JP6862087B2 - 配線基板、配線基板を有する半導体パッケージ、およびその製造方法 - Google Patents

配線基板、配線基板を有する半導体パッケージ、およびその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は配線基板、該配線基板を有する半導体パッケージや積層型半導体パッケージ、およびこれらの製造方法に関する。例えば、大電流で駆動されるパワーデバイス用の配線基板、該配線基板を有する半導体パッケージや積層型半導体パッケージ、ならびにこれらの製造方法に関する。
パワーデバイスは電力の変換と制御を基本機能とする半導体デバイスである。家電やＯＡ機器で用いられているインバーターや小型モーターへの応用のみならず、発電所の電力システム、電車や自動車などのモーター駆動システムなどにおける電力の変換や制御を司る重要な役割を担っている。ディスプレイなどに利用される薄膜トランジスタのような半導体デバイスと異なり、パワーデバイスは高電圧で駆動され、大電流が印加される。したがって、大電流による配線からの発熱に対する対策が検討されている。
特開２０１３−２１９２６７号公報 特開２００５−７９４６２号公報 特開２０１５−１６２５１６号公報
本発明では、大電流を印加することが可能な厚い配線層と、微細加工が可能な薄い配線層が同一層に共存する配線基板、ならびにその作製方法を提供することを目的の一つとする。あるいは、上記配線基板を含む半導体パッケージ、積層型半導体パッケージ、ならびにパワーデバイス用積層型半導体パッケージを提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態は、第１の配線上に位置し、かつビアを有する絶縁膜と、絶縁膜上の第２の配線を有する配線基板である。第２の配線は、第１の層と、第１の層を覆う第２の層を含有する積層構造を有する。第２の層はビアにて第１の配線と直接接している。第１の層と重なる領域における第２の層の厚さは、ビア内の第２の層の厚さと異なる。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。絶縁膜の上面は、ビアと第１の層の間に凹部を有していてもよい。
本発明の一実施形態は、第１の配線上に位置し、かつビアを有する絶縁膜と、絶縁膜上の第２の配線を有する配線基板である。第２の配線は、ビアにおいて第１の配線と直接接する第２の層と、第２の層上に位置し、かつ第２の層と電気的に接続された第１の層を含有する積層構造を有する。絶縁膜と重なる領域における第２の層の厚さは、ビア内の第１の層の厚さと異なる。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。
本発明の一実施形態は、端子を有する半導体デバイスと、端子上に位置し、かつビアを有する絶縁膜と、絶縁膜上の配線を有する半導体パッケージである。配線は、第１の層と、第１の層を覆う第２の層を含有する積層構造を有する。第２の層はビアで端子と直接接し、第１の層と重なる領域における第２の層の厚さは、ビア内の第２の層の厚さと異なる。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。絶縁膜の上面は、ビアと第１の層の間に凹部を有していてもよい。
本発明の一実施形態は、第１の配線上に位置し、かつ第１の端子と第２の端子を有する半導体デバイスと、第２の端子上に位置し、かつビアを有する絶縁膜と、絶縁膜上の第２の配線を有する半導体パッケージである。第２の配線は、ビアにおいて第２の端子と直接接する第２の層と、第２の層上に位置し、かつ第２の層と電気的に接続された第１の層を含有する積層構造を有する。絶縁膜と重なる領域における第２の層の厚さは、ビア内の第２の層の厚さと異なる。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。
本発明の一実施形態は、配線基板の製造方法である。該製造方法は、第１の配線上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、第１の層と第２の層を有する第２の配線層を形成することを含む。第２の配線層の形成は、絶縁膜に金属板を接合させることによって第２の層を形成し、第２の層に開口部を形成して絶縁膜を露出し、絶縁膜にビアを形成して第１の配線を露出し、第１の配線と第２の層上に位置し、かつ第１の配線と第２の層と直接接するように第１の層を電解めっき法によって形成することを含む。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。
本発明の一実施形態は、配線基板の製造方法である。該製造方法は、第１の配線上に絶縁膜を形成し、絶縁膜にビアを形成して第１の配線を露出し、絶縁膜上に、第１の層と第２の層を有する第２の配線を形成することを含む。第２の配線の形成は、第１の配線と絶縁膜上に位置し、かつ第１の配線と絶縁膜と接するように第２の層を電解めっき法によって形成し、第２の層の上に金属板を設置することによって、第２の層と電気的に接続されるように第１の層を形成することを含む。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。
本発明の一実施形態は、半導体パッケージの製造方法である。該製造方法は、第１の端子と第２の端子を有する半導体デバイスを第１の配線上に設置し、第２の端子上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、第１の層と第２の層を有する第２の配線を形成することを含む。第２の配線の形成は、絶縁膜に金属板を接合させることによって第２の層を形成し、第２の層に開口部を形成して絶縁膜を露出し、絶縁膜にビアを形成して第１の配線を露出し、第１の配線と第２の層上に位置し、かつ第１の配線と第２の層と直接接するように第１の層を電解めっき法によって形成することを含む。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、第１の層と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。絶縁膜の上面は、ビアと第１の層の間に凹部を有していてもよい。
本発明の一実施形態は、半導体パッケージの製造方法である。該製造方法は、第１の端子と第２の端子を有する半導体デバイスを第１の配線上に形成し、第２の端子上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、第１の層と第２の層を有する第２の配線を形成することを含む。第２の配線の形成は、第１の配線と絶縁膜上に位置し、かつ第１の配線と絶縁膜と接するように第２の層を電解めっき法によって形成し、第２の層の上に金属板を設置することによって、第２の層と電気的に接続されるように第１の層を形成することを含む。
上記実施形態において、ビア内の第２の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層の膜厚は、絶縁膜と重なる領域における第２の層の膜厚よりも大きくてもよい。第１の層と第２の層は銅を含んでもよい。第１の層と第２の層は、互いに導電率が異なっていてもよい。
本発明の一実施形態の配線基板とその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の配線板とその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板とその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板とその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージとその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージとその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージとその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージとその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージとその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージとその作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージの回路図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージの断面模式図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージの断面模式図。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
以下に記載する各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態の配線基板で用いる配線構造、ならびにその作製方法を図１を参照して説明する。この配線構造は図１（Ｅ）に示すように、大きな電流を流すことができる大きな膜厚を有する層（第１の層１２５）と、微細加工が可能な小さな膜厚を有する層（第２の層１３０）が積層され、互いに電気的に接続された配線（第２の配線１４０）を有している。また、膜厚の小さい第２の層１３０はビアの中にも形成されている。このような配線構造は、積層された複数の配線層や配線基板を電気的に接続するために利用することができる。
具体的には図１（Ａ）に示すように、第１の配線１００上に絶縁膜１１０を形成する。第１の配線１００は例えばガラスやプラスチックなどの絶縁基板上に形成された配線でもよく、ＩＣチップやパワーデバイスに設けられた取り出し配線やパッドでもよい。第１の配線１００は金や銅、チタン、モリブデン、アルミニウムなどの金属を含むことができる。絶縁膜１１０はアクリル樹脂やポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などの有機材料を用いることができ、スピンコート法、インクジェット法、印刷法などの湿式製膜方法を適用して形成することができる。あるいは、上記樹脂のフィルムを第１の配線１００上に設置、圧着（ラミネート加工）して形成してもよい。
次に絶縁膜１１０に金属板１２０を接合する（図１（Ａ）、（Ｂ））。金属板１２０には例えば銅や金などを用いることができる。この金属板１２０の厚さは、配線基板が要求する電流を十分に流すことができる膜厚を選択すればよい。例えば１μｍから１０ｍｍの膜厚から選択することができ、好ましくは１００μｍから３００μｍである。金属板１２０は、加熱しながら絶縁膜１１０の上から圧力をかけて接合すればよい。図１（Ａ）では、金属板１２０はハーフエッチングなどによって形成された凹部を有している。凹部を形成することで、後述する開口部を形成することが容易になるが、本実施形態はこのような形態に限られることはなく、凹部を持たない、全体が平坦な面を有する金属板１２０を使用してもよい。
次に図１（Ｃ）に示すように、エッチングなどの方法により金属板１２０に開口部を形成し、絶縁膜１１０を露出し、同時に第１の層１２５を形成する。金属板１２０が凹部を有する場合、凹部と重なる領域（凹部の反対側）からエッチングを行うことで、凹部に対応する位置に容易に開口部を開けることができる。エッチングはドライエッチング、ウエットエッチング、いずれの方法でもよい。
次に図１（Ｄ）に示すように、金属板１２０に開口部を形成することで露出した絶縁膜１１０に対し、レーザー加工、あるいはエッチングを行い、ビア１１５を形成する。これにより、第１の配線１００の表面が露出する。
この後、図１（Ｅ）に示すように、電解めっき法などによって第２の層１３０を形成する。電解めっき法は例えば電解銅めっき法、電解金メッキ法などを使用すればよく、これにより、銅や金を有する第２の層１３０が形成される。第１の層１２５と第２の層１３０が積層された構造を有する配線が第２の配線１４０である。
この際、第２の層１３０は第１の層１２５を覆い、ビア１１５を埋めるように形成される。換言すると、第１の層１２５と重なる領域における第２の層１３０の膜厚は、ビア１１５内の第２の層１３０の膜厚と異なっており、後者の方が大きい。なお、ビア１１５内に形成される第２の層１３０の膜厚が小さい場合、例えば第２の層１３０の形成後、あるいは形成前に導電ペーストなどを利用してビア１１５を埋めてもよい。導電ペーストとしては、金ペースト、銀ペーストなどを用いることができる。この後第２の層１３０をエッチングなどの方法によって加工し、必要とする回路配線を形成してもよい。
第２の層１３０の膜厚は、第１の層１２５の膜厚よりも小さくすることができる。具体的には、第１の層１２５と重なる領域における第２の層１３０の膜厚は、第１の層１２５の膜厚よりも小さい。したがって、第２の層１３０の形成時間を短くすることができ、工程の短縮が可能となる。第２の層１３０の膜厚は１μｍから５０μｍ、好ましくは１０μｍから３０μｍとすることができる。
第１の層１２５と第２の層１３０は、電気抵抗率が異なっていてもよい。あるいは、不純物の濃度が異なっていてもよい。あるいは、密度が異なっていてもよい。
なお、第２の層１３０は電解めっき法以外に、たとえばスパッタ法などで形成してもよい。
通常、パワーデバイスをパッケージする際には、パワーデバイスと外部電極との接続にワイヤーボンディングやクリップ電極を用いる方法が採用される。ディスプレイなどに利用される薄膜トランジスタのような半導体デバイスと異なり、パワーデバイスは高電圧で駆動され、大電流が印加される。ワイヤーボンディングなどの接続方法では配線を厚くすることが困難であるため、このような大電流が印加されると配線抵抗による発熱が大きな問題となる。
また、近年デバイスの高集積化、低コスト化、小型化などの要求に応えるため、チップ全体を絶縁樹脂内に埋め込み、配線層と絶縁層を層状に積層した構造を有する積層型パッケージが提案されている。このような積層型パッケージでは、異なる層間で電気的接続を達成するためにビア配線が用いられており、電解めっき法などによってビアの埋め込みと配線層の形成が同時に行われている。しかしながら、電解めっき法は大きな膜厚を有する配線を形成するには適しておらず、厚い配線層を形成するには極めて長時間が必要となり、このため製造効率が低下して製造コストが上がってしまう。
さらに、上述したようにパワーデバイスには大きな電流が印加されるため、配線からの発熱を抑制するために厚い配線層が必要となる。したがって、電解めっき法で形成した、比較的小さい膜厚を有するビア配線を用いた場合、配線抵抗に起因する発熱が極めて大きな問題となる。一方、金属板などを用いて大きな膜厚を有する配線を形成すれば、発熱を抑制することができるが、この方法ではビアを埋めることができない。また、大きな膜厚を有する配線を微細加工することは困難であり、集積度の高い配線構造を形成することができない。例えばパワーデバイスと制御ＩＣなどが混在するモジュールパッケージでは、パワーデバイス用の厚い金属配線を形成するための最小デザインルールが制御ＩＣの電極間隔よりも大きくなる。制御ＩＣの配線にはより高い集積度で配線を配置する必要があるため、パワーデバイスと制御ＩＣを同一配線でパターニングすることができない。
しかしながら本実施形態に係る配線構造では、金属板を用いて形成された大きな膜厚を有する金属層（本実施形態では第１の層１２５）と、電解めっき法などを利用して形成された小さな膜厚を有する金属層（本実施形態では第２の層１３０）がハイブリッドされている。このため、第１の層１２５を主たる導電経路として大きな電流を流すことができ、パワーデバイスを駆動することができる。一方、大きな電流は流れないものの集積度の高い配線配置が必要とされる領域には、電解めっき法などで形成された第２の層１３０を利用することができる。このため、制御ＩＣのための配線パターニングも可能である。これにより、パワーデバイスと制御ＩＣなどの異なるデザインルールが要求されるデバイスを同一の層内に配置し、同一の配線工程で接続することができる。
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる配線基板の配線構造を図２を用いて記述する。なお、第１実施形態と同じ構成に関しては記述を省略することがある。
本発明の一実施形態の配線基板で用いる配線構造は、図２（Ｄ）に示すように、大きな電流を流すことができる大きな膜厚を有する層（第１の層２３０）と、微細加工が可能な小さな膜厚を有する層（第２の層２２０）が積層され、互いに電気的に接続された配線（第２の配線２４０）を有している。また、膜厚の小さい第２の層２２０はビアの中にも形成されている。第１実施形態と同様に、このような配線構造は、積層された複数の配線層や配線基板を電気的に接続するために利用することができる。
まず、第１の配線２００上に絶縁膜２１０を形成し、絶縁膜を加工してビア２１５を形成する（図２（Ａ）、（Ｂ））。絶縁膜２１０に用いることができる材料やその製膜方法は第１実施形態に記載されたものを適用することができる。
この後、電解めっき法やスパッタ法などを用いて第２の層２２０を絶縁膜２１０上に形成する（図２（Ｃ））。電解めっき法は、第１実施形態で述べたような方法を適用することができる。この際、第２の層２２０はビア２１５を埋めるように形成される。換言すると、絶縁膜２１０と重なる領域における第２の層２２０の膜厚は、ビア２１５内の第２の層２２０の膜厚と異なっており、後者の方が大きい。なお、第１実施形態と同様に、ビア２１５内に形成される第２の層２２０の膜厚が小さい場合、例えば第２の層２２０の形成後、あるいは形成前に導電ペーストなどを利用してビア２１５を埋めてもよい。第２の層２２０の具体的な膜厚は第１実施形態のそれと同様である。
次に図２（Ｄ）に示すように、金属接着層２２５を介して金属板を第２の層２２０上に接合し、第１の層２３０を形成する。金属板には例えば銅や金などを用いることができる。第１実施形態同様、この金属板の厚さは、配線基板が要求する電流を十分に流すことができる膜厚を選択すればよく、実施形態に記載の膜厚から選択することができる。金属板は、加熱しながら金属接着層２２５の上から圧力をかけて接合すればよい。金属接着層２２５には、例えば亜鉛やスズなどの融点の比較的低い金属やその合金などを含む金属を用いることができ、さらに数％（例えば３％から１０％、あるいは５％から８％）のりんを含んでいてもよい。この後、第１の層２３０をエッチング法などを利用し、必要とする形状に加工してもよい。第１の層２３０と第２の層２２０が積層された構造を有する配線が第２の配線２４０である。
第２の層２２０の膜厚は、第１の層２３０の膜厚よりも小さくすることができる。具体的には、絶縁膜２１０と重なる領域における第２の層２２０の膜厚は、第１の層２３０の膜厚よりも小さい。したがって、第２の層２２０の形成時間を短くすることができ、工程の短縮が可能となる。
第２の層２２０と第１の層２３０は、電気抵抗率が異なっていてもよい。あるいは、不純物の濃度が異なっていてもよい。あるいは、密度が異なっていてもよい。
第１実施形態で述べたように、本実施形態の配線構造では、金属板を用いて形成された大きな膜厚を有する金属層（本実施形態では第１の層２３０）と、電解めっき法などを利用して形成された小さな膜厚を有する金属層（本実施形態では第２の層２２０）がハイブリッドされている。このため、第１の層２３０を主たる導電経路として大きな電流を流すことができ、パワーデバイスを駆動することができる。一方、大きな電流は流れないものの集積度の高い配線配置が必要とされる領域には、電解めっき法などで形成された第２の層２２０を利用することができる。このため、制御ＩＣのための配線パターニングも可能である。これにより、パワーデバイスと制御ＩＣなどの異なるデザインルールが要求されるデバイスを同一層内い形成し、また、同一の配線工程で接続することができる。
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる配線基板の配線構造を図３、４を用いて記述する。なお、第１、第２実施形態と同じ構成に関しては記述を省略することがある。
本実施形態の配線基板の配線構造と第１実施形態のそれと異なる点は、図４（Ｂ）に示すように、第１の配線３００上に形成された絶縁膜３１０が凹部を有する点である。
まず図３（Ａ）に示すように、第１の配線３００上に絶縁膜３１０を形成する。第１の配線３００や絶縁膜３１０の材料、形成方法などは第１実施形態のそれらと同様なものを用いることができる。
次に絶縁膜３１０に金属板３２０を接合する（図３（Ａ）、（Ｂ））。金属板３２０の材料や厚さは第１実施形態に記載した範囲から選択することができる。また、金属板３２０の接合方法も第１実施形態に記載した方法を採用することができる。図３（Ａ）では、金属板３２０はハーフエッチングなどによって形成された凹部を複数有している。凹部を形成することで、後述する開口部を金属板３２０に形成することが容易になるが、本実施形態はこのような形態に限られることはなく、凹部を持たない、全体が平坦な面を有する金属板３２０を使用してもよい。
次に図３（Ｃ）に示すように、エッチングなどの方法により金属板３２０に開口部を形成して絶縁膜３１０を露出し、同時に第１の層３２５を形成する。金属板３２０が凹部を有する場合、凹部と重なる領域（凹部の反対側）からエッチングを行うことで、凹部に対応する位置に容易に開口部を開けることができる。
次に図３（Ｃ）の矢印で示すように、露出した絶縁膜３１０に対し、例えば物理的な力を加える、あるいはエッチング法などを利用し、絶縁膜３１０の表面上に凹部３１２を形成する（図３（Ｄ））。凹部はレーザー照射によって形成してもよい。このような凹部３１２を形成することで、この後に絶縁膜３１０にビアを容易に形成することができる。
次に図４（Ａ）に示すように、凹部３１２が形成された絶縁膜３１０に対してエッチング法やレーザー照射などの手法を適用し、ビア３１５を形成する。これにより、第１の配線３００の表面が露出する。
次に図４（Ｂ）に示すように、電解めっき法などによって第２の層３３０を形成する。電解めっき法は、第１実施形態に記載の方法を適用すればよい。第１の層３２５と第２の層３３０が積層された構造を有する配線が第２の配線３４０である。
この際、第２の層３３０は第１の層３２５を覆い、ビア３１５を埋めるように形成される。換言すると、第１の層３２５と重なる領域における第２の層３３０の膜厚は、ビア３１５内の第２の層３３０の膜厚と異なっており、後者の方が大きい。なお、ビア３１５内に形成される第２の層３３０の膜厚が小さい場合、例えば第２の層３３０の形成後、あるいは形成前に導電ペーストなどを利用してビア３１５を埋めてもよい。この後、第２の層３３０をエッチングなどの方法によって加工し、必要とする回路配線を形成してもよい。
第２の層３３０の膜厚は、第１の層３２５の膜厚よりも小さくすることができる。具体的には、第１の層３２５と重なる領域における第２の層３３０の膜厚は、第１の層３２５の膜厚よりも小さい。したがって、第２の層３３０の形成時間を短くすることができ、工程の短縮が可能となる。第１の層３２５と第２の層３３０の具体的な膜厚は、第１実施形態で述べた膜厚から選択することができる。
第１の層３２５と第２の層３３０は、電気抵抗率が異なっていてもよい。あるいは、不純物の濃度が異なっていてもよい。あるいは、密度が異なっていてもよい。
なお、第２の層３３０は電解めっき法以外に、たとえばスパッタ法などで形成してもよい。
第１実施形態で述べたように、本実施形態の配線構造では、金属板を用いて形成された大きな膜厚を有する金属層（本実施形態では第１の層３２５）と、電解めっき法などを利用して形成された小さな膜厚を有する金属層（本実施形態では第２の層３３０）がハイブリッドされている。このため、第１の層３２５を主たる導電経路として大きな電流を流すことができ、パワーデバイスを駆動することができる。一方、大きな電流は流れないものの集積度の高い配線配置が必要とされる領域には、電解めっき法などで形成された第２の層３３０を利用することができる。このため、制御ＩＣのための配線パターニングも可能である。これにより、パワーデバイスと制御ＩＣなどの異なるデザインルールが要求されるデバイスを同一の層内に配置し、同一の配線工程で接続することができる。
（第４実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた配線構造を有する配線基板が半導体パッケージに適用された一例を図５乃至７を用いて記述する。なお、第１実施形態と同じ構成に関しては記述を省略することがある。
本実施形態の配線基板は、図６（Ｃ）や図７（Ｃ）に示すように、パワーデバイスなどの半導体デバイスの少なくとも上、あるいは下に配線を有している。そしてこの配線は、膜厚の大きな層と小さな層がハイブリッドされた構造を有している。前者は大電流を流すための経路として、後者は集積度の高い配線を形成するために用いることができる。
図５乃至７に本実施形態の半導体パッケージの作製方法を示す。まず第１の配線４００上に接着層４１０を介してパワーデバイスなどの半導体デバイス４２０を接合する。半導体デバイス４２０の上下には取り出し配線として第１の端子４２２と第２の端子４２４が設けられている。第１の配線４００は絶縁基板上に設けられた配線でもよく、あるいは層状に形成された配線、もしくはそれを接続するための配線でもよい。または、ＩＣチップやパワーデバイスに設けられた取り出し配線やパッドでもよい。接着層４１０はアクリル系接着剤などの有機系接着材料を用いることができる。あるいは、例えば亜鉛やスズなどの融点の比較的低い金属やその合金などを含む金属接着層でも良い。
次に絶縁膜４３０を第１の配線４００と半導体デバイス４２０を覆うように形成する。絶縁膜４３０の材料や作製方法は第１実施形態に記したものを採用すればよい。絶縁膜４３０により、半導体デバイス４２０が保護され、外部からの水やイオンなどの不純物の侵入を防ぐことができる。
次に図５（Ｃ）に示すように、金属板４４０を絶縁膜４３０上に接合する。金属板４４０の材料や接合方法も、第１実施形態に示したものを採用すればよい。金属板４４０に対してあらかじめハーフエッチングを行い、絶縁膜４３０と接触する面に凹部を形成してもよい。
引き続き金属板４４０をエッチングなどによって加工し、第１の層４４５を形成する（図６（Ａ））。ここでは複数の開口部が金属板４４０に形成されて絶縁膜４３０が露出している。
次に図６（Ｂ）に示すように、半導体デバイス４２０の第２の端子４２２上の絶縁膜４３０に対してエッチング、あるいはレーザー照射を行い、開口部で露出した領域を除去し、第２の端子４２２を露出させる。これにより、第２の端子４２２上に複数のビア４３２が形成される。なお絶縁膜４３０の加工前に、その表面に対して物理的な力を加える、あるいはレーザー照射を行って凹部を形成してもよい。
この後、図６（Ｃ）に示すように、第１の層４４５を覆い、ビア４３２を埋めるように、解めっき法などによって第２の層４５０を形成する。電解めっき法は第１実施形態で示したような方法を適用すればよい。第１の層４４５と第２の層４５０が積層された構造を有する配線が第２の配線４６０である。第１の層４４５、ならびに第２の層４５０の膜厚に関する特徴は、第１実施形態と同様である。
以上の工程を経ることで、半導体デバイス４２０上に、積層構造を有する配線（第１の層４４５、第２の層４５０）を形成することができる。半導体デバイス４２０を駆動するための大電流は主に第１の層４４５を経由して与えられ、集積度の高い配線は第２の層４５０を用いて形成される。
図７に、半導体デバイス４２０の下側に、積層構造を有する配線をさらに形成する方法を示す。図７（Ａ）は、積層された配線（第２の配線４６０）が半導体デバイス４２０の上側に形成された段階を示している。まずエッチングなどの方法により第１の配線４００、および接着層４１０にビア４３４を形成し、第１の端子４２２を露出する（図７（Ｂ））。ここでは複数のビア４３４が形成されている。これにより、第３の層４７０が形成される。ビア４３４の形成は、第１の配線４００と接着層４１０を同時に加工して一段階で行ってもよい。あるいは最初に第１の配線４００に対してエッチングなどによって開口部を形成し、次の段階において、例えば異なる条件、あるいは手法を用いて接着層４１０を加工してビア４３４を形成してもよい。
この後電解めっき法などによって、第３の層４７０を覆い、ビア４３４を埋めるように第４の層４８０を形成する。第３の層４７０と第４の層４８０が積層された構造を有する配線が第３の配線４９０である。第４の層４８０の膜厚、および第１の配線４００と第４の層４８０の膜厚に関する特徴は、第１実施形態と同様である。
以上の工程を経ることで、積層構造を有する配線（第３の層４７０、第４の層４８０）を半導体デバイス４２０の下に形成することができる。半導体デバイス４２０を駆動するための大電流は主に第３の層４７０を経由して与えられ、集積度の高い配線は第４の層４８０を用いて形成される。本実施形態の製造方法を用いることにより、大電流用の配線と小電流用の配線が同一層に共存した半導体パッケージを製造することができる。
（第５実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態で述べた配線構造を有する配線基板が半導体パッケージに適用された一例を図８乃至１０を用いて記述する。なお、第１、第２実施形態と同じ構成に関しては記述を省略することがある。
本実施形態の配線基板は、図９（Ｂ）や図１０（Ｂ）に示すように、パワーデバイスなどの半導体デバイスの少なくとも上、あるいは下に配線を有している。そしてこの配線は、膜厚の大きな層と小さな層がハイブリッドされた構造を有している。前者は大電流を流すための経路として、後者は集積度の高い配線を形成するために用いることができる。
図８乃至１１に本実施形態の半導体パッケージの作製方法を示す。まず第１の配線５００上に接着層５１０を介してパワーデバイスなどの半導体デバイス５２０を接合する（図８（Ａ））。半導体デバイス５２０の上下には取り出し配線として第１の端子５２２と第２の端子５２４が設けられている。第１の配線５００は絶縁基板上に設けられた配線でもよく、あるいは層状に形成された配線、もしくはそれを接続するための配線でもよい。または、ＩＣチップやパワーデバイスに設けられた取り出し配線やパッドでもよい。接着層５１０はアクリル系接着剤などの有機系接着材料を用いることができる。あるいは、例えば亜鉛やスズなどの融点の比較的低い金属やその合金などを含む金属接着層でも良い。
次に絶縁膜５３０を第１の配線５００と半導体デバイス５２０を覆うように形成する（図８（Ｂ））。絶縁膜５３０の材料や作製方法は第１実施形態に記したものを採用すればよい。絶縁膜５３０により、半導体デバイス５２０が保護され、外部からの水やイオンなどの不純物の侵入を防ぐことができる。
次に図８（Ｃ）に示すように、絶縁膜５３０にビア５３２を形成し、第２の端子５２４を露出する。ここでは複数のビア５３２が形成されている。ビア５３２の形成は、エッチングやレーザー照射などによって行うことができる。
この後、第１実施形態で述べたような電解めっき法、あるいはスパッタ法などを用い、ビア５３２を埋めるように、第２の層５４０を絶縁膜５３０上に形成する（図９（Ａ））。
次に図９（Ｂ）に示すように、金属接着層５５０を介して金属板を第２の層５４０上に接合し、第１の層５６０を形成する。金属板や金属接着層５５０は、第２実施形態で示したものと同様のものを使用し、同様の手法で接合すればよい。第１の層５６０と第２の層５４０の膜厚に関する特徴も、第２実施形態と同様である。この後、第１の層５６０をエッチング法などを利用し、必要とする形状に加工してもよい。第１の層５６０と第２の層５４０が積層された構造を有する配線が第２の配線５７０である。
以上の工程を経ることで、半導体デバイス４２０上に、積層構造を有する配線（第１の層５６０、第２の層５４０）を形成することができる。半導体デバイス４２０を駆動するための大電流は主に第１の層５６０を経由して与えられ、集積度の高い配線は第２の層５４０を用いて形成される。
図１０に、半導体デバイス５２０の下側に、第１実施形態で示した積層構造を有する配線をさらに形成する方法を示す。まずエッチングなどの方法により第１の配線５００、および接着層５１０にビア５３４を形成し、第１の端子５２２を露出する（図７（Ａ））。ここでは複数のビア５３４が形成されている。これにより、第３の層５８０が形成される。ビア５３４の形成は、第１の配線５００と接着層５１０を同時に加工して一段階で行ってもよい。あるいは最初に第１の配線５００に対してエッチングなどによって開口部を形成し、次の段階において、例えば異なる条件、あるいは手法を用いて接着層５１０を加工してビア５３４を形成してもよい。
この後電解めっき法などによって、第３の層５８０を覆い、ビア５３４を埋めるように第４の層５８５を形成する。第３の層５８０と第４の層５８５が積層された構造を有する配線が第３の配線５９０である。第３の層５８０と第４の層５８５の膜厚に関する特徴は、第１実施形態と同様である。この後、第４の層５８５を適宜加工し、例えば集積度の高い回路配線を形成してもよい。
以上の工程を経ることで、積層構造を有する配線（第３の層５８０、第４の層５８５）を半導体デバイス５２０の下に形成することができる。半導体デバイス５２０を駆動するための大電流は主に第３の層５８０を経由して与えられ、集積度の高い配線は第４の層５８５を用いて形成される。本実施形態の製造方法を用いることにより、大電流用の配線と小電流用の配線が同一層に共存した半導体パッケージを製造することができる。
（第６実施形態）
本実施形態では、大電流用の配線と小電流用の配線が同一層に共存し、かつ、小電力で駆動される半導体デバイスと大電流が印加されるパワーデバイスが同一層に共存した半導体パッケージに関し、図１１、１２を用いて述べる。
図１１は本実施形態で示す半導体パッケージの回路図である。参照番号６００は制御ＩＣであり、二つのパワーデバイス６１０と６２０を制御する。パワーデバイス６１０と６２０はトランジスタの構造を有しており、互いのドレインが電気的に接続されている。制御ＩＣ６００は比較的小電流で駆動されるデバイスであり、これに対してパワーデバイス６１０と６２０は大きな電流で駆動されるデバイスである。したがって、制御ＩＣ６００に接続される配線は厚さの小さい配線が好ましく、一方、パワーデバイス６１０と６２０には厚さの大きい配線が接続される。
図１２は図１１で示した配線基板の断面構造の一例である。本実施形態の配線基板は、第１の配線６３０、６３２、６３４を有している。第１の配線６３０上には、接着層６４０を介して制御ＩＣ６００が固定される。接着層６４０としては第４実施形態で示したものと同様のものを使用することができる。
パワーデバイス６１０には第１の端子６１２と第２の端子６１４が形成されており、同様にパワーデバイス６２０には第１の端子６２２と第２の端子６２４が形成されている。パワーデバイス６１０は第１の配線６３２上に例えば金属接着層６５０を用いて固定され、第１の配線６３２と電気的に接続されている。同様にパワーデバイス６２０は第１の配線６３４上に例えば金属接着層６５０を用いて固定され、第１の配線６３４と電気的に接続されている。
制御ＩＣ６００、パワーデバイス６１０、６２０を埋めるように絶縁膜６６０が設けられており、制御ＩＣ６００の端子６０２、パワーデバイス６１０、６２０の第２の端子６１４、６２４を覆っている。この絶縁膜６６０は第１実施形態の絶縁膜１１０と同様の構成を持つことができる。
パワーデバイス６１０、６２０上には絶縁膜６６０を介して大きな膜厚を有する第１の層６７０が設けられている。第１の層６７０は第１実施形態の第１の層１２５と同様の構成を有することができ、同様の方法で形成することができる。この第１の層６７０はパワーデバイス６１０、６２０に大電流を供給するための主な配線経路として機能する。
第１の層６７０、絶縁膜６６０には制御ＩＣ６００の端子６０２、パワーデバイス６１０、６２０の第２の端子６１４、６２４、および第１の配線６３２、６３４を露出するビアが設けられており、このビアを埋めるように、電解めっき法などによって第２の層６８０が第１の層６７０の上に形成されている。第２の層６８０は第１実施形態の第２の層１３０と同様の構成を持つことができ、同様の手法によって形成することができる。なお図１２では、第２の層６８０はさらにパターニングが施されており、例えば制御ＩＣからの信号を供給するためにも利用される。第１の層６７０と第２の層６８０が積層された配線が第２の配線６９０である。
第２の層６８０上には絶縁膜６６５を介してさらに上部配線６９５が積層されている。この上部配線６９５は第２の層６８０と同様の方法で形成することができる。
このように、本実施形態の半導体パッケージは、大電流用の配線（第１の層６７０）と小電流用の配線（第２の層６８０）が同一層に共存した構造を有しており、パワーデバイスと制御ＩＣなどの異なるデザインルールが要求されるデバイスを同一層に設置し、同一の配線工程で接続することができる。
（第７実施形態）
本実施形態では、大電流用の配線と小電流用の配線が同一層に共存し、かつ、小電力で駆動される半導体デバイスと大電流が印加されるパワーデバイスが同一層に共存した半導体パッケージに関し、図１１、１３を用いて述べる。なお、本実施形態は、第２の配線構造が第６実施形態と異なる。第６実施形態と異なる構成を主に説明し、同様の構成の説明は省略することがある。
図１１は本実施形態で示す半導体パッケージの回路図であり、第６実施形態と同様である。図１３は図１１で示した配線基板の断面構造の一例である。絶縁膜６６０には制御ＩＣの端子６０２、パワーデバイス６１０の第２の端子６１４、パワーデバイス６２０の第２の端子６２４、および第１の配線６３２、６３４に達するビアが設けられ、これらのビアを埋めるように第２の層７００が形成されている。第２の層７００は第２実施形態の第２の層２２０と同様の材料、手法を用いて形成することができる。
第２の層７００のうち、パワーデバイス６１０、６２０と重なる領域上には金属接着層７１０を介して大きな膜厚を有する第１の層７２０が設けられている。第１の層７２０は第１実施形態の第１の層１２５と同様の構成を有することができ、同様の方法で形成することができる。第１の層７２０と第２の層７００の積層が第２の配線７３０であり、第２実施形態の第２の配線２４０に対応する。第１の層７２０はパワーデバイス６１０、６２０に大電流を供給するための主な配線経路として機能し、第２の層７００は集積度の高い配線の形成に用いられ、例えば制御ＩＣからの信号を供給するために利用される。
第１の層７２０上には絶縁膜７４０を介してさらに上部配線７５０が積層されている。この上部配線７５０は第２の層７００と同様の方法で形成することができる。
このように、本実施形態の配線基板は、大電流用の配線（第１の層７２０）と小電流用の配線（第２の層７００）が同一層に共存した構造を有しており、パワーデバイスと制御ＩＣなどの異なるデザインルールが要求されるデバイスを同一層に設置し、同一の配線工程で接続することができる。
１００：第１の配線、１１０：絶縁膜、１１５：ビア、１２０：金属板、１２５：第１の層、１３０：第２の層、１４０：第２の配線、２００：：第１の配線、２１０：絶縁膜、２１５：ビア、２２０：第２の層、２２５：金属接着層、２３０：第１の層、２４０：第２の配線、３００：第１の配線、３１０：絶縁膜、３１２：凹部、３１５、ビア、３２０：金属板、３３０：第２の層、３４０：第２の配線、４００：第１の配線、４１０：接着層、４２０：半導体デバイス、４２２：第１の端子、４２４：第２の端子、４３０：絶縁膜、４３２：ビア、４３４：ビア、４４０：金属板、４４５：第１の層、４５０：第２の層、４６０：第２の配線、４７０：第３の層、４８０：第４の層、４９０：第３の配線、５００：第１の配線、５１０：接着層、５２０：半導体デバイス、５２２：第１の端子、５２４：第２の端子、５３０：絶縁膜、５３２：ビア、５３４：ビア、５４０：第２の層、５５０：金属接着層、５６０：第１の層、５７０：第２の配線、５８０：第３の層、５８５：第４の層、５９０：第３の配線、６００：制御ＩＣ、６０２：端子、６１０：パワーデバイス、６１２：第１の端子、６１４：第２の端子、６２０：パワーデバイス、６２２：第１の端子、６２４：第２の端子、６３０：第１の配線、６４０：接着層、６５０：金属接着層、６６０：絶縁膜、６６５：絶縁膜、６７０：第１の層、６８０：第２の層、６９０：第２の配線、６９５：上部配線、７００：第２の層、７１０：金属接着層、７２０：第１の層、７３０：第２の配線、７４０：絶縁膜、７５０：上部配線

Claims (35)

  1. 第１の端子と第２の端子と、
    前記第１の端子と前記第２の端子を覆う絶縁膜と、
    前記絶縁膜と前記第２の端子の上に位置し、前記第１の端子上に位置しない第１の層と、
    前記第１の層に形成され、前記第２の端子と重なる開口部と、
    前記絶縁膜を貫通し、前記第１の端子の少なくとも一部を露出する第１のビアと、
    前記開口部から前記絶縁膜を貫通して延伸し、前記第２の端子の少なくとも一部を露出する第２のビアと、
    前記第１のビア内に位置する第１の部分、および前記第１の層上に位置し前記開口部と前記第２のビア内に位置する第２の部分を有する第２の層を備え、
    前記第２の層の前記第１の部分は第１の導電経路を形成し、
    前記第２の層の前記第２の部分と前記第１の層は第２の導電経路を形成し、
    前記第１の導電経路は前記第１の層を含まない、配線基板。
  2. 前記第２の層の前記第２の部分は、前記第１の層の上面と重なり、
    前記第２の層の前記第２の部分は、前記第１の層の前記上面上における第１の厚さ、および前記第２のビア内における第２の厚さを有し、
    前記第１の厚さは前記第２の厚さよりも小さい、請求項１に記載の配線基板。
  3. 前記第１の層は第３の厚さを有し、
    前記第１の厚さは前記第３の厚さよりも小さい、請求項２に記載の配線基板。
  4. 前記第１の層は、パターニングされた金属板を有する、請求項１に記載の配線基板。
  5. 前記絶縁膜の上面は、前記第２のビアと前記第１の層の間に凹部を有する、請求項１に記載の配線基板。
  6. 前記開口部は第１の深さを有し、
    前記第２のビアは、前記第１の深さと異なる第２の深さを有する、請求項１に記載の配線基板。
  7. 前記第１の層は、前記開口部を定義する側面を有し、
    前記側面は、第１の傾斜を有する第１部分を有し、
    前記側面は、前記第１部分と接続され、第２の傾斜を有する第２部分を有する、請求項１に記載の配線基板。
  8. 前記第１の層と前記第２の層は、互いに導電率が異なる、請求項１に記載の配線基板。
  9. 前記第１の層と前記第２の層が銅を含む、請求項１に記載の配線基板。
  10. 第１の端子と第２の端子を有する半導体デバイスと、
    前記第１の端子と前記第２の端子を覆う絶縁膜と、
    前記絶縁膜と前記第２の端子の上に位置し、前記第１の端子上に位置せず、前記第２の端子と重なる複数の開口部を有する第１の層と、
    前記絶縁膜を貫通し、前記第１の端子を露出する第１のビアと、
    前記複数の開口部から前記絶縁膜を貫通して延伸し、前記第２の端子を露出する複数の第２のビアと、
    前記第１のビア内に位置する第１の部分、および前記第１の層上に位置し前記複数の開口部と前記複数の第２のビア内に位置する第２の部分を有する第２の層を備え、
    前記第２の層の前記第１の部分は、前記半導体デバイスに対して小電流導電経路を形成し、
    前記第２の層の前記第２の部分と前記第１の層は、前記半導体デバイスに対して大電流導電経路を形成する、半導体パッケージ。
  11. 前記第２の層の前記第２の部分は、前記第１の層の上面と重なり、
    前記第２の層の前記第２の部分は、前記第１の層の前記上面上における第１の厚さ、および前記第２のビア内における第２の厚さを有し、
    前記第１の厚さは前記第２の厚さよりも小さい、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  12. 前記第１のビアは、横方向において、前記第１の層の最近接端から離隔する、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  13. 前記第１の層は、前記絶縁膜に固定された金属板を含む、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  14. 前記絶縁膜の上面は、前記複数の第２のビアの各々と対応する前記開口部との間に凹部を有する、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  15. 前記複数の開口部はそれぞれ第１の幅を有し、
    前記複数の第２のビアはそれぞれ、前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  16. 前記第２の層の前記第２の部分は、前記第１の層の側面と重なる、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  17. 前記第１の層と前記第２の層が銅を含む、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  18. 前記第１の層と前記第２の層は、互いに導電率が異なる、請求項１０に記載の半導体パッケージ。
  19. 第１の端子と第２の端子を準備し、
    前記第１の端子と前記第２の端子を覆うように絶縁膜を形成し、
    前記第２の端子上に位置し、前記第１の端子上に位置せず、前記第２の端子上において前記絶縁膜を露出する開口部を有する第１の層を形成し、
    前記絶縁膜を貫通し、前記第１の端子の少なくとも一部を露出する第１のビアを形成し、
    前記開口部から延伸し、前記絶縁膜を貫通し、前記第２の端子の少なくとも一部を露出する第２のビアを形成し、
    前記第１のビア内に位置する第１の部分、および前記第１の層上に位置し前記開口部と前記第２のビア内に位置する第２の部分を有する第２の層を形成することを含み、
    前記第２の層の前記第１の部分は第１の導電経路を形成し、
    前記第２の層の前記第２の部分と前記第１の層は第２の導電経路を形成し、
    前記第１の導電経路は前記第１の層を含まない、配線基板の製造方法。
  20. 第１の端子と第２の端子を準備し、
    前記第１の端子と前記第２の端子を覆うように絶縁膜を形成し、
    前記絶縁膜を形成した後に、第１の層と第２の層を備える配線を前記絶縁膜の上に形成することを含み、
    前記配線の前記形成は、
    前記絶縁膜に金属板を接合することで前記第１の層を形成し、
    前記絶縁膜を露出する開口部を前記金属板に形成し、
    前記金属板の前記開口部を介して前記第１の端子と第２の端子を露出するビアを前記絶縁膜に形成し、
    前記第１の端子、第２の端子、および前記第１の層の上に、前記第１の端子、第２の端子、および前記第１の層と接する前記第２の層を電解めっき法によって形成することを含む、配線基板の製造方法。
  21. 前記第２のビア内における前記第２の層の前記第２の部分の膜厚は、前記第１の層と重なる領域における前記第２の層の前記第２の部分の膜厚よりも大きい、請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
  22. 前記第１の層の膜厚は、前記第１の層と重なる領域における前記第２の層の前記第２の部分の膜厚よりも大きい、請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
  23. 前記第１の層の前記形成は、
    前記絶縁膜に金属板を接合し、
    前記金属板が前記第２の端子と重なり、前記第１の端子と重ならず、前記開口部を与えるように、前記金属板を部分的に除去することを含む、請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
  24. 前記金属板は凹部を有し、
    前記ビアは前記凹部上に位置する、請求項２０に記載の配線基板の製造方法。
  25. 前記第１の層と前記第２の層が銅を含む、請求項１９または２０に記載の配線基板の製造方法。
  26. 前記第１の層と前記第２の層は、互いに導電率が異なる、請求項１９または２０に記載の配線基板の製造方法。
  27. 第１の端子と第２の端子を有する半導体デバイスを第１の配線上に設置し、
    前記第１の配線、前記半導体デバイス、および前記第２の端子上に絶縁膜を形成し、
    前記絶縁膜上に、第１の層と第２の層を有する第２の配線を形成することを含み、
    前記第２の配線の形成は、
    前記絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜に金属板を接合させ、
    前記金属板の第１の部分が前記第１の配線の上に位置し、前記金属板の第２の部分が前記第２の端子の上に位置するように、かつ、前記金属板の前記第１の部分に前記第１の配線上に位置する第１の開口部を与え、前記金属板の前記第２の部分に前記第２の端子上に位置する第２の開口部を与えるように前記金属板の一部を除去することで前記第１の層を形成し、
    前記第１の開口部を介し、前記第１の配線を露出する第１のビアを前記絶縁膜に形成し、
    前記第２の開口部を介し、前記第２の端子を露出する第２のビアを前記絶縁膜に形成し、
    前記第２の層の第１の部分が前記第１のビアを介して前記第１の配線と接続され、前記第２の層の第２の部分が前記第２のビアを介して前記第２の端子と接続されるように、前記第２の層を電解めっき法で形成することを含み、
    前記第２の層の前記第１の部分は、前記第１の配線を介して前記第１の端子に電気的に接続される、半導体パッケージの製造方法。
  28. 前記半導体デバイスは第３の端子を有し、
    前記絶縁膜は、前記第３の端子の上に形成され、
    前記金属板の前記一部の除去は、前記金属板が前記第３の端子と重ならないように行われ、
    前記製造方法はさらに、前記第３の端子を露出するように前記絶縁膜を貫通する第３のビアを形成することを含み、
    前記第２の層の形成は、前記第３のビアを介して前記第３の端子と接続される第３の部分を前記第２の層に形成することを含み、
    前記第２の層の前記第２の部分と前記金属板の前記第２の部分は第１の導電経路として構成され、
    前記第２の層の前記第３の部分は、第２の導電経路として構成され、
    前記第２の導電経路は、前記金属板を含まない、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
  29. 前記第２のビア内における前記第２の層の前記第２の部分の膜厚は、前記金属板の前記第２の部分と重なる領域における前記第２の層の前記第２の部分の膜厚よりも大きい、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
  30. 前記第１の層の膜厚は、前記第１の層と重なる領域における前記第２の層の膜厚よりも大きい、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
  31. 前記絶縁膜の上面が、前記第２のビアと前記第１の層の間に凹部を有する、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
  32. 前記第１のビア内の前記第２の層の膜厚は、前記絶縁膜と重なる領域における前記第２の層の膜厚よりも大きい、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
  33. 前記第２の層の前記第１の部分は、前記第１のビアを充填し、前記第１のビアにおいて前記絶縁膜と直接接する、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
  34. 前記第１の層と前記第２の層が銅を含む、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
  35. 前記第１の層と前記第２の層は、互いに導電率が異なる、請求項２７に記載の半導体パッケージの製造方法。
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