JP2012083738A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び2つの容量素子を各画素に有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内の保持容量の大きさを変化させる。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る液晶表示装置における画素の構成および保持容量を切り替える方法について、説明する。なお本実施の形態で説明する液晶表示装置は、画像の表示状態に合わせて容量値を変化させることができる画素を有するものである。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る液晶表示装置における別の画素の構成および保持容量を切り替える方法について、説明する。なお本実施の形態で説明する液晶表示装置は、画像の表示状態に合わせて容量値を変化させることができる画素を有するものである。
11 容量素子
20 容量素子
21 容量素子
110 画素
111 画素
200 基板
201 下地層
202 ゲート電極
203 配線
204 配線
205 配線
206 ゲート絶縁層
207 半導体層
209 絶縁層
210 画素電極
211 コンタクトホール
300 画素トランジスタ
301 画素トランジスタ
400 トランジスタ
500 基板
501 下地層
502 ゲート電極
503 配線
504 配線
507 ゲート絶縁層
508 半導体層
509 半導体層
511 配線
512 絶縁層
513 絶縁層
514 画素電極
515 コンタクトホール
516 コンタクトホール
208a ソース電極
208b ドレイン電極
510a ソース電極
510b ドレイン電極
Claims (4)
- ゲート電極が走査線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の一方となる第1の電極が信号線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の他方となる第2の電極が画素電極と電気的に接続される画素トランジスタと、
一方の電極が前記第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が容量線に電気的に接続される第1の容量素子と、
一方の電極が前記第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が容量線に電気的に接続される第2の容量素子とを有し、
前記第2の容量素子は、前記一方の電極が前記画素電極と同じ層で形成され、前記他方の電極が前記画素トランジスタの半導体層と同じ半導体材料で形成され、前記一方の電極と前記他方の電極との間に誘電体層が挟まれたMOSキャパシタ構造を有し、
前記容量線の電位を調整することによって、ゲートパルスの時間間隔に応じて前記第2の容量素子の容量値を変化させることを特徴とする液晶表示装置。 - ゲート電極が走査線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の一方となる第1の電極が信号線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の他方となる第2の電極が画素電極と電気的に接続される画素トランジスタと、
一方の電極が前記第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が遮蔽用配線に電気的に接続される第1の容量素子と、
一方の電極が前記第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が容量線に電気的に接続される第2の容量素子と、
ゲート電極が前記遮蔽用配線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の一方となる第1の電極が、前記第1の容量素子の前記一方の電極と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の他方となる第2の電極が前記容量線に電気的に接続されるトランジスタとを有し、
前記第2の容量素子は、前記一方の電極が前記画素電極と同じ層で形成され、前記他方の電極が前記画素トランジスタの半導体層と同じ半導体材料で形成され、前記一方の電極と前記他方の電極との間に誘電体層が挟まれたMOSキャパシタ構造を有し、
前記容量線の電位を調整し、少なくとも画像表示時に前記トランジスタがオフとなるような電位を前記遮蔽用配線に供給することによって、ゲートパルスの時間間隔に応じて前記第2の容量素子の容量値を変化させることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項2のいずれか一において、
前記画素電極と前記半導体層は、透光性を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記半導体層は、酸化物半導体で構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
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