JP5287926B2 - 露光装置、及び液体検出方法 - Google Patents
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Description
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
パターン像を基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
投影光学系(PL)と基板(P)との間へ液体(1)を供給する液体供給機構(10)とを備え;
液体供給機構(10)は、異常が検出されたときに液体(1)の供給を停止する露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
電気機器(47、48)とを備え;
液体(1)の付着に起因する漏電を防止するために、異常が検出されたときに、電気機器(47、48)への電力供給を停止する露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
吸引系(25)に流通する吸気口(42A、66)とを備え;
液体(1)の流入を防止するために、異常が検出されたときに、吸気口(42A、66)からの吸気を停止する露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
吸引系(25、70、74)に流通された吸引口(21、61、66)と;
吸引口(21、61、66)から吸い込まれた液体(1)と気体とを分離する分離器(22、71、75)と;
分離器(22、71、75)によって分離された気体を乾燥させる乾燥器(23、72、76)とを備えた露光装置(EX)が提供される。
基板(P)を保持して移動可能な基板ステージ(PST)であって、その上に第1領域(LA1)を有する基板ステージ(PST)と;
基板(P)に液体(1)を介してパターン像を投影する投影光学系(PL)であって、像面側先端部(2a)を含み、第1領域(LA1)と対向して第1領域(LA1)の少なくとも一部との間に液体(1)を保持する第2領域(LA2)を有する投影光学系(PL)と;
第1領域(LA1)と第2領域(LA2)との位置関係に応じて、基板ステージ(PST)の移動を制限する制御装置(CONT)を備える露光装置(EX)が提供される。
基板(P)上に液体(1)を介してパターン像を投影する投影光学系(PL)と;
基板(P)を保持して移動可能な基板ステージ(PST)と;
基板ステージ(PST)を移動可能に支持するベース部材(41)と;
基板ステージ(PST)に設けられ、液体(1)を検知する第1検出器(80C)と;
ベース部材(41)に設けられ、液体(1)を検知する第2検出器(80D)と;
第1検出器(80C)と第2検出器(80D)との検出結果に応じて、露光装置の動作を制御する制御装置(CONT)とを備える露光装置(EX)が提供される。
パターン像を液体(1)を介して基板(P)上に投影する投影光学系(PL)と;
投影光学系(PL)と基板(P)との間へ液体(1)を供給する液体供給機構(10)と;
基板(P)を保持して移動可能な基板ステージ(PST)と;
液体供給機構(10)が液体(1)を供給している間は、基板ステージ(PST)の移動範囲を第1の範囲(SR1)に制限し、液体供給機構(10)が液体(1)の供給を停止している間は、基板ステージ(PST)の移動範囲を第1の範囲(SR1)より広い第2の範囲(SR2)に制限する制御装置(CONT)とを備えた露光装置(EX)が提供される。
パターン像を基板(P)上に投影する投影光学系と(PL)と;
投影光学系(PL)の像面側に液体(1)を供給する液体供給機構(10)と;
投影光学系(PL)の像面側で移動可能なステージ(PST)と;
ステージ(PST)の移動範囲を制御する制御装置(CONT)とを備え;
その制御装置(CONT)が、投影光学系(PL)とステージ(PST)との間に液体(1)が保持されているときのステージ(PST)の移動範囲を、投影光学系(PL)とステージ(PST)との間に液体(1)を保持されていないときのステージ(PST)の移動範囲より狭い範囲に制限する露光装置(EX)が提供される。
投影光学系(PL)の像面側へ液体(1)を供給することと;
前記コンポーネント及び外部関連装置の少なくとも一つから異常を知らせる信号信号を受信することと;
前記信号に基づいて、液体供給機構(10)、電気エネルギーを駆動力とする機器(47、48)及び気体を吸引する機能を有する機器(42、PH)の少なくとも一種の動作を制限することを含む露光装置(EX)の制御方法が提供される。
図1は本発明の露光装置の第1実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。制御装置CONTには、露光処理に関して異常が生じたときに警報を発する警報装置Kが接続されている。更に、露光装置EXは、マスクステージMST及び投影光学系PLを支持するメインコラム3を備えている。メインコラム3は、床面に水平に載置されたベースプレート4上に設置されている。メインコラム3には、内側に向けて突出する上側段部3A及び下側段部3Bが形成されている。なお、制御装置は、図23に示したように、露光装置を構成する種々のコンポーネント及び露光装置の外部の関連装置と接続されており、制御装置の制御内容は後述する。
同様に、基板ステージPSTのZ軸方向の位置を制御するための計測系(本実施形態においてはフォーカス検出系56)がエラーを発生した場合に、投影光学系PLと基板ステージPSTとの位置関係に異常が生じて、液体1が漏洩・流出する虞があるので、制御装置CONTはフォーカス検出56がエラーを発生した場合に、液体供給機構10による液体供給動作を停止することができる。
次に、本発明の露光装置EXの第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。本実施形態では、基板Pあるいは基板ステージPST(基板ホルダPH)の外側などへの液体1の漏れを光ファイバを含む検出器を使って光学的に検出し、液体1の漏れや浸入を検出したときに、液体供給機構10による液体供給動作の停止、電気機器への電力供給の停止、及び吸気口からの吸気動作の停止のうちの少なくとも1つを実行する。
次に、本発明の露光装置EXの第3実施形態について説明する。本実施形態では、液体1の漏れをプリズム(光学素子)を含む検出器を使って光学的に検出し、液体1の漏れを検出したときに、液体供給機構10による液体供給動作の停止、電気機器への電力供給の停止、及び吸気口からの吸気動作の停止のうちの少なくとも1つを実行する。
図21は本発明の第4実施形態を示す図であって、図21(a)は側面図、図21(b)は基板ステージを上方から見た平面図である。図21(a)において、投影光学系PLの光学素子2の周囲には、液体供給口14K及び液体回収口21Kを有するノズル部材18が設けられている。本実施形態において、ノズル部材18は、基板P(基板ステージPST)の上方において、光学素子2の側面を囲むように設けられた環状部材である。ノズル部材18と光学素子2との間には隙間が設けられており、ノズル部材18は光学素子2の振動から孤立されるように所定の支持機構で支持されている。
Claims (38)
- 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記基板を上面の一部に載置して前記投影光学系下を移動する可動部材と、
前記投影光学系下に液体を供給するとともに、前記供給される液体によって前記投影光学系下に形成される液浸領域から液体を回収する液浸装置と、
前記液浸領域から離脱して前記可動部材の上面または前記可動部材の外側に残留する液体を検出する検出器と、を備える露光装置。 - 前記検出器は、前記載置された前記基板の外側に残留する液体を検出する請求項1に記載の露光装置。
- 前記可動部材の上面は、前記載置される基板と隙間を隔てた平面を含み、
前記検出器は、前記隙間の外側に残留する液体を検出する請求項1または2に記載の露光装置。 - 前記基板は、前記平面と前記基板の表面とが同じ高さとなるように、前記可動部材に載置される請求項3に記載の露光装置。
- 前記検出器は、前記可動部材の上面よりも下方の液体を検出する請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記検出器は、前記可動部材の側面の液体を検出する請求項5に記載の露光装置。
- 前記可動部材を駆動する駆動機構を有し、
前記検出器は、前記駆動機構の一部の前記液体を検出する請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記駆動機構は、前記可動部材に設けられた可動子と、前記可動子がその一部と対向して配置される固定子を有し、
前記駆動機構の一部は、前記固定子を含む請求項7に記載の露光装置。 - 前記駆動機構は、平面モータを含む請求項7または8に記載の露光装置。
- 前記可動部材がその上方を移動するベース部材を有し、
前記検出器は、前記ベース部材の前記液体を検出する請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記検出器は、前記ベース部材の側面の前記液体を検出する請求項10に記載の露光装置。
- 前記可動部材は、前記基板を載置する第1可動部材と、前記第1可動部材の下方に配置される第2可動部材を有し、
前記検出器は、前記第2可動部材の液体を検出する請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記液浸装置で回収されない前記可動部材の液体を回収する回収装置を有する請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記液浸装置は前記可動部材に対して前記投影光学系側に配置される請求項13に記載の露光装置。
- 前記回収装置は前記可動部材に設けられる請求項13または14に記載の露光装置。
- 前記離脱した液体は、前記液浸装置と前記回収装置で回収できない液体である請求項13〜15のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記回収装置は、前記可動部材に載置された基板と前記上面との隙間から流入した液体を回収する請求項13〜16のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記回収装置は、前記上面の液体を回収する請求項13〜17のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記回収装置は、気体とともに前記可動部材の液体を回収する請求項13〜18のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記液浸装置は、前記液浸領域の液体を気体とともに回収する請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して、可動部材の上面の一部に載置された基板を露光する露光装置に用いられる液体検出方法であって、
供給口を介して液体を前記投影光学系下に供給し、前記供給される液体によって前記投影光学系下に形成される液浸領域から回収口を介して液体を回収することと、
記液浸領域から離脱して前記可動部材の上面または前記可動部材の外側に残留する液体を検出することと、を含む液体検出方法。 - 前記可動部材に載置された前記基板の外側の液体が検出される請求項21に記載の液体検出方法。
- 前記可動部材の上面は、前記基板と隙間を隔てて位置する平面を含み、
前記隙間の外側の液体が検出される請求項21または22に記載の液体検出方法。 - 前記基板は、前記平面と前記基板の表面とが同じ高さとなるように、前記可動部材に載置される請求項23に記載の液体検出方法。
- 前記可動部材の上面よりも下方の液体が検出される請求項21〜24のいずれか一項に記載の液体検出方法。
- 前記可動部材の側面の液体が検出される請求項25に記載の液体検出方法。
- 前記可動部材を駆動する駆動機構の一部の前記液体が検出される請求項21〜26のいずれか一項に記載の液体検出方法。
- 前記駆動機構は、前記可動部材に設けられた可動子と、前記可動子がその一部と対向して配置される固定子を有し、
前記駆動機構の一部は、前記固定子を含む請求項27に記載の液体検出方法。 - 前記駆動機構は、平面モータを含む請求項27または28に記載の液体検出方法。
- 前記可動部材がその上方を移動するベース部材の前記液体が検出される請求項21〜29のいずれか一項に記載の液体検出方法。
- 前記ベース部材の側面の前記液体が検出される請求項30に記載の液体検出方法。
- 前記可動部材は、前記基板を載置する第1可動部材と、前記第1可動部材の下方に配置される第2可動部材を有し、
前記第2可動部材の液体が検出される請求項21〜31のいずれか一項に記載の液体検出方法。 - 前記供給口および前記回収口を含む液浸装置で回収されない液体が、前記可動部材に設けられた回収装置により回収される請求項21〜32のいずれか一項に記載の液体検出方法。
- 前記離脱した液体は、前記液浸装置と前記回収装置で回収できない液体である請求項33に記載の液体検出方法。
- 前記可動部材に載置された基板と前記上面との隙間から流入した液体が前記回収装置により回収される請求項33または34に記載の液体検出方法。
- 前記上面の液体が前記回収装置により回収される請求項33〜35のいずれか一項に記載の液体検出方法。
- 気体とともに前記可動部材の液体が前記回収装置により回収される請求項21〜36のいずれか一項に記載の液体検出方法。
- 前記液浸領域の液体が、前記回収口を介して気体とともに回収される請求項21〜37のいずれか一項に記載の液体検出方法。
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Families Citing this family (62)
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---|---|---|---|---|
KR101225884B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
SG185136A1 (en) | 2003-04-11 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Cleanup method for optics in immersion lithography |
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EP2264534B1 (en) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101613384B1 (ko) | 2003-08-21 | 2016-04-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG145780A1 (en) | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
KR101874724B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2018-07-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR101319109B1 (ko) | 2003-10-08 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP1713114B1 (en) | 2004-02-03 | 2018-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP5076497B2 (ja) | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7620499B2 (en) * | 2004-04-16 | 2009-11-17 | George Mason Intellectual Properties, Inc. | Wavelet maxima curves of surface latent heat flux |
CN103605262B (zh) | 2004-06-09 | 2016-06-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置及其维护方法、以及元件制造方法 |
WO2005122221A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4894515B2 (ja) | 2004-07-12 | 2012-03-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、及び液体検出方法 |
JP3870207B2 (ja) | 2004-08-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3046135B1 (en) * | 2004-10-15 | 2017-09-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2006062096A1 (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1865539A4 (en) * | 2005-03-30 | 2011-09-07 | Nikon Corp | METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITIONS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE PRODUCTION APPARATUS |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4596191B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20080073596A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
TWI442191B (zh) | 2006-08-31 | 2014-06-21 | 尼康股份有限公司 | Mobile body drive system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, component manufacturing method, and method of determining |
KR101529845B1 (ko) | 2006-08-31 | 2015-06-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
SG174737A1 (en) | 2006-08-31 | 2011-10-28 | Nikon Corp | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TW201809913A (zh) | 2006-09-01 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
TWI622084B (zh) | 2006-09-01 | 2018-04-21 | Nikon Corp | Mobile body driving method, moving body driving system, pattern forming method and device, exposure method and device, component manufacturing method, and correction method |
JP4366407B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101590645B1 (ko) * | 2007-03-05 | 2016-02-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 디바이스 제조 방법, 이동체 장치의 제조 방법, 및 이동체 구동 방법 |
JP2008256155A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Canon Inc | 除振装置、演算装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
JP2009094254A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Canon Inc | 液浸露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009094255A (ja) | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Canon Inc | 液浸露光装置およびデバイス製造方法 |
US8115906B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-02-14 | Nikon Corporation | Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method |
NL1036835A1 (nl) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
JP5001343B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2012-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法 |
NL2003854A (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004820A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow. |
EP2497764A4 (en) | 2009-11-06 | 2013-04-03 | Hodogaya Chemical Co Ltd | DIPHENYLNAPHTYLAMINE DERIVATIVE |
KR20170113709A (ko) | 2009-11-09 | 2017-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 노광 장치의 조정 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
NL2005528A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5849505B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2016-01-27 | 大日本印刷株式会社 | 半導体製造システム |
JP6155581B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2017-07-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
EP2947679A4 (en) * | 2012-11-20 | 2017-02-08 | Nikon Corporation | Exposure device, mobile device, and device manufacturing method |
JP6107453B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-04-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2018225117A1 (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
JP6418281B2 (ja) * | 2017-06-07 | 2018-11-07 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
WO2018233825A1 (en) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Hp Indigo B.V. | VACUUM TABLES |
SG11202002228UA (en) | 2017-10-12 | 2020-04-29 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder for use in a lithographic apparatus |
JP7015147B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2022-02-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
JP2019032552A (ja) * | 2018-10-10 | 2019-02-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 |
WO2021204478A1 (en) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Differential measurement system |
WO2024078802A1 (en) * | 2022-10-12 | 2024-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support qualification |
Family Cites Families (265)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US656670A (en) * | 1899-08-25 | 1900-08-28 | Farbenfabriken Of Elberfeld Company | Blue anthrarufin dye and process of making same. |
SU560683A1 (ru) * | 1975-12-23 | 1977-06-05 | Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Технологии Автомобильной Промышленности | Устройство дл выталкивани поковок |
CA1154117A (en) * | 1978-06-12 | 1983-09-20 | Masaya Tanaka | Liquid leakage detection system |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4672271A (en) * | 1985-04-15 | 1987-06-09 | Omniprise, Inc. | Apparatus and method for automatic operation of a high pressure mercury arc lamp |
JPS6265326A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH01276043A (ja) | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 導波路型液体検知器 |
JPH0336940U (ja) | 1989-08-22 | 1991-04-10 | ||
US5138643A (en) | 1989-10-02 | 1992-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JPH0449614A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Canon Inc | X線露光装置 |
JP2885845B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1999-04-26 | キヤノン株式会社 | X線露光装置 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH04305915A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0590351U (ja) | 1991-05-20 | 1993-12-10 | 株式会社ツーデン | 漏液センサ |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05173639A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 位置制御装置及びその制御方法 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
US5559582A (en) * | 1992-08-28 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH06288915A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液検出装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH0886612A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Canon Inc | 光ヘテロダイン干渉を利用した位置ずれ検出装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3137174B2 (ja) | 1995-09-08 | 2001-02-19 | 横河電機株式会社 | Icテスタのテストヘッド |
KR100228036B1 (ko) * | 1996-02-09 | 1999-11-01 | 니시무로 타이죠 | 표면에너지 분포측정장치 및 측정방법 |
US5885134A (en) * | 1996-04-18 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
AU5067898A (en) | 1996-11-28 | 1998-06-22 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
EP0900412B1 (en) * | 1997-03-10 | 2005-04-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a positioning device having two object holders |
EP0874283B1 (en) | 1997-04-23 | 2003-09-03 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
US6268904B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH10335235A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Nikon Corp | 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JPH10335236A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Nikon Corp | 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP3377165B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2003-02-17 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH1131647A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 投影露光装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JP4208277B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11204390A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JPH11264756A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置 |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US6765647B1 (en) * | 1998-11-18 | 2004-07-20 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
EP1018669B1 (en) | 1999-01-08 | 2006-03-01 | ASML Netherlands B.V. | Projection lithography with servo control |
US6566770B1 (en) * | 1999-06-15 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method |
DE69930398T2 (de) * | 1999-09-20 | 2006-10-19 | Nikon Corp. | Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
EP1107067B1 (en) * | 1999-12-01 | 2006-12-27 | ASML Netherlands B.V. | Positioning apparatus and lithographic apparatus comprising the same |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
JP2001203145A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
TW588222B (en) * | 2000-02-10 | 2004-05-21 | Asml Netherlands Bv | Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6472643B1 (en) | 2000-03-07 | 2002-10-29 | Silicon Valley Group, Inc. | Substrate thermal management system |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2001345245A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP2002015978A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Canon Inc | 露光装置 |
JP3469537B2 (ja) | 2000-07-21 | 2003-11-25 | サンクス株式会社 | 漏液センサ |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100471018B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2005-03-08 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 두 개의 대상물 간의 갭 조절장치 및 조절방법 |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
JP2002365809A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Nsk Ltd | 分割逐次露光装置 |
TW569288B (en) * | 2001-06-19 | 2004-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus, liquid processing apparatus and liquid processing method |
KR20030002514A (ko) | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼가 장착될 척을 냉각시키기 위한 냉매 경로에서의냉매 누설을 감지할 수 있는 냉각 시스템 |
TWI226077B (en) * | 2001-07-05 | 2005-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2003022958A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003037051A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP3869306B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2007-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法および現像液塗布装置 |
JP2003142366A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Canon Inc | 投影露光装置および該装置に用いるガス状態監視方法 |
JP3880480B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2007-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP3990148B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2007-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
TWI236944B (en) | 2001-12-17 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Film removal method and apparatus, and substrate processing system |
US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
JP2004072076A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nikon Corp | 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI307526B (en) * | 2002-08-06 | 2009-03-11 | Nikon Corp | Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device |
WO2004019128A2 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6954993B1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101382738B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-01-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
KR100588124B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
JP3977324B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101157002B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
AU2003302831A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
WO2004053953A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004055803A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
JP4364805B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
EP1732075A3 (en) | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
JP4650413B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
SG2012050829A (en) | 2003-04-10 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
KR101225884B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
SG185136A1 (en) | 2003-04-11 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Cleanup method for optics in immersion lithography |
WO2004095135A2 (en) | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI282487B (en) | 2003-05-23 | 2007-06-11 | Canon Kk | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TW200509205A (en) | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and device-manufacturing method |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1489461A1 (en) | 2003-06-11 | 2004-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1491956B1 (en) * | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
US7128024B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-10-31 | Doyle Ii John Conan | System and method for measuring animals |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
JP4492600B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
EP2264534B1 (en) * | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR20170070264A (ko) | 2003-09-03 | 2017-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
TWI361450B (en) | 2003-10-31 | 2012-04-01 | Nikon Corp | Platen, stage device, exposure device and exposure method |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
EP1695148B1 (en) | 2003-11-24 | 2015-10-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Immersion objective |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
WO2005059654A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
DE602005008707D1 (de) | 2004-01-14 | 2008-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Catadioptrisches projektionsobjektiv |
KR101295439B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-08-09 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
JP4843503B2 (ja) | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
WO2005074606A2 (en) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
EP1713114B1 (en) | 2004-02-03 | 2018-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US20070165198A1 (en) | 2004-02-13 | 2007-07-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
JP5076497B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US20050243392A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Fujifilm Electronic Imaging Ltd. | Method of controlling the motion of a spinner in an imaging device |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
US7481867B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3046135B1 (en) | 2004-10-15 | 2017-09-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
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