JP2019522113A5

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Publication number: JP2019522113A5
Application number: JP2018567650A
Authority: JP
Filing date: 2017-01-23
Publication date: 2020-07-30
Anticipated expiration: 2037-01-23

Claims

化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス又は原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを使用して、チャンバコンポーネントの表面上に多層スタックを堆積させる工程と、
多層スタックを含むチャンバコンポーネントをアニールして、多層スタックをプラズマ耐性セラミックコーティングに変換する工程であって、プラズマ耐性セラミックコーティングは、
Ｙ_ｘＥｒ_ｙＦ_ｚのエルビウム含有フッ化物であって、ｘ、ｙ及びｚはＹ_ｘＥｒ_ｙＦ_ｚのエルビウム含有フッ化物が０モル％超〜１００モル％未満のＹＦ_３と、０モル％超〜１００モル％未満のＥｒＦ_３を含むように選択されるエルビウム含有フッ化物と、
Ｙ_ｗＥｒ_ｘＯ_ｘＦ_ｚのエルビウム含有オキシフッ化物であって、ｗ、ｘ、ｙ及びｚはＹ_ｗＥｒ_ｘＯ_ｙＦ_ｚのエルビウム含有オキシフッ化物が０モル％超〜１００モル％未満のＹ_２Ｏ_３、ＹＦ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃及びＥｒＦ₃の３つ以上を含むように選択されるエルビウム含有オキシフッ化物、からなる群から選択される工程を含む方法。
チャンバコンポーネントが導管を含み、プラズマ耐性セラミックコーティングが堆積されるチャンバコンポーネントの表面は、５０：１〜２００：１の間のアスペクト比を有する導管の内面を含む請求項１に記載の方法。
プラズマ耐性セラミックコーティングは、０の気孔率を有する請求項１に記載の方法。
多層スタックを堆積させる前に、酸溶液を使用してチャンバコンポーネントの表面を洗浄する工程を更に含み、酸溶液は、０．１〜２０vol％の塩酸を含み、チャンバコンポーネントへのプラズマ耐性セラミックコーティングの付着を改善する請求項１に記載の方法。
アニールが３００〜１０００℃の温度で行われる請求項１に記載の方法。
多層スタックの各層は約０．１〜１００ｎｍの厚さを有する請求項１に記載の方法。
原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを使用してチャンバコンポーネントの表面上に多層スタックを堆積させる工程であって、多層スタックは、エルビウム含有酸化物、エルビウム含有オキシフッ化物、又はエルビウム含有フッ化物の少なくとも１つを含み、
ＡＬＤプロセスを使用して第１層を堆積させる工程であって、第１層は、実質的にＥｒ_２Ｏ_３又はＥｒＦ_３からなる工程と、
ＡＬＤプロセスを使用して第２層を堆積させる工程であって、第２層は第１層とは異なる材料からなり、第２層は実質的にＥｒ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＥｒＦ_３、Ｙ_２Ｏ_３又はＹＦ₃からなる工程と、
ＡＬＤプロセスを使用して１以上の追加層を堆積させる工程であって、１以上の追加層の各々は、実質的にＥｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＥｒＦ_３、Ｙ₂Ｏ₃又はＹＦ₃からなる工程を含む多層スタックを堆積させる工程と、
多層スタックを含むチャンバコンポーネントをアニールする工程であって、アニールは第１層、第２層及び１以上の追加層を相互拡散させ、プラズマ耐性セラミックコーティングの単一層に変換させ、単一層は固相を含む工程を含む方法。
プラズマ耐性セラミックコーティングは実質的にＥｒ₃Ａｌ₅Ｏ_１2からなる、請求項７に記載の方法。
プラズマ耐性セラミックコーティングは実質的にＹ_xＥｒ_yＯ_zからなり、ここでｘ、ｙ及びｚはＹ_ｘＥｒ_ｙＦ_ｚのエルビウム含有酸化物が０モル％超〜１００モル％未満のＹ_２Ｏ_３と、０モル％超〜１００モル％未満のＥｒO₂を含むように選択される、請求項７記載の方法。
プラズマ耐性セラミックコーティングは実質的にＥｒ_xＯ_yＦ_zからなり、ここでｘ、ｙ及びｚはＥｒ_xＯ_yＦ_zのエルビニウム含有オキシフッ化物が０．１ａｔ．％超〜１００ａｔ．％未満のＥｒと、０．１ａｔ．％超〜１００ａｔ．％未満のＯと、０．１ａｔ．％超〜１００ａｔ．％未満のＦを含むように選択される、請求項７に記載の方法。
プラズマ耐性セラミックコーティングが実質的にＹ_xＥｒ_yＦ_zからなり、ここでｘ、ｙ及びｚはＹ_xＥｒ_yＦ_zのエルビウム含有フッ化物が０モル％超〜１００モル％未満のＹＦ_３と、０モル％超〜１００モル％未満のＥｒＦ_３を含むように選択される、請求項７記載の方法。
プラズマ耐性セラミックコーティングが実質的にＹ_wＥｒ_xＯ_yＦ_zからなり、ここでｗ、ｘ、ｙ及びｚは、Ｙ_wＥｒ_xＯ_yＦ_zのエルビニウム含有オキシフッ化物が、０モル％超〜１００モル％未満のＹ_２Ｏ_３、ＹＦ_３、Ｆｒ_２Ｏ_３及びＥｒＦ_３の３つ以上を含むように選択される、請求項７記載の方法。
アニールが３００〜１０００℃の温度で行われる、請求項７に記載の方法。
第１層、第２層及び１以上の追加層の各々は約０．１〜１００ｎｍの厚さを有する、請求項７に記載の方法。
単一の層はほぼ均一な層である、請求項７に記載の方法。
原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを使用してチャンバコンポーネントの表面上に多層スタックを堆積させる工程であって、多層スタックは、エルビウム含有酸化物、エルビウム含有オキシフッ化物又はエルビニウム含有フッ化物の少なくとも１を含み、
ＡＬＤプロセスを使用して第１層を堆積させる工程であって、第１層は実質的にＥｒＦ_３からなる工程と、
ＡＬＤプロセスを使用して第２層を堆積させる工程であって、第２層は実質的にＥｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３又はＹＦ_３からなる工程と、
ＡＬＤプロセスを使用して１以上の追加層を堆積させる工程であって、１以上の追加層の各々は、実質的にＥｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＥｒＦ₃、Ｙ₂Ｏ₃又はＹＦ₃からなる工程を含む多層スタックを堆積させる工程と、
多層スタックを含むチャンバコンポーネントをアニールする工程であって、アニールは第１層、第２層及び１以上の追加層を相互拡散させ、プラズマ耐性セラミックコーティングの単一層に変換させ、単一層は固相を含む工程を含む方法。
アニールが３００〜１０００℃の温度で行われる、請求項１６に記載の方法。
第１層、前記第２層及び１以上の追加層の各々は約０．１〜１００ｎｍの厚さを有する、請求項１６に記載の方法。
単一の層は、ほぼ均一な層である、請求項１６に記載の方法。