SE515856C2 - Bärare för elektronikkomponenter - Google Patents

Bärare för elektronikkomponenter

Info

Publication number
SE515856C2
SE515856C2 SE9901831A SE9901831A SE515856C2 SE 515856 C2 SE515856 C2 SE 515856C2 SE 9901831 A SE9901831 A SE 9901831A SE 9901831 A SE9901831 A SE 9901831A SE 515856 C2 SE515856 C2 SE 515856C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
carrier
components
component
dielectric layer
spaces
Prior art date
Application number
SE9901831A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9901831L (sv
SE9901831D0 (sv
Inventor
Leif Bergstedt
Per Ligander
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9901831A priority Critical patent/SE515856C2/sv
Publication of SE9901831D0 publication Critical patent/SE9901831D0/sv
Priority to AU49685/00A priority patent/AU4968500A/en
Priority to DE60041916T priority patent/DE60041916D1/de
Priority to BR0010572-4A priority patent/BR0010572A/pt
Priority to EP00931872A priority patent/EP1186033B1/en
Priority to JP2000619030A priority patent/JP4758006B2/ja
Priority to PCT/SE2000/001008 priority patent/WO2000070679A1/en
Priority to US09/574,243 priority patent/US6690583B1/en
Publication of SE9901831L publication Critical patent/SE9901831L/sv
Publication of SE515856C2 publication Critical patent/SE515856C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807—Ceramic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731—Ceramic materials or glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Description

30 515 856 2 kan även gjutas i plast. Emellertid har dessa den gemensamma nackdelen att de leder värme dåligt.
Chipfack kan även bestå av urtag i metall.
KORTFATTAD BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN Ändamålet med föreliggande uppfinning är att tillhandahålla en bärare, företrädesvis framställd av LTCC material, som på ett mycket enkelt sätt medger montering och kylning av, i eller på bäraren anordnade elektronikkomponenter. Den viktiga fördelen med uppfinningen är att den tillåter en bärare och ett kylorgan i en och samma enhet.
Ett andra ändamål med uppfinningen är att åstadkomma ett bra jordplan huvudsakligen inbyggt i själva bäraren.
Dessa uppgifter har lösts genom att den inledningsvis nämnda bäraren består av sammanpressade lager av ett åtminstone delvis värrneledande LTCC-material (Low Temperature Cofire Ceramic) med god värmeledningsfömåga, vilken bärare förutom åstadkommande av mekaniskt stöd för komponenterna dessutom bortför av komponenterna alstrad värme, och att nämnda utrymme är en kavitet åstadkommen genom nedpressning i bäraren..
Företrädesvis består bäraren av ett material innehållande glas uppblandat med metalliska partiklar, vilket tillåter ombränning av materialet. Nämnda komponenter kan bestå av kretsar enligt industristandarden "flip-chip", vilka innefattar en första och en andra yta, vilken första yta är försedd med en eller ett flertal kontaktpunkter för anslutning till kontaktorgan, som sträcker sig ut ur nämnda utrymme. Den andra yta föres in i utrymmet och fästes medelst ett bindemedel.
För att åstadkomma en bärare med ledningsytor kan den yta av bäraren som uppbär komponenten och en del av komponenten är försett med ett dielektriskt lager, sedan förses det dielektriska lagret med en eller flera ledningsbanor, vilka anslutes till nämnda kontaktorgan.
I ett föredraget utförande framställes nämnda utrymmen genom pressning eller prägling. lO 15 20 25 30 515 856 Metoden enligt uppfinningen for framställning av en huvudsakligen värrnebortförande elektronikkomponentbärare, som består av ett LTCC-material och är försedd med utrymmen för upptagning av en eller flera elektronikkomponenter. Metoden innefattar stegen: framställande av ett lämpligt stycke av LTCC-materialet, framställande av, åtminstone på en huvudyta av stycket, åtminstone ett utrymme avsett för nämnda komponenter genom pressning eller prägling, bringande av stycket i en väsentligen fast form, påförande av bindemedel för fastsättning av komponenter, införande av nämnda komponenter i nämnda utrymmen och fixering av de medelst bindemedlet, påläggande av nämnda huvudyta och komponenter med ett dielektriskt lager, åstadkommande av ledningar på nämnda dielektriska lager och förbindande av ledningarna till kontaktorgan anslutna till nämnda komponent.
KORTFATTAD BESKRIVNING AV RITNINGARNA Uppfinningen kommer nedan att beskrivas med hänvisning till på närslutna ritningar visade utföringsexempel, i vilka: fi g. 1 visar schematiskt ett tvärsnitt genom en bärare enligt uppfinningen, och fig. 2 - 5 visar schematiskt olika steg vid framställning av bärare och montering av komponenter.
BESKRIVNING AV UTFÖRINGSEXEMPLET Bäraren 10 som visas i fig. 1 består av ett elektriskt ledande material med mycket god värmeledningsförrnåga. Mindre hänsyn är tagen till materialets dielektriska egenskap. Ett sådant material är med fördel ett LTCC material, t.ex. i form av en LTCC-tape. För att erhålla dessa egenskaper förutsättes att materialet består av, t.ex. glas uppblandat med metalliska partiklar, såsom koppar, aluminium eller liknande, där glaset väsentligen omsluter metallpartiklarna. Detta medför att bränning och ombränning av LTCC materialet på ett tillfredsställande sätt kan uppnås.
Bäraren 10 består av en första och en andra huvudyta, ll resp. 12. På åtminstone en av huvudytorna, 10 15 20 25 30 515 856 4 t.ex. den första 11 är anordnade kaviteter eller fördjupningar 13 för upptagning av komponenter 14 och 15. Varje komponent 14 och 15 uppvisar i sin tur en första och en andra huvudyta 20 resp. 21, där den första ytan 20 är försedd med kontaktpunkter 16. Komponentema kan bestå av IC-kretsar, mikro MCM, motståndsnät eller liknande.
Varje kavitet 13 är utformad så att dess utformning väsentligen motsvarar den komponent den ska mottaga. Varje kavitet består av en bottenyta 17 och sidoytor 18. Kavitetens dimension är så vald att den tätt omsluter komponenten så att en så bra kontakt som möjligt mellan kavitetens ytor och komponentens yttre åstadkommes och en optimal värmebortföring kan uppnås. Kontakten mellan ytorna kan förstärkas, tex. genom att på ytorna applicera en värmeledande pasta eller liknande av känd typ.
Komponenten är genom sin andra yta 21 fäst i kavitetens bottenyta 17 (eller annan lämplig yta), tex. medelst vidhäftningsmedel 19, såsom lim, företrädesvis med god vänneledningsforrnåga.
Vidare bör kavitetens djupt motsvara komponentens (plus vidhäftningsmedlets) tjocklek så att en plan yta mellan bärarens första huvudyta 11 och komponentens första huvudyta 20 åstadkommes. Normalt kan kavitetens djup variera mellan c:a 0,5 - 0,15 um.
Kontaktpunktema 16 kan sedan förses med kontaktorgan (ej visade), vars ena första ände anslutes till kontaktpunkten 16. Kontaktorganet kan bestå av en så kallad "bump", vilken tillåter användning av chips enligt industristandarden "flip-chip".
F igurema 2- 5 visar mycket schematiskt stegen vid framställning av kaviteter i bäraren och montering av komponenterna.
Bäraren 10, som företrädesvis består av en LTCC-tape med en lämplig tjocklek, kapas i lämpliga längder. Sedan pressas eller präglas på åtminstone en första huvudyta 11 av bäraren 10 kavitetema 13 medelst ett verktyg 22. Verktyget 22 består av en platta försedd med förhöjningar 23 (eller annat mönster) motsvarande kavitetema 13 för upptagning av komponenterna på ena ytan. På grund av 10 15 20 25 515 856 5 LTCC-materialets egenskaper flyter materialet undan under pressningen på ett sådant sätt att det bildas mycket jämna ytor under pressverktyget. Under pressningen utsättas bäraren för värme. Även andra typer av urtagning kan förekomma.
För att bäraren ska hålla formen brännes den (på ett konventionellt sätt känt i samband med bränning av LTCC-material). Om bäraren ska bestå av flera laminat fästes dessa samman i detta steg.
Efteråt appliceras vidhäftningsmedel 19 i kaviteterna 13 där komponenter skall mottagas, såsom visas i fi g. 3. Eventuellt kan annat medel, såsom pasta för värrneledning också appliceras vid detta steg.
Vidhäftningsmedlet kan även appliceras på komponenterna.
Efteråt föres komponentema 14 och 15 i motsvarande kaviteter och pressas så att dess från kavitetens bottenyta avlägsna yta 20 väsentligen upplinjeras med bärarens första huvudyta ll och bildar en plan yta, såsom visas i fig. 4.
Sedan kan ett dielektriskt lager 24 anbringas på bärarens nämnda första huvudyta ll samt över komponentema 14 och 15 efter att lämpliga kontaktorgan 25 har anslutits till komponenternas kontaktpunkter. Ledningsbanor 26 kan sedan anbringas på ett lämpligt sätt på det dielektriska lagret 24, t.ex. genom sputtring, plätering, trådbondning eller liknande.
Det dielektriska lagret 24 kan påläggas i flytande form eller som ett mjukt laminat. Kontaktorganen 25 bör ha en sådan längd att den överstiger det dielektriska lagrets tjocklek så att kontakt mellan kontaktorganen och ledningsbanor kan uppstå.
Medan vi har illustrerat och beskrivit endast ett fördraget utföringsexempel av uppfinningen, inses det att flera variationer och modifieringar inom ramen för de närslutna patentkraven kan förekomma. lO 15 515 856 HÄNVISNINGSBETECKNINGAR 10 11 13 14,15 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 Bärare Första huvudyta Andra huvudyta Kavitet Komponent Kontaktpunkt Bottenyta Sidoyta Vidhäftningsmedel Första komponent yta Andra komponent yta Verktyg Förhöjning/mönster Dielektriskt lager Kontaktorgan Ledningsbana

Claims (11)

lO 15 20 25 30 515 856 7 PATENTKRAV
1. l. Bärare (10) avsedd för en eller flera elektronikkomponenter (14, 15) och innefattande för nämnda komponenter avsedda utrymmen (13) på åtminstone en yta (1 1), kännetecknad därav, att bäraren (10) består av sammanpressade lager av ett åtminstone delvis värmeledande LTCC- material (Low Temperature Cofire Ceramic) med god värmeledningsfömåga, vilken bärare förutom åstadkommande av mekaniskt stöd för komponenterna dessutom bortför av komponentema alstrad värme, och att nämnda utrymme är en kavitet åstadkommen genom nedpressning i bäraren.
2. Bärare (10) enligt patentkrav 1, kännetecknad därav, att bäraren består av ett material innehållande glas uppblandat med metalliska partiklar.
3. Bärare (10) enligt något av patentkraven 1 eller 2, kännetecknad därav, att komponenten (14, 15) består av en krets enligt industristandarden "flip-chip".
4. Bärare (10) enligt patentkrav 3, kännetecknad därav, att komponenten (14, 15) innefattar en första (20) och en andra yta (21), vilken andra yta är försedd med en eller ett flertal kontaktpunkter för anslutning till kontaktorgan (25), som sträcker sig ut ur nämnda utrymme.
5. Bärare (10) enligt patentkrav 4, kännetecknad därav, att nämnda andra yta (21) är införd in i utrymmet (13) och fäst medelst ett bindemedel (19).
6. Bärare (10) enligt patentkrav 5, 10 15 20 25 30 515 856 kännetecknad därav, att den yta av bäraren som uppbär komponenten och en del av komponenten är försedd med ett dielektriskt lager (24).
7. Bärare (10) enligt patentkrav 6, kännetecknad därav, att det dielektriska lagret (24) är försett med en eller flera ledningsbanor (26).
8. Bärare (10) enligt patentkrav 7, kännetecknad därav, att ledningsbanoma (26) är anslutna till nämnda kontaktorgan (25).
9. Bärare (10) enligt patentkrav 2, kännetecknad därav, att nämnda utrymmen (13) är framställda genom pressning eller prägling.
10. Metod för framställning av en huvudsakligen vännebortförande elektronikkomponentbärare (10), som består av ett LTCC-material och är försedd med utrymmen för upptagning av en eller flera elektronikkomponenter, kännetecknad av stegen: - framställande av ett lämpligt stycke av LTCC-materialet, - framställande av, åtminstone på en huvudyta av stycket, åtminstone ett utrymme (13) avsett för nämnda komponenter genom pressning eller prägling, - bringande av stycket i en väsentligen fast form, - påförande av bindemedel (19) för fastsättning av komponenter, - införande av nämnda komponenter i nämnda utrymmen och fixering av de medelst bindemedlet, - påläggande av nämnda huvudyta och komponenter med ett dielektriskt lager (24), - åstadkommande av ledningar (26) på nämnda dielektriska lager och - förbindande av ledningarna till kontaktorgan (25) anslutna till nämnda komponent. 515 856
11. Metod enligt krav 10, kännetecknad av, att LTCC-materialet består av glas uppblandat med metalliska partiklar.
SE9901831A 1999-05-19 1999-05-19 Bärare för elektronikkomponenter SE515856C2 (sv)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9901831A SE515856C2 (sv) 1999-05-19 1999-05-19 Bärare för elektronikkomponenter
AU49685/00A AU4968500A (en) 1999-05-19 2000-05-18 Carrier for electronic components and a method for manufacturing a carrier
DE60041916T DE60041916D1 (de) 1999-05-19 2000-05-18 Elektonikbauteil-träger und seine herstellung
BR0010572-4A BR0010572A (pt) 1999-05-19 2000-05-18 Portador projetado para um ou diversos componentes eletrônicos, e, processo para fabricar um portador substancialmente condutor de calor para um componente eletrônico
EP00931872A EP1186033B1 (en) 1999-05-19 2000-05-18 Carrier for electronic components and a method for manufacturing a carrier
JP2000619030A JP4758006B2 (ja) 1999-05-19 2000-05-18 電子部品用のキャリア及びキャリアの製造方法
PCT/SE2000/001008 WO2000070679A1 (en) 1999-05-19 2000-05-18 Carrier for electronic components and a method for manufacturing a carrier
US09/574,243 US6690583B1 (en) 1999-05-19 2000-05-19 Carrier for electronic components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9901831A SE515856C2 (sv) 1999-05-19 1999-05-19 Bärare för elektronikkomponenter

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9901831D0 SE9901831D0 (sv) 1999-05-19
SE9901831L SE9901831L (sv) 2000-11-20
SE515856C2 true SE515856C2 (sv) 2001-10-22

Family

ID=20415669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9901831A SE515856C2 (sv) 1999-05-19 1999-05-19 Bärare för elektronikkomponenter

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6690583B1 (sv)
EP (1) EP1186033B1 (sv)
JP (1) JP4758006B2 (sv)
AU (1) AU4968500A (sv)
BR (1) BR0010572A (sv)
DE (1) DE60041916D1 (sv)
SE (1) SE515856C2 (sv)
WO (1) WO2000070679A1 (sv)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6862189B2 (en) * 2000-09-26 2005-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component, circuit device, method for manufacturing the circuit device, and semiconductor device
SE0004078L (sv) * 2000-11-06 2002-05-07 Imego Ab Metod och anordning för att förse ett substrat med kaviteter
FI119583B (sv) * 2003-02-26 2008-12-31 Imbera Electronics Oy Förfarande för tillverkning av en elektronikmodul
US7429596B2 (en) * 2003-06-20 2008-09-30 The Regents Of The University Of California 1H-pyrrolo [2,3-D] pyrimidine derivatives and methods of use thereof
US7321098B2 (en) * 2004-04-21 2008-01-22 Delphi Technologies, Inc. Laminate ceramic circuit board and process therefor
FI20041680A (sv) * 2004-04-27 2005-10-28 Imbera Electronics Oy Elektronikmodul och förfarande för tillverkning därav
WO2006068760A2 (en) 2004-11-19 2006-06-29 The Regents Of The University Of California Anti-inflammatory pyrazolopyrimidines
US7365273B2 (en) * 2004-12-03 2008-04-29 Delphi Technologies, Inc. Thermal management of surface-mount circuit devices
FR2879819B1 (fr) * 2004-12-21 2007-02-23 Ulis Soc Par Actions Simplifie Composant de detection de rayonnements electromagnetiques notamment infrarouges
US7335986B1 (en) 2005-09-14 2008-02-26 Amkor Technology, Inc. Wafer level chip scale package
KR20090017498A (ko) * 2006-04-04 2009-02-18 더 리젠트스 오브 더 유니이버시티 오브 캘리포니아 Ｐｉ３ 키나제 길항물질
KR100825766B1 (ko) * 2007-04-26 2008-04-29 한국전자통신연구원 Ｌｔｃｃ 패키지 및 그 제조방법
DE102007037538A1 (de) 2007-08-09 2009-02-12 Robert Bosch Gmbh Baugruppe sowie Herstellung einer Baugruppe
GB2467670B (en) 2007-10-04 2012-08-01 Intellikine Inc Chemical entities and therapeutic uses thereof
US8193182B2 (en) 2008-01-04 2012-06-05 Intellikine, Inc. Substituted isoquinolin-1(2H)-ones, and methods of use thereof
SG10201605472WA (en) 2008-01-04 2016-09-29 Intellikine Llc Certain Chemical Entities, Compositions And Methods
WO2009114874A2 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Intellikine, Inc. Benzothiazole kinase inhibitors and methods of use
US8637542B2 (en) 2008-03-14 2014-01-28 Intellikine, Inc. Kinase inhibitors and methods of use
KR100962369B1 (ko) * 2008-06-26 2010-06-10 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20110224223A1 (en) * 2008-07-08 2011-09-15 The Regents Of The University Of California, A California Corporation MTOR Modulators and Uses Thereof
KR20110039326A (ko) 2008-07-08 2011-04-15 인텔리카인, 인크. 키나제 억제제 및 사용 방법
EP2346508B1 (en) 2008-09-26 2016-08-24 Intellikine, LLC Heterocyclic kinase inhibitors
WO2010040398A1 (en) * 2008-10-08 2010-04-15 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Chip interconnection
WO2010045542A2 (en) 2008-10-16 2010-04-22 The Regents Of The University Of California Fused ring heteroaryl kinase inhibitors
US8476431B2 (en) * 2008-11-03 2013-07-02 Itellikine LLC Benzoxazole kinase inhibitors and methods of use
EP2427195B1 (en) 2009-05-07 2019-05-01 Intellikine, LLC Heterocyclic compounds and uses thereof
WO2011047384A2 (en) 2009-10-16 2011-04-21 The Regents Of The University Of California Methods of inhibiting ire1
WO2011146882A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Intellikine, Inc. Chemical compounds, compositions and methods for kinase modulation
US8847376B2 (en) 2010-07-23 2014-09-30 Tessera, Inc. Microelectronic elements with post-assembly planarization
CN103298474B (zh) 2010-11-10 2016-06-29 无限药品股份有限公司 杂环化合物及其用途
AR084824A1 (es) 2011-01-10 2013-06-26 Intellikine Inc Procesos para preparar isoquinolinonas y formas solidas de isoquinolinonas
CN103491962B (zh) 2011-02-23 2016-10-12 因特利凯有限责任公司 激酶抑制剂的组合及其用途
US8969363B2 (en) 2011-07-19 2015-03-03 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
CA2842190A1 (en) 2011-07-19 2013-01-24 Infinity Pharmaceuticals Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
RU2014111823A (ru) 2011-08-29 2015-10-10 Инфинити Фармасьютикалз, Инк. Гетероциклические соединения и их применения
CA2846496C (en) 2011-09-02 2020-07-14 The Regents Of The University Of California Substituted pyrazolo[3,4-d]pyrimidines and uses thereof
US8940742B2 (en) 2012-04-10 2015-01-27 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
US8828998B2 (en) 2012-06-25 2014-09-09 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Treatment of lupus, fibrotic conditions, and inflammatory myopathies and other disorders using PI3 kinase inhibitors
KR20150061651A (ko) 2012-09-26 2015-06-04 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 Ire1의 조절
US9385075B2 (en) * 2012-10-26 2016-07-05 Infineon Technologies Ag Glass carrier with embedded semiconductor device and metal layers on the top surface
US9481667B2 (en) 2013-03-15 2016-11-01 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Salts and solid forms of isoquinolinones and composition comprising and methods of using the same
WO2015051241A1 (en) 2013-10-04 2015-04-09 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
MY175778A (en) 2013-10-04 2020-07-08 Infinity Pharmaceuticals Inc Heterocyclic compounds and uses thereof
SG11201607705XA (en) 2014-03-19 2016-10-28 Infinity Pharmaceuticals Inc Heterocyclic compounds for use in the treatment of pi3k-gamma mediated disorders
WO2015160975A2 (en) 2014-04-16 2015-10-22 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Combination therapies
WO2016054491A1 (en) 2014-10-03 2016-04-07 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
JP6980649B2 (ja) 2015-09-14 2021-12-15 インフィニティー ファーマシューティカルズ， インコーポレイテッド イソキノリノン誘導体の固体形態、それを製造する方法、それを含む組成物、及びそれを使用する方法
US10759806B2 (en) 2016-03-17 2020-09-01 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Isotopologues of isoquinolinone and quinazolinone compounds and uses thereof as PI3K kinase inhibitors
WO2017214269A1 (en) 2016-06-08 2017-12-14 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Heterocyclic compounds and uses thereof
EP3474856B1 (en) 2016-06-24 2022-09-14 Infinity Pharmaceuticals, Inc. Combination therapies
US10636690B2 (en) * 2016-07-20 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Laminated top plate of a workpiece carrier in micromechanical and semiconductor processing

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6265991A (ja) * 1985-09-13 1987-03-25 株式会社東芝 高熱伝導性セラミツクス基板
JPS62224646A (ja) * 1986-03-12 1987-10-02 オリン　コ−ポレ−シヨン 複合材料とその製造方法
WO1988003087A1 (en) * 1986-10-30 1988-05-05 Olin Corporation Ceramic-glass-metal composite
US4899118A (en) * 1988-12-27 1990-02-06 Hughes Aircraft Company Low temperature cofired ceramic packages for microwave and millimeter wave gallium arsenide integrated circuits
JP3280394B2 (ja) * 1990-04-05 2002-05-13 ロックヒード マーティン コーポレーション 電子装置
JPH0541471A (ja) * 1991-08-07 1993-02-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5343363A (en) * 1992-12-21 1994-08-30 Delco Electronics Corporation Split backed pressure sensitive die carrier tape
US5831828A (en) * 1993-06-03 1998-11-03 International Business Machines Corporation Flexible circuit board and common heat spreader assembly
US5386339A (en) * 1993-07-29 1995-01-31 Hughes Aircraft Company Monolithic microelectronic circuit package including low-temperature-cofired-ceramic (LTCC) tape dielectric structure and in-situ heat sink
US5532513A (en) * 1994-07-08 1996-07-02 Johnson Matthey Electronics, Inc. Metal-ceramic composite lid
US5798909A (en) * 1995-02-15 1998-08-25 International Business Machines Corporation Single-tiered organic chip carriers for wire bond-type chips
US5661647A (en) * 1995-06-07 1997-08-26 Hughes Electronics Low temperature co-fired ceramic UHF/VHF power converters
US5708570A (en) * 1995-10-11 1998-01-13 Hughes Aircraft Company Shrinkage-matched circuit package utilizing low temperature co-fired ceramic structures
JPH09266265A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Toshiba Corp 半導体パッケージ
AU4812097A (en) * 1996-10-09 1998-05-05 Symyx Technologies, Inc. Infrared spectroscopy and imaging of libraries
US5855803A (en) * 1996-11-20 1999-01-05 Northrop Grumman Corporation Template type cavity-formation device for low temperature cofired ceramic (LTCC) sheets
AU5547698A (en) * 1997-02-11 1998-08-26 Ulf G. Bossel Fuel cell stack with solid electrolytes and their arrangement
JPH10256429A (ja) * 1997-03-07 1998-09-25 Toshiba Corp 半導体パッケージ
JPH1154665A (ja) * 1997-07-31 1999-02-26 Toshiba Corp 複合パッケージ
SE514529C2 (sv) 1998-09-21 2001-03-05 Ericsson Telefon Ab L M Metod och anordning för begravda elektronik-komponenter
US6288905B1 (en) * 1999-04-15 2001-09-11 Amerasia International Technology Inc. Contact module, as for a smart card, and method for making same

Also Published As

Publication number Publication date
BR0010572A (pt) 2002-06-04
JP2003500834A (ja) 2003-01-07
EP1186033A1 (en) 2002-03-13
US6690583B1 (en) 2004-02-10
WO2000070679B1 (en) 2001-02-08
JP4758006B2 (ja) 2011-08-24
SE9901831L (sv) 2000-11-20
EP1186033B1 (en) 2009-04-01
AU4968500A (en) 2000-12-05
SE9901831D0 (sv) 1999-05-19
DE60041916D1 (de) 2009-05-14
WO2000070679A1 (en) 2000-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE515856C2 (sv) Bärare för elektronikkomponenter
JP6506719B2 (ja) 超小型放熱器を備えたプリント回路基板の製造方法
RU2556274C2 (ru) Электронное устройство, способ его изготовления и печатная плата, содержащая электронное устройство
JP3556904B2 (ja) フルオロ複合体基板を用いたマイクロ波多機能モジュールの製造方法
US8278559B2 (en) Printed circuit board assembly
US20120064781A1 (en) Connector assembly and method of manufacture
US20030193083A1 (en) Substrate for light emitting diodes
US20110260200A1 (en) Method of fabricating non-metal led substrate and non-metal led substrate and method of fabricating led device using the non-metal led substrate and led device with the non-metal led substrate
KR101986855B1 (ko) 발광 부품용 회로와 그 제조 방법
US9596747B2 (en) Wiring substrate and electronic device
US7709744B2 (en) Gas venting component mounting pad
CN105359632B (zh) 布线基板以及电子装置
US10433414B2 (en) Manufacturing method of printing circuit board with micro-radiators
JP2013522874A (ja) カスタマイズ層を有する配線基板
CN104956781B (zh) 布线基板以及电子装置
KR20060045596A (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
CN107926114B (zh) 制作led设备的方法
US20220272837A1 (en) Circuit board and method for manufacturing circuit board
US20070236896A1 (en) Wiring board in which silver is deposited near via-conductor and method for manufacturing wiring board
JP2011199066A (ja) 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法
TWI404482B (zh) 電路板及其形成方法
JPH05251834A (ja) 配線用複合基板
JP2004055985A (ja) セラミックパッケージ及び電子装置
JP2008241594A (ja) プローブカード・アセンブリ用基板およびそれを用いたプローブカード
JP3441194B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed