JP3074873B2 - 真空装置用表面被覆金属材 - Google Patents
真空装置用表面被覆金属材Info
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- JP3074873B2 JP3074873B2 JP03323673A JP32367391A JP3074873B2 JP 3074873 B2 JP3074873 B2 JP 3074873B2 JP 03323673 A JP03323673 A JP 03323673A JP 32367391 A JP32367391 A JP 32367391A JP 3074873 B2 JP3074873 B2 JP 3074873B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置用の真
空チャンバーやその周辺真空部材あるいはＣＶＤ装置の
如く、高真空条件及び腐食性ガス環境下で使用される耐
食性及び脱ガス性に優れた表面被覆金属材に関するもの
である。
空チャンバーやその周辺真空部材あるいはＣＶＤ装置の
如く、高真空条件及び腐食性ガス環境下で使用される耐
食性及び脱ガス性に優れた表面被覆金属材に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】たとえば半導体の製造に当たっては、Ｂ
Ｆ3 ，ＢＣｌ3 ，ＳｉＦ4 ，ＳｉＨ2，ＦＯＣｌ3 ，Ｗ
Ｆ6 ，ＭｏＦ6 等の腐食性ガスや、Ｆ2 ，Ｃｌ2 ，ＨＣ
ｌの如く極めて反応性の高いガスが使用される。またこ
れらのガスで処理する際には、チャンバー内を超高真空
状態にして残留ガスを完全に除去しておく必要がある。
そのため半導体製造装置用真空チャンバー及びその関連
機器材料としては、様々の腐食性ガスに対する耐食性が
良好であると共に、ガスの吸着が少なく且つ仮に吸着し
たとしても容易に脱ガスできる様なものでなければなら
ず、こうした要件は、半導体製造技術が高度化するにつ
れてますます厳しくなっている。
Ｆ3 ，ＢＣｌ3 ，ＳｉＦ4 ，ＳｉＨ2，ＦＯＣｌ3 ，Ｗ
Ｆ6 ，ＭｏＦ6 等の腐食性ガスや、Ｆ2 ，Ｃｌ2 ，ＨＣ
ｌの如く極めて反応性の高いガスが使用される。またこ
れらのガスで処理する際には、チャンバー内を超高真空
状態にして残留ガスを完全に除去しておく必要がある。
そのため半導体製造装置用真空チャンバー及びその関連
機器材料としては、様々の腐食性ガスに対する耐食性が
良好であると共に、ガスの吸着が少なく且つ仮に吸着し
たとしても容易に脱ガスできる様なものでなければなら
ず、こうした要件は、半導体製造技術が高度化するにつ
れてますます厳しくなっている。
【０００３】ところで現在実用化されている真空チャン
バー用内壁材としては、ガス吸着を抑えると共に脱ガス
性を高めるため、電解研磨等により鏡面仕上げしたステ
ンレス鋼材の表面を耐食性の酸化皮膜で被覆したものが
知られている。ところがこの被覆ステンレス鋼材は耐食
性が不十分であり、前述の様な腐食性ガスによって腐食
劣化を受けるという問題がしばしば経験される。しかも
腐食性・反応性のガスにより表面が腐食されると、基材
内部へそれらのガスが侵入し、その後の脱ガスが極めて
困難になるという問題も生じてくる。またステンレス鋼
材に代わる基材として、該ステンレス鋼材よりも軽量で
比強度の高いＡｌ，Ａｌ合金、Ｔｉ，Ｔｉ合金等を使用
することも試みられているが、これらは上記被覆ステン
レス鋼材以上に腐食を受け易い。
バー用内壁材としては、ガス吸着を抑えると共に脱ガス
性を高めるため、電解研磨等により鏡面仕上げしたステ
ンレス鋼材の表面を耐食性の酸化皮膜で被覆したものが
知られている。ところがこの被覆ステンレス鋼材は耐食
性が不十分であり、前述の様な腐食性ガスによって腐食
劣化を受けるという問題がしばしば経験される。しかも
腐食性・反応性のガスにより表面が腐食されると、基材
内部へそれらのガスが侵入し、その後の脱ガスが極めて
困難になるという問題も生じてくる。またステンレス鋼
材に代わる基材として、該ステンレス鋼材よりも軽量で
比強度の高いＡｌ，Ａｌ合金、Ｔｉ，Ｔｉ合金等を使用
することも試みられているが、これらは上記被覆ステン
レス鋼材以上に腐食を受け易い。
【０００４】そこでこの様な腐食及び脱ガス性の問題を
改善するための手段として、前述の如き酸化皮膜の形成
のほか、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等によって高耐食性のセラ
ミックス皮膜を施す方法が実施されている。しかしこれ
らのセラミックス皮膜は、皮膜形成法によって多少の違
いはあるものの、いずれも基材まで貫通するピンホール
欠陥を完全に無くすことはできない。そのためセラミッ
クス皮膜自体の耐食性が良好であったとしても、ピンホ
ール欠陥部から侵入した腐食性ガスによって基材の腐食
が進行し、それにつれて脱ガス性も著しく悪化してく
る。こうした現象は、金属基材が不働態を形成し易い溶
液腐食環境下よりも、ガス腐食環境下に進行し易いとさ
れている。
改善するための手段として、前述の如き酸化皮膜の形成
のほか、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等によって高耐食性のセラ
ミックス皮膜を施す方法が実施されている。しかしこれ
らのセラミックス皮膜は、皮膜形成法によって多少の違
いはあるものの、いずれも基材まで貫通するピンホール
欠陥を完全に無くすことはできない。そのためセラミッ
クス皮膜自体の耐食性が良好であったとしても、ピンホ
ール欠陥部から侵入した腐食性ガスによって基材の腐食
が進行し、それにつれて脱ガス性も著しく悪化してく
る。こうした現象は、金属基材が不働態を形成し易い溶
液腐食環境下よりも、ガス腐食環境下に進行し易いとさ
れている。
【０００５】従来技術に指摘される更に他の問題点とし
て、ステンレス鋼やＡｌ合金の如く熱膨張係数の比較的
大きい基材表面を、熱膨張係数の小さいセラミックス皮
膜で被覆した場合、基材と皮膜の熱膨張係数の差及び両
者の化学的親和性不足により密着性が十分に上がらず、
短期間の使用で皮膜剥離を生じるという問題も指摘され
る。
て、ステンレス鋼やＡｌ合金の如く熱膨張係数の比較的
大きい基材表面を、熱膨張係数の小さいセラミックス皮
膜で被覆した場合、基材と皮膜の熱膨張係数の差及び両
者の化学的親和性不足により密着性が十分に上がらず、
短期間の使用で皮膜剥離を生じるという問題も指摘され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の様な事
情に着目してなされたものであって、その目的は、真空
装置用基材表面に、基材に対して優れた密着性を有し且
つ該基材に対する腐食性ガスの侵入を確実に阻止し得る
様な保護皮膜を形成し、それにより耐食性及び脱ガス性
の著しく改善された真空装置用表面被覆金属材を提供し
ようとするものである。
情に着目してなされたものであって、その目的は、真空
装置用基材表面に、基材に対して優れた密着性を有し且
つ該基材に対する腐食性ガスの侵入を確実に阻止し得る
様な保護皮膜を形成し、それにより耐食性及び脱ガス性
の著しく改善された真空装置用表面被覆金属材を提供し
ようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すること
のできた本発明に係る表面被覆金属材の構成は、真空装
置用金属基材の表面を、当該金属基材よりも高耐食性の
金属によって形成される単一または複数の層からなる中
間層と、酸化物，窒化物，炭化物，ほう化物及びふっ化
物よりなる群から選択される少なくとも１種によって形
成される単一または複数の層からなる表面層で被覆した
ものであるところに要旨を有するものである。
のできた本発明に係る表面被覆金属材の構成は、真空装
置用金属基材の表面を、当該金属基材よりも高耐食性の
金属によって形成される単一または複数の層からなる中
間層と、酸化物，窒化物，炭化物，ほう化物及びふっ化
物よりなる群から選択される少なくとも１種によって形
成される単一または複数の層からなる表面層で被覆した
ものであるところに要旨を有するものである。
【０００８】
【作用】上記の様に本発明では、真空装置用金属基材の
表面に、該金属基材よりも優れた耐食性を示す金属より
なる中間層を介して、酸化物，窒化物，炭化物，ほう化
物，ふっ化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の
化合物からなる表面層を形成してなるものであり、該表
面層によって優れた耐食性を確保すると共に、金属基材
の種類に応じて中間層皮膜を構成する金属の種類を選定
することによって被覆層全体としての基材に対する密着
性を高めると共に、表面層に多少のピンホール欠陥等が
存在する場合でも腐食性ガスの侵入を中間層の部分で阻
止し、金属基材が腐食を受けるのを確実に防止すること
ができる。
表面に、該金属基材よりも優れた耐食性を示す金属より
なる中間層を介して、酸化物，窒化物，炭化物，ほう化
物，ふっ化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の
化合物からなる表面層を形成してなるものであり、該表
面層によって優れた耐食性を確保すると共に、金属基材
の種類に応じて中間層皮膜を構成する金属の種類を選定
することによって被覆層全体としての基材に対する密着
性を高めると共に、表面層に多少のピンホール欠陥等が
存在する場合でも腐食性ガスの侵入を中間層の部分で阻
止し、金属基材が腐食を受けるのを確実に防止すること
ができる。
【０００９】本発明において真空装置用金属基材の種類
は特に限定されないが、それ自身耐食性が良好で且つ優
れた強度を有するものとして最も一般的なのはステンレ
ス鋼、Ａｌ，Ａｌ合金、Ｔｉ，Ｔｉ合金である。尚これ
らの金属基材は、表面を極力平滑にしてガスの吸着を抑
えると共に脱ガス性を高める意味から、電解研磨等によ
り鏡面仕上げしておくことが望まれる。
は特に限定されないが、それ自身耐食性が良好で且つ優
れた強度を有するものとして最も一般的なのはステンレ
ス鋼、Ａｌ，Ａｌ合金、Ｔｉ，Ｔｉ合金である。尚これ
らの金属基材は、表面を極力平滑にしてガスの吸着を抑
えると共に脱ガス性を高める意味から、電解研磨等によ
り鏡面仕上げしておくことが望まれる。
【００１０】また中間層構成材は、上記の金属基材より
も優れた耐食性を有するものであればその種類は特に限
定されないが、特に好ましいものとしてはＺｒ，Ｔａ，
Ｎｂ，Ｗ及びＭｏ等の高耐食性金属もしくはそれらの２
種以上を含む合金が挙げられる。またＮｉ，Ｃｒ，Ｍｏ
およびＦｅよりなる群から選択される少なくとも１種の
金属をベースとし、30重量％以上の他元素を含むことが
許容される合金も優れた耐食性を有しており、これらも
好ましい中間層構成材として有効である。
も優れた耐食性を有するものであればその種類は特に限
定されないが、特に好ましいものとしてはＺｒ，Ｔａ，
Ｎｂ，Ｗ及びＭｏ等の高耐食性金属もしくはそれらの２
種以上を含む合金が挙げられる。またＮｉ，Ｃｒ，Ｍｏ
およびＦｅよりなる群から選択される少なくとも１種の
金属をベースとし、30重量％以上の他元素を含むことが
許容される合金も優れた耐食性を有しており、これらも
好ましい中間層構成材として有効である。
【００１１】尚これらの中間層構成材は、上記金属基材
の種類に応じてそれよりも高耐食性を有し、且つ該金属
基材と親和性が良好で熱膨張係数の差の小さいものを適
宜選択して使用することが望まれる。またこの中間層は
単層構造であってもよく、あるいは複層構造とすること
により密着性や耐食性を一段と優れたものとすることも
できる。該中間層の形成法にも格別の制限はなく、たと
えば電気めっき、無電解めっき、置換めっき、化学めっ
き等の湿式めっき法、あるいは溶射、ＰＶＤ，ＣＶＤ等
の気相めっき法の様な公知の方法を採用することができ
る。
の種類に応じてそれよりも高耐食性を有し、且つ該金属
基材と親和性が良好で熱膨張係数の差の小さいものを適
宜選択して使用することが望まれる。またこの中間層は
単層構造であってもよく、あるいは複層構造とすること
により密着性や耐食性を一段と優れたものとすることも
できる。該中間層の形成法にも格別の制限はなく、たと
えば電気めっき、無電解めっき、置換めっき、化学めっ
き等の湿式めっき法、あるいは溶射、ＰＶＤ，ＣＶＤ等
の気相めっき法の様な公知の方法を採用することができ
る。
【００１２】次に表面層構成材としては、化学的に安定
で優れた耐食性を示す様々の酸化物、窒化物、炭化物、
ほう化物、ふっ化物が挙げられ、これらの中でも特に好
ましいのは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ，Ｃ
ｒ及びＢよりなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化
物、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｂ，Ｓｉ及びＡｌよりなる群
から選ばれる１種以上の元素の窒化物、Ｔｉ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｂ及びＳｉよりなる群から選ばれる１種以上の元素
の炭化物、Ｔｉ，Ｚｒ及びＴａよりなる群から選ばれ
る１種以上の元素のほう化物、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｎ及びＡｌよりなる群
から選ばれる１種以上の元素のふっ化物である。
で優れた耐食性を示す様々の酸化物、窒化物、炭化物、
ほう化物、ふっ化物が挙げられ、これらの中でも特に好
ましいのは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ，Ｃ
ｒ及びＢよりなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化
物、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｂ，Ｓｉ及びＡｌよりなる群
から選ばれる１種以上の元素の窒化物、Ｔｉ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｂ及びＳｉよりなる群から選ばれる１種以上の元素
の炭化物、Ｔｉ，Ｚｒ及びＴａよりなる群から選ばれ
る１種以上の元素のほう化物、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｎ及びＡｌよりなる群
から選ばれる１種以上の元素のふっ化物である。
【００１３】これら〜に示した様な化合物はいずれ
も非常に優れた耐食性を有しており、単体として使用し
得るほか、腐食性ガスの種類によっては２種以上を複合
して耐食性を一段と高めることも勿論可能である。また
該表面層は単層構造であっても勿論かまわないが、必要
により２層以上の複層構造として複数の腐食性ガスに対
する耐食性を更に高めることも有効である。
も非常に優れた耐食性を有しており、単体として使用し
得るほか、腐食性ガスの種類によっては２種以上を複合
して耐食性を一段と高めることも勿論可能である。また
該表面層は単層構造であっても勿論かまわないが、必要
により２層以上の複層構造として複数の腐食性ガスに対
する耐食性を更に高めることも有効である。
【００１４】尚上記表面被覆層構成材の中でも、より好
ましい組合せは、基材がＴｉである場合は中間層をＮｂ
及び／またはＴａとし、最表層部はＡｌ2Ｏ3 やＺｒＯ2
（特に耐食性を高めたいとき）、あるいはＢＮ（特に
脱ガス性を高めたいとき）とするのがよく、また基材が
ステンレス鋼やＡｌである場合は、最表層として設けら
れるセラミックスと熱膨張率の格差を少なくするため、
中間層としてハステロイＣやハステロイＢ等の如き中間
的な熱膨張率を有する金属材を選択するのがよい。
ましい組合せは、基材がＴｉである場合は中間層をＮｂ
及び／またはＴａとし、最表層部はＡｌ2Ｏ3 やＺｒＯ2
（特に耐食性を高めたいとき）、あるいはＢＮ（特に
脱ガス性を高めたいとき）とするのがよく、また基材が
ステンレス鋼やＡｌである場合は、最表層として設けら
れるセラミックスと熱膨張率の格差を少なくするため、
中間層としてハステロイＣやハステロイＢ等の如き中間
的な熱膨張率を有する金属材を選択するのがよい。
【００１５】該表面層の形成法も特に限定されないが、
一般的なのは溶射法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等の気相めっ
き法である。上記中間層及び表面層の厚さも特に定めな
いが、耐食性や経済性等を総合して最も好ましいのは、
中間層は0.5〜１μm 程度、表面層は0.5 〜１μm 程度
である。
一般的なのは溶射法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等の気相めっ
き法である。上記中間層及び表面層の厚さも特に定めな
いが、耐食性や経済性等を総合して最も好ましいのは、
中間層は0.5〜１μm 程度、表面層は0.5 〜１μm 程度
である。
【００１６】次に実施例によって本発明を具体的に説明
するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受
けるものではなく、前・後記の趣旨に沿って適当に変更
して実施することはいずれも本発明の技術的範囲に含ま
れるものと考えるべきである。
するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受
けるものではなく、前・後記の趣旨に沿って適当に変更
して実施することはいずれも本発明の技術的範囲に含ま
れるものと考えるべきである。
【００１７】
【実施例】真空装置用金属基材としてＡｌ合金板（JIS
A 5052）、Ｔｉ板［JIS H 4600(1988)］及びステンレス
鋼板（SUS 304)を使用し、これを電解研磨によって鏡面
仕上げした後、ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタリング
法によって表１に示す構成の中間層及び表面層を形成
し、表面被覆金属板（供試板）を得た。得られた各供試
板について、下記の方法でガス腐食性試験及び脱ガス性
試験を行ない、表１に併記する結果を得た。
A 5052）、Ｔｉ板［JIS H 4600(1988)］及びステンレス
鋼板（SUS 304)を使用し、これを電解研磨によって鏡面
仕上げした後、ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタリング
法によって表１に示す構成の中間層及び表面層を形成
し、表面被覆金属板（供試板）を得た。得られた各供試
板について、下記の方法でガス腐食性試験及び脱ガス性
試験を行ない、表１に併記する結果を得た。
【００１８】＜ガス腐食性試験＞各供試板を100 ％Cl2
（２kg/cm2）のガス雰囲気下に室温（25℃）で168 時間
放置し、腐食試験前後の重量変化から腐食率を求める。
そしてＳＵＳ 304 非処理板のガス腐食率を１としたと
きの相対的腐食量から、次の基準で耐食性を評価した。 ◎：0.2 未満 ○：0.2 〜0.5 △：0.5 〜0.8 ×：0.8 超 ＜脱ガス性試験＞初期条件を揃えるため、各供試板を真
空中450 ℃で１時間ベーキング処理した後、相対湿度70
％の大気中に10分間暴露する。次いで真空チャンバー中
で800 ℃まで加熱し、放出されたガスの種類及び量を四
重極質量分析計によって測定する。そしてＳＵＳ 304
非処理板のガス放出量を１としたときの相対的ガス放出
量から、次の基準で脱ガス性を評価した。 ◎：0.2 未満 ○：0.2 〜0.5 △：0.5 〜0.8 ×：0.8 超
（２kg/cm2）のガス雰囲気下に室温（25℃）で168 時間
放置し、腐食試験前後の重量変化から腐食率を求める。
そしてＳＵＳ 304 非処理板のガス腐食率を１としたと
きの相対的腐食量から、次の基準で耐食性を評価した。 ◎：0.2 未満 ○：0.2 〜0.5 △：0.5 〜0.8 ×：0.8 超 ＜脱ガス性試験＞初期条件を揃えるため、各供試板を真
空中450 ℃で１時間ベーキング処理した後、相対湿度70
％の大気中に10分間暴露する。次いで真空チャンバー中
で800 ℃まで加熱し、放出されたガスの種類及び量を四
重極質量分析計によって測定する。そしてＳＵＳ 304
非処理板のガス放出量を１としたときの相対的ガス放出
量から、次の基準で脱ガス性を評価した。 ◎：0.2 未満 ○：0.2 〜0.5 △：0.5 〜0.8 ×：0.8 超
【００１９】
【表１】
【００２０】表１からも明らかである様に、非処理材
（ No.１５，１６，１７）は脱ガス性及び耐食性のいず
れも劣悪であり、またこれを耐食性金属（Ｔａ）のみ或
はセラミックス（ＢＮ）のみで被覆したもの（ No.１
３，１４）でも脱ガス性及び耐食性のいずれかが不十分
であるのに対し、本発明の規定要件を満たす２層構造以
上の表面被覆を施したもの（ No.１〜１２）は、脱ガス
性及び耐食性のいずれにおいても良好な結果が得られて
いる。
（ No.１５，１６，１７）は脱ガス性及び耐食性のいず
れも劣悪であり、またこれを耐食性金属（Ｔａ）のみ或
はセラミックス（ＢＮ）のみで被覆したもの（ No.１
３，１４）でも脱ガス性及び耐食性のいずれかが不十分
であるのに対し、本発明の規定要件を満たす２層構造以
上の表面被覆を施したもの（ No.１〜１２）は、脱ガス
性及び耐食性のいずれにおいても良好な結果が得られて
いる。
【００２１】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、真
空装置用金属基材に対して、該金属基材よりも高耐食性
の金属を中間層とし、更にその上に酸化物、窒化物、炭
化物、ほう化物、ふっ化物から選択される表面層を形成
することによって、表面被覆の密着性を高めると共に耐
食性及び脱ガス性を著しく改善することができ、たとえ
ば半導体製造装置の如く、腐食性ガス環境と高真空環境
に繰り返し曝らされる装置・機器に使用した場合でも、
優れた耐久性を示すと共に、吸着ガスの影響を可及的に
抑えることができる。
空装置用金属基材に対して、該金属基材よりも高耐食性
の金属を中間層とし、更にその上に酸化物、窒化物、炭
化物、ほう化物、ふっ化物から選択される表面層を形成
することによって、表面被覆の密着性を高めると共に耐
食性及び脱ガス性を著しく改善することができ、たとえ
ば半導体製造装置の如く、腐食性ガス環境と高真空環境
に繰り返し曝らされる装置・機器に使用した場合でも、
優れた耐久性を示すと共に、吸着ガスの影響を可及的に
抑えることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 16/30 Ｃ２３Ｃ 16/30 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 28/00 C23C 14/00 - 14/06 C23C 16/00 - 16/06
Claims (7)
- 【請求項１】 真空装置用金属基材の表面を、当該金属
基材よりも高耐食性の金属によって形成される単一また
は複数の層からなる中間層と、酸化物，窒化物，炭化
物，ほう化物及びふっ化物よりなる群から選択される少
なくとも１種によって形成される単一または複数の層か
らなる表面層で被覆したものであることを特徴とする真
空装置用表面被覆金属材。 - 【請求項２】 中間層を構成する金属が、Ｚｒ，Ｔａ，
Ｎｂ，Ｗ及びＭｏよりなる群から選択される金属もしく
はそれらの２種以上を含む合金、及びＮｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｆｅよりなる群から選択される少なくとも１種の金
属を70重量％以上含有する合金、から選ばれたものであ
る請求項１記載の表面被覆金属材。 - 【請求項３】 表面層のうち少なくとも１つの層を構成
する酸化物が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ，Ｃ
ｒ及びＢよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素
の酸化物である請求項１または２記載の表面被覆金属
材。 - 【請求項４】 表面層のうち少なくとも１つの層を構成
する窒化物が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｂ，Ｓｉ及びＡｌよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の窒化物で
ある請求項１または２記載の表面被覆金属材。 - 【請求項５】 表面層のうち少なくとも１つの層を構成
する炭化物が、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｓｉ及びＢよりなる群
から選ばれる少なくとも１種の元素の炭化物である請求
項１または２記載の表面被覆金属材。 - 【請求項６】 表面層のうち少なくとも１つの層を構成
するほう化物が、Ｔｉ，Ｚｒ及びＴａよりなる群から選
ばれる少なくとも１種の元素のほう化物である請求項１
または２記載の表面被覆金属材。 - 【請求項７】 表面層のうち少なくとも１つの層を構成
するふっ化物が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｔａ，Ｒ
ｅ，Ｃｕ，Ａｌ及びＭｎよりなる群から選ばれる少なく
とも１種の元素のふっ化物である請求項１または２記載
の表面被覆金属材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03323673A JP3074873B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 真空装置用表面被覆金属材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03323673A JP3074873B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 真空装置用表面被覆金属材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132789A JPH05132789A (ja) | 1993-05-28 |
| JP3074873B2 true JP3074873B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=18157336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03323673A Expired - Lifetime JP3074873B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 真空装置用表面被覆金属材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074873B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444083B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| JP5000236B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2012-08-15 | 昭和電工株式会社 | 最表面層がフッ化ニッケル膜である金属材料およびその製造方法 |
| WO2013140668A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | トーカロ株式会社 | フッ化物溶射皮膜の形成方法およびフッ化物溶射皮膜被覆部材 |
| JP5524993B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2014-06-18 | トーカロ株式会社 | フッ化物溶射皮膜の形成方法およびフッ化物溶射皮膜被覆部材 |
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