JP2012151493A - 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 - Google Patents
露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012151493A JP2012151493A JP2012066139A JP2012066139A JP2012151493A JP 2012151493 A JP2012151493 A JP 2012151493A JP 2012066139 A JP2012066139 A JP 2012066139A JP 2012066139 A JP2012066139 A JP 2012066139A JP 2012151493 A JP2012151493 A JP 2012151493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- exposure apparatus
- region
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Abstract
【解決手段】露光装置は、投影光学系と液体とを介してパターン像を基板上に投影することによって基板を露光するものであって、投影光学系と基板との間へ液体を供給する液体供給機構を備えている。液体供給機構は、異常が検出されたときに液体の供給を停止する。
【選択図】図1
Description
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
パターン像を基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
投影光学系(PL)と基板(P)との間へ液体(1)を供給する液体供給機構(10)とを備え;
液体供給機構(10)は、異常が検出されたときに液体(1)の供給を停止する露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
電気機器(47、48)とを備え;
液体(1)の付着に起因する漏電を防止するために、異常が検出されたときに、電気機器(47、48)への電力供給を停止する露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
吸引系(25)に流通する吸気口(42A、66)とを備え;
液体(1)の流入を防止するために、異常が検出されたときに、吸気口(42A、66)からの吸気を停止する露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
吸引系(25、70、74)に流通された吸引口(21、61、66)と;
吸引口(21、61、66)から吸い込まれた液体(1)と気体とを分離する分離器(22、71、75)と;
分離器(22、71、75)によって分離された気体を乾燥させる乾燥器(23、72、76)とを備えた露光装置(EX)が提供される。
基板(P)を保持して移動可能な基板ステージ(PST)であって、その上に第1領域(LA1)を有する基板ステージ(PST)と;
基板(P)に液体(1)を介してパターン像を投影する投影光学系(PL)であって、像面側先端部(2a)を含み、第1領域(LA1)と対向して第1領域(LA1)の少なくとも一部との間に液体(1)を保持する第2領域(LA2)を有する投影光学系(PL)と;
第1領域(LA1)と第2領域(LA2)との位置関係に応じて、基板ステージ(PST)の移動を制限する制御装置(CONT)を備える露光装置(EX)が提供される。
基板(P)上に液体(1)を介してパターン像を投影する投影光学系(PL)と;
基板(P)を保持して移動可能な基板ステージ(PST)と;
基板ステージ(PST)を移動可能に支持するベース部材(41)と;
基板ステージ(PST)に設けられ、液体(1)を検知する第1検出器(80C)と;
ベース部材(41)に設けられ、液体(1)を検知する第2検出器(80D)と;
第1検出器(80C)と第2検出器(80D)との検出結果に応じて、露光装置の動作を制御する制御装置(CONT)とを備える露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
投影光学系(PL)と基板(P)との間へ液体(1)を供給する液体供給機構(10)と;
基板(P)を保持して移動可能な基板ステージ(PST)と;
液体供給機構(10)が液体(1)を供給している間は、基板ステージ(PST)の移動範囲を第1の範囲(SR1)に制限し、液体供給機構(10)が液体(1)の供給を停止している間は、基板ステージ(PST)の移動範囲を第1の範囲(SR1)より広い第2の範囲(SR2)に制限する制御装置(CONT)とを備えた露光装置(EX)が提供される。
パターン像を基板(P)上に投影する投影光学系と(PL)と;
投影光学系(PL)の像面側に液体(1)を供給する液体供給機構(10)と;
投影光学系(PL)の像面側で移動可能なステージ(PST)と;
ステージ(PST)の移動範囲を制御する制御装置(CONT)とを備え;
その制御装置(CONT)が、投影光学系(PL)とステージ(PST)との間に液体(1)が保持されているときのステージ(PST)の移動範囲を、投影光学系(PL)とステージ(PST)との間に液体(1)を保持されていないときのステージ(PST)の移動範囲より狭い範囲に制限する露光装置(EX)が提供される。
投影光学系(PL)の像面側へ液体(1)を供給することと;
前記コンポーネント及び外部関連装置の少なくとも一つから異常を知らせる信号信号を受信することと;
前記信号に基づいて、液体供給機構(10)、電気エネルギーを駆動力とする機器(47、48)及び気体を吸引する機能を有する機器(42、PH)の少なくとも一種の動作を制限することを含む露光装置(EX)の制御方法が提供される。
図1は本発明の露光装置の第1実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。制御装置CONTには、露光処理に関して異常が生じたときに警報を発する警報装置Kが接続されている。更に、露光装置EXは、マスクステージMST及び投影光学系PLを支持するメインコラム3を備えている。メインコラム3は、床面に水平に載置されたベースプレート4上に設置されている。メインコラム3には、内側に向けて突出する上側段部3A及び下側段部3Bが形成されている。なお、制御装置は、図23に示したように、露光装置を構成する種々のコンポーネント及び露光装置の外部の関連装置と接続されており、制御装置の制御内容は後述する。
また、プレート部材2Pの下面に、光学素子2同様、表面処理(親液化処理)を施すことができる。
また、供給管15のうち流量計12と供給ノズル14との間には、供給管15の流路を開閉するバルブ13が設けられている。バルブ13の開閉動作は制御装置CONTにより制御されるようになっている。なお、本実施形態におけるバルブ13は、例えば停電等により露光装置EX(制御装置CONT)の駆動源(電源)が停止した場合に供給管15の流路を機械的に閉塞する所謂ノーマルオフ方式(ノーマルクローズ方式)となっている。
つまり、矢印Xa(図4参照)で示す走査方向(−X方向)に基板Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管15、供給ノズル14A〜14C、回収管24、及び回収ノズル21A、21Bを用いて、液体供給機構10及び液体回収機構20による液体1の供給及び回収が行われる。すなわち、基板Pが−X方向に移動する際には、供給ノズル14(14A〜14C)より液体1が投影光学系PLと基板Pとの間に供給されるとともに、回収ノズル21(21A、21B)より基板P上の液体1がその周囲の気体とともに回収され、投影光学系PLの先端部の光学素子2と基板Pとの間を満たすように−X方向に液体1が流れる。一方、矢印Xb(図4参照)で示す走査方向(+X方向)に基板Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管15’、供給ノズル14A’〜14C’、回収管24’、及び回収ノズル21A’、21B’を用いて、液体供給機構10及び液体回収機構20による液体1の供給及び回収が行われる。すなわち、基板Pが+X方向に移動する際には、供給ノズル14’(14A’〜14C’)より液体1が投影光学系PLと基板Pとの間に供給されるとともに、回収ノズル21’(21A’、21B’)より基板P上の液体1がその周囲の気体ともに回収され、投影光学系PLの先端部の光学素子2と基板Pとの間を満たすように+X方向に液体1が流れる。この場合、例えば供給ノズル14を介して供給される液体1は基板Pの−X方向への移動に伴って光学素子2と基板Pとの間に引き込まれるようにして流れるので、液体供給機構10(液体供給部11)の供給エネルギーが小さくても液体1を光学素子2と基板Pとの間に容易に供給できる。そして、走査方向に応じて液体1を流す方向を切り替えることにより、+X方向、又は−X方向のどちらの方向に基板Pを走査する場合にも、光学素子2と基板Pとの間を液体1で満たすことができ、高い解像度及び広い焦点深度で露光を行うことができる。
これにより、その吸気口42Aに接続する真空系に対して液体1が流入することを防止でき、液体1の流入に起因する真空系の故障等の不都合の発生を防止できる。
同様に、基板ステージPSTのZ軸方向の位置を制御するための計測系(本実施形態においてはフォーカス検出系56)がエラーを発生した場合に、投影光学系PLと基板ステージPSTとの位置関係に異常が生じて、液体1が漏洩・流出する虞があるので、制御装置CONTはフォーカス検出56がエラーを発生した場合に、液体供給機構10による液体供給動作を停止することができる。
次に、本発明の露光装置EXの第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。本実施形態では、基板Pあるいは基板ステージPST(基板ホルダPH)の外側などへの液体1の漏れを光ファイバを含む検出器を使って光学的に検出し、液体1の漏れや浸入を検出したときに、液体供給機構10による液体供給動作の停止、電気機器への電力供給の停止、及び吸気口からの吸気動作の停止のうちの少なくとも1つを実行する。
受光部84Bの受光結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、受光部84A、84Bそれぞれの受光結果に基づいて、液体1の漏洩位置(検出器90に対して漏洩した液体1が付着した位置)が、第1光ファイバ80ALと第2光ファイバ80BLとの交点付近であることを特定することができる。
次に、本発明の露光装置EXの第3実施形態について説明する。本実施形態では、液体1の漏れをプリズム(光学素子)を含む検出器を使って光学的に検出し、液体1の漏れを検出したときに、液体供給機構10による液体供給動作の停止、電気機器への電力供給の停止、及び吸気口からの吸気動作の停止のうちの少なくとも1つを実行する。
図21は本発明の第4実施形態を示す図であって、図21(a)は側面図、図21(b)は基板ステージを上方から見た平面図である。図21(a)において、投影光学系PLの光学素子2の周囲には、液体供給口14K及び液体回収口21Kを有するノズル部材18が設けられている。本実施形態において、ノズル部材18は、基板P(基板ステージPST)の上方において、光学素子2の側面を囲むように設けられた環状部材である。ノズル部材18と光学素子2との間には隙間が設けられており、ノズル部材18は光学素子2の振動から孤立されるように所定の支持機構で支持されている。
同様に、符号LA2bは、第2領域LA2が第1領域LA1のうち最も+Y側且つ+X側に配置されたときの位置を示している。符号LA2cは、第2領域LA2が第1領域LA1のうち最も−Y側且つ+X側に配置されたときの位置を示している。符号LA2dは、第2領域LA2が第1領域LA1のうち最も−Y側且つ−X側に配置されたときの位置を示している。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は、温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
Claims (57)
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
パターン像を基板上に投影する投影光学系と;
投影光学系と基板との間へ液体を供給する液体供給機構とを備え;
液体供給機構は、異常が検出されたときに液体の供給を停止する露光装置。 - さらに、電気機器を備え、液体の付着に起因する漏電を防止するために、異常が検出されたときに、前記電気機器への電力供給を停止する請求項1に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と;
電気機器とを備え;
液体の付着に起因する漏電を防止するために、異常が検出されたときに、電気機器への電力供給を停止する露光装置。 - 前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、前記電気機器は、前記基板ステージを動かすためのリニアモータを含む請求項2または3に記載の露光装置。
- 吸気口を備え、液体の流入を防止するために、前記異常が検出されたときに、前記吸気口からの吸気を停止する請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と;
吸引系に流通する吸気口とを備え;
液体の流入を防止するために、異常が検出されたときに、吸気口からの吸気を停止する露光装置。 - 前記基板を保持して移動可能な可動部材と、前記吸気口を有し、前記可動部材をガイド面に対して非接触で移動させるためのエアベアリングとを備え、前記吸気口は、前記可動部材と前記ガイド面との間の気体を吸気する請求項5または6に記載の露光装置。
- 前記異常は、前記基板を保持して移動可能な可動部材と前記投影光学系との位置関係の異常を含む請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記異常な位置関係は、前記投影光学系の下に液体を保持できない状態である請求項8に記載の露光装置。
- 前記可動部材上の第1領域と、前記投影光学系の像面側先端部を含み、前記第1領域に対向する第2領域とを備え、前記液体は、前記第1領域の少なくとも一部と前記第2領域との間に保持されて液浸領域を形成し、前記異常は、前記第1領域と前記第2領域との位置関係の異常を含む請求項9に記載の露光装置。
- 前記異常な位置関係は、前記液浸領域の少なくとも一部が前記第1領域よりも外側に出た状態を含む請求項10に記載の露光装置。
- 前記第1領域と前記第2領域との位置関係の異常が検出されたときに、前記可動部材の移動が停止される請求項9又は10に記載の露光装置。
- 前記異常は、液体の漏れを含む請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体の漏れを検出する検出器と、前記検出器の検出結果に基づいて、前記露光装置の動作を制御する制御装置とを備えた請求項13に記載の露光装置。
- 前記検出器は、複数の所定位置のそれぞれに設けられ、前記制御装置は、前記液体を検出した検出器の位置に応じて、前記液体供給の停止と前記電力供給の停止との少なくとも一方の動作を選択する請求項14に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記検出器で検出した液体の量に応じて、前記液体供給の停止と前記電力供給の停止との少なくとも一方の動作を選択する請求項14又は15に記載の露光装置。
- 前記検出器は、前記基板を保持する基板ステージに配置される請求項14〜16のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記検出器は、前記基板を保持する基板ステージを移動可能に支持するベース部材に配置される請求項14〜17のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記検出器は、電磁駆動源の周辺に配置される請求項14〜18のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記検出器は、前記基板を保持する基板ステージに設けられた液体回収口の内部に配置される請求項14〜19のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記基板ステージに保持された基板の周囲に該基板の表面とほぼ面一な平坦部を有し、前記液体回収口は、前記平坦部の外側に設けられている請求項20に記載の露光装置。
- 前記液体回収口は、前記基板の周囲を囲むように形成された溝部を含む請求項20又は21に記載の露光装置。
- 前記検出器は、液体の漏れを光学的に検出する請求項14〜22のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記検出器は、光ファイバを含む請求項14〜23のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記液体供給機構によって供給された液体を回収する液体回収機構を備え、前記異常は、前記液体回収機構の回収動作の異常を含む請求項1〜24のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記液体回収機構の動作異常は、前記液体供給機構から供給された液体の量と前記液体回収機構で回収された液体の量とを比較することによって検知される請求項25に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と;
吸引系に流通された吸引口と;
吸引口から吸い込まれた液体と気体とを分離する分離器と;
分離器によって分離された気体を乾燥させる乾燥器とを備えた露光装置。 - 前記乾燥器で乾燥した気体が前記吸引系に流入する請求項27に記載の露光装置。
- 前記吸引口は液体を回収するために設けられている請求項27又は28に記載の露光装置。
- 前記基板を保持する基板保持部材を備え、前記吸引口は、前記基板を吸着保持するために前記基板保持部材に設けられている請求項27〜29のいずれか一項に記載の露光装置。
- 電気機器を備え、液体の付着に起因する漏電を防止するために、異常が検出されたときに、前記電気機器への電力供給を停止する請求項27〜30のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系と前記基板との間へ液体を供給する液体供給機構を備え、前記液体供給機構は、異常が検出されたときに液体の供給を停止する請求項27〜31のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
基板を保持して移動可能な基板ステージであって、その上に第1領域を有する基板ステージと;
基板にパターン像を投影する投影光学系であって、像面側先端部を含み、第1領域と対向して第1領域の少なくとも一部との間に液体を保持する第2領域を有する投影光学系と;
第1領域と第2領域との位置関係に応じて、基板ステージの移動を制限する制御装置とを備える露光装置。 - 前記制御装置は、前記第1領域と前記第2領域との間に液体を保持している場合に前記制限を行う請求項33に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記第1領域と前記第2領域との間に液体を保持していない場合に前記制限を解除する請求項33又は34に記載の露光装置。
- 前記基板ステージは、前記基板ステージ上に保持した前記基板表面とほぼ面一な平坦部を有し、前記第1領域は、前記基板表面及び前記平坦部のうち少なくとも一方を含む請求項33〜35のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の先端部の周囲に設けられ、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材を有し、前記第2領域は、前記ノズル部材の少なくとも一部を含む請求項33〜36のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記回収口は、前記投影光学系の投影領域に対して前記供給口よりも外側に設けられ、前記第2領域は、前記回収口よりも内側の領域である請求項37に記載の露光装置。
- 前記第2領域に対する前記第1領域の位置情報を計測する計測装置を備え、前記制御装置は、前記計測装置の計測結果に基づいて、前記基板ステージの移動範囲を制限する請求項33〜38のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記第1領域と前記第2領域との位置関係に関する異常値を予め記憶し、前記第2領域に対する前記第1領域の位置が前記異常値を越えたときに、前記基板ステージの移動を停止する請求項33〜39のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体を供給する液体供給機構を備え、前記制御装置は、前記第1領域と前記第2領域との位置関係に基づいて、前記液体供給機構の動作を制限する請求項33〜40のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記第1領域と前記第2領域との位置関係に関する異常値を予め記憶し、前記第2領域に対する前記第1領域の位置が前記異常値を越えたときに、前記液体供給機構による液体供給を停止する請求項41に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
基板上に液体を介してパターン像を投影する投影光学系と;
基板を保持して移動可能な基板ステージと;
基板ステージを移動可能に支持するベース部材と;
基板ステージに設けられ、液体を検知する第1検出器と;
ベース部材に設けられ、液体を検知する第2検出器と;
第1検出器及び第2検出器の検出結果に応じて、露光装置の動作を制御する制御装置とを備える露光装置。 - 前記基板上に前記液体を供給する液体供給機構を備え、前記制御装置は、前記第1検出器が液体を検知したときに、前記液体供給機構の液体供給動作を停止する請求項43に記載の露光装置。
- 前記基板ステージを駆動する駆動装置と、前記ベース部材を防振支持する防振装置とを備え、
前記制御装置は、前記第2検出器が液体を検知したときに、前記駆動装置と前記防振装置との少なくとも一方への電力供給を停止する請求項43又は44に記載の露光装置。 - 前記基板ステージを駆動する駆動装置と、前記ベース部材を防振支持する防振装置とを備え、
前記制御装置は、前記第1検出器と前記第2検出器との少なくとも一方が第1基準値以上の液体を検知したときに前記液体供給機構の液体供給動作を停止し、第2基準値以上の液体を検知したときに前記駆動装置と前記防振装置との少なくとも一方への電力供給を停止する請求項43に記載の露光装置。 - 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
パターン像を基板上に投影する投影光学系と;
投影光学系と基板との間へ液体を供給する液体供給機構と;
基板を保持して移動可能な基板ステージと;
液体供給機構が液体を供給している間は、基板ステージの移動範囲を第1の範囲に制限し、液体供給機構が液体の供給を停止している間は、基板ステージの移動範囲を第1の範囲より広い第2の範囲に制限する制御装置とを備えた露光装置。 - 前記第1の範囲は、前記第2の範囲に含まれる請求項47に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって:
パターン像を基板上に投影する投影光学系と;
投影光学系の像面側の光路空間を液体で満たすための液体供給機構と;
投影光学系の像面側で移動可能なステージと;
ステージの移動範囲を制御する制御装置とを備え;
その制御装置が、投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのステージの移動範囲を、投影光学系とステージとの間に液体を保持されていないときのステージの移動範囲より狭い範囲に制限する露光装置。 - 前記ステージは、前記基板を保持して、前記投影光学系の像面側で移動可能である請求項49記載の露光装置。
- 制御装置は、ステージの上面の液体保持可能な領域の大きさと、そのステージ上面に対向するように配置された液体保持面の大きさとに基づいて、投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのステージの移動範囲を制限する請求項49又は50に記載の露光装置。
- 請求項1〜51のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
- 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置を制御する方法であって、パターン像を基板上に投影する投影光学系と、投影光学系の像面側へ液体を供給する液体供給機構と、 電気エネルギーを駆動力とする機器と、気体を吸引する機能を有する機器を含むコンポーネントから構成され且つ外部関連装置と接続される露光装置の制御方法であって:
前記投影光学系の像面側へ液体を供給することと;
前記コンポーネント及び外部関連装置の少なくとも一つから異常を知らせる信号を受信することと;
前記受信した信号に基づいて、液体供給機構、電気エネルギーを駆動力とする機器及び気体を吸引する機能を有する機器の少なくとも一種の動作を制限することを含む露光装置の制御方法。 - 前記信号を受信したときに、液体漏れの場所を同定し、同定した場所に応じて、液体供給機構、電気エネルギーを駆動力とする機器及び気体を吸引する機能を有する機器のうちの動作を制限する機構又は機器を選択することを含む請求項53に記載の露光装置の制御方法。
- さらに、露光装置のコンポーネントが液体回収装置を含み、前記信号を受信したときに液体回収装置の回収能力を増大する請求項53又は54に記載の露光装置の制御方法。
- 前記信号を受信したときにアラームを発する請求項53〜55のいずれか一項に記載の露光装置の制御方法。
- 液体供給機構は、異常が検出されたときに液体の供給を停止する請求項53〜56のいずれか一項に記載の露光装置の制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012066139A JP5423829B2 (ja) | 2003-07-28 | 2012-03-22 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003281183 | 2003-07-28 | ||
JP2003281183 | 2003-07-28 | ||
JP2004045104 | 2004-02-20 | ||
JP2004045104 | 2004-02-20 | ||
JP2012066139A JP5423829B2 (ja) | 2003-07-28 | 2012-03-22 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010030695A Division JP5088389B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置、及び処理方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013120133A Division JP5594399B2 (ja) | 2003-07-28 | 2013-06-06 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2013223261A Division JP5664740B2 (ja) | 2003-07-28 | 2013-10-28 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012151493A true JP2012151493A (ja) | 2012-08-09 |
JP2012151493A5 JP2012151493A5 (ja) | 2013-07-11 |
JP5423829B2 JP5423829B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=34106918
Family Applications (13)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010030694A Withdrawn JP2010118689A (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2010030695A Expired - Fee Related JP5088389B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置、及び処理方法 |
JP2010030693A Withdrawn JP2010109392A (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010030696A Expired - Fee Related JP5170126B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置、及び露光装置の制御方法 |
JP2011107477A Expired - Fee Related JP5287926B2 (ja) | 2003-07-28 | 2011-05-12 | 露光装置、及び液体検出方法 |
JP2012066139A Expired - Fee Related JP5423829B2 (ja) | 2003-07-28 | 2012-03-22 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2013120133A Expired - Fee Related JP5594399B2 (ja) | 2003-07-28 | 2013-06-06 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2013223261A Expired - Fee Related JP5664740B2 (ja) | 2003-07-28 | 2013-10-28 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2014095544A Expired - Fee Related JP5776818B2 (ja) | 2003-07-28 | 2014-05-02 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2015100665A Expired - Fee Related JP6020653B2 (ja) | 2003-07-28 | 2015-05-18 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2016111518A Expired - Fee Related JP6292252B2 (ja) | 2003-07-28 | 2016-06-03 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2017151402A Ceased JP2017194723A (ja) | 2003-07-28 | 2017-08-04 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2018203800A Withdrawn JP2019049740A (ja) | 2003-07-28 | 2018-10-30 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010030694A Withdrawn JP2010118689A (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2010030695A Expired - Fee Related JP5088389B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置、及び処理方法 |
JP2010030693A Withdrawn JP2010109392A (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010030696A Expired - Fee Related JP5170126B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-02-15 | 露光装置、及び露光装置の制御方法 |
JP2011107477A Expired - Fee Related JP5287926B2 (ja) | 2003-07-28 | 2011-05-12 | 露光装置、及び液体検出方法 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013120133A Expired - Fee Related JP5594399B2 (ja) | 2003-07-28 | 2013-06-06 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2013223261A Expired - Fee Related JP5664740B2 (ja) | 2003-07-28 | 2013-10-28 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2014095544A Expired - Fee Related JP5776818B2 (ja) | 2003-07-28 | 2014-05-02 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2015100665A Expired - Fee Related JP6020653B2 (ja) | 2003-07-28 | 2015-05-18 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2016111518A Expired - Fee Related JP6292252B2 (ja) | 2003-07-28 | 2016-06-03 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2017151402A Ceased JP2017194723A (ja) | 2003-07-28 | 2017-08-04 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2018203800A Withdrawn JP2019049740A (ja) | 2003-07-28 | 2018-10-30 | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US8451424B2 (ja) |
EP (4) | EP1653501B1 (ja) |
JP (13) | JP2010118689A (ja) |
KR (10) | KR101642670B1 (ja) |
CN (4) | CN102043350B (ja) |
HK (5) | HK1090175A1 (ja) |
TW (8) | TWI490916B (ja) |
WO (1) | WO2005010962A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214761A (ja) * | 2003-07-28 | 2013-10-17 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2014060217A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
JP2017161944A (ja) * | 2017-06-07 | 2017-09-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
JP2019032552A (ja) * | 2018-10-10 | 2019-02-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG2014015135A (en) | 2003-04-11 | 2015-06-29 | Nippon Kogaku Kk | Cleanup method for optics in immersion lithography |
CN101980087B (zh) | 2003-04-11 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 浸没曝光设备以及浸没曝光方法 |
TWI612556B (zh) | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
KR101674329B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-11-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101915921B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2019-01-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
EP2804048A1 (en) * | 2003-08-29 | 2014-11-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3163375B1 (en) * | 2003-08-29 | 2019-01-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
EP1672681B8 (en) | 2003-10-08 | 2011-09-21 | Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. | Exposure apparatus, substrate carrying method, exposure method, and method for producing device |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101227211B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1727188A4 (en) | 2004-02-20 | 2008-11-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005103404A2 (en) * | 2004-04-16 | 2005-11-03 | George Mason Intellectual Properties, Inc. | Wavelet maxima curves of surface latent heat flux |
KR101512884B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2015-04-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR20180072867A (ko) | 2004-06-10 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE441937T1 (de) | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
JP3870207B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3306647A1 (en) * | 2004-10-15 | 2018-04-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20080100811A1 (en) * | 2004-12-07 | 2008-05-01 | Chiaki Nakagawa | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
WO2006106832A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1895570A4 (en) * | 2005-05-24 | 2011-03-09 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20080073596A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
KR101585370B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2016-01-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI610149B (zh) | 2006-08-31 | 2018-01-01 | Nikon Corp | 移動體驅動系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及方法、曝光裝置及方法、元件製造方法、以及決定方法 |
CN101410945B (zh) | 2006-08-31 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 与移动体驱动、图案形成、曝光相关的方法和装置 |
EP2071613B1 (en) | 2006-09-01 | 2019-01-23 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
KR101477471B1 (ko) | 2006-09-01 | 2014-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP4366407B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2008129762A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-10-30 | Nikon Corporation | 移動体装置、パターン形成装置及びパターン形成方法、デバイス製造方法、移動体装置の製造方法、並びに移動体駆動方法 |
JP2008256155A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Canon Inc | 除振装置、演算装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
JP2009094255A (ja) | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Canon Inc | 液浸露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009094254A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Canon Inc | 液浸露光装置およびデバイス製造方法 |
US8115906B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-02-14 | Nikon Corporation | Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method |
NL1036835A1 (nl) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
JP5001343B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2012-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法 |
NL2003854A (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004820A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow. |
EP2497764A4 (en) | 2009-11-06 | 2013-04-03 | Hodogaya Chemical Co Ltd | DIPHENYLNAPHTYLAMINE DERIVATIVE |
US10061214B2 (en) | 2009-11-09 | 2018-08-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus adjustment method and device manufacturing method |
NL2005528A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5849505B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2016-01-27 | 大日本印刷株式会社 | 半導体製造システム |
KR20150087296A (ko) * | 2012-11-20 | 2015-07-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 이동체 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP6107453B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-04-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6990701B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2022-01-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
CN110637357A (zh) * | 2017-06-21 | 2019-12-31 | 惠普印迪格公司 | 真空工作台 |
EP3695276A1 (en) | 2017-10-12 | 2020-08-19 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder for use in a lithographic apparatus |
JP7015147B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2022-02-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
WO2021204478A1 (en) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Differential measurement system |
WO2024078802A1 (en) * | 2022-10-12 | 2024-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support qualification |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05173639A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 位置制御装置及びその制御方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH11204390A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2001203145A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002015978A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003022958A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP2003142366A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Canon Inc | 投影露光装置および該装置に用いるガス状態監視方法 |
JP2004207696A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP2005057278A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (248)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US656670A (en) * | 1899-08-25 | 1900-08-28 | Farbenfabriken Of Elberfeld Company | Blue anthrarufin dye and process of making same. |
SU560683A1 (ru) * | 1975-12-23 | 1977-06-05 | Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Технологии Автомобильной Промышленности | Устройство дл выталкивани поковок |
CA1154117A (en) * | 1978-06-12 | 1983-09-20 | Masaya Tanaka | Liquid leakage detection system |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4672271A (en) * | 1985-04-15 | 1987-06-09 | Omniprise, Inc. | Apparatus and method for automatic operation of a high pressure mercury arc lamp |
JPS6265326A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH01276043A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 導波路型液体検知器 |
JPH0336940U (ja) | 1989-08-22 | 1991-04-10 | ||
JPH0449614A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Canon Inc | X線露光装置 |
JP2885845B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1999-04-26 | キヤノン株式会社 | X線露光装置 |
US5138643A (en) | 1989-10-02 | 1992-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH04305915A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0590351U (ja) | 1991-05-20 | 1993-12-10 | 株式会社ツーデン | 漏液センサ |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
US5559582A (en) * | 1992-08-28 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH06288915A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液検出装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH0886612A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Canon Inc | 光ヘテロダイン干渉を利用した位置ずれ検出装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3137174B2 (ja) | 1995-09-08 | 2001-02-19 | 横河電機株式会社 | Icテスタのテストヘッド |
KR100228036B1 (ko) * | 1996-02-09 | 1999-11-01 | 니시무로 타이죠 | 표면에너지 분포측정장치 및 측정방법 |
US5885134A (en) * | 1996-04-18 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
CN1244021C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 光刻装置和曝光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
KR100512450B1 (ko) | 1996-12-24 | 2006-01-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치 |
US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
USRE40043E1 (en) * | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
DE69817663T2 (de) | 1997-04-23 | 2004-06-24 | Nikon Corp. | Optischer Belichtungsapparat und optisches Reinigungsverfahren |
JPH10335235A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Nikon Corp | 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法 |
US6268904B1 (en) * | 1997-04-23 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH10335236A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Nikon Corp | 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP3377165B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2003-02-17 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH1131647A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 投影露光装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP4208277B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11264756A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置 |
US6765647B1 (en) * | 1998-11-18 | 2004-07-20 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
EP1018669B1 (en) | 1999-01-08 | 2006-03-01 | ASML Netherlands B.V. | Projection lithography with servo control |
US6566770B1 (en) * | 1999-06-15 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method |
DE69930398T2 (de) * | 1999-09-20 | 2006-10-19 | Nikon Corp. | Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
EP1107067B1 (en) * | 1999-12-01 | 2006-12-27 | ASML Netherlands B.V. | Positioning apparatus and lithographic apparatus comprising the same |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
TW588222B (en) * | 2000-02-10 | 2004-05-21 | Asml Netherlands Bv | Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6472643B1 (en) | 2000-03-07 | 2002-10-29 | Silicon Valley Group, Inc. | Substrate thermal management system |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2001345245A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP3469537B2 (ja) | 2000-07-21 | 2003-11-25 | サンクス株式会社 | 漏液センサ |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
US6852988B2 (en) * | 2000-11-28 | 2005-02-08 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Gap adjustment apparatus and gap adjustment method for adjusting gap between two objects |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
JP2002365809A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Nsk Ltd | 分割逐次露光装置 |
TW569288B (en) * | 2001-06-19 | 2004-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus, liquid processing apparatus and liquid processing method |
KR20030002514A (ko) | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼가 장착될 척을 냉각시키기 위한 냉매 경로에서의냉매 누설을 감지할 수 있는 냉각 시스템 |
TWI226077B (en) * | 2001-07-05 | 2005-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003037051A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP3869306B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2007-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法および現像液塗布装置 |
JP3880480B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2007-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
TWI236944B (en) | 2001-12-17 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Film removal method and apparatus, and substrate processing system |
JP3990148B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2007-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
JP2004072076A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nikon Corp | 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI307526B (en) * | 2002-08-06 | 2009-03-11 | Nikon Corp | Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device |
JP2005536775A (ja) | 2002-08-23 | 2005-12-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法 |
US6954993B1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN100470367C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-03-18 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
AU2003302831A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
SG165169A1 (en) * | 2002-12-10 | 2010-10-28 | Nikon Corp | Liquid immersion exposure apparatus |
CN1723541B (zh) * | 2002-12-10 | 2010-06-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
US7358507B2 (en) | 2002-12-13 | 2008-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
ATE335272T1 (de) | 2002-12-19 | 2006-08-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
EP1579435B1 (en) | 2002-12-19 | 2007-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
EP3352015A1 (en) | 2003-04-10 | 2018-07-25 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
SG141426A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
CN101980087B (zh) * | 2003-04-11 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 浸没曝光设备以及浸没曝光方法 |
SG2014015135A (en) | 2003-04-11 | 2015-06-29 | Nippon Kogaku Kk | Cleanup method for optics in immersion lithography |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI612556B (zh) | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1489461A1 (en) | 2003-06-11 | 2004-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1491956B1 (en) * | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
US7128024B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-10-31 | Doyle Ii John Conan | System and method for measuring animals |
US7738074B2 (en) * | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
CN102043350B (zh) * | 2003-07-28 | 2014-01-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法 |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
JP4492600B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR101238114B1 (ko) | 2003-09-03 | 2013-02-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
TWI361450B (en) | 2003-10-31 | 2012-04-01 | Nikon Corp | Platen, stage device, exposure device and exposure method |
JP2007525824A (ja) | 2003-11-05 | 2007-09-06 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | マイクロチップを製造するための方法および装置 |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4747263B2 (ja) | 2003-11-24 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置 |
US7125652B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
WO2005059654A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
KR101179350B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2012-09-11 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
KR101295439B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-08-09 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
ATE459898T1 (de) | 2004-01-20 | 2010-03-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
KR101227211B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2007520893A (ja) | 2004-02-03 | 2007-07-26 | ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー | 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2005081067A1 (en) | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
CN1922528A (zh) | 2004-02-18 | 2007-02-28 | 康宁股份有限公司 | 用于具有深紫外光的高数值孔径成象的反折射成象系统 |
EP1727188A4 (en) * | 2004-02-20 | 2008-11-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US20050243392A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Fujifilm Electronic Imaging Ltd. | Method of controlling the motion of a spinner in an imaging device |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
WO2005111689A2 (en) | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005119369A1 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor |
CN101833247B (zh) | 2004-06-04 | 2013-11-06 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统 |
US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3306647A1 (en) | 2004-10-15 | 2018-04-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-07-26 CN CN201110022027.7A patent/CN102043350B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 CN CN201010240704.8A patent/CN102012641B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 KR KR1020157020237A patent/KR101642670B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 KR KR1020147026289A patent/KR101641011B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 KR KR1020187037957A patent/KR20190002749A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-07-26 KR KR1020177028137A patent/KR101935709B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 EP EP04748150A patent/EP1653501B1/en not_active Not-in-force
- 2004-07-26 CN CN201410333238.6A patent/CN104122760B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 KR KR1020117020276A patent/KR101298864B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 KR KR1020137015069A patent/KR101414896B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 KR KR1020127010893A patent/KR101403117B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 EP EP10184278A patent/EP2264533B1/en not_active Not-in-force
- 2004-07-26 CN CN201110268975.9A patent/CN102323724B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 KR KR1020167019452A patent/KR101785707B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-07-26 WO PCT/JP2004/010991 patent/WO2005010962A1/ja active Application Filing
- 2004-07-26 KR KR1020147003636A patent/KR101599649B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 EP EP10184336A patent/EP2264535B1/en not_active Not-in-force
- 2004-07-26 KR KR1020067001706A patent/KR101343720B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-26 EP EP10184326.6A patent/EP2264534B1/en not_active Not-in-force
- 2004-07-28 TW TW102133366A patent/TWI490916B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-28 TW TW102133363A patent/TWI490914B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-28 TW TW093122481A patent/TWI424463B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-28 TW TW107117069A patent/TW201834019A/zh unknown
- 2004-07-28 TW TW102133365A patent/TWI547971B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-28 TW TW100124424A patent/TWI575563B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-28 TW TW105129194A patent/TWI633581B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-28 TW TW102133364A patent/TWI490915B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-25 US US11/338,661 patent/US8451424B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-03 US US11/366,743 patent/US7505115B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-26 HK HK06111843.0A patent/HK1090175A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-02-15 JP JP2010030694A patent/JP2010118689A/ja not_active Withdrawn
- 2010-02-15 JP JP2010030695A patent/JP5088389B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-15 JP JP2010030693A patent/JP2010109392A/ja not_active Withdrawn
- 2010-02-15 JP JP2010030696A patent/JP5170126B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-12 JP JP2011107477A patent/JP5287926B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-20 HK HK11104984.7A patent/HK1151106A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-05-20 HK HK11105025.5A patent/HK1151107A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-05-20 HK HK11104967.8A patent/HK1151105A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-22 JP JP2012066139A patent/JP5423829B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-28 US US13/751,509 patent/US8749757B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-06 JP JP2013120133A patent/JP5594399B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-28 JP JP2013223261A patent/JP5664740B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-29 US US14/264,711 patent/US9494871B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-02 JP JP2014095544A patent/JP5776818B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-05 HK HK15101310.4A patent/HK1200922A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-05-18 JP JP2015100665A patent/JP6020653B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-06-03 JP JP2016111518A patent/JP6292252B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-24 US US15/332,509 patent/US9760026B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-08-04 JP JP2017151402A patent/JP2017194723A/ja not_active Ceased
- 2017-08-29 US US15/689,321 patent/US10185232B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-10-30 JP JP2018203800A patent/JP2019049740A/ja not_active Withdrawn
- 2018-12-18 US US16/223,802 patent/US20190121246A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05173639A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 位置制御装置及びその制御方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH10154659A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-09 | Nikon Corp | リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH11204390A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2001203145A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002015978A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003022958A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP2003142366A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Canon Inc | 投影露光装置および該装置に用いるガス状態監視方法 |
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2004207696A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP2005057278A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214761A (ja) * | 2003-07-28 | 2013-10-17 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2014060217A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
JP2017161944A (ja) * | 2017-06-07 | 2017-09-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
JP2019032552A (ja) * | 2018-10-10 | 2019-02-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6292252B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 | |
JP4492239B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 | |
JP4492600B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130515 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130918 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131003 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5423829 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |