JP2013535834A5

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Info

Publication number: JP2013535834A5
Application number: JP2013521758A
Authority: JP
Filing date: 2010-10-15
Publication date: 2013-12-05
Anticipated expiration: 2030-10-15

Claims

超小型電子ユニットであって、
キャリア構造体であって、表面と、該表面から離れている裏面と、該キャリア構造体の前記表面における開口部及び該表面の下方に位置する内面を有する凹部とを有し、半導体材料又はガラスのうちの少なくとも一方を含む、キャリア構造体と、
前記内面に隣接する上面と、該上面から離れている底面と、前記上面における複数のコンタクトとを有する超小型電子素子と、
前記超小型電子素子の前記コンタクトに電気的に接続された端子であって、前記キャリア構造体から電気的に絶縁されている、端子と、
前記超小型電子素子の少なくとも前記底面と接触する誘電体領域であって、前記キャリア構造体の前記表面と同一平面上に又はその上方に位置する平面を画定する誘電体領域と、
を含んでなる、超小型電子ユニット。
前記超小型電子素子は、前記上面と前記底面との間に少なくとも１つの縁面を有し、前記平面の横方向における前記端子のうちの少なくとも１つの位置は、前記超小型電子素子の前記縁面と前記凹部の境界を画する前記キャリア構造体の面との間にある、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記超小型電子素子の前記底面は、前記キャリア構造体の前記表面と同一平面上にある、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記端子は、前記キャリア構造体の前記表面において露出している、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記キャリア構造体は外側金属仕上げ層を含み、それにより、前記キャリア構造体はヒートスプレッダとして機能するように構成される、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
誘電体材料が、前記キャリア構造体の前記表面全体を覆う、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記キャリア構造体は半導体材料を含み、前記誘電体領域は電気化学的に堆積したポリマである、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記キャリア構造体はガラスを含み、スプレーコーティング又はスピンコーティングされたコンプライアント誘電体材料が前記凹部の前記内面を覆う、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記キャリア構造体の前記裏面から前記内面まで延在する複数の導電性ビアをさらに含んでなる、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
各ビアは、前記キャリア構造体の前記裏面における第１の幅と、反対側の端部における第２の幅とを有し、前記第２の幅は前記第１の幅とは異なる、請求項９に記載の超小型電子ユニット。
前記キャリア構造体の前記裏面から前記表面まで延在する複数の導電性ビアをさらに含んでなる、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
各ビアは、前記キャリア構造体の前記裏面における第１の幅と、反対側の端部における第２の幅とを有し、前記第２の幅は前記第１の幅とは異なる、請求項１１に記載の超小型電子ユニット。
前記誘電体領域は、前記凹部の側壁と前記超小型電子素子との間に延在している、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記誘電体領域の主面から前記キャリア構造体を通って前記裏面まで延在する複数の導電性ビアをさらに含んでなる、請求項１３に記載の超小型電子ユニット。
各ビアは、前記キャリア構造体の前記裏面における第１の幅と、反対側の端部における第２の幅とを有し、前記第２の幅は前記第１の幅とは異なる、請求項１４に記載の超小型電子ユニット。
少なくとも第１の超小型電子ユニット及び第２の超小型電子ユニットを備える超小型電子アセンブリであって、各超小型電子ユニットは請求項１に記載のものであり、前記第１の超小型電子ユニットは前記第２の超小型電子ユニットと積層されており、その中の前記それぞれの超小型電子素子の前記コンタクトは、前記第１の超小型電子ユニットの前記端子及び前記第２の超小型電子ユニットの前記端子を介して電気的に接続されている、少なくとも第１の超小型電子ユニット及び第２の超小型電子ユニットを備える超小型電子アセンブリ。
前記第１の超小型電子ユニットは、第１のキャリア構造体の前記裏面において露出している第１の端子を備え、前記第２の超小型電子ユニットは、第２のキャリア構造体の前記表面において露出している第２の端子を備え、前記第１の超小型電子素子は、前記第１の端子及び前記第２の端子を介して前記第２の超小型電子素子に電気的に接続されている、請求項１６に記載の超小型電子アセンブリ。
前記第１のキャリア構造体は、その表面に沿った横方向において第１の幅を有する第１の凹部を備え、前記第２のキャリア構造体は、その表面に沿った横方向において第２の幅を画定する第２の凹部を備え、前記第２の幅は前記第１の幅と異なる、請求項１７に記載の超小型電子アセンブリ。
前記超小型電子素子は第１の超小型電子素子であり、前記超小型電子ユニットは、前記凹部の前記内面に隣接する上面と、該上面から離れている底面と、該上面における複数のコンタクトとを有する第２の超小型電子素子をさらに含んでなる、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
前記凹部は、前記キャリア構造体の前記表面における開口部及び該表面の下方に位置する内面を有する第１の凹部であり、前記超小型ユニットは、第２の凹部の前記内面に隣接する上面と、該上面から離れている底面と、前記上面における複数のコンタクトとを有する第２の超小型電子素子をさらに含んでなる、請求項１に記載の超小型電子ユニット。
超小型電子ユニットを製造する方法であって、
上面及び該上面から離れている底面と、前記上面における複数のコンタクトとを有する超小型電子素子を、表面及び該表面から離れている裏面を有するキャリア構造体であって、半導体材料又はガラスのうちの少なくとも一方を含む、キャリア構造体の凹部内に配置するとともに、前記コンタクトを前記キャリア構造体の端子に電気的に相互接続するステップであって、前記超小型電子素子の前記上面は前記凹部内の前記キャリア構造体の内面に隣接して配置される、配置するとともに電気的に相互接続するステップと、
前記凹部に誘電体領域を施すステップであって、該誘電体領域は前記超小型電子素子の少なくとも前記上面と接触する、施すステップと、
前記誘電体領域を平坦化して、前記キャリア構造体の前記表面と同一平面上に又はその上方に位置する平面を画定する、平坦化するステップと、
を含む、超小型電子ユニットを製造する方法。
前記凹部の前記内面から前記キャリア構造体を通って前記裏面まで延在する複数の導電性ビアを形成するステップさらに含む、請求項２１に記載の超小型電子ユニット。
請求項２２に記載の方法を含む超小型電子ユニットの積層アセンブリを製造する方法であって、
第２の超小型電子ユニットの上部に第１の超小型電子ユニットを積層するステップと、
前記第１の超小型電子ユニットを前記第２の超小型電子ユニットに導電性ボンド材を介して接合するステップと、
をさらに含む、請求項２２に記載の方法を含む超小型電子ユニットの積層アセンブリを製造する方法。
前記超小型電子素子の前記コンタクトを前記凹部の前記内面に隣接して位置する導電性パッドに接合するステップをさらに含み、複数の導電性ビアを形成する前記ステップは、前記キャリア構造体の前記裏面から前記導電性パッドまで延在するビアを形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
前記超小型電子素子を、前記凹部の前記内面をコーティングする誘電体層に接合するステップをさらに含み、複数の導電性ビアを形成する前記ステップは、前記キャリア構造体の前記裏面から前記超小型電子素子の前記コンタクトまで延在する孔を形成するステップを含み、複数の導電性ビアを形成する前記ステップは、前記孔を電気めっきすることによって行われる、請求項２２に記載の方法。