KR20150087296A - 노광 장치, 이동체 장치, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

노광 장치, 이동체 장치, 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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Abstract

인코더 시스템의 계측 결과에 따라 자기 부상형 평면 모터인 스테이지 구동계(124)를 제어하여 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동 제어함과 함께, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지한 경우, 스테이지 구동계(124)를 제어하여, 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향의 추력을 가한다. 이에 따라, 웨이퍼 스테이지(WST)의 피칭을 회피할 수 있어, 웨이퍼 스테이지(WST)(특히, 스테이지 상면에 형성된 스케일) 및 그 바로 위에 배치된 구조물(특히 인코더 헤드 등)의 파손을 방지하는 것이 가능해진다.

Description

노광 장치, 이동체 장치, 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE DEVICE, MOBILE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 노광 장치, 이동체 장치, 및 디바이스 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 소자(집적 회로 등), 액정 표시 소자 등을 제조하는 리소그래피 공정에서 이용되는 노광 장치, 이동체를 구동하는 이동체 장치, 및 상기 노광 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자, 액정 표시 소자 등의 전자 디바이스(마이크로 디바이스)를 제조하는 리소그래피 공정에서는, 주로, 스텝 앤드 리피트 방식의 투영 노광 장치(소위 스테퍼)와, 스텝 앤드 스캔 방식의 투영 노광 장치(소위 스캐닝 스테퍼(스캐너라고도 함))가 이용되고 있다. 이들 노광 장치에서는, 조명광을, 레티클(또는 마스크) 및 투영 광학계를 통해, 감광제(레지스트)가 도포된 웨이퍼(또는 유리 플레이트 등) 상에 투사함으로써, 레티클에 형성된 패턴(의 축소상)이 웨이퍼 상의 복수의 샷 영역에 축차 전사된다.
최근 반도체 소자의 고집적화에 따른 패턴의 미세화에 의해, 고정밀도의 웨이퍼 스테이지의 위치 제어가 요구되게 되었다. 그래서, 종래의 레이저 간섭계를 이용하여 구성되는 위치 계측 시스템 대신에, 레이저 간섭계와 동일 정도 이상의 계측 분해능을 갖는 인코더와 면위치 센서를 이용하여 구성되는 위치 계측 시스템이 채용되게 되었다. 예컨대, 특허문헌 1에 개시된 노광 장치에 있어서 채용된 인코더 시스템 및 면위치 센서 시스템은, 웨이퍼 스테이지에 형성된 계측면(을 구성하는 반사형 회절 격자)에 계측빔을 투사하고, 그 반사광을 검출함으로써, 계측면(즉 웨이퍼 스테이지)의 회절 격자의 주기 방향에 관한 변위 또는 면위치(Z축 방향의 위치)를 계측한다.
웨이퍼의 위치 결정 정밀도를 향상시킴과 함께 스루풋을 개선하기 위해, 웨이퍼를 유지하여 이동하는 웨이퍼 스테이지를 2차원 방향으로 구동하는 평면 모터, 예컨대, 비접촉으로 웨이퍼 스테이지를 구동 가능한 가변 자기 저항 구동 방식의 리니어 펄스 모터를 2축분 결합시킨 구조의 것, 리니어 모터를 2차원 방향으로 전개한 로렌츠 전자력 구동에 의한 것(예컨대, 특허문헌 2), 나아가서는 2차원 방향의 한 방향으로 배열된 전기자 코일과 다른 방향으로 배열된 전기자 코일이 적층된 것(예컨대, 특허문헌 3 및 4)이 개발되어 있다.
자기 부상식의 평면 모터의 경우, 구동력이 작용하는 구동점(가동자가 설치되는 웨이퍼 스테이지의 바닥부)은 웨이퍼 스테이지의 무게 중심으로부터 떨어져 있다. 그 때문에, 웨이퍼 스테이지가 그 구동 중에 제어 불능에 빠진 경우에 다이나믹 브레이크를 걸거나, 쇼크 업소버 등에 충돌시키거나 하여 웨이퍼 스테이지를 정지시키면, 관성력에 의해 피칭(전방으로 쓰러지는 회전)이 생기고, 웨이퍼 스테이지의 상면(웨이퍼 테이블)이 그 바로 위에 배치된 구조물과 충돌하여 파손될 우려가 있다. 특히, 전술한 인코더 시스템 및 면위치 센서 시스템에서는, 시스템을 구성하는 인코더(헤드) 및 면위치 센서(헤드)가 웨이퍼 스테이지의 상면으로부터 1 mm 정도 또는 그 이하의 높이에 배치되어 있다. 또한, 투영 광학계와 액침 공간 내의 액체를 통해 조명광을 조사함으로써 웨이퍼를 노광하는 액침 노광 방식의 노광 장치(예컨대, 특허문헌 5)에서는, 투영 광학계와 웨이퍼 사이의 액침 공간에 액침액을 공급하는 노즐 등의 액침 장치가 웨이퍼 스테이지의 바로 위에 배치되어 있다.
미국 특허 제6,445,093호 명세서 미국 특허 제6,452,292호 명세서 미국 특허 출원 공개 제2008/0088843호 명세서 미국 특허 제5,196,745호 명세서 국제 공개 제99/49504호
본 발명은 전술한 사정하에서 이루어진 것으로, 제1 관점에서 보면, 에너지빔을 조사하여 물체 상에 패턴을 형성하는 노광 장치로서, 물체를 유지하여 베이스 상에서 이동하는 이동체와, 상기 이동체에 설치된 가동자와 상기 가동자에 대향하여 상기 베이스에 설치된 고정자를 이용하여, 상기 이동체에 상기 베이스의 상면과 교차하는 제1 방향 및 상기 상면을 따르는 제2 방향의 구동력을 발생시키는 평면 모터와, 상기 이동체의 적어도 상기 제2 방향에 관한 위치를 계측하는 제1 위치 계측계와, 상기 제1 위치 계측계의 계측 결과를 이용하여 상기 평면 모터를 제어하여 상기 이동체를 적어도 상기 제2 방향으로 구동함과 함께, 상기 이동체의 구동에 이상을 검지한 경우에 상기 평면 모터를 제어하여 상기 이동체에 상기 이동체로부터 상기 베이스의 상면으로의 상기 제1 방향의 구동력을 발생시키는 제어계를 구비하는 노광 장치이다.
이것에 의하면, 이동체의 구동에 이상을 검지한 경우에 평면 모터를 제어하여 이동체에 이동체로부터 베이스의 상면으로의 제1 방향의 구동력을 발생시킴으로써, 이동체의 피칭을 회피할 수 있어, 이동체 및 그 바로 위에 배치된 구조물의 파손을 방지하는 것이 가능해진다.
본 발명은 제2 관점에서 보면, 베이스 부재와, 상기 베이스 부재 상에서 2차원 이동 가능한 이동체와, 상기 베이스 부재에 설치된 고정자와, 상기 이동체에 설치된 가동자를 갖는 자기 부상 방식의 평면 모터와, 상기 이동체가 상기 2차원 내에서 이동하는 동안에 상기 이동체가 상기 2차원을 포함하는 면과 직교하는 방향으로 떨어지는 것을 억제하기 위해, 상기 평면 모터에 의해, 상기 이동체로부터 상기 베이스 부재를 향하는 구동력을 발생시키는 제어 장치를 구비하는 이동체 장치이다.
이것에 의하면, 제어 장치가 이동체로부터 베이스 부재를 향하는 구동력을 발생시킴으로써, 이동체가 2차원 내에서 이동하는 동안에 이동체가 2차원을 포함하는 면과 직교하는 방향으로 떨어지는 것이 억제된다.
본 발명은 제3 관점에서 보면, 본 발명의 이동체 장치를 갖는 노광 장치이다.
본 발명은 제4 관점에서 보면, 본 발명의 노광 장치를 이용한 디바이스 제조 방법이다.
도 1은 일 실시형태에 관련된 노광 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2의 (A)는 웨이퍼 스테이지를 도시한 평면도, 도 2의 (B)는 웨이퍼 스테이지 내의 자석 유닛(자석)의 배열을 도시한 평면도이다.
도 3은 스테이지 장치의 구성, 특히, 스테이지 구동계(평면 모터)를 구성하는 베이스반 내의 코일 유닛(전기자 코일)의 배열을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 A-A선 단면도이다.
도 5의 (A)는 U 코일, V 코일, 및 W 코일의 여자 전류를 도시한 도면, 도 5의 (B)는 U 코일, V 코일, 및 W 코일이 발생하는 추력과 이들의 합력을 도시한 도면, 도 5의 (C)는 A 코일, B 코일, 및 C 코일의 여자 전류를 도시한 도면, 도 5의 (D)는 A 코일, B 코일, 및 C 코일이 발생하는 추력(부상력)과 이들의 합력을 도시한 도면이다.
도 6은 스테이지 장치 및 간섭계의 배치를 도시한 평면도이다.
도 7은 스테이지 장치 및 센서 유닛의 배치를 도시한 평면도이다.
도 8은 인코더 헤드(X 헤드, Y 헤드)와 얼라인먼트계의 배치를 도시한 평면도이다.
도 9는 Z 헤드와 다점 AF계의 배치를 도시한 평면도이다.
도 10은 일 실시형태에 관련된 노광 장치의 제어계의 주요한 구성을 도시한 블록도이다.
도 11의 (A)는 노광 공정 중에서의 인코더 및 Z 헤드를 이용한 웨이퍼 스테이지의 위치 계측, 도 11의 (B)는 얼라인먼트 계측 중에서의 인코더를 이용한 웨이퍼 스테이지의 위치 계측을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 포커스 맵핑 및 포커스 캘리브레이션 중에서의 Z 헤드를 이용한 웨이퍼 스테이지의 위치 계측을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 관해, 도 1∼도 12를 이용하여 설명한다.
도 1에는, 일 실시형태의 노광 장치(100)의 구성이 개략적으로 도시되어 있다. 노광 장치(100)는 스텝 앤드 스캔 방식의 투영 노광 장치, 소위 스캐너이다. 후술하는 바와 같이, 본 실시형태에서는 투영 광학계(PL)와 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)(도 7, 도 8 등 참조)가 형성되어 있다. 이하에 있어서는, 투영 광학계(PL)의 광축(AX)과 평행한 방향을 Z축 방향, 이것에 직교하는 면 내에서 광축(AX)과 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)의 검출 중심을 연결하는 직선과 평행한 방향을 Y축 방향, Z축 및 Y축에 직교하는 방향을 X축 방향으로 하고, X축, Y축, 및 Z축 둘레의 회전(경사) 방향을 각각 θx, θy, 및 θz 방향으로 하여 설명한다.
노광 장치(100)는, 조명계(10), 레티클 스테이지(RST), 투영 유닛(PU), 웨이퍼 스테이지(WST)를 갖는 스테이지 장치(50), 및 이들의 제어계 등을 구비하고 있다. 도 1에서는, 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 웨이퍼(W)가 적재되어 있다.
조명계(10)는, 레티클 블라인드(마스킹 시스템)로 규정된 레티클(R) 상의 슬릿형의 조명 영역(IAR)을, 조명광(노광광)(IL)에 의해 거의 균일한 조도로 조명한다. 조명계(10)의 구성은, 예컨대 미국 특허 출원 공개 제2003/0025890호 명세서 등에 개시되어 있다. 여기서, 조명광(IL)으로서, 일례로서, ArF 엑시머 레이저광(파장 193 nm)이 이용된다.
레티클 스테이지(RST) 상에는, 그 패턴면(도 1에서의 하면)에 회로 패턴 등이 형성된 레티클(R)이, 예컨대 진공 흡착에 의해 고정되어 있다. 레티클 스테이지(RST)는, 예컨대 리니어 모터 등을 포함하는 레티클 스테이지 구동계(11)(도 1에서는 도시되지 않음, 도 10 참조)에 의해, XY 평면 내에서 미소 구동 가능함과 함께, 주사 방향(도 1에서의 지면내 좌우 방향인 Y축 방향)으로 소정의 주사 속도로 구동 가능하게 되어 있다.
레티클 스테이지(RST)의 XY 평면 내의 위치 정보(θz 방향의 회전 정보를 포함함)는, 레티클 레이저 간섭계(이하, 「레티클 간섭계」라고 함)(116)에 의해, 이동경(15)(또는 레티클 스테이지(RST)의 단부면에 형성된 반사면)을 통해, 예컨대 0.25 nm 정도의 분해능으로 항상 검출된다. 레티클 간섭계(116)의 계측치는 주제어 장치(20)(도 1에서는 도시되지 않음, 도 10 참조)로 보내진다.
투영 유닛(PU)은 레티클 스테이지(RST)의 도 1에서의 하측에 배치되어 있다. 투영 유닛(PU)은 경통(40)과, 경통(40) 내에 유지된 투영 광학계(PL)를 포함한다. 투영 광학계(PL)로는, 예컨대, Z축 방향과 평행한 광축(AX)을 따라 배열되는 복수의 광학 소자(렌즈 엘리먼트)로 이루어지는 굴절 광학계가 이용된다. 투영 광학계(PL)는, 예컨대 양측 텔리센트릭으로, 소정의 투영 배율(예컨대 1/4배, 1/5배 또는 1/8배 등)을 갖는다. 이 때문에, 조명계(10)에 의해 레티클(R) 상의 조명 영역(IAR)이 조명되면, 투영 광학계(PL)의 제1 면(물체면)과 패턴면이 거의 일치하여 배치되는 레티클(R)을 통과한 조명광(IL)에 의해, 투영 광학계(PL)(투영 유닛(PU))를 통해 그 조명 영역(IAR) 내의 레티클(R)의 회로 패턴의 축소상(회로 패턴의 일부의 축소상)이, 그 제2 면(상면(像面))측에 배치되는, 표면에 레지스트(감응제)가 도포된 웨이퍼(W) 상의 상기 조명 영역(IAR)에 공역인 영역(이하, 노광 영역이라고도 함)(IA)에 형성된다. 그리고, 레티클 스테이지(RST)와 웨이퍼 스테이지(WST)의 동기 구동에 의해, 조명 영역(IAR)(조명광(IL))에 대하여 레티클(R)을 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동시킴과 함께, 노광 영역(IA)(조명광(IL))에 대하여 웨이퍼(W)를 주사 방향(Y축 방향)으로 상대 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 상의 하나의 샷 영역(구획 영역)의 주사 노광이 행해지고, 그 샷 영역에 레티클의 패턴이 전사된다. 즉, 본 실시형태에서는 조명계(10), 레티클(R) 및 투영 광학계(PL)에 의해 웨이퍼(W) 상에 패턴이 생성되고, 조명광(IL)에 의한 웨이퍼(W) 상의 감응층(레지스트층)의 노광에 의해 웨이퍼(W) 상에 그 패턴이 형성된다.
스테이지 장치(50)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 베이스반(12), 베이스반(12) 상에 배치된 웨이퍼 스테이지(WST), 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치 정보를 계측하는 계측 시스템(200)(도 10 참조), 및 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동하는 스테이지 구동계(124)(도 10 참조) 등을 구비하고 있다. 계측 시스템(200)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 간섭계 시스템(118), 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180) 등을 포함한다.
베이스반(12)의 상부에는, 후술하는 고정자(60)가 수용되어 있다.
웨이퍼 스테이지(WST)는 스테이지 본체(91)와, 그 위에 탑재된 웨이퍼 테이블(WTB)을 포함한다. 스테이지 본체(91)는 가동자(51)를 갖는다. 가동자(51)와 베이스반(12) 내에 설치된 고정자(60)로부터 평면 모터(124)(스테이지 구동계(124)라고도 함)가 구성된다.
웨이퍼 스테이지(WST)의 구성 각 부, 특히 평면 모터(124)(스테이지 구동계(124))에 관해 상세히 서술한다. 도 2의 (A)에는, 웨이퍼 스테이지(WST)의 평면도가 도시되어 있다. 도 2의 (B)에는, 웨이퍼 스테이지(WST) 내의 자석 유닛(55X1, 55X2, 55Y1, 55Y2)의 배열을 나타내는 평면도가 도시되어 있다. 도 3에는, 스테이지 장치(50), 특히 베이스반(12) 내의 전기자 코일(38X, 38Y)의 배열을 나타내는 평면도가 도시되어 있다. 도 4에는, 도 3의 A-A선 단면도가 도시되어 있다.
가동자(51)는 스테이지 본체(91)의 바닥부에 설치되고(도 4 참조), 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 그 -X, +Y부 및 +X, -Y부에 각각 자석 유닛(55X1, 55X2), 그 +X, +Y부 및 -X, -Y부에 각각 자석 유닛(55Y1, 55Y2)을 갖는다. 자석 유닛(55X1, 55X2)은, X축 방향으로 인접한 자극면의 극성이 서로 상이하도록 배열된 Y축 방향을 길이로 하는 입방체형의 자석으로 구성된다. 자석 유닛(55Y1, 55Y2)은, Y축 방향으로 인접한 자극면의 극성이 서로 상이하도록 배열된 X축 방향을 길이로 하는 입방체형의 자석으로 구성된다.
베이스반(12)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상면이 개구된 중공의 본체부(35)와, 본체부(35)의 개구부를 폐색하는 세라믹판(36)을 구비하고 있다. 세라믹판(66)의 가동자(51)에 대향하는 면(상면)에는, 가동자(51)의 이동면(12a)이 형성되어 있다.
도 3 및 도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 본체부(35)와 세라믹판(36)에 의해 형성되는 베이스반(12)의 내부 공간(350)에는, 복수의 전기자 코일(38X, 38Y)이 이동면(12a)을 따라 배치되어 있다. 전기자 코일(38X, 38Y)로서, 장변의 길이가 단변의 길이의 3배인 직사각형 코일이 이용되고 있다. 전기자 코일(38X)(38Y)은, 길이 방향을 Y축 방향(X축 방향)을 향하게 하여 X축 방향(Y축 방향)으로 배열된 3개의 코일, 및 이들에 적층되고(도 4 참조), 동일하게 길이 방향을 Y축 방향(X축 방향)을 향하게 하여 X축 방향(Y축 방향)으로 배열된 3개의 코일에 의해, 4변의 길이가 서로 동일한 하나의 직사각형의 X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))을 구성한다. 내부 공간(350)에는, 이들 X 코일 유닛(60X)과 Y 코일 유닛(60Y)이, X축 방향 및 Y축 방향으로 교대로 배치되어 있다.
도 3 및 그 밖의 도면에 있어서, 코일 유닛(60X, 60Y)의 배열 피치에 맞춰, X축 방향으로 늘어서는 구획에 라벨 i(=1∼8)가, Y축 방향으로 늘어서는 구획에 라벨 j(=1∼7)가 부여되어 있다. 2개의 라벨 ij에 의해 표시되는 구획 내에 배치된 코일 유닛(60X, 60Y)을 각각 부호 60Xij, 60Yij를 이용하여 나타내기로 한다. 예컨대, 가장 -X측 및 -Y측에 배치된 Y 코일 유닛(60Y11), 그 +X측에 배치된 X 코일 유닛(60X21)으로 나타낸다. 다만, 특정한 구획 내의 코일 유닛을 의미하지 않는 한, 부호 60X, 60Y를 이용하여 총칭하기로 한다.
X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))은, 그것을 구성하는 6개의 전기자 코일(38X)(38Y) 중 상단에 배열된 3개의 전기자 코일(38X)(38Y)로부터, X축 방향(Y축 방향)으로의 추력을 발생시키기 위한 3상 코일을 구성한다. 이들을 배열순으로 U 코일(38Xu)(38Yu), V 코일(38Xv)(38Yv), 및 W 코일(38Xw)(38Yw)이라고 한다(도 3, 도 4 참조). 다만, 3상 코일 중 특정한 전기자 코일을 의미하지 않는 한, 부호 38X(38Y)를 이용하여 총칭하기로 한다.
또한, X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))은, 그것을 구성하는 6개의 전기자 코일(38X)(38Y) 중 하단에 배열된 3개의 전기자 코일(38X)(38Y)로부터, Z축 방향으로의 추력을 발생시키기 위한 3상 코일을 구성한다. 이들을 배열순으로 A 코일(38XA)(38YA), B 코일(38XB)(38YB), 및 C 코일(38XC)(38YC)이라고 한다(도 3, 도 4 참조). 다만, 3상 코일 중 특정한 전기자 코일을 의미하지 않는 한, 부호 38X(38Y)를 이용하여 총칭하기로 한다.
도 5의 (A)에는, 전기자 코일(38X)(38Y)을 구성하는 3상 코일, U 코일(38Xu)(38Yu), V 코일(38Xv)(38Yv), 및 W 코일(38Xw)(38Yw)의 3상 여자 전류(IU, IV, IW)가 도시되어 있다. 여자 전류(IU, IV, IW)는, 순서대로 위상을 2π/3 변이시켜 시간 진동한다. 이들 여자 전류(IU, IV, IW)를 각각 U 코일, V 코일, 및 W 코일에 공급함으로써, U 코일, V 코일, 및 W 코일은 각각 도 5의 (B)에 도시된 X축 방향(Y축 방향)의 추력(FU, FV, FW)을 대향하는 자석 유닛(55X1, 55X2)(55Y1, 55Y2)에 미치게 한다. 이에 따라, X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))은, 시간(t)에 대하여 일정한 X축 방향(Y축 방향)의 합력(F)(=FU+FV+FW)을 자석 유닛(55X1, 55X2)(55Y1, 55Y2)에 미치게 한다.
도 5의 (C)에는, X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))을 구성하는 3상 코일, A 코일(38XA)(38YA), B 코일(38XB)(38YB), 및 C 코일(38XC)(38YC)의 3상 여자 전류(IA, IB, IC)가 도시되어 있다. 여자 전류(IA, IB, IC)는, 순서대로 위상을 2π/3 변이시켜 시간 진동한다. 이들 여자 전류(IA, IB, IC)를 각각 A 코일, B 코일, 및 C 코일에 공급함으로써, A 코일, B 코일, 및 C 코일은 각각 도 5의 (D)에 도시된 Z축 방향의 추력(FA, FB, FC)을 대향하는 자석 유닛(55X1, 55X2)(55Y1, 55Y2)에 미치게 한다. 이에 따라, X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))은, 시간(t)에 대하여 일정한 Z축 방향의 합력(F)(=FA+FB+FC)을 자석 유닛(55X1, 55X2)(55Y1, 55Y2)에 미치게 한다. 이에 따라, 웨이퍼 스테이지(WST)는, 100 ㎛ 정도의 클리어런스를 통해, 베이스반(12)의 상측에 부상 지지된다.
전술한 바와 같이 전기자 코일(38X)(38Y)을 여자함으로써(여자 전류를 공급함으로써), 고정자(60)를 구성하는 X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))은, 가동자(51)를 구성하는 자석 유닛(55X1, 55X2)(55Y1, 55Y2)에 대하여 X축 방향(Y축 방향) 및 Z축 방향의 구동력을 부여하는 2DOF 모터로서 기능한다. 여기서, 자석 유닛(55X1, 55X2)(55Y1, 55Y2)에 대향하는 상이한 X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))을 구성하는 전기자 코일(38XU, 38XV, 38XW)(38YU, 38YV, 38YW)에 상이한 여자 전류를 공급함으로써, 가동자(51)를 고정자(60)에 대하여 θz 방향으로 회전시킨다. 또한, 자석 유닛(55X1, 55X2)(55Y1, 55Y2)에 대향하는 상이한 X 코일 유닛(60X)(Y 코일 유닛(60Y))을 구성하는 전기자 코일(38XA, 38XB, 38XC)(38YA, 38YB, 38YC)에 상이한 여자 전류를 공급함으로써, 가동자(51)를 고정자(60)에 대하여 θx 방향 및 θy 방향으로 경사지게 한다. 따라서, 스테이지 구동계(124)에 의해, 웨이퍼 스테이지(WST)를 6 자유도 방향으로 구동할 수 있다.
또, 여자 전류(3상 전류)(Ik)(k=U, V, W) 및 (Ih)(h=A, B, C)는, 스테이지 구동계(평면 모터)(124)를 구성하는 앰프부(도시되지 않음)에 의해, X 코일 유닛(60X) 및 Y 코일 유닛(60Y)을 각각 구성하는 전기자 코일(38Xk, 38Yk, 38Xh, 38Yh)에 공급된다. 3상 전류(Ik, Ih)의 진폭은, 주제어 장치(20)(도 10 참조)에 의해 제어된다.
웨이퍼 테이블(WTB)의 상면의 중앙에는, 웨이퍼(W)를 진공 흡착 등에 의해 유지하는 웨이퍼 홀더(도시되지 않음)가 설치되어 있다. 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 테이블(WTB) 상면의 웨이퍼 홀더(웨이퍼(W))의 +Y측에는, 계측 플레이트(30)가 설치되어 있다. 이 계측 플레이트(30)에는, 중앙에 기준 마크(FM)가 형성되고, 기준 마크(FM)의 X축 방향의 양측에 한쌍의 공간상 계측 슬릿 패턴(슬릿형의 계측용 패턴)(SL)이 형성되어 있다. 그리고, 각 공간상 계측 슬릿 패턴(SL)에 대응하여, 웨이퍼 테이블(WTB)의 내부에는, 광학계 및 수광 소자 등이 배치되어 있다. 즉, 웨이퍼 테이블(WTB) 상에는, 공간상 계측 슬릿 패턴(SL)을 포함하는 한쌍의 공간상 계측 장치(45A, 45B)(도 10 참조)가 설치되어 있다.
또한, 웨이퍼 테이블(WTB) 상면에는, 후술하는 인코더 시스템에서 이용되는 스케일이 형성되어 있다. 상세히 서술하면, 웨이퍼 테이블(WTB) 상면의 X축 방향(도 2의 (A)에서의 지면내 좌우 방향)의 한쪽과 다른쪽의 영역에는, 각각 Y 스케일(39Y1, 39Y2)이 형성되어 있다. Y 스케일(39Y1, 39Y2)은, 예컨대, X축 방향을 길이 방향으로 하는 격자선(38)이 소정 피치로 Y축 방향으로 배열된, Y축 방향을 주기 방향으로 하는 반사형의 격자(예컨대 회절 격자)에 의해 구성되어 있다.
마찬가지로, 웨이퍼 테이블(WTB) 상면의 Y축 방향(도 2의 (A)에서의 지면내 상하 방향)의 한쪽과 다른쪽의 영역에는, Y 스케일(39Y1 및 39Y2) 사이에 끼워진 상태에서, X 스케일(39X1, 39X2)이 각각 형성되어 있다. X 스케일(39X1, 39X2)은, 예컨대, Y축 방향을 길이 방향으로 하는 격자선(37)이 소정 피치로 X축 방향으로 배열된, X축 방향을 주기 방향으로 하는 반사형의 격자(예컨대 회절 격자)에 의해 구성되어 있다.
또, 격자선(37, 38)의 피치는, 예컨대 1 ㎛로 설정된다. 도 2의 (A) 및 그 밖의 도면에 있어서, 도시의 편의를 위해, 격자의 피치를 실제의 피치보다 크게 도시하고 있다.
또한, 회절 격자를 보호하기 위해, 저열팽창률의 유리판으로 커버하는 것도 유효하다. 여기서, 유리판으로는, 두께가 웨이퍼와 동일한 정도, 예컨대 두께 1 mm의 것을 이용할 수 있고, 그 유리판의 표면이 웨이퍼면과 동일한 높이(동일면)가 되도록, 웨이퍼 테이블(WTB) 상면에 설치된다.
또한, 웨이퍼 테이블(WTB)의 -Y 단부면, -X 단부면에는, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 후술하는 간섭계 시스템에서 이용되는 반사면(17a), 반사면(17b)이 형성되어 있다.
또한, 웨이퍼 테이블(WTB)의 +Y측의 면에는, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 미국 특허 출원 공개 제2008/0088843호 명세서에 개시된 CD 바와 동일한, X축 방향으로 연장되는 피듀셜 바(이하, 「FD 바」라고 약술함)(46)가 부착되어 있다. FD 바(46)의 길이 방향의 한쪽과 다른쪽의 단부 근방에는, 센터 라인(LL)에 관해 대칭인 배치로, Y축 방향을 주기 방향으로 하는 기준 격자(예컨대 회절 격자)(52)가 각각 형성되어 있다. 또한, FD 바(46)의 상면에는, 복수의 기준 마크(M)가 형성되어 있다. 각 기준 마크(M)로는, 후술하는 얼라인먼트계에 의해 검출 가능한 치수의 2차원 마크가 이용되고 있다.
본 실시형태의 노광 장치(100)에서는, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 투영 광학계(PL)의 광축(AX)과 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)의 검출 중심을 연결하는 Y축에 평행한 직선(이하, 기준축이라고 함)(LV) 상에서, 광축(AX)으로부터 -Y측으로 소정 거리 이격한 위치에 검출 중심을 갖는 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)가 배치되어 있다. 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)는, 도시되지 않은 메인 프레임의 하면에 고정되어 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)를 사이에 두고 X축 방향의 한쪽과 다른쪽에는, 기준축(LV)에 관해 거의 대칭으로 검출 중심이 배치되는 세컨더리 얼라인먼트계(AL21, AL22와, AL23, AL24)가 각각 형성되어 있다. 세컨더리 얼라인먼트계(AL21∼AL24)는, 가동식의 지지 부재를 통해 메인 프레임(도시되지 않음)의 하면에 고정되어 있고, 구동 기구(601∼604)(도 10 참조)에 의해, X축 방향에 관해 이들의 검출 영역의 상대 위치가 조정 가능하게 되어 있다.
본 실시형태에서는, 얼라인먼트계(AL1, AL21∼AL24)의 각각으로서, 예컨대 화상 처리 방식의 FIA(Field Image Alignment)계가 이용되고 있다. 얼라인먼트계(AL1, AL21∼AL24)의 각각으로부터의 촬상 신호는, 도시되지 않은 신호 처리계를 통해 주제어 장치(20)에 공급된다.
간섭계 시스템(118)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 반사면(17a 또는 17b)에 각각 간섭계 빔(측장빔)을 조사하고, 그 반사광을 수광하여, 웨이퍼 스테이지(WST)의 XY 평면 내의 위치를 계측하는 Y 간섭계(16)와, 3개의 X 간섭계(126∼128)와, 한쌍의 Z 간섭계(43A, 43B)를 구비하고 있다. 상세히 서술하면, Y 간섭계(16)는, 기준축(LV)에 관해 대칭인 한쌍의 측장빔(B41, B42)을 포함하는 적어도 3개의 Y축에 평행한 측장빔을 반사면(17a), 및 후술하는 이동경(41)에 조사한다. 또한, X 간섭계(126)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 광축(AX)과 기준축(LV)에 직교하는 X축에 평행한 직선(이하, 기준축이라고 함)(LH)에 관해 대칭인 한쌍의 측장빔(B51, B52)을 포함하는 적어도 3개의 X축에 평행한 측장빔을 반사면(17b)에 조사한다. 또한, X 간섭계(127)는, 얼라인먼트계(AL1)의 검출 중심에서 기준축(LV)과 직교하는 X축에 평행한 직선(이하, 기준축이라고 함)(LA)을 측장축으로 하는 측장빔(B6)을 포함하는 적어도 2개의 Y축에 평행한 측장빔을 반사면(17b)에 조사한다. 또한, X 간섭계(128)는, X축에 평행한 측장빔(B7)을 반사면(17b)에 조사한다.
간섭계 시스템(118)의 상기 각 간섭계로부터의 위치 정보는, 주제어 장치(20)에 공급된다. 주제어 장치(20)는, Y 간섭계(16) 및 X 간섭계(126 또는 127)의 계측 결과에 기초하여, 웨이퍼 테이블(WTB)(웨이퍼 스테이지(WST))의 X, Y 위치에 덧붙여, θx 방향의 회전 정보(즉 피칭), θy 방향의 회전 정보(즉 롤링), 및 θz 방향의 회전 정보(즉 요잉)도 산출할 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 스테이지 본체(91)의 -Y측의 측면에, 오목형의 반사면을 갖는 이동경(41)이 부착되어 있다. 이동경(41)은, 도 2의 (A)에서 알 수 있는 바와 같이, X축 방향의 길이가 웨이퍼 테이블(WTB)의 반사면(17a)보다 길다.
이동경(41)에 대향하여, 간섭계 시스템(118)(도 10 참조)의 일부를 구성하는 한쌍의 Z 간섭계(43A, 43B)가 설치되어 있다(도 1 및 도 6 참조). Z 간섭계(43A, 43B)는, 이동경(41)을 통해, 예컨대 투영 유닛(PU)을 지지하는 프레임(도시되지 않음)에 고정된 고정경(47A, 47B)에 각각 2개의 Y축에 평행한 측장빔(B1, B2)을 조사한다. 그리고, 각각의 반사광을 수광하여, 측장빔(B1, B2)의 광로 길이를 계측한다. 그 결과로부터, 주제어 장치(20)는 웨이퍼 스테이지(WST)의 4 자유도(Y, Z, θy, θz) 방향의 위치를 산출한다.
본 실시형태의 노광 장치(100)에는, 간섭계 시스템(118)과는 독립적으로, 웨이퍼 스테이지(WST)의 XY 평면 내에서의 위치(X, Y, θz)를 계측하기 위해, 인코더 시스템(150)을 구성하는 복수의 헤드 유닛이 설치되어 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 투영 유닛(PU)의 +X측, +Y측, -X측, 및 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)의 -Y측에, 4개의 헤드 유닛(62A, 62B, 62C, 및 62D)이, 각각 배치되어 있다. 또한, 얼라인먼트계(AL1, AL21∼AL24)의 X축 방향의 양외측에 헤드 유닛(62E, 62F)이, 각각 설치되어 있다. 헤드 유닛(62A∼62F)은, 지지 부재를 통해, 투영 유닛(PU)을 유지하는 메인 프레임(도시되지 않음)에 매달린 상태로 고정되어 있다. 또, 도 7에 있어서, 부호 UP는, 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 있는 웨이퍼의 언로드가 행해지는 언로딩 포지션을 나타내고, 부호 LP는, 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 대한 새로운 웨이퍼의 로드가 행해지는 로딩 포지션을 나타낸다.
헤드 유닛(62A, 62C)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 전술한 기준축(LH) 상에 소정 간격으로 배치된 복수(여기서는 5개)의 Y 헤드(651∼655), Y 헤드(641∼645)를 각각 구비하고 있다. 이하에서는, 필요에 따라, Y 헤드(651∼655) 및 Y 헤드(641∼645)를, 각각 Y 헤드(65) 및 Y 헤드(64)라고도 기술한다.
헤드 유닛(62A, 62C)은, Y 스케일(39Y1, 39Y2)을 이용하여, 웨이퍼 스테이지(WST)(웨이퍼 테이블(WTB))의 Y축 방향의 위치(Y 위치)를 계측하는 다안(多眼)의 Y 리니어 인코더(70A, 70C)(도 10 참조)를 구성한다. 또, 이하에서는, Y 리니어 인코더를, 적절히 「Y 인코더」 또는 「인코더」라고 약술한다.
헤드 유닛(62B)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 투영 유닛(PU)의 +Y측에 배치되고, 기준축(LV) 상에 간격(WD)으로 배치된 복수(여기서는 4개)의 X 헤드(665∼668)를 구비하고 있다. 또한, 헤드 유닛(62D)은, 프라이머리 얼라인먼트계(AL1)의 -Y측에 배치되고, 기준축(LV) 상에 간격(WD)으로 배치된 복수(여기서는 4개)의 X 헤드(661∼664)를 구비하고 있다. 이하에서는, 필요에 따라, X 헤드(665∼668) 및 X 헤드(661∼664)를 X 헤드(66)라고도 기술한다.
헤드 유닛(62B, 62D)은, X 스케일(39X1, 39X2)을 이용하여, 웨이퍼 스테이지(WST)(웨이퍼 테이블(WTB))의 X축 방향의 위치(X 위치)를 계측하는 다안의 X 리니어 인코더(70B, 70D)(도 10 참조)를 구성한다. 또, 이하에서는, X 리니어 인코더를, 적절히 「X 인코더」 또는 「인코더」라고 약술한다.
여기서, 헤드 유닛(62A, 62C)이 각각 구비하는 5개의 Y 헤드(65, 64)(보다 정확하게는, Y 헤드(65, 64)가 발하는 계측빔의 스케일 상의 조사점)의 X축 방향의 간격(WD)은, 노광시 등에, 적어도 하나의 헤드가, 항상, 대응하는 Y 스케일(39Y1, 39Y2)에 대향(계측빔을 조사)하도록 정해져 있다. 마찬가지로, 헤드 유닛(62B, 62D)이 각각 구비하는 인접한 X 헤드(66)(보다 정확하게는, X 헤드(66)가 발하는 계측빔의 스케일 상의 조사점)의 Y축 방향의 간격(WD)은, 노광시 등에, 적어도 하나의 헤드가, 항상, 대응하는 X 스케일(39X1 또는 39X2)에 대향(계측빔을 조사)하도록 정해져 있다. 그 때문에, 예컨대 도 11의 (A)에 도시된 노광 동작 중의 일 상태에서는, Y 헤드(653, 643)가 각각 Y 스케일(39Y1, 39Y2)에, X 헤드(665)가 X 스케일(39X1)에 대향한다(계측빔을 조사한다).
또, 헤드 유닛(62B)의 가장 -Y측의 X 헤드(665)와 헤드 유닛(62D)의 가장 +Y측의 X 헤드(664)의 간격은, 웨이퍼 스테이지(WST)의 Y축 방향의 이동에 의해, 그 2개의 X 헤드 사이에서 전환(연결)이 가능해지도록, 웨이퍼 테이블(WTB)의 Y축 방향의 폭보다 좁게 설정되어 있다.
헤드 유닛(62E)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 복수(여기서는 4개)의 Y 헤드(671∼674)를 구비하고 있다.
헤드 유닛(62F)은, 복수(여기서는 4개)의 Y 헤드(681∼684)를 구비하고 있다. Y 헤드(681∼684)는, 기준축(LV)에 관해, Y 헤드(674∼671)와 대칭인 위치에 배치되어 있다. 이하에서는, 필요에 따라, Y 헤드(674∼671) 및 Y 헤드(681∼684)를, 각각 Y 헤드(67) 및 Y 헤드(68)라고도 기술한다.
얼라인먼트 계측시에는, 적어도 각 하나의 Y 헤드(67, 68)가, 각각 Y 스케일(39Y2, 39Y1)에 대향한다. 예컨대 도 11의 (B)에 도시된 얼라인먼트 계측 중의 일 상태에서는, Y 헤드(673, 682)가 각각 Y 스케일(39Y2, 39Y1)에 대향하고 있다. Y 헤드(67, 68)(즉, Y 헤드(67, 68)에 의해 구성되는 Y 인코더(70E, 70F))에 의해 웨이퍼 스테이지(WST)의 Y 위치(및 θz 회전)가 계측된다.
또한, 본 실시형태에서는, 세컨더리 얼라인먼트계의 베이스 라인 계측시 등에, 세컨더리 얼라인먼트계(AL21, AL24)에 X축 방향으로 인접한 Y 헤드(673, 682)가, FD 바(46)의 한쌍의 기준 격자(52)와 각각 대향하고, 그 한쌍의 기준 격자(52)와 대향하는 Y 헤드(673, 682)에 의해, FD 바(46)의 Y 위치가, 각각의 기준 격자(52)의 위치에서 계측된다. 이하에서는, 한쌍의 기준 격자(52)에 각각 대향하는 Y 헤드(673, 682)에 의해 구성되는 인코더를 Y 리니어 인코더(70E2, 70F2)(도 10 참조)라고 한다. 또한, 식별을 위해, Y 스케일(39Y2, 39Y1)에 대향하는 Y 헤드(67, 68)에 의해 구성되는 Y 인코더를, Y 인코더(70E1, 70F1)라고 한다.
전술한 인코더(70A∼70F)의 계측치는, 주제어 장치(20)에 공급된다. 주제어 장치(20)는, 인코더(70A∼70D) 중 3개, 또는 인코더(70E1, 7F1, 70B 및 70D) 중 3개의 계측치에 기초하여, 웨이퍼 스테이지(WST)의 XY 평면 내에서의 위치(X, Y, θz)를 산출한다. 여기서, X 헤드(66), Y 헤드(65, 64)(또는 68, 67)의 계측치(각각 CX, CY1, CY2라고 표기함)는, 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치(X, Y, θz)에 대하여, 다음과 같이 의존한다.
CX=(pX-X)cosθz+(qX-Y)sinθz …(1a)
CY1=-(pY1-X)sinθz+(qY1-Y)cosθz …(1b)
CY2=-(pY2-X)sinθz+(qY2-Y)cosθz …(1c)
다만, (pX, qX), (pY1, qY1), (pY2, qY2)는, 각각 X 헤드(66), Y 헤드(65)(또는 68), Y 헤드(64)(또는 67)의 X, Y 설치 위치(보다 정확하게는 계측빔의 조사점의 X, Y 위치)이다. 그래서, 주제어 장치(20)는, 3개 헤드의 계측치(CX, CY1, CY2)를 연립 방정식 (1a)∼(1c)에 대입하고, 이들을 풀어서, 웨이퍼 스테이지(WST)의 XY 평면 내에서의 위치(X, Y, θz)를 산출한다. 이 산출 결과에 기초하여, 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동 제어한다.
또한, 주제어 장치(20)는, 리니어 인코더(70E2, 70F2)의 계측치에 기초하여, FD 바(46)(웨이퍼 스테이지(WST))의 θz 방향의 회전을 제어한다. 여기서, 리니어 인코더(70E2, 70F2)의 계측치(각각 CY1, CY2라고 표기함)는, FD 바(46)의 (X, Y, θz) 위치에 대하여, 식 (1b), (1c)와 같이 의존한다. 따라서, FD 바(46)의 θz 위치는, 계측치(CY1, CY2)로부터, 다음과 같이 구해진다.
sinθz=-(CY1-CY2)/(pY1-pY2) …(2)
다만, 간단하게 하기 위해, qY1=qY2를 가정했다.
또, 각 인코더 헤드(Y 헤드, X 헤드)로서, 예컨대, 미국 특허 출원 공개 제2008/0088843호 명세서에 개시되어 있는 간섭형의 인코더 헤드를 이용할 수 있다. 이러한 종류의 인코더 헤드에서는, 2개의 계측빔을 대응하는 스케일에 조사하고, 각각의 복귀광을 하나의 간섭광에 합성하여 수광하고, 그 간섭광의 강도를 광검출기를 이용하여 계측한다. 그 간섭광의 강도 변화로부터, 스케일의 계측 방향(회절 격자의 주기 방향)으로의 변위를 계측한다.
또한, 본 실시형태의 노광 장치(100)에서는, 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이, 조사계(90a) 및 수광계(90b)로 이루어지는 다점 초점 위치 검출계(이하, 「다점 AF계」라고 약술함)가 형성되어 있다. 다점 AF계로는, 예컨대 미국 특허 제5,448,332호 명세서 등에 개시된 것과 동일한 구성의 사(斜)입사 방식을 채용하고 있다. 본 실시형태에서는, 일례로서, 전술한 헤드 유닛(62E)의 -X 단부의 +Y측에 조사계(90a)가 배치되고, 이것에 대치하는 상태로, 전술한 헤드 유닛(62F)의 +X 단부의 +Y측에 수광계(90b)가 배치되어 있다. 또, 다점 AF계(90a, 90b)는 투영 유닛(PU)을 유지하는 메인 프레임의 하면에 고정되어 있다.
도 7 및 도 9에서는, 각각 검출빔이 조사되는 복수의 검출점이, 개별적으로 도시되지 않고, 조사계(90a) 및 수광계(90b) 사이에서 X축 방향으로 연장되는 가늘고 긴 검출 영역(빔 영역)(AF)으로서 도시되어 있다. 검출 영역(AF)은, X축 방향의 길이가 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 정도로 설정되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 Y축 방향으로 1회 스캔하는 것만으로, 웨이퍼(W)의 거의 전면에서 Z축 방향의 위치 정보(면위치 정보)를 계측할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 다점 AF계(90a, 90b)의 검출 영역(AF)의 양단부 근방에, 기준축(LV)에 관해 대칭인 배치로, 면위치 센서 시스템(180)의 일부를 구성하는 각 한쌍의 Z 위치 계측용의 헤드(이하, 「Z 헤드」라고 약술함)(72a, 72b, 및 72c, 72d)가 설치되어 있다. 이들 Z 헤드(72a∼72d)는, 도시되지 않은 메인 프레임의 하면에 고정되어 있다.
Z 헤드(72a∼72d)로는, 예컨대, CD 드라이브 장치 등에서 이용되는 광 픽업과 동일한 광학식 변위 센서의 헤드가 이용된다. Z 헤드(72a∼72d)는, 웨이퍼 테이블(WTB)에 대하여 상측으로부터 계측빔을 조사하고, 그 반사광을 수광하여, 조사점에서의 웨이퍼 테이블(WTB)의 면위치를 계측한다. 또, 본 실시형태에서는, Z 헤드의 계측빔은, 전술한 Y 스케일(39Y1, 39Y2)을 구성하는 반사형 회절 격자에 의해 반사되는 구성을 채용하고 있다.
또한, 전술한 헤드 유닛(62A, 62C)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 각각이 구비하는 5개의 Y 헤드(65j, 64i)(i, j=1∼5)와 동일한 X 위치에, 다만 Y 위치를 변이시켜, 각각 5개의 Z 헤드(76j, 74i)(i, j=1∼5)를 구비하고 있다. 그리고, 헤드 유닛(62A, 62C)의 각각에 속하는 5개의 Z 헤드(76j, 74i)는, 서로 기준축(LV)에 관해 대칭으로 배치되어 있다. 또, 각 Z 헤드(76j, 74i)로는, 전술한 Z 헤드(72a∼72d)와 동일한 광학식 변위 센서의 헤드가 채용된다.
전술한 Z 헤드(72a∼72d, 741∼745, 761∼765)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 신호 처리·선택 장치(170)를 통해 주제어 장치(20)에 접속되어 있고, 주제어 장치(20)는, 신호 처리·선택 장치(170)를 통해 Z 헤드(72a∼72d, 741∼745, 761∼765) 중에서 임의의 Z 헤드를 선택하여 작동 상태로 하고, 그 작동 상태로 한 Z 헤드로 검출한 면위치 정보를 신호 처리·선택 장치(170)를 통해 수신한다. 본 실시형태에서는, Z 헤드(72a∼72d, 741∼745, 761∼765)와, 신호 처리·선택 장치(170)를 포함하여 웨이퍼 스테이지(WST)의 Z축 방향 및 XY 평면에 대한 경사 방향의 위치 정보를 계측하는 면위치 센서 시스템(180)이 구성되어 있다.
본 실시형태에서는, 주제어 장치(20)는, 면위치 센서 시스템(180)(도 10 참조)을 이용하여, 웨이퍼 스테이지(WST)의 유효 스트로크 영역, 즉 노광 및 얼라인먼트 계측을 위해 웨이퍼 스테이지(WST)가 이동하는 영역에서, 그 2 자유도 방향(Z, θy)의 위치 좌표를 계측한다.
주제어 장치(20)는, 노광시에는, 적어도 각 하나의 Z 헤드(76j, 74i)(j, i는 1∼5 중 어느 것)의 계측치를 이용하여, 테이블면 상의 기준점(테이블면과 광축(AX)의 교점)에서의, 웨이퍼 스테이지(WST)의 높이(Z0)와 롤링(θy)을 산출한다. 도 11의 (A)에 도시된 노광 동작 중의 일 상태에서는, Y 스케일(39Y1, 39Y2)에 각각 대향하고 있는 Z 헤드(763, 743)의 계측치를 이용한다. 여기서, Z 헤드(76j, 74i)(j, i는 1∼5 중 어느 것)의 계측치(각각 Z1, Z2라고 표기함)는, 웨이퍼 스테이지(WST)의(Z0, θx, θy) 위치에 대하여, 다음과 같이 의존한다.
Z1=-tanθy·p1+tanθx·q1+Z0 …(3a)
Z2=-tanθy·p2+tanθx·q2+Z0 …(3b)
다만, 스케일 표면을 포함하여 웨이퍼 테이블(WTB)의 상면은, 이상적인 평면인 것으로 한다. 또, (p1, q1), (p2, q2)는, 각각 Z 헤드(76j, 74i)의 X, Y 설치 위치(보다 정확하게는 계측빔의 조사점의 X, Y 위치)이다. 식 (3a), (3b)로부터, 다음 식 (4a), (4b)가 도출된다.
Z0=[Z1+Z2-tanθx·(q1+q2)]/2 …(4a)
tanθy=[Z1-Z2-tanθx·(q1-q2)]/(p1-p2) …(4b)
따라서, 주제어 장치(20)는, Z 헤드(76j, 74i)의 계측치(Z1, Z2)를 이용하여, 식 (4a), (4b)로부터, 웨이퍼 스테이지(WST)의 높이(Z0)와 롤링(θy)을 산출한다. 다만, 피칭(θx)은, 별도의 센서 시스템(본 실시형태에서는 간섭계 시스템(118))의 계측 결과를 이용한다.
주제어 장치(20)는, 도 12에 도시된 포커스 캘리브레이션과 포커스 맵핑시에는, Y 스케일(39Y1, 39Y2)에 대향하는 4개의 Z 헤드(72a∼72d)의 계측치(각각 Za, Zb, Zc, Zd라고 표기함)를 이용하여, 다점 AF계(90a, 90b)의 복수의 검출점의 중심(X, Y)=(Ox', Oy')에서의 웨이퍼 테이블(WTB)의 높이(Z0)와 롤링(θy)을, 다음과 같이 산출한다.
Z0=(Za+Zb+Zc+Zd)/4 …(5a)
tanθy=-(Za+Zb-Zc-Zd)/(pa+pb-pc-pd) …(5b)
여기서, (pa, qa), (pb, qb), (pc, qc), (pd, qd)는 각각 Z 헤드(72a∼72d)의 X, Y 설치 위치(보다 정확하게는 계측빔의 조사점의 X, Y 위치)이다. 다만, pa=pb, pc=pd, qa=qc, qb=qd, (pa+pc)/2=(pb+pd)/2=Ox', (qa+qb)/2=(qc+qd)/2=Oy'로 한다. 또, 상기와 마찬가지로, 피칭(θx)은, 별도의 센서 시스템(본 실시형태에서는 간섭계 시스템(118))의 계측 결과를 이용한다.
도 10에는, 노광 장치(100)의 제어계의 주요한 구성이 도시되어 있다. 이 제어계는, 장치 전체를 통괄적으로 제어하는 마이크로 컴퓨터(또는 워크 스테이션)로 이루어지는 주제어 장치(20)를 중심으로 하여 구성되어 있다.
전술한 바와 같이 하여 구성된 본 실시형태의 노광 장치에서는, 예컨대 미국 특허 출원 공개 제2008/0088843호 명세서의 실시형태 중에 개시되어 있는 순서와 동일한 순서에 따라, 웨이퍼 스테이지(WST)를 이용한 통상의 시퀀스의 처리가 주제어 장치(20)에 의해 실행된다.
다음으로, 이상시의 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어에 관해 설명한다.
본 실시형태의 노광 장치(100)에 탑재된 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)에서는, 스케일 표면에 부착된 이물을 검출하는 것 등에 의해, 인코더와 Z 센서의 계측 결과에 이상이 발생하는 것을 생각할 수 있다. 여기서, 인코더의 계측빔은, 반사면 상에서, 예컨대 계측 방향으로 2 mm, 격자선 방향으로 50 ㎛의 넓이를 갖는다. Z 센서의 계측빔은, 반사면인 회절 격자면 상에서 수 ㎛로 집광되지만, 스케일 표면에서는 개구수에 따라 서브밀리 정도로 넓어진다. 따라서, 작은 이물도 검출할 수 있다. 또한, 실제적 견지에서, 이물의 장치 내로의 침입, 그리고 스케일 표면에 대한 부착을, 장기간에 걸쳐 완전히 막는 것은 불가능하다. 또한, 인코더 또는 Z 센서가 고장나, 출력이 중단되는 사태도 생각할 수 있다.
또한, 예컨대 미국 특허 출원 공개 제2008/0088843호 명세서에 개시된 액침 노광 장치에서는, 스케일 표면에 물방울이 회수되지 못하고 남을 가능성이 있다. 그 물방울이 인코더와 Z 센서의 계측 결과의 이상을 발생하는 근원이 될 수 있다. 여기서, 인코더와 Z 센서가 물방울을 검출한 경우, 계측빔이 물방울로 차단되어 빔강도가 저하되고, 나아가서는 출력 신호가 중단된다. 또한, 굴절률이 상이한 물질을 검출하기 때문에, 웨이퍼 스테이지(WST)의 변위에 대한 계측 결과의 선형성이 저하되는 것을 생각할 수 있다.
주제어 장치(20)는, 계측 클록(예컨대 10 μsec)의 발생마다 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)을 구성하는 인코더(70A∼70F)(X 헤드 및 Y 헤드(64∼68)) 및 Z 헤드(76j, 74i) 등의 출력 신호를 수집한다. 주제어 장치(20)는, 제어 클록(예컨대 100 μsec)의 발생마다 수집한 출력 신호를 이용하여 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 산출하고, 그 결과에 기초하여 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 목표를 결정한다. 결정된 구동 목표는 스테이지 구동계(124)에 송신되고, 그 목표에 따라 스테이지 구동계(124)에 의해 웨이퍼 스테이지(WST)가 구동된다.
여기서, 전술한 바와 같이 인코더와 Z 센서의 계측 결과에 이상이 발생하면, 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 산출할 때, 즉, 식 (1)을 이용하여 인코더(70A∼70F)의 계측치로부터 웨이퍼 스테이지(WST)의 XY 평면 내에서의 위치(X, Y, θz)를 산출할 때에, 또한 식 (4)를 이용하여 Z 헤드(76j, 74i)의 계측치로부터 웨이퍼 스테이지(WST)의 높이(Z0)와 롤링(θy)을 산출할 때에, 그 산출이 파탄되어 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치가 구해지지 않거나 혹은 큰 오차를 포함한(잘못된) 결과가 얻어져, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 목표를 결정할 수 없거나 혹은 잘못된 구동 목표가 결정된다. 구동 목표가 결정되지 않으면 웨이퍼 스테이지(WST)는 제어 불능이 되기 때문에, 주제어 장치(20)는, 예컨대, 다이나믹 브레이크를 걸거나, 쇼크 업소버 등에 충돌시키거나 하여 웨이퍼 스테이지(WST)를 긴급 정지한다. 또한, 잘못된 구동 목표가 결정되면, 스테이지 구동계(124)에 의해 그 목표에 따라 구동 제어된다. 그 때문에, 웨이퍼 스테이지(WST)는 급격한 가감속을 받게 된다.
본 실시형태의 노광 장치(100)에서의 자기 부상식의 평면 모터(스테이지 구동계)(124)의 경우, 구동력이 작용하는 구동점(가동자(51)가 설치되는 웨이퍼 스테이지(WST)의 바닥부)은 웨이퍼 스테이지(WST)의 무게 중심으로부터 떨어져 있다. 그 때문에, 전술한 바와 같이 웨이퍼 스테이지(WST)가 급격한 가감속을 받으면, 관성력에 의해 피칭(전방으로 쓰러지는 회전)이 생기고, 웨이퍼 스테이지(WST)의 상면(웨이퍼 테이블(WTB))이 그 바로 위에 배치된 인코더(70A∼70F)(X 헤드 및 Y 헤드(64∼68)) 및 Z 헤드(76j, 74i), 액침 노광 장치의 경우에는 또한 투영 광학계와 웨이퍼 사이의 액침 공간에 액침액을 공급하는 노즐 등의 액침 장치 등과 충돌하고, 특히 X 스케일(39X1, 39X2) 및 Y 스케일(39Y1, 39Y2)을 파손할 우려가 있다.
그래서, 주제어 장치(20)는, 전술한 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)의 이상을 포함하는 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지한 경우, 전술한 웨이퍼 스테이지(WST)의 피칭을 회피하기 위해, 평면 모터(스테이지 구동계)(124)를 제어하여, 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향의 추력을 가한다.
주제어 장치(20)는, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)의 이상을, 이들을 구성하는 인코더(70A∼70F)(X 헤드 및 Y 헤드(64∼68)) 및 Z 헤드(76j, 74i) 등으로부터의 출력 신호가 중단되는 것, 이들의 계측 결과의 급격한 시간 변화, 이들의 계측 결과의 별도 센서 시스템의 계측 결과로부터의 어긋남 등으로부터 검지한다.
주제어 장치(20)는, 전술한 바와 같이 제어 클록보다 주기가 짧은 계측 클록의 발생마다 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)을 구성하는 인코더(70A∼70F)(X 헤드 및 Y 헤드(64∼68)) 및 Z 헤드(76j, 74i) 등의 출력 신호를 수집한다. 따라서, 제어 클록의 발생, 즉 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어에 앞서, 출력 신호가 중단되는 것을 검지할 수 있다.
또한, 주제어 장치(20)는, 계측 클록의 발생마다 수집한 출력 신호를 이용하여 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 산출하고, 그 산출 결과를 이전 계측 클록의 발생시에 얻어진 산출 결과와 비교한다. 이 비교로부터, 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치가, 실제의 스테이지의 구동 속도를 고려하여 있을 수 없을 정도로 크게 변화한 것으로 판단되는 경우에, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)에 이상이 발생한 것으로 판단한다. 혹은, 위치의 산출 결과를 이전 계측 클록의 발생시(혹은 현계측 클록의 발생 전)에 구한 구동 목표와 비교하여, 이들의 어긋남이 미리 정한 허용 범위를 넘으면, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)에 이상이 발생한 것으로 판단한다. 또는, 주제어 장치(20)는, 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치 산출 결과로부터, 예컨대 다음 계측 클록의 발생시에서의 개개의 인코더(70A∼70F)(X 헤드 및 Y 헤드(64∼68)) 및 Z 헤드(76j, 74i) 등의 계측치를 예상하고, 그 예상 계측치로부터의 실제 계측치의 어긋남이 미리 정한 허용 범위를 넘으면, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)에 이상이 발생한 것으로 판단한다.
또한, 본 실시형태에서는, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)을 이용한 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치 계측과는 독립적으로, 전(全)스트로크 영역에서 간섭계 시스템(118)을 이용한 위치 계측을 행하고 있다. 그래서, 주제어 장치(20)는, 계측 클록의 발생마다, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)의 출력 신호로부터 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 산출함과 함께, 간섭계 시스템(118)의 계측 결과로부터 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 산출하여, 이들 산출 결과를 비교한다. 이들의 어긋남이 미리 정한 허용 범위를 넘으면, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)에 이상이 발생한 것으로 판단한다.
웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상은, 베이스반(12)(고정자(60)) 내에 배치된 예컨대 홀 소자 등의 자기 센서(도시되지 않음)를 이용하여 검지하는 것도 가능하다. 자기 센서(도시되지 않음)는, 웨이퍼 스테이지(WST)의 가동자(51)(자석 유닛(55X1, 55X2, 55Y1, 55Y2))를 구성하는 자석이 유도하는 자계(강도)를 검지하고, 자석의 배열을 구하기 위해서 등에 이용된다. 여기서, 자석이 유도하는 자계(강도)를 검지하는 것은, 자석, 즉 웨이퍼 스테이지(WST)와 베이스반(12)의 상면과의 이격 거리를 측정하는 것에 상당한다. 따라서, 자기 센서(도시되지 않음)는 웨이퍼 스테이지(WST)와 베이스반(12)의 상면과의 이격 거리를 측정하는 갭 센서로서 이용할 수도 있다. 그래서, 주제어 장치(20)는, 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동 제어함과 함께, 계측 클록의 발생마다 자기 센서(도시되지 않음)의 출력을 수집하고, 웨이퍼 스테이지(WST)와 베이스반(12)의 상면과의 이격 거리(혹은 자기 센서의 출력인 자계 강도)가 미리 정한 허용 범위를 넘으면, 웨이퍼 스테이지(WST)의 피칭이 생긴 것으로서, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지한다.
주제어 장치(20)는, 전술한 바와 같이 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)의 이상을 포함하는 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지하면, 다음 제어 클록의 발생시에, 또는 다음 제어 클록의 발생을 대기하지 않고 바로, 평면 모터(스테이지 구동계)(124)를 제어하여, 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향(-Z 방향)의 추력을 가한다.
여기서, 주제어 장치(20)는, 웨이퍼 스테이지(WST)의 바로 아래에 위치하는 X 코일 유닛(60X) 및 Y 코일 유닛(60Y)을 각각 구성하는 전기자 코일(38Xh, 38Yh)에, 역상(역부호)의 여자 전류(3상 전류)(-Ih)(h=A, B, C)를 공급한다. 도 3에 도시된 상태에서는, 자석 유닛(55X1, 55X2)의 바로 아래에 위치하는 X 코일 유닛(60X25, 60X36, 60X34, 60X45, 60X52, 60X54, 60X63, 60X72, 60X74)을 구성하는 전기자 코일(38Xh)과, 자석 유닛(55Y1, 55Y2)의 바로 아래에 위치하는 Y 코일 유닛(60Y55, 60X64, 60X66, 60X75, 60X22, 60X24, 60X33, 60X42, 60X44)을 구성하는 전기자 코일(38Yh)(h=A, B, C)에, 여자 전류(3상 전류)(-Ih)(h=A, B, C)가 공급된다. 이에 따라, 각 X 코일 유닛(60X) 및 Y 코일 유닛(60Y)은 -Z 방향의 합력(F)(=-FA-FB-FC)을 자석 유닛(55X1, 55X2) 및 자석 유닛(55Y1, 55Y2)에 미치게 한다. 이에 따라, 웨이퍼 스테이지(WST)는, 수직 방향(-Z 방향)의 추력을 받아, 피칭을 발생시키지 않고 베이스반(12)의 상면에 접촉하여, 상면으로부터의 마찰에 의해 정지한다.
또, 웨이퍼 스테이지(WST)의 바닥면의 전면, 즉 자석 유닛(55X1, 55X2, 55Y1, 55Y2)의 전부에 대하여 수직 방향(-Z 방향)의 추력을 가하는 것에 한정되지 않고, 일부의 영역만, 예컨대 웨이퍼 스테이지(WST)의 진행 방향에 대하여 후방에 위치하는 자석 유닛(55X1, 55X2, 55Y1, 55Y2)에 대해서만 수직 방향(-Z 방향)의 추력을 가하는 것으로 해도 좋다. 예컨대, 도 3에 도시된 상태에서 웨이퍼 스테이지(WST)가 -Y 방향으로 이동하고 있는 경우, 진행 방향에 대하여 후방에 위치하는 자석 유닛(55X1, 55Y1)의 바로 아래에 위치하는 X 코일 유닛(60X25, 60X36, 60X34, 60X45)을 구성하는 전기자 코일(38Xh)과, 자석 유닛(55Y1)의 바로 아래에 위치하는 Y 코일 유닛(60Y55, 60X64, 60X66, 60X75)을 구성하는 전기자 코일(38Yh)(h=A, B, C)에, 여자 전류(3상 전류)(-Ih)(h=A, B, C)가 공급된다.
또한, 베이스반(12)의 상면으로부터의 마찰력을 억제하기 위해, 웨이퍼 스테이지(WST)(스테이지 본체(91))의 바닥면과 베이스반(12)의 상면 중 적어도 한쪽에, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)과 같은 불화탄소 수지 등의 고섭동성재(材)를 이용하여 커버되어 있다.
전술한 바와 같이 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향(-Z 방향)의 추력을 가할 때에, X 코일 유닛(60X) 및 Y 코일 유닛(60Y)을 각각 구성하는 전기자 코일(38Xk, 38Yk)(k=U, V, W)에, 각각 역상(역부호)의 여자 전류(3상 전류)(-Ih)(h=A, B, C)를 공급하여, 웨이퍼 스테이지(WST)에 의해 큰 수직 방향(-Z 방향)의 추력을 가한다. 혹은, 전술한 바와 같이 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향(-Z 방향)의 추력을 가함과 함께, 전기자 코일(38Xk, 38Yk)(k=U, V, W)에, 각각 역상(역부호)의 여자 전류(3상 전류)(-Ik)(k=U, V, W)를 공급하여, 웨이퍼 스테이지(WST)에 이동 방향과 역방향의 추력을 가하여 정지시키는 것으로 해도 좋다.
또, 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 계측하고 그 결과에 기초하여 구동 제어하는 주제어 장치(20)가 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)의 이상을 포함하여 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지하고, 평면 모터(스테이지 구동계)(124)를 제어하여 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향의 추력을 가하는 것으로 했지만, 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동 제어하는 제어계와는 독립된 제어계가, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지하고, 평면 모터(스테이지 구동계)(124)를 제어하여 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향의 추력을 가하는 것으로 해도 좋다. 이에 따라, 긴급시의 웨이퍼 스테이지(WST)의 준민한 구동 제어가 가능해진다.
이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 노광 장치(100)에서는, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180)의 계측 결과에 기초하여 자기 부상형 평면 모터인 스테이지 구동계(124)를 제어하여 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동 제어함과 함께, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지한 경우, 스테이지 구동계(124)를 제어하여, 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향의 추력을 가한다. 이에 따라, 웨이퍼 스테이지(WST)의 피칭을 회피할 수 있어, 웨이퍼 스테이지(WST)(특히 X 스케일(39X1, 39X2) 및 Y 스케일(39Y1, 39Y2)) 및 그 바로 위에 배치된 구조물(특히 X 헤드 및 Y 헤드(64∼68) 및 Z 헤드(76j, 74i) 등)의 파손을 방지하는 것이 가능해진다.
또, 상기 실시형태에서는, 주제어 장치(20)는, 인코더 시스템(150) 및 면위치 센서 시스템(180), 베이스반(12)(고정자(60)) 내에 배치된 자기 센서(도시되지 않음)를 이용하여, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지하는 것으로 했지만, 그 밖의 센서를 이용하여 이상을 검지하는 것으로 해도 좋다. 예컨대, 노광 장치(100)에는, 통상, 지진동의 가속도를 검출하는 가속도 픽업을 포함하는 지진 센서가 배치되어 있다. 그래서, 지진 센서가 지진동을 검지한 경우에는, 주제어 장치(20)는, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지한 것으로서, 웨이퍼 스테이지(WST)에 수직 방향의 추력을 가하는 것으로 해도 좋다.
또한, 스테이지 구동계(124)에 의해 웨이퍼 스테이지(WST)로부터 베이스반(12)을 향하는 구동력을 발생시킴으로써, 웨이퍼 스테이지(WST)가 베이스반(12) 상에서 이동하는 동안에 웨이퍼 스테이지(WST)가 베이스반(12)으로부터 떨어지는 것이 억제된다. 이에 따라, 웨이퍼 스테이지(WST)의 구동 제어의 이상을 검지한 경우에 한정되지 않고, 웨이퍼 스테이지(WST)의 급가감속, 충돌시 등에 생기는 피칭 동작을 억제하는 것이 가능해진다.
또, 상기 실시형태에서 설명한 인코더 시스템 및 면위치 센서 시스템의 구성은 일례에 불과하며, 본 발명이 이것에 한정되지 않는 것은 물론이다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 웨이퍼 테이블(웨이퍼 스테이지) 상에 격자부(Y 스케일, X 스케일)를 형성하고, 이것에 대향하여 Y 헤드, X 헤드를 웨이퍼 스테이지의 외부에 배치하는 구성의 인코더 시스템을 채용한 경우에 관해 예시했지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 미국 특허 출원 공개 제2006/0227309호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼 스테이지에 인코더 헤드를 설치하고, 이것에 대향하여 웨이퍼 스테이지의 외부에 격자부(예컨대 2차원 격자 또는 2차원으로 배치된 1차원의 격자부)를 배치하는 구성의 인코더 시스템을 채용해도 좋다. 이 경우에 있어서, Z 헤드도 웨이퍼 스테이지에 설치하고, 그 격자부의 면을, Z 헤드의 계측빔이 조사되는 반사면으로 해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 예컨대 헤드 유닛(62A, 62C)의 내부에 인코더 헤드와 Z 헤드가 따로따로 설치되어 있는 경우에 관해 설명했지만, 인코더 헤드와 Z 헤드의 기능을 구비한 단일 헤드를, 인코더 헤드와 Z 헤드의 세트를 대신하여 이용해도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 본 발명이, 액체(물)를 통하지 않고 웨이퍼(W)의 노광을 행하는 드라이 타입의 노광 장치에 적용된 경우에 관해 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 국제 공개 제99/49504호 등에 개시되어 있는 바와 같이, 투영 광학계와 웨이퍼 사이에 조명광의 광로를 포함하는 액침 공간을 형성하고, 투영 광학계 및 액침 공간의 액체를 통해 조명광으로 웨이퍼를 노광하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 예컨대 미국 특허 출원 공개 제2008/0088843호 명세서에 개시된 액침 노광 장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 스텝 앤드 스캔 방식 등의 주사형 노광 장치에 본 발명이 적용된 경우에 관해 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 스테퍼 등의 정지형 노광 장치에 본 발명을 적용해도 좋다. 또한, 샷 영역과 샷 영역을 합성하는 스텝 앤드 스티치 방식의 축소 투영 노광 장치, 프록시미티 방식의 노광 장치, 또는 미러 프로젝션 얼라이너 등에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 예컨대 미국 특허 제6,590,634호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같이, 복수의 웨이퍼 스테이지를 구비한 멀티스테이지형의 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 예컨대 국제 공개 제2005/074014호 등에 개시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼 스테이지와는 별도로, 계측 부재(예컨대, 기준 마크, 및/또는 센서 등)를 포함하는 계측 스테이지를 구비하는 노광 장치에도 본 발명은 적용이 가능하다.
또한, 상기 실시형태의 노광 장치에서의 투영 광학계는 축소계뿐만 아니라 등배 및 확대계의 어느 것이어도 좋고, 투영 광학계(PL)는 굴절계뿐만 아니라, 반사계 및 반사 굴절계의 어느 것이어도 좋고, 그 투영상은 도립상 및 정립상의 어느 것이어도 좋다. 또한, 전술한 조명 영역 및 노광 영역은 그 형상이 직사각형인 것으로 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 원호, 사다리꼴, 혹은 평행사변형 등이어도 좋다.
또, 상기 실시형태의 노광 장치의 광원은, ArF 엑시머 레이저에 한정되지 않고, KrF 엑시머 레이저(출력 파장 248 nm), F2 레이저(출력 파장 157 nm), Ar2 레이저(출력 파장 126 nm), Kr2 레이저(출력 파장 146 nm) 등의 펄스 레이저 광원, g선(파장 436 nm), i선(파장 365 nm) 등의 휘선을 발하는 초고압 수은 램프 등을 이용하는 것도 가능하다. 또한, YAG 레이저의 고조파 발생 장치 등을 이용할 수도 있다. 이밖에, 예컨대 미국 특허 제7,023,610호 명세서에 개시되어 있는 바와 같이, 진공 자외광으로서 DFB 반도체 레이저 또는 파이버 레이저로부터 발진되는 적외역, 또는 가시역의 단일 파장 레이저광을, 예컨대 에르븀(또는 에르븀과 이테르븀의 양쪽)이 도핑된 파이버 앰프로 증폭하고, 비선형 광학 결정을 이용하여 자외광으로 파장 변환한 고조파를 이용해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 노광 장치의 조명광(IL)으로는 파장 100 nm 이상의 광에 한정되지 않고, 파장 100 nm 미만의 광을 이용해도 좋은 것은 물론이다. 예컨대, 최근, 70 nm 이하의 패턴을 노광하기 위해, SOR이나 플라즈마 레이저를 광원으로 하여, 연X선 영역(예컨대 5∼15 nm의 파장 영역)의 EUV(Extreme Ultraviolet) 광을 발생시킴과 함께, 그 노광 파장(예컨대 13.5 nm) 하에서 설계된 올반사 축소 광학계, 및 반사형 마스크를 이용한 EUV 노광 장치의 개발이 이루어지고 있다. 이밖에, 전자선 또는 이온빔 등의 하전 입자선을 이용하는 노광 장치에도 본 발명은 적용할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에 있어서는, 광투과성의 기판 상에 소정의 차광 패턴(또는 위상 패턴·감광(減光) 패턴)을 형성한 광투과형 마스크(레티클)를 이용했지만, 이 레티클 대신에, 예컨대 미국 특허 제6,778,257호 명세서에 개시되어 있는 바와 같이, 노광해야 할 패턴의 전자 데이터에 기초하여, 투과 패턴 또는 반사 패턴, 혹은 발광 패턴을 형성하는 전자 마스크(가변 성형 마스크, 액티브 마스크, 혹은 이미지 제너레이터라고도 불리며, 예컨대 비발광형 화상 표시 소자(공간 광변조기)의 일종인 DMD(Digital Micro-mirror Device) 등을 포함함)를 이용해도 좋다.
또한, 예컨대 간섭 줄무늬를 웨이퍼 상에 형성함으로써, 웨이퍼 상에 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성하는 노광 장치(리소그래피 시스템)에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 예컨대 미국 특허 제6,611,316호 명세서에 개시되어 있는 바와 같이, 2개의 레티클 패턴을 투영 광학계를 통해 웨이퍼 상에서 합성하고, 1회의 스캔 노광에 의해 웨이퍼 상의 하나의 샷 영역을 거의 동시에 2중 노광하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또, 상기 실시형태에서 패턴을 형성해야 할 물체(에너지빔이 조사되는 노광 대상의 물체)는 웨이퍼에 한정되지 않고, 유리 플레이트, 세라믹 기판, 필름 부재, 혹은 마스크 블랭크 등, 다른 물체여도 좋다.
노광 장치의 용도로는 반도체 제조용 노광 장치에 한정되지 않고, 예컨대, 사각형의 유리 플레이트에 액정 표시 소자 패턴을 전사하는 액정용 노광 장치, 유기 EL, 박막 자기 헤드, 촬상 소자(CCD 등), 마이크로 머신 및 DNA 칩 등을 제조하기 위한 노광 장치에도 널리 적용할 수 있다. 또한, 반도체 소자 등의 마이크로 디바이스뿐만 아니라, 광 노광 장치, EUV 노광 장치, X선 노광 장치, 및 전자선 노광 장치 등에서 사용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위해, 유리 기판 또는 실리콘 웨이퍼 등에 회로 패턴을 전사하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
반도체 소자 등의 전자 디바이스는, 디바이스의 기능·성능 설계를 행하는 단계, 이 설계 단계에 기초한 레티클을 제작하는 단계, 실리콘 재료로부터 웨이퍼를 제작하는 단계, 전술한 실시형태의 노광 장치(패턴 형성 장치)에 의해 마스크(레티클)의 패턴을 웨이퍼에 전사하는 리소그래피 단계, 노광된 웨이퍼를 현상하는 현상 단계, 레지스트가 잔존하고 있는 부분 이외의 부분의 노출 부재를 에칭에 의해 제거하는 에칭 단계, 에칭이 종료되어 불필요해진 레지스트를 제거하는 레지스트 제거 단계, 디바이스 조립 단계(다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함함), 검사 단계 등을 거쳐 제조된다. 이 경우, 리소그래피 단계에서, 상기 실시형태의 노광 장치를 이용하여 전술한 노광 방법이 실행되어, 웨이퍼 상에 디바이스 패턴이 형성되기 때문에, 고집적도의 디바이스를 양호한 생산성으로 제조할 수 있다.
12 : 베이스반, 20 : 주제어 장치, 38X(38XU, 38XV, 38XW, 38XA, 38XB, 38XC), 38Y(38YU, 38YV, 38YW, 38YA, 38YB, 38YC) : 전기자 코일, 39X1, 39X2 : X 스케일, 39Y1, 39Y2 : Y 스케일, 50 : 스테이지 장치, 51 : 가동자, 55X1, 55X2, 55Y1, 55Y2 : 자석 유닛, 60(60X, 60Y) : 고정자(X 코일 유닛, Y 코일 유닛), 62A∼62F : 헤드 유닛, 64, 65 : Y 헤드, 66 : X 헤드, 67, 68 : Y 헤드, 70A, 70C : Y 인코더, 70B, 70D : X 인코더, 72a∼72d, 74, 76 : Z 헤드, 100 : 노광 장치, 118 : 간섭계 시스템, 124 : 스테이지 구동계(평면 모터), 150 : 인코더 시스템, PL : 투영 광학계, PU : 투영 유닛, W : 웨이퍼, WST : 웨이퍼 스테이지, WTB : 웨이퍼 테이블.
한편, 지금까지의 설명에서 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 국제 공개, 미국 특허 출원 공개 명세서 및 미국 특허 명세서의 개시를 원용하여 본 명세서 기재의 일부로 한다.

Claims (19)

  1. 에너지빔을 조사하여 물체 상에 패턴을 형성하는 노광 장치에 있어서,
    물체를 유지하여 베이스 상에서 이동하는 이동체와,
    상기 이동체에 설치된 가동자와 상기 가동자에 대향하여 상기 베이스에 설치된 고정자를 이용해서, 상기 이동체에 상기 베이스의 상면과 교차하는 제1 방향 및 상기 상면을 따르는 제2 방향의 구동력을 발생시키는 평면 모터와,
    상기 이동체의 적어도 상기 제2 방향에 관한 위치를 계측하는 제1 위치 계측계와,
    상기 제1 위치 계측계의 계측 결과를 이용해서 상기 평면 모터를 제어하여 상기 이동체를 적어도 상기 제2 방향으로 구동함과 함께, 상기 이동체의 구동에 이상을 검지한 경우에 상기 평면 모터를 제어하여 상기 이동체에 상기 이동체로부터 상기 베이스의 상면으로의 상기 제1 방향의 구동력을 발생시키는 제어계
    를 구비하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어계는, 상기 제1 위치 계측계의 계측 결과가 중단된 경우에, 상기 이동체의 구동에 이상을 검지하는 것인 노광 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어계는, 상기 제1 위치 계측계의 계측 결과를 이용하여 상기 평면 모터에 대하여 상기 이동체의 구동 목표를 정함으로써 상기 이동체를 구동하고, 상기 구동 목표가 이상을 나타낸 경우에 상기 이동체의 구동에 이상을 검지하는 것인 노광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이동체와 상기 베이스의 이격 거리를 계측하는 제2 위치 계측계를 더 구비하고,
    상기 제어계는, 상기 제2 위치 계측계의 계측 결과로부터 상기 이동체의 구동에 이상을 검지한 경우에, 상기 평면 모터를 제어하여 상기 이동체에 상기 이동체로부터 상기 베이스의 상면으로의 상기 제1 방향의 구동력을 발생시키는 것인 노광 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어계는, 상기 제2 위치 계측계의 계측 결과로부터 상기 이격 거리가 임계 거리를 넘은 경우에, 상기 이동체의 구동에 이상을 검지하는 것인 노광 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제2 위치 계측계는, 상기 베이스 상에 배치된 센서를 이용하여 상기 이격 거리를 계측하는 것인 노광 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 센서는, 상기 가동자가 발생하는 자계 강도를 검출하는 것인 노광 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가동자는 복수의 블록을 갖고,
    상기 제어계는, 상기 복수의 블록 중 상기 이동체의 진행 방향에 대하여 후방에 위치하는 블록에 대하여, 상기 이격 방향의 구동력을 발생시키는 것인 노광 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 위치 계측계는, 상기 이동체와 상기 이동체 외(外) 중 한쪽에 설치된 복수의 헤드를 이용하여, 상기 이동체와 상기 이동체 외 중 다른쪽에 설치된 계측면에 계측광을 조사함으로써, 상기 이동체의 위치를 계측하는 것인 노광 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이동체의 바닥면과 상기 베이스의 상면 중 적어도 한쪽은, 고섭동성재(材)에 의해 커버되어 있는 것인 노광 장치.
  11. 베이스 부재와,
    상기 베이스 부재 상에서 2차원 이동 가능한 이동체와,
    상기 베이스 부재에 설치된 고정자와, 상기 이동체에 설치된 가동자를 갖는 자기 부상 방식의 평면 모터와,
    상기 이동체가 상기 2차원 내에서 이동하는 동안에 상기 이동체가 상기 2차원을 포함하는 면과 직교하는 방향으로 떨어지는 것을 억제하기 위해, 상기 평면 모터에 의해, 상기 이동체로부터 상기 베이스 부재를 향하는 구동력을 발생시키는 제어 장치
    를 구비하는 이동체 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 평면 모터의 구동력은, 상기 이동체와 상기 베이스 부재 사이에 작용하는 것인 이동체 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 평면 모터의 구동력이 상기 이동체에 작용하는 위치는, 상기 2차원을 포함하는 면과 교차하는 방향에 관한 상기 이동체의 무게 중심의 위치보다 하측에 있는 것인 이동체 장치.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 이동체를 상기 베이스 부재에 대하여 상기 2차원을 포함하는 면과 교차하는 방향으로 변위시키는 힘에 의해, 상기 이동체가 상기 2차원 내에서 이동할 때에 피칭이 생기는 것인 이동체 장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 이동체가 상기 2차원 내에서 이동할 때의 상기 이동체의 가감속에 관한 정보를 이용해서 상기 평면 모터를 제어하여, 상기 이동체로부터 상기 베이스 부재를 향하는 구동력을 발생시키는 것인 이동체 장치.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 이동체가 상기 2차원 내에서 이동할 때의 상기 이동체와 상기 베이스 부재 사이의 거리에 관한 정보를 이용해서 상기 평면 모터를 제어하여, 상기 이동체로부터 상기 베이스 부재를 향하는 구동력을 발생시키는 것인 이동체 장치.
  17. 제12항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 평면 모터의 위치 제어의 이상이 검지되었을 때에, 상기 평면 모터를 제어하여, 상기 이동체로부터 상기 베이스 부재를 향하는 구동력을 발생시키는 것인 이동체 장치.
  18. 제11항에 기재된 이동체 장치를 갖는 노광 장치.
  19. 제18항에 기재된 노광 장치를 이용한 디바이스 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160027048A (ko) * 2013-06-28 2016-03-09 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014080957A1 (ja) * 2012-11-20 2014-05-30 株式会社ニコン 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法
JP6629014B2 (ja) * 2015-09-08 2020-01-15 株式会社ミツトヨ エンコーダ
CN105589495B (zh) * 2016-03-25 2017-10-20 苏州昇特智能科技有限公司 多功能夹子的控制方法
JP2018092994A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 キヤノン株式会社 ステージ装置、検知方法、及び物品の製造方法
KR20190031430A (ko) * 2017-09-15 2019-03-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 캐리어 부상 시스템의 정렬을 결정하기 위한 방법
KR102164594B1 (ko) * 2018-11-15 2020-10-12 한국기계연구원 리니어 모터 및 그 제어 시스템
CN111490662B (zh) * 2019-01-29 2022-04-26 苏州隐冠半导体技术有限公司 一种平面电机位移装置
CN111948917B (zh) * 2020-08-26 2021-06-25 清华大学 基于光刻机双工件台运动系统的垂向保护方法及装置
CN113533334A (zh) * 2021-08-26 2021-10-22 福州理工学院 一种计算机视觉测量装置
TWI776680B (zh) * 2021-09-16 2022-09-01 日商新川股份有限公司 安裝裝置以及安裝裝置中的平行度檢測方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5196745A (en) 1991-08-16 1993-03-23 Massachusetts Institute Of Technology Magnetic positioning device
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH06274230A (ja) * 1993-03-19 1994-09-30 Nikon Corp ステージの速度制御装置
JPH1064809A (ja) * 1996-08-22 1998-03-06 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
SG102627A1 (en) 1996-11-28 2004-03-26 Nikon Corp Lithographic device
IL138374A (en) 1998-03-11 2004-07-25 Nikon Corp An ultraviolet laser device and an exposure device that includes such a device
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
SG124257A1 (en) 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US6437463B1 (en) * 2000-04-24 2002-08-20 Nikon Corporation Wafer positioner with planar motor and mag-lev fine stage
US6452292B1 (en) 2000-06-26 2002-09-17 Nikon Corporation Planar motor with linear coil arrays
US6445093B1 (en) 2000-06-26 2002-09-03 Nikon Corporation Planar motor with linear coil arrays
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
EP1335248A1 (en) * 2002-02-12 2003-08-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1357429A1 (en) * 2002-04-23 2003-10-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005045164A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Toshiba Corp 自動焦点合わせ装置
CN102323724B (zh) * 2003-07-28 2014-08-13 株式会社尼康 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
US20050074014A1 (en) 2003-10-01 2005-04-07 Rao Chunghwa Heman Network brokering system
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7515281B2 (en) 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200710616A (en) * 2005-07-11 2007-03-16 Nikon Corp Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP5195417B2 (ja) 2006-02-21 2013-05-08 株式会社ニコン パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2008078499A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Canon Inc 支持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2008182150A (ja) * 2007-01-26 2008-08-07 Nikon Corp モ−タ駆動装置とそれを用いた露光装置
US7830495B2 (en) * 2007-07-10 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and position sensor
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102008004762A1 (de) * 2008-01-16 2009-07-30 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Messeinrichtung
JP2010050291A (ja) * 2008-08-22 2010-03-04 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010205867A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Canon Inc 位置検出装置及び露光装置
EP2249378B1 (en) * 2009-03-23 2015-09-30 Advantest Corporation Method for cleaning stage
US20110085150A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110075120A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5757397B2 (ja) * 2010-03-29 2015-07-29 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2014080957A1 (ja) * 2012-11-20 2014-05-30 株式会社ニコン 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160027048A (ko) * 2013-06-28 2016-03-09 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법

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