled" polymerisation, e.g. using a complexing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F299/00—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F299/00—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
- C08F299/02—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates
- C08F299/022—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations
- C08F299/024—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations the unsaturation being in acrylic or methacrylic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F32/02—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings
- C08F32/06—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings having two or more carbon-to-carbon double bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
- C08G61/04—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms
- C08G61/06—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms prepared by ring-opening of carbocyclic compounds
- C08G61/08—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms prepared by ring-opening of carbocyclic compounds of carbocyclic compounds containing one or more carbon-to-carbon double bonds in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L53/005—Modified block copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L53/02—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers of vinyl-aromatic monomers and conjugated dienes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
- H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
- H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
- H01L21/31056—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching the removal being a selective chemical etching step, e.g. selective dry etching through a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31058—After-treatment of organic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0147—Film patterning
- B81C2201/0149—Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/30—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/301—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety and one oxygen in the alcohol moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2438/00—Living radical polymerisation
- C08F2438/03—Use of a di- or tri-thiocarbonylthio compound, e.g. di- or tri-thioester, di- or tri-thiocarbamate, or a xanthate as chain transfer agent, e.g . Reversible Addition Fragmentation chain Transfer [RAFT] or Macromolecular Design via Interchange of Xanthates [MADIX]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/14—Side-groups
- C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
- C08G2261/1424—Side-chains containing oxygen containing ether groups, including alkoxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/14—Side-groups
- C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
- C08G2261/1426—Side-chains containing oxygen containing carboxy groups (COOH) and/or -C(=O)O-moieties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/33—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/332—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/33—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/332—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms
- C08G2261/3324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms derived from norbornene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/40—Polymerisation processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/40—Polymerisation processes
- C08G2261/41—Organometallic coupling reactions
- C08G2261/418—Ring opening metathesis polymerisation [ROMP]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2353/00—Characterised by the use of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Derivatives of such polymers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
3nm−1〜5nm−1=nq/(2×π)
数式2でnは前記側鎖の鎖形成原子の数であり、qは、前記側鎖を含むブロックに対するX線回折分析でピークが観察される最も小さい散乱ベクター(q)であるか、あるいは最も大きいピーク面積のピークが観察される散乱ベクター(q)である。
X=1+(D×M)/(K×L)
数式AでDは第1ブロックの密度(D1)と第2ブロックの密度(D2)の比率(D2/D1)であり、Mは、第1ブロックを形成する単量体のモル質量(M1)と第2ブロックを形成する単量体のモル質量(M2)の比率(M1/M2)であり、Kは1H−NMRで第2ブロックに起因して現れるピークの面積(A2)と第1ブロックに起因して現れるピークの面積(A1)の比率(A2/A1)であり、Lは第1ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子のモル数(H1)と第2ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H2)の比率(H1/H2)である。
本出願のブロック共重合体は、疏水性および親水性の表面上で視斜角入射小角散乱(GISAXS、Grazing Incidence Small Angle X ray Scattering)のインプレーン(in plane)回折パターンを表わす膜を形成することができる。本出願において、GISAXSでインプレーン回折パターンを表わすとはGISAXS分析時にGISAXS回折パターンでX座標に垂直なピークを表わすことを意味し得る。このようなピークは、ブロック共重合体の垂直配向性によって確認される。したがって、インプレーン回折パターンを表わすブロック共重合体は垂直配向性を有する。追加的な例示で前記GISAXS回折パターンのX座標で確認されるピークは、少なくとも2個以上であり得、複数のピークが存在する場合にそのピークの散乱ベクター(q値)は正数比を有しながら確認され得、このような場合にブロック共重合体の相分離効率はより向上することができる。
本出願のブロック共重合体のいずれか一つのブロックは、GIWAXS(Grazing Incident Wide Angle X ray Scattering)スペクトルの12nm−1〜16nm−1範囲の散乱ベクター(scattering vector)の回折パターンの−90度〜−70度の範囲内の方位角(azimuthal angle)および70度〜90度の範囲内の方位角(azimuthal angle)のすべてにおいてピークを表わすことができる。前記ピークを表わすブロックは後述する側鎖を含むブロックであり得る。本明細書で前記側鎖を含むブロックは第1ブロックであり得る。前記で方位角は回折パターンの上方向(アウトオブプレーン(out of plane)回折方向)の角度を0度にした時の方位角であり、これは時計回り方向に測定された方位角である。換言すれば時計回り方向に測定された角度は正数で表示され、反時計回り方向に測定された角度は負数で表示される。前記各方位角で観察されるピークの半値幅(Full width at half maximum、FWHM)は5度〜70度の範囲内であり得る。前記半値幅は、他の例示において7度以上、9度以上、11度以上、13度以上、15度以上、17度以上、19度以上、21度以上、25度以上、30度以上、35度以上、40度以上または45度以上であり得る。前記半値幅は他の例示において65度以下または60度以下であり得る。GIWAXSスペクトルを求める方式は特に制限されず、これは後述する実施例の記載方式により求めることができる。求められたスペクトルの回折パターンピークのプロファイルをガウスフィッティング(Gauss fitting)した後、フィッティングされた結果から前記半値幅を求めることができる。この場合、ガウスフィッティング結果が半分しか観察されない場合に前記で意味する半値幅は前記半分しか観察されない結果から求められる値の2倍と定義され得る。前記ガウスフィッティング時にR自乗(R square)は約0.26〜0.95の範囲内である。すなわち、前記範囲のうちいずれか一つのR自乗で前述した半値幅が観察されればよい。前記のような情報を得ることができる方式は公知であり、例えば、オリジン(origin)などの数値解析プログラムを適用することができる。
本出願のブロック共重合体または前記ブロック共重合体のいずれか一つのブロックは、DSC(Differential scanning calorimetry)分析で−80℃〜200℃の範囲内で溶融転移(melting transition)ピークまたは等方転移(isotropic transition)ピークを表わすことができる。ブロック共重合体のいずれか一つのブロックがDSC分析で前記挙動を示し、このようなブロックを含むブロック共重合体が前記条件2と3を同時に満足する場合、DSC分析で前記挙動を示すブロックは、条件2で記述したGIWAXSでのピーク、すなわちGIWAXSスペクトルの12nm−1〜16nm−1範囲の散乱ベクター(scattering vector)の回折パターンの−90度〜−70度の範囲内の方位角(azimuthal angle)および70度〜90度の範囲内の方位角(azimuthal angle)のすべてにおいてピークを表わすブロック、例えば第1ブロックであり得る。ブロック共重合体または前記ブロック共重合体のいずれか一つのブロックは溶融転移ピークまたは等方転移ピークのうちいずれか一つのピークだけを現すこともでき、2個のピークすべてを表わすこともできる。このようなブロック共重合体は、自己組織化に適合した結晶(crystal)相および/または液晶(liquid crystal)相を全体的に表わすか、そのような結晶相および/または液晶相を表わすブロックを含む共重合体であり得る。
−10℃≦Tm−12.25℃×n+149.5℃≦10℃
数式1でTmは前記ブロック共重合体または前記側鎖を有するブロックの溶融転移ピークが現れる温度であり、nは前記側鎖の鎖形成原子の数である。
本出願のブロック共重合体は、XRD分析(X線回折分析、X−ray Diffraction analysis)時に所定範囲の散乱ベクター(q)内で少なくとも一つのピークを表わすブロックを含むことができる。ブロック共重合体が前記条件2および/または3と共に前記条件4を満足する場合に、条件2および/または3を満足するブロックが前記条件4を満足するブロックであり得る。条件4を満足するブロックは前記第1ブロックであり得る。
本出願のブロック共重合体は、第1ブロックであって、後述する側鎖を有するブロックを含むことができ、前記側鎖の鎖形成原子の数(n)が、前記条件4と同じ方式で遂行されるX線回折分析によって求められる散乱ベクター(q)と下記の数式2を満足することができる。
3nm−1〜5nm−1=nq/(2×π)
数式2でnは前記鎖形成原子の数であり、qは、前記側鎖を含むブロックに対するX線回折分析でピークが観察される最も小さい散乱ベクター(q)であるか、あるいは最も大きいピーク面積のピークが観察される散乱ベクター(q)である。また、数式2でπは、円周率を意味する。
本出願のブロック共重合体の第1ブロックの表面エネルギーと前記第2ブロックの表面エネルギーの差の絶対値が10mN/m以下、9mN/m以下、8mN/m以下、7.5mN/m以下または7mN/m以下であり得る。前記表面エネルギーの差の絶対値は1.5mN/m、2mN/mまたは2.5mN/m以上であり得る。このような範囲の表面エネルギーの差の絶対値を有する第1ブロックと第2ブロックが共有結合によって連結された構造は、適切な非相溶性による相分離によって効果的な微細相分離(microphase seperation)を誘導することができる。前記で第1ブロックは、例えば、後述する側鎖を有するブロックまたはハロゲン原子を有さない芳香族構造を含むブロックであり得る。
ブロック共重合体で第1ブロックと第2ブロックの密度の差の絶対値は0.25g/cm3以上、0.3g/cm3以上、0.35g/cm3以上、0.4g/cm3以上または0.45g/cm3以上であり得る。前記密度の差の絶対値は0.9g/cm3以上、0.8g/cm3以下、0.7g/cm3以下、0.65g/cm3以下または0.6g/cm3以下であり得る。このような範囲の密度差の絶対値を有する第1ブロックと第2ブロックが共有結合によって連結された構造は、適切な非相溶性による相分離によって効果的な微細相分離(microphase seperation)を誘導することができる。
本出願のブロック共重合体は、例えば、下記の数式Aで計算されるXの範囲が1.25以上であり得る。下記の数式Aで計算されるXの範囲が1.25以上であるブロック共重合体は第1ブロックと第2ブロックのみを含むジブロック共重合体であり得る。
X=1+(D×M)/(K×L)
数式AでDは第1ブロックの密度(D1)と第2ブロックの密度(D2)の比率(D2/D1)であり、Mは、第1ブロックを形成する単量体のモル質量(M1)と第2ブロックを形成する単量体のモル質量(M2)の比率(M1/M2)であり、Kは1H−NMRで第2ブロックに起因して現れるピークの面積(A2)と第1ブロックに起因して現れるピークの面積(A1)の比率(A2/A1)であり、Lは第1ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子のモル数(H1)と第2ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H2)の比率(H1/H2)である。
NMR分析は三重共鳴5mm探針(probe)を有するVarian Unity Inova(500MHz)分光計を含むNMR分光計を使って常温で遂行した。NMR測定用溶媒(CDCl3)に分析対象物質を約10mg/ml程度の濃度に希釈させて使用し、化学的移動はppmで表現した。
br=広い信号、s=単線、d=二重線、dd=二重二重線、t=三重線、dt=二重三重線、q=四重線、p=五重線、m=多重線。
数平均分子量(Mn)および分子量分布はGPC(Gel permeation chromatography)を使って測定した。5mLバイアル(vial)に実施例または比較例のブロック共重合体またはマクロ開始剤などの分析対象物を入れ、約1mg/mL程度の濃度になるようにTHF(tetrahydro furan)に希釈する。その後、Calibration用標準試料と分析しようとする試料をsyringe filter(pore size:0.45μm)を通じて濾過させた後測定した。分析プログラムはAgilent technologies社のChemStationを使用し、試料のelution timeをcalibration curveと比較して重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)をそれぞれ求め、その比率(Mw/Mn)で分子量分布(PDI)を計算した。GPCの測定条件は下記の通りである。
機器:Agilent technologies社の1200 series
カラム:Polymer laboratories社のPLgel mixed B 2個使用
溶媒:THF
カラム温度:35℃
サンプル濃度:1mg/mL、200L注入
標準試料:ポリスチレン(Mp:3900000、723000、316500、52200、31400、7200、3940、485)
視斜角入射小角散乱(GISAXS)分析は、ポハンの加速器3Cビームラインを利用して遂行した。分析対象であるブロック共重合体をフルオロベンゼン(fluorobezene)に約0.7重量%の固形分濃度に希釈させてコート液を製造し、前記コート液を基材上に約5nmの厚さでスピンコートした。コート面積は2.25cm2程度に調整した(横長:1.5cm、縦長:1.5cm)。コーティングされた高分子膜を常温で約1時間の間乾燥させ、さらに約160℃の温度で約1時間の間熱的熟成(thermal annealing)させて相分離構造を誘導した。引き続き、相分離構造が形成された膜を形成した。膜の臨界角と基材の臨界角の間の角度に該当する約0.12度〜0.23度の範囲内の入射角で膜にX線を入射させた後、検出器(2D marCCD)で膜から散乱して出るX線回折パターンを得た。この時、膜から検出器までの距離は約2m〜3mの範囲内で膜に形成された自己組織化パターンがよく観察される範囲に選択した。基材としては親水性表面を有する基材(ピラナ(piranha)溶液で処理されて純水に対する常温濡れ角が約5度であるシリコン基板)または疏水性表面を有する基材(HMDS(hexamethyldisilazane)で処理されて純水に対する常温濡れ角が約60度であるシリコン基板)を使った。
XRD分析はポハンの加速器4Cビームラインで試料にX線を透過させて散乱ベクター(q)による散乱強度を測定することによって測定した。試料としては、特別な前処理なしに合成された重合体を精製した後、真空オーブンで一日程度維持することによって乾燥させた粉末状態の重合体をXRD測定用セルに入れて使用した。XRDパターン分析時には、垂直大きさが0.023mmであり、水平大きさが0.3mmであるX線を利用し、検出器は2D marCCDを利用した。散乱して出る2D回折パターンをイメージで得た。得られた回折パターンを最小自乗法を適用した数値分析学的な方式で分析して散乱ベクターおよび半値幅などの情報を得た。前記分析時にはオリジン(origin)プログラムを適用し、XRD回折パターンで最も最小の強度(intensity)を見せる部分をベースライン(baseline)にして前記での強度(intensity)を0になるようにした状態で前記XRDパターンピークのプロファイルをガウシアンフィッティング(Gaussian fitting)し、フィッティングされた結果から前記散乱ベクターと半値幅を求めた。ガウシアンフィッティング時にR自乗(R square)は少なくとも0.96以上となるようにした。
表面エネルギーは水滴型分析器(Drop Shape Analyzer、KRUSS社のDSA100製品)を使って測定した。測定しようとする物質(重合体)をフルオロベンゼン(flourobenzene)に約2重量%の固形分濃度に希釈させてコート液を製造し、製造されたコート液をシリコンウェハに約50nmの厚さおよび4cm2のコート面積(横:2cm、縦:2cm)にスピンコートした。コート層を常温で約1時間の間乾燥し、引き続き約160℃で約1時間の間熱的熟成(thermal annealing)させた。熱的熟成を経た膜に表面張力(surface tension)が公知されている脱イオン化水を落としてその接触角を求める過程を5回繰り返し、得られた5個の接触角数値の平均値を求めた。同様に表面張力が公知されているジヨードメタン(diiodomethane)を落としてその接触角を求める過程を5回繰り返し、得られた5個の接触角数値の平均値を求めた。求められた脱イオン化水とジヨードメタンに対する接触角の平均値を利用してOwens−Wendt−Rabel−Kaelble方法によって溶媒の表面張力に関する数値(Strom値)を代入して表面エネルギーを求めた。ブロック共重合体の各ブロックに対する表面エネルギーの数値は、前記ブロックを形成する単量体でのみ製造された単独重合体(homopolymer)に対して前述した方法で求めた。
視斜角入射広角散乱(GIWAXS)分析は、ポハンの加速器3Cビームラインを利用して遂行した。分析対象である単一重合体をトルエン(toulene)に約1重量%の固形分濃度に希釈させてコート液を製造し、前記コート液を基材上に約30nmの厚さでスピンコートした。コート面積は約2.25cm2程度に調整した(横:1.5cm、縦:1.5cm)。コーティングされた高分子膜を常温で約1時間の間乾燥させ、さらに約160℃の温度で約1時間の間熱的熟成(thermal annealing)させて膜を形成した。膜の臨界角と基材の臨界角の間の角度に該当する約0.12度〜0.23度の範囲内の入射角で膜にX線を入射させた後、検出器(2D marCCD)で膜から散乱して出るX線回折パターンを得た。この時、膜から検出器までの距離は約0.1m〜0.5mの範囲内で膜に形成された結晶または液晶構造がよく観察される範囲に選択した。基材としてはピラナ(piranha)溶液で処理されて純水に対する常温濡れ角が約5度であるシリコン基板を使った。
DSC分析はPerkinElmer DSC800装備を使って遂行した。前記装備を使って分析対象試料を窒素雰囲気下で25℃から200℃まで10℃/分の速度で加温し、さらに200℃から−80℃まで−10℃/分の速度で冷却させ、さらに−80℃から200℃まで10℃/分の速度で昇温させて吸熱カーブを得る方式で遂行した。得られた吸熱カーブを分析して溶融転移ピークを表わす温度(溶融転移温度、Tm)または等方転移ピークを表わす温度(等方転移温度、Ti)を求め、前記ピークの面積を求めた。前記で温度は各ピークの頂点に対応する温度と定義した。各ピークの単位質量当たりの面積は各ピークの面積を試料の質量で割った値と定義し、このような計算はDSC装備で提供されたプログラムを利用して計算することができる。
数式Aに適用される各変数であるD、M、KおよびLはそれぞれ下記の方式で求めることができる。
まずDは空気中での質量と密度を知っている溶媒(エタノール)内に分析しようとする試料(第1ブロックを形成する単量体でのみ製造された単独重合体または第2ブロックを形成する単量体でのみ製造された単独重合体)を入れ、その質量を通じてそれぞれのブロックの密度を得、それらの比率を計算して求めることができる。
下記の化学式Aの化合物(DPM−C12)は次の方式で合成した。250mLのフラスコにヒドロキノン(hydroquinone)(10.0g、94.2mmol)および1−ブロモドデカン(1−Bromododecane)(23.5g、94.2mmol)を入れ、100mLのアセトニトリル(acetonitrile)に溶かした後過量のポタシウムカーボネート(potassium carbonate)を添加し、75oCで約48時間の間窒素条件下で反応させた。反応後残存するポタシウムカーボネートをフィルタリングして除去し、反応に使ったアセトニトリルも除去した。これにDCM(dichloromethane)と水の混合溶媒を添加してウォークアップし、分離した有機層を集めてmgSO4に通過させて脱水した。引き続き、カラムクロマトグラフィーでDCM(dichloromethane)を使って白色固体相の目的物(4−ドデシルオキシフェノール)(9.8g、35.2mmol)を約37%の収得率で得た。
1H−NMR(CDCl3):d6.77(dd、4H);d4.45(s、1H);d3.89(t、2H);d1.75(p、2H);d1.43(p、2H);d1.33−1.26(m、16H);d0.88(t、3H)。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.76(p、2H);d1.43(p、2H);1.34−1.27(m、16H);d0.88(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに1−ブロモブタンを使ったことを除いては製造例1に準じた方式で下記の化学式Gの化合物は合成した。前記化合物のNMR分析結果は下記の通りである。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.33(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.95(t、2H);d2.06(dd、3H);d1.76(p、2H);d1.49(p、2H);d0.98(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに1−ブロモオクタンを使ったことを除いては製造例1に準じた方式で下記の化学式Bの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に表示した。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.76(p、2H);d1.45(p、2H);1.33−1.29(m、8H);d0.89(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに1−ブロモデカンを使ったことを除いては製造例1に準じた方式で下記の化学式Cの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に表示した。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.33(dt、1H);d5.72(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.06(dd、3H);d1.77(p、2H);d1.45(p、2H);1.34−1.28(m、12H);d0.89(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに1−ブロモテトラデカンを使ったことを除いては製造例1に準じた方式で下記の化学式Dの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に表示した。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.33(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.77(p、2H);d1.45(p、2H);1.36−1.27(m、20H);d0.88(t、3H.)
1−ブロモドデカンの代わりに1−ブロモヘキサデカンを使ったことを除いては製造例1に準じた方式で下記の化学式Eの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に表示した。
1H−NMR(CDCl3):d7.01(dd、2H);d6.88(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.77(p、2H);d1.45(p、2H);1.36−1.26(m、24H);d0.89(t、3H)
製造例1〜6でそれぞれ製造された単量体を使って6種の単独重合体を製造し、そのそれぞれに対してGIWAXSおよびDSCを分析した結果を下記の表1に整理して記載した。前記で単独重合体は後述する実施例または比較例で各単量体を使ってマクロ開始剤を合成する方式により製造した。また、各製造例に対するGIWAXS分析結果は図12〜17にそれぞれ記載した。図12から図17はそれぞれ製造例1〜6に対するGIWAXS分析結果を示す図面である。
製造例1のモノマー(A)1.785gとRAFT(Reversible Addition−Fragmentation chain Transfer)試薬であるシアノイソプロチルジチオベンゾエート38mg、ラジカル開始剤であるAIBN(Azobisisobutyronitrile)14mgおよびベンゼン4.765mLを10mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、70℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition−Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させ、桃色のマクロ開始剤を製造した。前記マクロ開始剤の収得率は約83.1重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ11,400および1.15であった。マクロ開始剤0.3086g、ペンタフルオロスチレンモノマー1.839gおよびベンゼン0.701mLを10mL Schlenk flaskに入れて窒素雰囲気下で常温で30分の間撹はんした後、115℃で4時間の間RAFT(Reversible Addition−Fragmentation chain Transfer)重合反応を遂行した。重合後反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈殿させた後、減圧濾過して乾燥させて薄桃色のブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体の収得率は約27.1重量%であり、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)はそれぞれ18,900および1.19であった。前記ブロック共重合体は製造例1のモノマー(A)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。ブロック共重合体に対して親水性表面として、純水に対する常温濡れ角が5度である表面に対して前記記載された方式でGISAXS(Grazing Incidence Small Angle X ray Scattering)を測定した結果は図1に記載し、疏水性表面として純水に対する常温濡れ角が60度である表面に対して測定したGISAXS(Grazing Incidence Small Angle X ray Scattering)の結果を図2に記載した。図1および2からいずれの場合であれ、GISAXSでインプレーン回折パターンを表わすことを確認することができる。
製造例1のモノマー(A)の代わりに製造例3のモノマー(B)を使用したことを除いては実施例1に準ずる方式でマクロ開始剤およびペンタフルオロスチレンをモノマーにしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は製造例3のモノマー(B)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。前記ブロック共重合体に対して実施例1と同一にGISAXSを遂行し、親水性および疏水性表面のすべてにおいてインプレーン回折パターンを確認した。
製造例1のモノマー(A)の代わりに製造例4のモノマー(C)を使用したことを除いては実施例1に準ずる方式でマクロ開始剤およびペンタフルオロスチレンをモノマーにしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は製造例4のモノマー(C)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。前記ブロック共重合体に対して実施例1と同一にGISAXSを遂行し、親水性および疏水性表面のすべてにおいてインプレーン回折パターンを確認した。
製造例1のモノマー(A)の代わりに製造例5のモノマー(D)を使用したことを除いては実施例1に準ずる方式でマクロ開始剤およびペンタフルオロスチレンをモノマーにしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は製造例5のモノマー(D)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。前記ブロック共重合体に対して実施例1と同一にGISAXSを遂行し、親水性および疏水性表面のすべてにおいてインプレーン回折パターンを確認した。
製造例1のモノマー(A)の代わりに製造例6のモノマー(E)を使用したことを除いては実施例1に準ずる方式でマクロ開始剤およびペンタフルオロスチレンをモノマーにしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は製造例6のモノマー(E)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。前記ブロック共重合体に対して実施例1と同一にGISAXSを遂行し、親水性および疏水性表面のすべてにおいてインプレーン回折パターンを確認した。
製造例1のモノマー(A)の代わりに製造例2のモノマー(G)を使用したことを除いては実施例1に準ずる方式でマクロ開始剤およびペンタフルオロスチレンをモノマーにしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は製造例2のモノマー(G)から由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。前記ブロック共重合体に対して実施例1と同一にGISAXSを遂行したが、親水性および疏水性表面のすべてにおいてインプレーン回折パターンは確認されなかった。
製造例1でのモノマー(A)の代わりに4−メトキシフェニルメタクリレートを使用したことを除いては実施例1に準ずる方式でマクロ開始剤およびペンタフルオロスチレンをモノマーにしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は前記4−メトキシフェニルメタクリレートから由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。前記ブロック共重合体に対して実施例1と同一にGISAXSを遂行したが、親水性および疏水性表面のすべてにおいてインプレーン回折パターンは確認されなかった。
製造例1でのモノマー(A)の代わりにドデシルメタクリレートを使用したことを除いては実施例1に準ずる方式でマクロ開始剤およびペンタフルオロスチレンをモノマーにしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は前記ドデシルメタクリレートから由来した第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来した第2ブロックを含む。前記ブロック共重合体に対して実施例1と同一にGISAXSを遂行したが、親水性および疏水性表面のすべてにおいてインプレーン回折パターンは確認されなかった。
実施例または比較例のブロック共重合体をフルオロベンゼン(fluorobezene)に0.7重量%の固形分濃度に希釈させて製造したコート液をシリコンウェハ上に約5nmの厚さでスピンコート(コート面積:横×縦=1.5cm×1.5cm)し、常温で約1時間の間乾燥させた後、さらに約160℃の温度で約1時間の間熱的熟成(thermal annealing)して自己組織化された膜を形成した。形成された膜に対してSEM(Scanning electron microscope)イメージを撮影した。図3〜7は実施例1〜5に対して撮影したSEMイメージである。図面から確認されるように実施例のブロック共重合体の場合、ラインパターンで自己組織化された高分子膜が効果的に形成された。これに対して比較例の場合、適切な相分離が誘導されなかった。例えば、図8は、比較例3に対するSEM結果であり、これから効果的な相分離が誘導されなかったことを確認することができる。
実施例1で製造されたブロック共重合体に対して前記試験例1と同じ方式で高分子膜を形成させた。高分子膜はそれぞれ純水に対する常温濡れ角が5度であるピラナ溶液で処理されたシリコン基板、前記濡れ角が約45度であるシリコンオキサイド基板および前記濡れ角が約60度であるHMDS(hexamethyldisilazane)処理シリコン基板に形成した。図9〜11はそれぞれ前記濡れ角が5度、45度および60度に対して形成された高分子膜に対するSEMイメージである。図面から前記ブロック共重合体は、基材の表面特性にかかわらず効果的に相分離構造を具現することを確認することができる。
実施例1と同じ方式でブロック共重合体を製造するものの、単量体とマクロ開始剤のモル比の調節等を通して数式AのX値が下記のように変わるようにブロック共重合体(BCP1〜BCP4)を製造した。
Claims (13)
- 下記の条件1〜4のうち一つ以上を満足する第1ブロックおよび前記第1ブロックとは異なる化学構造を有し、前記第1ブロックとの表面エネルギーの差の絶対値が10mN/m以下である第2ブロックを含み、
純水に対する常温濡れ角が50度〜70度の範囲内である表面上で視斜角入射小角散乱のインプレーン回折パターンを表わす膜を形成でき、
純水に対する常温濡れ角が5度〜20度の範囲内である表面上で視斜角入射小角散乱のインプレーン回折パターンを表わす膜を形成でき、
前記第1ブロックは8個〜16個の鎖形成原子を有する炭化水素鎖が連結されている、ハロゲン原子を含まない芳香族構造を含み、かつ、前記第1ブロックは、下記の化学式1で表示される単位を含むブロックであり、
前記第2ブロックはハロゲン原子を含む芳香族構造を含み、かつ、前記第2ブロックは、下記の化学式3で表示される単位を含むブロックである、ブロック共重合体。
条件1: GIWAXSスペクトルの12nm−1〜16nm−1範囲の散乱ベクターの回折パターンの−90度〜−70度の方位角および70度〜90度の方位角で半値幅が5度〜70度の範囲内であるピークを表わす(ただし、前記で方位角はGIWAXSスペクトルのアウトオブプレーン回折パターンの角度を0度にした時の方位角である):
条件2: DSC分析の−80℃〜200℃の範囲内で溶融転移ピークまたは等方転移ピークを表わす:
条件3: XRD分析の0.5nm−1〜10nm−1の散乱ベクター(q)範囲内で半値幅が0.2〜0.9nm−1の範囲内であるピークを表わす:
条件4: 側鎖を含み、前記側鎖の鎖形成原子の数(n)が、XRD分析での散乱ベクター(q)と下記の数式1を満足する:
[数式1]
3nm−1〜5nm−1=nq/(2×π)
数式1でnは前記鎖形成原子の数であり、qは、前記ブロック共重合体に対するX線回折分析でピークが観察される一番小さい散乱ベクター(q)または最も大きいピーク面積のピークが観察される散乱ベクター(q)である。 - 前記第1ブロックと前記第2ブロックの密度の差の絶対値は0.25g/cm3以上である、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 下記の数式Aで計算されるXの範囲が1.25以上である、請求項1又は2に記載のブロック共重合体:
[数式A]
X=1+(D×M)/(K×L)
数式AでDは第1ブロックの密度(D1)と第2ブロックの密度(D2)の比率(D2/D1)であり、Mは、第1ブロックを形成する単量体のモル質量(M1)と第2ブロックを形成する単量体のモル質量(M2)の比率(M1/M2)であり、Kは1H−NMRで第2ブロックに起因して現れるピークの面積(A2)と第1ブロックに起因して現れるピークの面積(A1)の比率(A2/A1)であり、Lは第1ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子のモル数(H1)と第2ブロックの繰返し単位1モルが有する水素原子の数(H2)の比率(H1/H2)である。 - 前記条件2で第1ブロックは溶融転移ピークと等方転移ピークをすべて表わし、前記等方転移ピークが現れる温度(Ti)と前記溶融転移ピークが現れる温度(Tm)の差(Ti−Tm)が5℃〜70℃の範囲内にある、請求項1〜3のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
- 前記条件2で第1ブロックは溶融転移ピークと等方転移ピークをすべて表わし、前記等方転移ピークの面積(I)と前記溶融転移ピークの面積(M)の比率(M/I)が0.1〜500の範囲内にある、請求項1〜4のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
- 前記条件2で第1ブロックは−10℃〜55℃の範囲内で溶融転移ピークを表わす、請求項1〜5のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
- 前記条件2で前記第1ブロックの炭化水素鎖は、下記の数式1を満足する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のブロック共重合体:
[数式1]
−10℃≦Tm−12.25℃×n+149.5℃≦10℃
数式1でTmは溶融転移ピークが現れる温度であり、nは前記炭化水素鎖の鎖形成原子の数である。 - 前記炭化水素鎖は、前記芳香族構造に酸素原子または窒素原子を媒介として連結されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
- 前記化学式1で表示される単位が、下記の化学式2で表示される、請求項1〜8のいずれか一項に記載のブロック共重合体:
- 前記化学式3で表示される単位が、下記の化学式4で表示される、請求項1〜9のいずれか一項に記載のブロック共重合体:
- 自己組織化された請求項1〜10のいずれか一項に記載のブロック共重合体を含む、高分子膜。
- 自己組織化された請求項1〜10のいずれか一項に記載のブロック共重合体を含む高分子膜を基板上に形成することを含む、高分子膜の形成方法。
- 基板の表面に形成されている自己組織化された請求項1〜10のいずれか一項に記載のブロック共重合体を含む高分子膜から前記ブロック共重合体の第1または第2ブロックを除去する段階を含む、パターン形成方法。
Applications Claiming Priority (27)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0131964 | 2014-09-30 | ||
KR20140131964 | 2014-09-30 | ||
KR10-2014-0175413 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175400A KR101780097B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175401 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175411A KR101762487B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175410A KR101768290B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175407 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175414A KR101780100B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175413A KR101780099B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175410 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175407A KR101763010B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175400 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175412 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175406 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175415 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175415A KR101780101B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175414 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175402 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175406A KR101780098B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175401A KR101763008B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175412A KR101768291B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175411 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175402A KR101832025B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 단량체 및 블록 공중합체 |
KR10-2015-0079490 | 2015-06-04 | ||
KR1020150079490A KR20160038710A (ko) | 2014-09-30 | 2015-06-04 | 블록 공중합체 |
PCT/KR2015/010335 WO2016053011A1 (ko) | 2014-09-30 | 2015-09-30 | 블록 공중합체 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017530236A JP2017530236A (ja) | 2017-10-12 |
JP6538157B2 true JP6538157B2 (ja) | 2019-07-03 |
Family
ID=66221404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017517270A Active JP6538157B2 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-30 | ブロック共重合体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6538157B2 (ja) |
CN (1) | CN107075055B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10160822B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-25 | Lg Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
EP3078690B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP6496318B2 (ja) | 2013-12-06 | 2019-04-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
WO2015084131A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
JP6419820B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-11-07 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
EP3101043B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2015084123A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084121A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
US10227438B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP6334706B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-05-30 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
CN105960422B (zh) | 2013-12-06 | 2019-01-18 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
US10239980B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN107077066B9 (zh) | 2014-09-30 | 2021-05-14 | 株式会社Lg化学 | 制造图案化基底的方法 |
WO2016052994A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
EP3202798B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-12 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3214102B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-05 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN107075054B (zh) * | 2014-09-30 | 2020-05-05 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
WO2016052999A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
JP6538159B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-07-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
CN107075028B (zh) | 2014-09-30 | 2020-04-03 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10310378B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
KR20190047638A (ko) * | 2017-10-27 | 2019-05-08 | 주식회사 엘지화학 | 랜덤 공중합체 및 이를 포함하는 피닝 조성물 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3121116B2 (ja) * | 1992-05-21 | 2000-12-25 | 出光興産株式会社 | スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 |
US5484681A (en) * | 1994-10-31 | 1996-01-16 | Xerox Corporation | Conductive composite particles and processes for the preparation thereof |
US6314225B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-11-06 | Corning Incorporated | Halogen and perhalo-organo substituted N-phenyl (or biphenyl) maleimide |
JP5340530B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2013-11-13 | リンテック株式会社 | ミクロ相分離構造物の製造方法 |
WO2008051214A1 (en) * | 2006-10-23 | 2008-05-02 | John Samuel Batchelder | Apparatus and method for measuring surface energies |
JP2010115832A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法 |
EP2330136B1 (en) * | 2009-12-07 | 2013-08-28 | Borealis AG | Process for the preparation of an unsupported, solid metallocene catalyst system and its use in polymerization of olefins |
JP6019524B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-11-02 | 国立大学法人九州大学 | 生体適合性材料、医療用具及び生体適合性材料の製造方法 |
CN104105750A (zh) * | 2012-02-10 | 2014-10-15 | 纳幕尔杜邦公司 | 高-x两嵌段共聚物的制备、纯化和使用 |
JP2014012807A (ja) * | 2012-06-05 | 2014-01-23 | Asahi Kasei E-Materials Corp | パターン形成用樹脂組成物及びパターン形成方法 |
JP6027912B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2016-11-16 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料 |
EP3101043B1 (en) * | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP6538159B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-07-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
CN107075054B (zh) * | 2014-09-30 | 2020-05-05 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
-
2015
- 2015-09-30 JP JP2017517270A patent/JP6538157B2/ja active Active
- 2015-09-30 CN CN201580060150.4A patent/CN107075055B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107075055B (zh) | 2019-08-27 |
CN107075055A (zh) | 2017-08-18 |
JP2017530236A (ja) | 2017-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6538157B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
JP6538159B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
JP6538158B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
KR101749417B1 (ko) | 블록 공중합체 | |
JP6524220B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
JP6432847B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
JP6505212B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
JP6419820B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
JP6483693B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
EP3214102B1 (en) | Block copolymer | |
JP6410327B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
TWI596124B (zh) | 嵌段共聚物 | |
JP6483694B2 (ja) | 単量体およびブロック共重合体 | |
JP6361893B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
JP2018502437A (ja) | パターン化基板の製造方法 | |
JP2017502116A (ja) | ブロック共重合体 | |
JP7078211B2 (ja) | 高分子組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190605 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6538157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |