JP2012511106A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012511106A5 JP2012511106A5 JP2011539778A JP2011539778A JP2012511106A5 JP 2012511106 A5 JP2012511106 A5 JP 2012511106A5 JP 2011539778 A JP2011539778 A JP 2011539778A JP 2011539778 A JP2011539778 A JP 2011539778A JP 2012511106 A5 JP2012511106 A5 JP 2012511106A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- less
- barrier layer
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 13
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 102000014961 Protein Precursors Human genes 0.000 claims 3
- 108010078762 Protein Precursors Proteins 0.000 claims 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims 2
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims 1
Claims (26)
- バリア層を基板上に成膜するに当たり：
基板の表面温度を１００℃未満に維持しながら、以下の工程（ａ）および（ｂ）を交互シークエンスで繰り返して二酸化チタンの薄膜を基板上に形成することを特徴とする方法：
（ａ）基板をＴｉＣｌ４を含むガス状の第１の先駆物質に曝露する工程；および
（ｂ）基板を不活性なガス状の酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマに曝露し、基板が第２の先駆物質のプラズマ活性化を介して形成される酸素ラジカルに曝露される工程。 - 前記基板の第１および第２の先駆物質に対する連続曝露を不活性ガスに対する分離曝露で分ける工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
- 前記不活性な酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマが、乾燥した空気、Ｏ２ 、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯおよびそれらの混合物からなる群から選択された酸素含有化合物または混合物の励起によって形成される請求項１または２に記載の方法。
- 前記第１および第２の先駆物質が、不活性ガスを導入した分離ゾーンによって分けられた第１および第２の先駆物質ゾーンの各々に導入され、
前記基板を前記第１および第２の先駆物質ゾーン間で前後に前記基板を搬送する各回毎に前記分離ゾーンを介して複数回搬送する工程をさらに備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。 - 前記基板を約０．２メートル／秒から約１０メートル／秒の間の速度で搬送する請求項４に記載の方法。
- 前記基板が可撓性のウェブ材料である請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
- 前記基板の表面温度を、バリア層の成膜中に約５℃から８０℃の間で維持する請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
- 前記薄膜を基板の反対側に成膜する工程をさらに備える請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
- 前記基板を工程（ａ）および（ｂ）を開始する前に酸素プラズマで予備処理する工程をさらに備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
- 二酸化チタン薄膜の原子層を基板上に１００℃未満の温度で成膜することにより形成され、０．５ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有し、１５０オングストローム未満の厚さを有することを特徴とするバリア層。
- 前記薄膜が、１００オングストローム未満の厚さおよび約０．０１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項１０に記載のバリア層。
- 前記薄膜が、１５０オングストローム未満の厚さおよび約０．０００１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項１０に記載のバリア層。
- 前記薄膜が、５０オングストローム未満の厚さである請求項１０に記載のバリア層。
- 前記薄膜が、ほぼ完全にアモルファスである請求項１０〜１３のいずれか１項に記載のバリア層。
- 前記薄膜が可撓性の基板上に成膜される請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のバリア層。
- 前記薄膜が光触媒特性を有する請求項１０〜１５のいずれか１項に記載のバリア層。
- 前記ＴｉＯ２の原子層の成膜が、以下の工程（ａ）および（ｂ）を交互シークエンスで繰り返すことを含む請求項１０〜１６のいずれか１項に記載のバリア層：
（ａ）基板をＴｉＣｌ４を含むガス状の第１の先駆物質に曝露する工程；および
（ｂ）基板を不活性なガス状の酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマに曝露し、基板が第２の先駆物質のプラズマ活性化を介して形成される酸素ラジカルに曝露される工程。 - 前記ＴｉＯ２の原子層の成膜が、前記基板の第１および第２の先駆物質に対する連続曝露を不活性ガスに対する曝露で分けることをさらに含む請求項１７に記載のバリア層。
- 前記不活性な酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマが、乾燥した空気、Ｏ２ 、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯおよびそれらの混合物からなる群から選択された酸素含有化合物または混合物の励起によって形成される請求項１７または１８に記載のバリア層。
- 基板上に成膜された蒸気バリアであって、：
１５０オングストローム未満の厚さで、０．５ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する金属酸化物の薄膜を備えることを特徴とする蒸気バリア。 - 前記薄膜が、約０．０００１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項２０に記載の蒸気バリア。
- 前記薄膜が、５０オングストローム未満の厚さである請求項２０に記載の蒸気バリア。
- 前記薄膜が、１００オングストローム未満の厚さで、約０．０１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項２０に記載の蒸気バリア。
- 前記薄膜が基板の反対側を被覆する請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の蒸気バリア。
- 前記基板が、可撓性のポリマーフィルムである請求項２０〜２４のいずれか１項に記載の蒸気バリア。
- 前記薄膜が光触媒特性を有する請求項２０〜２５のいずれか１項に記載の蒸気バリア。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12038108P | 2008-12-05 | 2008-12-05 | |
| US61/120,381 | 2008-12-05 | ||
| US16128709P | 2009-03-18 | 2009-03-18 | |
| US61/161,287 | 2009-03-18 | ||
| PCT/US2009/067024 WO2010065966A2 (en) | 2008-12-05 | 2009-12-07 | High rate deposition of thin films with improved barrier layer properties |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012511106A JP2012511106A (ja) | 2012-05-17 |
| JP2012511106A5 true JP2012511106A5 (ja) | 2013-01-31 |
Family
ID=42231418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011539778A Pending JP2012511106A (ja) | 2008-12-05 | 2009-12-07 | 改善されたバリア層の性質を有する薄膜の高速成膜 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100143710A1 (ja) |
| EP (1) | EP2364380A4 (ja) |
| JP (1) | JP2012511106A (ja) |
| KR (1) | KR20110100618A (ja) |
| CN (1) | CN102239278A (ja) |
| BR (1) | BRPI0922795A2 (ja) |
| WO (1) | WO2010065966A2 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007112370A1 (en) | 2006-03-26 | 2007-10-04 | Lotus Applied Technology, Llc | Atomic layer deposition system and method for coating flexible substrates |
| US8637117B2 (en) | 2009-10-14 | 2014-01-28 | Lotus Applied Technology, Llc | Inhibiting excess precursor transport between separate precursor zones in an atomic layer deposition system |
| US8637123B2 (en) * | 2009-12-29 | 2014-01-28 | Lotus Applied Technology, Llc | Oxygen radical generation for radical-enhanced thin film deposition |
| BR112013000116A2 (pt) * | 2010-07-23 | 2016-05-24 | Lotus Applied Technology Llc | mecanismo de transporte de substrato contatando um único lado de um substrato de tela flexível para deposição de filme fino de rolo para rolo |
| JP5864089B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2016-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US9663677B2 (en) | 2010-09-07 | 2017-05-30 | Sun Chemical B.V. | Carbon dioxide barrier coating |
| JP5682372B2 (ja) * | 2011-02-07 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 電池用セパレータ、電池用セパレータの製造方法、電池、電池パックおよび電子機器 |
| JP5206908B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2013-06-12 | 凸版印刷株式会社 | 巻き取り成膜装置 |
| JP6204911B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2017-09-27 | ロータス アプライド テクノロジー エルエルシーＬｏｔｕｓ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｌｌｃ | 混合金属酸化物バリアフィルム及び混合金属酸化物バリアフィルムを形成する原子層成膜方法 |
| JP5803488B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2015-11-04 | 凸版印刷株式会社 | 原子層堆積法によるフレキシブル基板への成膜方法及び成膜装置 |
| CN102514280B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-02-04 | 武汉理工大学 | 一种太阳能选择性吸收涂层的制备方法 |
| CN104204290A (zh) * | 2012-03-23 | 2014-12-10 | 皮考逊公司 | 原子层沉积方法和装置 |
| EP2860280A4 (en) * | 2012-05-31 | 2016-03-23 | Toppan Printing Co Ltd | DEVICE FOR FORMING A ROLLED FILM |
| KR101372309B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2014-03-13 | (주)씨엔원 | 롤투롤 방식의 원자층 증착 장비 및 원자층 증착 방법 |
| TWI592310B (zh) * | 2012-10-18 | 2017-07-21 | 凸版印刷股份有限公司 | 積層體、阻氣薄膜及其製造方法 |
| WO2014084698A1 (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 주식회사 엘지화학 | 막 형성 장치 |
| KR101892433B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2018-08-30 | 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 | 유연성 기재 상의 박막 규소질화물 장벽 층들 |
| US20140322527A1 (en) * | 2013-04-30 | 2014-10-30 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Multilayer encapsulation thin-film |
| EP3213341A4 (en) * | 2014-10-17 | 2018-08-29 | Lotus Applied Technology, LLC | High-speed deposition of mixed oxide barrier films |
| US20180135167A1 (en) * | 2014-12-19 | 2018-05-17 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Transparent Sheet Materials |
| JP5795427B1 (ja) * | 2014-12-26 | 2015-10-14 | 竹本容器株式会社 | 被膜付き樹脂容器の製造方法及び樹脂容器被覆装置 |
| CH710826A1 (de) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | Fofitec Ag | Vorrichtungen und Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten auf einer laufenden Folienbahn sowie Folienbahn oder Zuschnitte daraus. |
| KR101704723B1 (ko) * | 2015-04-06 | 2017-02-09 | 연세대학교 산학협력단 | 탄소 박막 소자 및 이의 제조 방법 |
| CN107815665A (zh) * | 2016-09-14 | 2018-03-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种二氧化钛薄膜及其制备方法和应用 |
| CN106947957A (zh) * | 2017-03-01 | 2017-07-14 | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 | 食品/药品容器的加工方法、食品/药品容器用材料及食品/药品容器 |
| US10450119B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-10-22 | The Procter & Gamble Company | Films including a water-soluble layer and a vapor-deposited inorganic coating |
| US11192139B2 (en) | 2017-06-22 | 2021-12-07 | The Procter & Gamble Company | Films including a water-soluble layer and a vapor-deposited organic coating |
| JP7014291B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2022-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 光触媒転写フィルム及びその製造方法 |
| EP3771751A1 (en) * | 2019-08-02 | 2021-02-03 | AR Metallizing N.V. | Multi-metal layer wvtr barrier products on water vapour and oxygen permeable bio-based substrates |
| CN115685301B (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-07 | 中创智科(绵阳)科技有限公司 | 一种防爆型氚浓度测量仪 |
| CN117301589A (zh) * | 2023-11-02 | 2023-12-29 | 江苏思尔德科技有限公司 | 一种柔性显示用高阻隔膜制备方法 |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| US4389973A (en) * | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
| US5256205A (en) * | 1990-05-09 | 1993-10-26 | Jet Process Corporation | Microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin film materials |
| DE4228853C2 (de) * | 1991-09-18 | 1993-10-21 | Schott Glaswerke | Optischer Wellenleiter mit einem planaren oder nur geringfügig gewölbten Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung eines solchen |
| US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US5817550A (en) * | 1996-03-05 | 1998-10-06 | Regents Of The University Of California | Method for formation of thin film transistors on plastic substrates |
| US6342277B1 (en) * | 1996-08-16 | 2002-01-29 | Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. | Sequential chemical vapor deposition |
| US5693956A (en) * | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
| US6090442A (en) * | 1997-04-14 | 2000-07-18 | University Technology Corporation | Method of growing films on substrates at room temperatures using catalyzed binary reaction sequence chemistry |
| US6165554A (en) * | 1997-11-12 | 2000-12-26 | Jet Process Corporation | Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films |
| US6200893B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Genus, Inc | Radical-assisted sequential CVD |
| US6812157B1 (en) * | 1999-06-24 | 2004-11-02 | Prasad Narhar Gadgil | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition |
| US20040224504A1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-11-11 | Gadgil Prasad N. | Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing |
| US6664186B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method of film deposition, and fabrication of structures |
| US7476420B2 (en) * | 2000-10-23 | 2009-01-13 | Asm International N.V. | Process for producing metal oxide films at low temperatures |
| US6689220B1 (en) * | 2000-11-22 | 2004-02-10 | Simplus Systems Corporation | Plasma enhanced pulsed layer deposition |
| KR100421219B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2004-03-02 | 삼성전자주식회사 | β-디케톤 리간드를 갖는 유기 금속 착물을 이용한 원자층증착방법 |
| US9376750B2 (en) * | 2001-07-18 | 2016-06-28 | Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Method of depositing an inorganic film on an organic polymer |
| US6820570B2 (en) * | 2001-08-15 | 2004-11-23 | Nobel Biocare Services Ag | Atomic layer deposition reactor |
| EP1291932A3 (en) * | 2001-09-05 | 2006-10-18 | Konica Corporation | Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same |
| US6932871B2 (en) * | 2002-04-16 | 2005-08-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-station deposition apparatus and method |
| TWI278532B (en) * | 2002-06-23 | 2007-04-11 | Asml Us Inc | Method for energy-assisted atomic layer deposition and removal |
| US6827789B2 (en) * | 2002-07-01 | 2004-12-07 | Semigear, Inc. | Isolation chamber arrangement for serial processing of semiconductor wafers for the electronic industry |
| US6797337B2 (en) * | 2002-08-19 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for delivering precursors |
| CN1756856B (zh) * | 2003-02-27 | 2011-10-12 | 希莫菲克斯公司 | 电介质阻挡层膜 |
| US7294360B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-11-13 | Planar Systems, Inc. | Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same |
| US6888172B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-05-03 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for encapsulating an OLED formed on a flexible substrate |
| US20070275181A1 (en) * | 2003-05-16 | 2007-11-29 | Carcia Peter F | Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition |
| US20040261703A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Jeffrey D. Chinn | Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings |
| US7323231B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
| US7074719B2 (en) * | 2003-11-28 | 2006-07-11 | International Business Machines Corporation | ALD deposition of ruthenium |
| WO2005074330A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Agency For Science, Technology And Research | Multicolor organic light emitting devices |
| US20050221021A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing atomic layer deposition |
| US7482037B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-01-27 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition |
| US7399668B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices having a dielectric layer surface treatment |
| JP5464775B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2014-04-09 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | 低温での金属酸化物膜の製造方法 |
| JP4865214B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2012-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および記憶媒体 |
| KR100915722B1 (ko) * | 2005-06-23 | 2009-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 처리 장치용의 구성 부재 및 그 제조 방법, 및반도체 처리 장치 |
| JP2007098679A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリアフィルムおよびその製造方法 |
| WO2007112370A1 (en) * | 2006-03-26 | 2007-10-04 | Lotus Applied Technology, Llc | Atomic layer deposition system and method for coating flexible substrates |
| US20070281105A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Nima Mokhlesi | Atomic Layer Deposition of Oxides Using Krypton as an Ion Generating Feeding Gas |
| JP2009540562A (ja) * | 2006-06-05 | 2009-11-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 電子パッケージ及びその製造方法 |
| US20070281089A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-06 | General Electric Company | Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects |
| US7663312B2 (en) * | 2006-07-24 | 2010-02-16 | Munisamy Anandan | Flexible OLED light source |
| US8187679B2 (en) * | 2006-07-29 | 2012-05-29 | Lotus Applied Technology, Llc | Radical-enhanced atomic layer deposition system and method |
| US20080119098A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Igor Palley | Atomic layer deposition on fibrous materials |
| US7781031B2 (en) * | 2006-12-06 | 2010-08-24 | General Electric Company | Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method |
| WO2009070574A2 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | North Carolina State University | Methods for modification of polymers, fibers and textile media |
| US8945675B2 (en) * | 2008-05-29 | 2015-02-03 | Asm International N.V. | Methods for forming conductive titanium oxide thin films |
-
2009
- 2009-12-07 KR KR1020117012495A patent/KR20110100618A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-12-07 CN CN2009801486298A patent/CN102239278A/zh active Pending
- 2009-12-07 EP EP09831274A patent/EP2364380A4/en not_active Withdrawn
- 2009-12-07 US US12/632,749 patent/US20100143710A1/en not_active Abandoned
- 2009-12-07 BR BRPI0922795A patent/BRPI0922795A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-12-07 JP JP2011539778A patent/JP2012511106A/ja active Pending
- 2009-12-07 WO PCT/US2009/067024 patent/WO2010065966A2/en active Application Filing
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012511106A5 (ja) | ||
| JP5966928B2 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
| KR102014321B1 (ko) | 혼합 금속 산화물 장벽 막을 제조하기 위한 혼합 금속 산화물 장벽 막 및 원자 층 증착 방법 | |
| JP6096783B2 (ja) | 大気圧プラズマ法によるコーティング作製方法 | |
| JP2007051327A (ja) | 成膜方法 | |
| JP2017533995A (ja) | 混合酸化バリア膜の高速堆積 | |
| JPWO2014156888A1 (ja) | 積層体及びガスバリアフィルム | |
| CN106661727B (zh) | 层叠体及其制造方法、以及阻气膜及其制造方法 | |
| JP2008053683A (ja) | 絶縁膜形成方法、半導体装置、および基板処理装置 | |
| JP2008147644A5 (ja) | ||
| CN105813838A (zh) | 层叠体及阻气膜 | |
| Hansen et al. | Luminescent properties of multilayered Eu2O3 and TiO2 grown by atomic layer deposition | |
| TWI592310B (zh) | 積層體、阻氣薄膜及其製造方法 | |
| KR102450786B1 (ko) | 적층체 및 그 제조 방법 | |
| JP6547271B2 (ja) | フレシキブル基板上への気相成長法による成膜方法 | |
| JP2016203431A5 (ja) | ||
| JP6529129B2 (ja) | 成膜装置 | |
| TWI775926B (zh) | 積層膜 | |
| CN107405872B (zh) | 层叠体及其制造方法、以及阻气膜及其制造方法 | |
| TWI814855B (zh) | 透明導電膜 | |
| KR100604804B1 (ko) | 몰리브데늄 박막 및 실리콘 박막을 포함하는 다층막 제조방법 | |
| JP2016074927A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| WO2016185938A1 (ja) | フィルム積層体、その製造方法及び成膜装置 | |
| JP2017094585A (ja) | ガスバリアーフィルム、ガスバリアーフィルムの製造方法及び電子デバイス | |
| TW201235490A (en) | Hard coating, article having hard coating, and method for making article |