JP2007051327A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007051327A JP2007051327A JP2005237065A JP2005237065A JP2007051327A JP 2007051327 A JP2007051327 A JP 2007051327A JP 2005237065 A JP2005237065 A JP 2005237065A JP 2005237065 A JP2005237065 A JP 2005237065A JP 2007051327 A JP2007051327 A JP 2007051327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- oxygen
- nitrogen
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び/又は窒素を吸着させる。その後、この酸素及び/又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。
【選択図】 図1
Description
2;ダイヤモンド薄膜
3;ダイヤモンド基板
4;絶縁膜
11;反応容器内整流用配管
12;置換兼キャリア用配管
13;有機金属化合物供給源
14;酸化剤・窒化剤供給源
15;反応容器
16;整流板
17;回転部
18;ヒータ
19;サセプタ
20;基板
21;圧力調整弁
22;ポンプ
Claims (7)
- 炭素材料からなる基板の表面に酸素及び/又は窒素を化学吸着させる工程と、前記基板の酸素及び/又は窒素が吸着された表面上に、有機金属化合物とこの有機金属化合物と反応して金属酸化物を生成する酸化剤とを交互に供給して、前記基板の表面上に金属酸化物からなる酸化膜を積層する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
- 炭素材料からなる基板の表面に酸素及び/又は窒素を化学吸着させる工程と、前記基板の酸素及び/又は窒素が吸着された表面上に、有機金属化合物とこの有機金属化合物と反応して金属窒化物を生成する窒化剤とを交互に供給して、前記基板の表面上に金属窒化物からなる窒化膜を積層する工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
- 前記基板の酸素及び/又は窒素が吸着された表面における前記酸素及び窒素の吸着原子密度比(吸着原子密度/表面結合手密度)が60%以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜方法。
- 前記基板の表面に対して、プラズマ処理、ラジカル処理及び薬液処理のうち、少なくとも1種の処理を施すことにより、前記基板の表面に酸素及び/又は窒素を化学吸着させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記プラズマ処理は、酸素雰囲気中、窒素雰囲気中又は一酸化二窒素雰囲気中で、基板温度を50乃至350℃としてプラズマを発生させ、このプラズマに前記基板の表面を5乃至30分間暴露することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記ラジカル処理は、基板温度を200乃至500℃として、酸素雰囲気中、窒素雰囲気中、一酸化二窒素雰囲気中、オゾン雰囲気中又は水蒸気中で、これらのラジカルに前記基板の表面を10乃至60分間暴露することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記薬液処理は、100乃至250℃の酸化クロムの硫酸溶液、硫酸と過酸化水素との混合溶液又はオゾン水に、前記基板の表面を20乃至90分間浸漬することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237065A JP4425194B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237065A JP4425194B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | 成膜方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007051327A true JP2007051327A (ja) | 2007-03-01 |
JP2007051327A5 JP2007051327A5 (ja) | 2007-12-20 |
JP4425194B2 JP4425194B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=37915967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005237065A Expired - Fee Related JP4425194B2 (ja) | 2005-08-18 | 2005-08-18 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4425194B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158612A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダイヤモンド電界効果トランジスタ |
JP2010062457A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法 |
WO2011114734A1 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 三井造船株式会社 | 薄膜形成装置 |
WO2015023356A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Thin diamond film bonding providing low vapor pressure at high temperature |
JP2015508569A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-03-19 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | ダイヤモンドの基板にmos積層体を製造する方法 |
JP2015187071A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | ツィンファ ユニバーシティ | ナノチューブフィルム及びその製造方法 |
JP2018006572A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法 |
JP2018529610A (ja) * | 2015-07-31 | 2018-10-11 | クラヨナノ エーエス | グラファイト基板上でのナノワイヤ又はナノピラミッドの成長方法 |
US11239391B2 (en) | 2017-04-10 | 2022-02-01 | Norwegian University Of Science And Technology (Ntnu) | Nanostructure |
US11257967B2 (en) | 2012-06-21 | 2022-02-22 | Norwegian University Of Science And Technology (Ntnu) | Solar cells |
US11264536B2 (en) | 2015-07-13 | 2022-03-01 | Crayonano As | Nanowires or nanopyramids grown on a graphene substrate |
WO2022145291A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 国立大学法人佐賀大学 | 多層膜構造体、多層膜構造体の製造方法、および電子素子 |
US11594657B2 (en) | 2015-07-13 | 2023-02-28 | Crayonano As | Nanowires/nanopyramids shaped light emitting diodes and photodetectors |
-
2005
- 2005-08-18 JP JP2005237065A patent/JP4425194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158612A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダイヤモンド電界効果トランジスタ |
JP2010062457A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法 |
WO2011114734A1 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 三井造船株式会社 | 薄膜形成装置 |
JP2011198897A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
EP2795668B1 (fr) * | 2011-12-20 | 2017-11-15 | Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) | Procede de fabrication d'un empilement mos sur un substrat en diamant |
JP2015508569A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-03-19 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | ダイヤモンドの基板にmos積層体を製造する方法 |
US11257967B2 (en) | 2012-06-21 | 2022-02-22 | Norwegian University Of Science And Technology (Ntnu) | Solar cells |
WO2015023356A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Thin diamond film bonding providing low vapor pressure at high temperature |
US9238349B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-01-19 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Thin diamond film bonding providing low vapor pressure at high temperature |
JP2015187071A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | ツィンファ ユニバーシティ | ナノチューブフィルム及びその製造方法 |
US11264536B2 (en) | 2015-07-13 | 2022-03-01 | Crayonano As | Nanowires or nanopyramids grown on a graphene substrate |
US11594657B2 (en) | 2015-07-13 | 2023-02-28 | Crayonano As | Nanowires/nanopyramids shaped light emitting diodes and photodetectors |
JP2018529610A (ja) * | 2015-07-31 | 2018-10-11 | クラヨナノ エーエス | グラファイト基板上でのナノワイヤ又はナノピラミッドの成長方法 |
JP7009358B2 (ja) | 2015-07-31 | 2022-01-25 | クラヨナノ エーエス | グラファイト基板上でのナノワイヤ又はナノピラミッドの成長方法 |
US11450528B2 (en) | 2015-07-31 | 2022-09-20 | Crayonano As | Process for growing nanowires or nanopyramids on graphitic substrates |
JP2018006572A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法 |
US11239391B2 (en) | 2017-04-10 | 2022-02-01 | Norwegian University Of Science And Technology (Ntnu) | Nanostructure |
WO2022145291A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 国立大学法人佐賀大学 | 多層膜構造体、多層膜構造体の製造方法、および電子素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4425194B2 (ja) | 2010-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4425194B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP4704618B2 (ja) | ジルコニウム酸化膜の製造方法 | |
TWI731074B (zh) | 相對於基板的第二表面選擇性沈積在基板的第一表面上的製程與方法 | |
TWI565822B (zh) | 沉積氮化矽膜的方法 | |
JP2020084323A (ja) | 周期的堆積プロセスにより基材上に遷移金属カルコゲン化物膜を堆積させる方法 | |
CN104109846B (zh) | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 | |
US20100227476A1 (en) | Atomic layer deposition processes | |
US9613798B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
US20050009335A1 (en) | Apparatuses for treating pluralities of discrete semiconductor substrates; and methods for treating pluralities of discrete semiconductor substrates | |
KR101398236B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
TWI523104B (zh) | 半導體裝置的製造方法、基板處理方法及基板處理裝置 | |
US10066298B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP2015153825A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
US9741556B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
CN110872700B (zh) | 制备具有高碳含量的含硅膜的方法 | |
JP4348445B2 (ja) | 二酸化ケイ素含有層を形成する原子層堆積方法 | |
WO2015132445A1 (en) | Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide | |
WO2017203775A1 (ja) | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
JP4031704B2 (ja) | 成膜方法 | |
KR20080064259A (ko) | 개선된 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계를 갖는 박막 증착방법 | |
TWI767661B (zh) | 含矽及氮膜的製造方法 | |
JP4107923B2 (ja) | イットリウム含有複合酸化物薄膜の製造方法 | |
JP2005534809A (ja) | 酸化アルミニウム薄膜の製造方法 | |
TW201443274A (zh) | 使用二矽氧烷先質之膜的沉積 | |
TW202132600A (zh) | 蝕刻或沉積之方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4425194 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |