JPH05251834A - 配線用複合基板 - Google Patents
配線用複合基板Info
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- JPH05251834A JPH05251834A JP4048481A JP4848192A JPH05251834A JP H05251834 A JPH05251834 A JP H05251834A JP 4048481 A JP4048481 A JP 4048481A JP 4848192 A JP4848192 A JP 4848192A JP H05251834 A JPH05251834 A JP H05251834A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成温度の異なるセラミック基板を焼き嵌め
により一体化した配線用複合基板に関し、低温焼成基板
に高温焼成基板を焼き嵌めし、搭載した高発熱部品の基
板への放熱効率を向上し、かつ基板に形成した外力が加
わり易い外部接続パッドの機械的強度を強化することを
目的とする。 【構成】 低温焼成基板１の一部領域、即ち高発熱部品
の搭載領域あるいは外部接続パッド2aの配線領域に設け
た嵌め込み孔1aに焼成済みの高温焼成基板２を嵌め込み
焼成することにより結合構成する。
により一体化した配線用複合基板に関し、低温焼成基板
に高温焼成基板を焼き嵌めし、搭載した高発熱部品の基
板への放熱効率を向上し、かつ基板に形成した外力が加
わり易い外部接続パッドの機械的強度を強化することを
目的とする。 【構成】 低温焼成基板１の一部領域、即ち高発熱部品
の搭載領域あるいは外部接続パッド2aの配線領域に設け
た嵌め込み孔1aに焼成済みの高温焼成基板２を嵌め込み
焼成することにより結合構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、焼成温度の異なるセラ
ミック基板を焼き嵌めにより一体化した配線用複合基板
に関する。
ミック基板を焼き嵌めにより一体化した配線用複合基板
に関する。
【０００２】多層配線用基板上に複数個のＬＳＩチップ
を高密度に搭載するマルチチップモジュールにおいて、
搭載した高発熱部品、例えばＬＳＩチップの基板への放
熱効率が良く、しかも基板上に形成した外力が加わり易
い外部接続パッドなどに対しクラックや剥離の生じない
機械的強度を確保することが要望されている。
を高密度に搭載するマルチチップモジュールにおいて、
搭載した高発熱部品、例えばＬＳＩチップの基板への放
熱効率が良く、しかも基板上に形成した外力が加わり易
い外部接続パッドなどに対しクラックや剥離の生じない
機械的強度を確保することが要望されている。
【０００３】
【従来の技術】従来は多層配線用基板として、アルミナ
基材のグリーンシートを積層し1500〜1600℃の高温で焼
成した高温焼成基板や、アルミナ及びフォルステライト
基材に焼成温度を下げるための硼珪酸ガラスなどを混在
したグリーンシートを積層し 800〜1000℃で焼成した低
温焼成基板を用いている。
基材のグリーンシートを積層し1500〜1600℃の高温で焼
成した高温焼成基板や、アルミナ及びフォルステライト
基材に焼成温度を下げるための硼珪酸ガラスなどを混在
したグリーンシートを積層し 800〜1000℃で焼成した低
温焼成基板を用いている。
【０００４】前者の高温焼成基板上に配線する導体は、
金属導体の中では比抵抗の高いタングステンやモリブテ
ンなどの材料を用い、後者の低温焼成基板は銅や銀など
を比抵抗の低い金属を用いている。
金属導体の中では比抵抗の高いタングステンやモリブテ
ンなどの材料を用い、後者の低温焼成基板は銅や銀など
を比抵抗の低い金属を用いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記低
温焼成基板の熱伝導度は、アルミナ基材の高温焼成基板
の20〜25Ｗ／ｍ・ｋに対し２〜 2.5Ｗ／ｍ・ｋとかなり
低いため、搭載した高発熱部品（ＬＳＩチップ）の基板
への放熱効率が悪いことと、ガラスの軟化を利用して緻
密化した基板であるため、アルミナ基材の高温焼成基板
に比べ脆弱な基板になっており、この低温焼成基板に外
部接続パッドを形成し、それに相手方端子や接続ケーブ
ルを接続したときに外力（引っ張り力）が加わり易く、
その外力により外部接続パッドにクラックや剥離が生じ
易いといった問題があった。
温焼成基板の熱伝導度は、アルミナ基材の高温焼成基板
の20〜25Ｗ／ｍ・ｋに対し２〜 2.5Ｗ／ｍ・ｋとかなり
低いため、搭載した高発熱部品（ＬＳＩチップ）の基板
への放熱効率が悪いことと、ガラスの軟化を利用して緻
密化した基板であるため、アルミナ基材の高温焼成基板
に比べ脆弱な基板になっており、この低温焼成基板に外
部接続パッドを形成し、それに相手方端子や接続ケーブ
ルを接続したときに外力（引っ張り力）が加わり易く、
その外力により外部接続パッドにクラックや剥離が生じ
易いといった問題があった。
【０００６】上記問題点に鑑み、本発明は低温焼成基板
に高温焼成基板を焼き嵌めし、搭載した高発熱部品の基
板への放熱効率を向上し、かつ基板に形成した外力が加
わり易い外部接続パッドの機械的強度を強化することの
できる配線用複合基板を提供することを目的とする。
に高温焼成基板を焼き嵌めし、搭載した高発熱部品の基
板への放熱効率を向上し、かつ基板に形成した外力が加
わり易い外部接続パッドの機械的強度を強化することの
できる配線用複合基板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の配線用複合基板においては、低温焼成基板
の一部領域、即ち高発熱部品の搭載領域あるいは外部接
続パッドの配線領域に設けた嵌め込み孔に焼成済みの高
温焼成基板を嵌め込み焼成することにより結合構成す
る。
に、本発明の配線用複合基板においては、低温焼成基板
の一部領域、即ち高発熱部品の搭載領域あるいは外部接
続パッドの配線領域に設けた嵌め込み孔に焼成済みの高
温焼成基板を嵌め込み焼成することにより結合構成す
る。
【０００８】
【作用】低温焼成基板を形成するガラスセラミックグリ
ーンシートは、アルミナの他に焼成温度を下げるための
硼珪酸ガラスで構成され焼成時に10〜20％収縮するた
め、グリーンシートの嵌め込み孔に嵌め込んだ焼成済み
の高温焼成基板を焼成時に締め付けると同時に、溶融し
たガラス分がアルミナ基材の高温焼成基板に浸透し互い
に結合し一体化することができる。しかも、アルミナ基
材の高温焼成基板は、熱伝導度が上述のように低温焼成
基板より10倍程度優れて熱接触抵抗が小さいため、搭載
したＬＳＩチップなどの高発熱部品の高温焼成基板への
放熱効率を良くすることができ、また高温焼成基板は機
械的強度が低温焼成基板に比べ大きいため、高温焼成基
板上に形成した外部接続パッドは外力（引っ張り力）に
よってクラックや剥離を生じることはない。
ーンシートは、アルミナの他に焼成温度を下げるための
硼珪酸ガラスで構成され焼成時に10〜20％収縮するた
め、グリーンシートの嵌め込み孔に嵌め込んだ焼成済み
の高温焼成基板を焼成時に締め付けると同時に、溶融し
たガラス分がアルミナ基材の高温焼成基板に浸透し互い
に結合し一体化することができる。しかも、アルミナ基
材の高温焼成基板は、熱伝導度が上述のように低温焼成
基板より10倍程度優れて熱接触抵抗が小さいため、搭載
したＬＳＩチップなどの高発熱部品の高温焼成基板への
放熱効率を良くすることができ、また高温焼成基板は機
械的強度が低温焼成基板に比べ大きいため、高温焼成基
板上に形成した外部接続パッドは外力（引っ張り力）に
よってクラックや剥離を生じることはない。
【０００９】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
の要旨を詳細に説明する。図１の組立斜視図及び図２の
分解斜視図に示すように、配線用複合基板は低温焼成基
板１の一部領域、即ち高発熱部品（ＬＳＩチップ）の搭
載領域４箇所及び外部接続パッド2aの配線領域１箇所に
嵌め込み孔1aを設け、その嵌め込み孔1aに高温焼成基板
２（図は１個を示し他の３個を省略する）を嵌め込み焼
き嵌め一体的に構成する。嵌め込み孔1aの寸法はグリー
ンシートの収縮率と高温焼成基板に生じる応力を考慮し
クラック等の生じないように設計する。
の要旨を詳細に説明する。図１の組立斜視図及び図２の
分解斜視図に示すように、配線用複合基板は低温焼成基
板１の一部領域、即ち高発熱部品（ＬＳＩチップ）の搭
載領域４箇所及び外部接続パッド2aの配線領域１箇所に
嵌め込み孔1aを設け、その嵌め込み孔1aに高温焼成基板
２（図は１個を示し他の３個を省略する）を嵌め込み焼
き嵌め一体的に構成する。嵌め込み孔1aの寸法はグリー
ンシートの収縮率と高温焼成基板に生じる応力を考慮し
クラック等の生じないように設計する。
【００１０】この配線用複合基板の高温焼成基板２はア
ルミナセラミック基板であり、低温焼成基板１はＮ層の
ガラスセラミック基板である。そして、図１に図示した
ように表面層として、高発熱部品用の高温焼成基板２、
即ち2-1 は図示しないＬＳＩチップを接合するダイボン
ディングパッド2b（斜線部分）と、その周囲の低温焼成
基板１はＬＳＩチップを接合するリードパッド1bと、外
部接続パッド形成用の高温焼成基板２、即ち2-2 には外
部接続パッド2aと、その他、図示しない所定の配線パタ
ーンとを備える。
ルミナセラミック基板であり、低温焼成基板１はＮ層の
ガラスセラミック基板である。そして、図１に図示した
ように表面層として、高発熱部品用の高温焼成基板２、
即ち2-1 は図示しないＬＳＩチップを接合するダイボン
ディングパッド2b（斜線部分）と、その周囲の低温焼成
基板１はＬＳＩチップを接合するリードパッド1bと、外
部接続パッド形成用の高温焼成基板２、即ち2-2 には外
部接続パッド2aと、その他、図示しない所定の配線パタ
ーンとを備える。
【００１１】上記配線用複合基板はつぎのようにして製
作する。即ち、所定厚さのアルミナグリーンシート（ア
ルミナ及びアクリルバインダ）を1500〜1600℃の高温で
焼成した高温焼成基板を、目的に応じた必要数（図１の
場合、高発熱部品搭載用４個、外部接続パッド形成用１
個）を別工程で製作しておく。
作する。即ち、所定厚さのアルミナグリーンシート（ア
ルミナ及びアクリルバインダ）を1500〜1600℃の高温で
焼成した高温焼成基板を、目的に応じた必要数（図１の
場合、高発熱部品搭載用４個、外部接続パッド形成用１
個）を別工程で製作しておく。
【００１２】それらの高温焼成基板を嵌め込むＮ層の低
温焼成基板は、ガラスセラミックグリーンシート（１層
の厚さは 100μｍ程度でアルミナ、フォルステライト、
硼珪酸ガラス及びアクリルバインダ）に嵌め込み孔及び
ビアホールのパンチング、つぎにビアホールへの導体ペ
ースト充填印刷・乾燥、つぎに配線パターンの導体印刷
・乾燥を順次にそれぞれに行った後、Ｎ層に位置合わせ
積層する。そのとき、嵌め込み孔はＮ層を貫通してい
る。
温焼成基板は、ガラスセラミックグリーンシート（１層
の厚さは 100μｍ程度でアルミナ、フォルステライト、
硼珪酸ガラス及びアクリルバインダ）に嵌め込み孔及び
ビアホールのパンチング、つぎにビアホールへの導体ペ
ースト充填印刷・乾燥、つぎに配線パターンの導体印刷
・乾燥を順次にそれぞれに行った後、Ｎ層に位置合わせ
積層する。そのとき、嵌め込み孔はＮ層を貫通してい
る。
【００１３】そうして、それぞれの嵌め込み孔に対応す
る高温焼成基板を嵌め込んで 800〜1000℃の低温で加熱
圧着し低温焼成基板を焼成する。その焼成のとき、低温
焼成基板は10〜20％収縮するため、ガラスセラミックグ
リーンシートのガラス分が嵌め込み孔に嵌め込んだ高温
焼成基板に溶融浸透し互いに結合一体化し配線用複合基
板が完成する。
る高温焼成基板を嵌め込んで 800〜1000℃の低温で加熱
圧着し低温焼成基板を焼成する。その焼成のとき、低温
焼成基板は10〜20％収縮するため、ガラスセラミックグ
リーンシートのガラス分が嵌め込み孔に嵌め込んだ高温
焼成基板に溶融浸透し互いに結合一体化し配線用複合基
板が完成する。
【００１４】その後、配線用複合基板は図１に示したよ
うに、表面層として高発熱部品用の高温焼成基板2-1 に
はＬＳＩチップを接合するためのダイボンディングパッ
ド2b（金導体ペースト等）を、もう一つの外部接続パッ
ド形成用の高温焼成基板2-2には外部接続パッド2a（銀
・パラジュウム導体ペースト等）を、低温焼成基板１に
はＬＳＩチップのリードを接合するためのリードパッド
1b（銀・パラジュウム導体ペースト等）とその他、所定
の配線パターン（銀・パラジュウム導体ペースト等）を
印刷・乾燥し焼成することで複合セラミック配線基板を
完成する。なお、図１に例示した外部接続パッド2aは高
温焼成基板2-2 と低温焼成基板１との間に跨がって形成
しているが、低温焼成基板１側のパッドはグリーンシー
ト積層前に内層間を接続するように形成したビアホール
に対応し接続している。
うに、表面層として高発熱部品用の高温焼成基板2-1 に
はＬＳＩチップを接合するためのダイボンディングパッ
ド2b（金導体ペースト等）を、もう一つの外部接続パッ
ド形成用の高温焼成基板2-2には外部接続パッド2a（銀
・パラジュウム導体ペースト等）を、低温焼成基板１に
はＬＳＩチップのリードを接合するためのリードパッド
1b（銀・パラジュウム導体ペースト等）とその他、所定
の配線パターン（銀・パラジュウム導体ペースト等）を
印刷・乾燥し焼成することで複合セラミック配線基板を
完成する。なお、図１に例示した外部接続パッド2aは高
温焼成基板2-2 と低温焼成基板１との間に跨がって形成
しているが、低温焼成基板１側のパッドはグリーンシー
ト積層前に内層間を接続するように形成したビアホール
に対応し接続している。
【００１５】このように、低温焼成基板を形成するガラ
スセラミックグリーンシートは焼成時に収縮するため、
嵌め込み孔に嵌め込んだ焼成済みの高温焼成基板を焼き
嵌め締め付けると同時に、溶融したガラス分が高温焼成
基板に浸透し互いに結合することで低温焼成基板と高温
焼成基板とを一体化し配線用複合基板にすることができ
る。しかも、アルミナ基材の高温焼成基板は、搭載した
ＬＳＩチップなどの高発熱部品との熱接触抵抗が小さい
ため高温焼成基板への放熱効率を良くすることができ、
また機械的強度が低温焼成基板に比べ大きいため、高温
焼成基板上に形成した外部接続パッドは外力（引っ張り
力）によりクラックが生じたり剥離したりすることはな
くなる。
スセラミックグリーンシートは焼成時に収縮するため、
嵌め込み孔に嵌め込んだ焼成済みの高温焼成基板を焼き
嵌め締め付けると同時に、溶融したガラス分が高温焼成
基板に浸透し互いに結合することで低温焼成基板と高温
焼成基板とを一体化し配線用複合基板にすることができ
る。しかも、アルミナ基材の高温焼成基板は、搭載した
ＬＳＩチップなどの高発熱部品との熱接触抵抗が小さい
ため高温焼成基板への放熱効率を良くすることができ、
また機械的強度が低温焼成基板に比べ大きいため、高温
焼成基板上に形成した外部接続パッドは外力（引っ張り
力）によりクラックが生じたり剥離したりすることはな
くなる。
【００１６】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明によれば、
配線用複合基板は低温焼成基板に焼き嵌めした熱伝導度
の大きな高温焼成基板に高発熱部品を搭載することがで
きるため、基板への放熱効率を良くすることができ、ま
た外力が加わる外部接続パッドも低温焼成基板に焼き嵌
めした機械的強度の大きな高温焼成基板に形成すること
ができるため、基板自体の脆弱性から生じるパッドのク
ラックや剥離をなくすことができ、信頼度の高い複合セ
ラミック配線基板を提供することができるといった産業
上極めて有用な効果を発揮する。
配線用複合基板は低温焼成基板に焼き嵌めした熱伝導度
の大きな高温焼成基板に高発熱部品を搭載することがで
きるため、基板への放熱効率を良くすることができ、ま
た外力が加わる外部接続パッドも低温焼成基板に焼き嵌
めした機械的強度の大きな高温焼成基板に形成すること
ができるため、基板自体の脆弱性から生じるパッドのク
ラックや剥離をなくすことができ、信頼度の高い複合セ
ラミック配線基板を提供することができるといった産業
上極めて有用な効果を発揮する。
【図１】 本発明による一実施例の組立斜視図
【図２】 図１の分解斜視図
１は低温焼成基板 ２は高温焼成基板 2aは外部接続パッド
Claims (3)
- 【請求項１】 低温焼成基板(1) の一部領域に設けた嵌
め込み孔(1a)に焼成済みの高温焼成基板(2) を嵌め込み
焼成することにより結合してなることを特徴とする配線
用複合基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の高温焼成基板(2) は高発
熱部品の搭載領域であることを特徴とする配線用複合基
板。 - 【請求項３】 請求項１記載の高温焼成基板(2) は外部
接続パッド(2a)の配線領域であることを特徴とする配線
用複合基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048481A JPH05251834A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 配線用複合基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048481A JPH05251834A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 配線用複合基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251834A true JPH05251834A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12804582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4048481A Withdrawn JPH05251834A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 配線用複合基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251834A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917197A2 (en) * | 1997-11-07 | 1999-05-19 | Nec Corporation | High-frequency integrated circuit and method for manufacturing the same |
| KR101026529B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2011-04-01 | (주)미르엠케이 | 퍼즐 ｐｃｂ |
| GB2536689A (en) * | 2015-03-26 | 2016-09-28 | Inex Microtechnology Ltd | Carrier and insert |
| WO2019167330A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 株式会社村田製作所 | 積層基板 |
| WO2021044675A1 (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 富士通インターコネクトテクノロジーズ株式会社 | 基板、基板の製造方法、及び電子機器 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4048481A patent/JPH05251834A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0917197A2 (en) * | 1997-11-07 | 1999-05-19 | Nec Corporation | High-frequency integrated circuit and method for manufacturing the same |
| EP0917197A3 (en) * | 1997-11-07 | 2000-09-20 | Nec Corporation | High-frequency integrated circuit and method for manufacturing the same |
| US6504444B1 (en) | 1997-11-07 | 2003-01-07 | Nec Corporation | High frequency integrated circuit including an isolator and dielectric filter |
| KR101026529B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2011-04-01 | (주)미르엠케이 | 퍼즐 ｐｃｂ |
| GB2536689A (en) * | 2015-03-26 | 2016-09-28 | Inex Microtechnology Ltd | Carrier and insert |
| WO2019167330A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 株式会社村田製作所 | 積層基板 |
| US11212906B2 (en) | 2018-03-01 | 2021-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated substrate |
| WO2021044675A1 (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 富士通インターコネクトテクノロジーズ株式会社 | 基板、基板の製造方法、及び電子機器 |
| JP2021040021A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 富士通インターコネクトテクノロジーズ株式会社 | 基板、基板の製造方法、及び電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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