JP2012226385A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び2つの容量素子を各画素に
有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の
開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に
依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内
の保持容量の大きさを変化させる。
【選択図】図1
Description
ている。薄膜トランジスタの半導体層材料として、アモルファス(非晶質)シリコンやポ
リ(多結晶)シリコンを用いたものが多く使われている一方、透光性を有する金属酸化物
も注目集めている。例えば、In−Ga−Zn−O系酸化物などを、薄膜トランジスタの
チャネル層に適用することで、開口率を向上させる技術が検討されている。また、特許文
献1では、寄生容量を低減させ、薄膜の剥がれに起因する不良を防止する薄膜トランジス
タを作製する技術を開示している。
際のフレーム周波数を異ならせる構成について開示している。
の電気信号の保持時間をより長くし、より良好な静止画表示を維持するためには、画素内
における保持容量が大きい方が有利である。しかし画素内において保持容量を大きくしよ
うと設計すると、画素の開口率が低減する問題や、画素トランジスタのチャネル幅を大き
くしなければならないといった問題がある。また、フリッカーノイズ(ちらつき)を防ぎ
、より滑らかな動画表示を実現するため、動画表示時にはフレーム周波数を高くする(6
0Hz〜180Hz)。カラーシーケンシャル表示を行う場合には、更にフレーム周波数
を高くする(180Hz〜480Hz)。この際、画像信号等の電気信号は素早く切り替
えられるため、画素内において保持容量を大きくする必要はない。つまり静止画表示時及
び動画表示時のどちらの場合に対しても、適切な保持容量を狭い面積の画素内に同時に確
保することは非常に困難である。
口率を低減させることなく画素内に所望の保持容量を確保することを可能とした液晶表示
装置を提供することを課題の一とする。また消費電力を低減させ、より高精細な画像表示
を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
極の一方となる第1の電極が信号線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の
他方となる第2の電極が画素電極と電気的に接続される画素トランジスタと、一方の電極
が第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が容量線に電気的に接続される第1の容量
素子と、一方の電極が第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が容量線に電気的に接
続される第2の容量素子とを有し、第2の容量素子は、一方の電極が画素電極と同じ層で
形成され、他方の電極が画素トランジスタの半導体層と同じ半導体材料で形成され、一方
の電極と他方の電極との間に誘電体層が挟まれたMOSキャパシタ構造を有し、容量線の
電位を調整することによって、ゲートパルスの時間間隔に応じて第2の容量素子の容量値
を変化させることを特徴とする液晶表示装置である。
イン電極の一方となる第1の電極が信号線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン
電極の他方となる第2の電極が画素電極と電気的に接続される画素トランジスタと、一方
の電極が第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が遮蔽用配線に電気的に接続される
第1の容量素子と、一方の電極が第2の電極と電気的に接続され、他方の電極が容量線に
電気的に接続される第2の容量素子と、ゲート電極が遮蔽用配線と電気的に接続され、ソ
ース電極又はドレイン電極の一方となる第1の電極が、第1の容量素子の一方の電極と電
気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の他方となる第2の電極が容量線に電気的
に接続されるトランジスタとを有し、第2の容量素子は、一方の電極が画素電極と同じ層
で形成され、他方の電極が画素トランジスタの半導体層と同じ半導体材料で形成され、一
方の電極と他方の電極との間に誘電体層が挟まれたMOSキャパシタ構造を有し、容量線
の電位を調整し、少なくとも画像表示時にトランジスタがオフとなるような電位を遮蔽用
配線に供給することによって、ゲートパルスの時間間隔に応じて第2の容量素子の容量値
を変化させることを特徴とする液晶表示装置である。
液晶表示装置である。
は「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート電極
」の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外し
ない。また、「上」「下」の用語は説明の便宜のために用いる表現に過ぎない。
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。
、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため
、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることがで
きるものとする。
」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの
」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。
などのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有す
る素子などが含まれる。
く画素内に所望の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を得ることができる
。また消費電力を低減させ、より高精細な画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る液晶表示装置における画素の構成および
保持容量を切り替える方法について、説明する。なお本実施の形態で説明する液晶表示装
置は、画像の表示状態に合わせて容量値を変化させることができる画素を有するものであ
る。
する。画素トランジスタ300のゲート電極は、走査線GLと電気的に接続され、画素ト
ランジスタ300のソース電極又はドレイン電極の一方となる第1電極は、信号線SLと
電気的に接続されている。そして、第1の容量素子10の一方の電極と第2の容量素子2
0の一方の電極とは、電気的に接続され、画素トランジスタ300のソース電極又はドレ
イン電極の他方となる第2電極と、第1の容量素子10の他方の電極と、第2の容量素子
20の他方の電極とは、電気的に接続されている。なお第1の容量素子10の一方の電極
、及び第2の容量素子20の一方の電極は、容量線Csと電気的に接続されている。
2に、画素の上面図を示す。また、図3に、図2の鎖線A1―A2における画素の断面図
を示す。
ート電極502、配線503、配線504、が形成されている。また、ゲート電極502
、配線503、配線504を覆うように、ゲート絶縁層507が形成されている。更に、
半導体層508が、ゲート電極502と重なるようにゲート絶縁層507上に形成され、
半導体層509が、ゲート絶縁層507上に形成されている。また、ゲート電極502の
端部と重なるように、半導体層508上にソース電極510a及びドレイン電極510b
が形成され、配線504の一部に接し、ゲート絶縁層507、半導体層509上に、配線
511が形成されている。なお、配線511は、ゲート絶縁層507に形成されたコンタ
クトホール516を介して配線504に電気的に接続されている。また、半導体層508
の一部に接し、ソース電極510a、ドレイン電極510b、配線511上に絶縁層51
2、絶縁層513が順に形成され、絶縁層513上には画素電極514が形成されている
。なお、画素電極514は、絶縁層512、絶縁層513に形成されたコンタクトホール
515を介してドレイン電極510bに電気的に接続されている。
分が第1の容量素子10として機能する。ゲート絶縁層507は誘電体層として機能する
。また、半導体層509と画素電極514が、絶縁層512と絶縁層513を間に挟んで
重なっている部分が第2の容量素子20として機能する。絶縁層512と絶縁層513は
誘電体層として機能する。
を防止させることができる。すなわち一つの誘電体層にピンホールが生じても、ピンホー
ルは他の誘電体層で被覆されるため、第2の容量素子20の機能を向上させることができ
る。
コンを用いて形成することができる。しかしながら、低いフレーム周波数で画素を駆動す
る場合には、前述のシリコン系半導体材料よりもエネルギーギャップの広い半導体材料を
用いることが好ましい。エネルギーギャップの広い半導体材料として、好適には酸化物半
導体を用いることができる。例えば、酸化亜鉛系の酸化物半導体はエネルギーギャップが
約3eVあり、可視光域において透過性に優れる。このような酸化物半導体はn型の導電
性を示すものが多いが、水素等のドナーとなる不純物を低減させ、また酸素欠損に起因す
る欠陥を低減することでより真性半導体に近づけることができる。このような高純度化さ
れた酸化物半導体は、エネルギーギャップが広いことと相まって、トランジスタのオフ電
流を十分に低減することができる。
電流を低減することができ、画素に設けた保持容量から電荷が消失してしまう割合を低減
することができる。すなわち、フレーム周波数を低くした場合でも、次の書き込み期間ま
で保持容量に電荷を保持し続けることが可能となる。
むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物を用いたトラ
ンジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガ
リウム(Ga)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ(Sn)を有
することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(Hf)を有することが好
ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム(Al)を有することが好ましい。
Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム
(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホル
ミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ル
テチウム(Lu)のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系
酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属の
酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn系
酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸
化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化
物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物
、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、
In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、I
n−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In
−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、I
n−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−
Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用
いることができる。
物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外
の金属元素が入っていてもよい。
で表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた
一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、In2SnO5
(ZnO)n(n>0、且つ、nは整数)で表記される材料を用いてもよい。
a:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)の原子比のIn−Ga−Zn系酸化
物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:
1:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/
6:1/2)あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5(=1/4:1/8:5/8)の原
子比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キ
ャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度
等を適切なものとすることが好ましい。
いることが望ましい。このような構成を採用することで、基板500側から入射した光に
より半導体層508中の酸化物半導体が劣化するのを防ぐことができる。これにより、画
素トランジスタ300の閾値電圧がシフトするなどの特性の劣化が引き起こされるのを防
ぐことができる。
導電材料としては、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ(ITSO)、酸化インジウムス
ズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)(登録商標)、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛(GZO)などの材料を用いることができる。なお本明細書にお
いて、透光性を有する導電材料とは可視光の透過率が75〜100%である材料を指すも
のとする。
用いることで、透光性を有する第2の容量素子20を形成することが可能になる。このた
め、画素110の開口率を向上させることができる。第2の容量素子20の面積を、画素
ピッチの7割以上、または8割以上とすることで、より開口率を向上させた液晶表示装置
を実現することができる。
説明する。
電圧Vg、縦軸は容量Cである。半導体層509と画素電極514が、絶縁層512と絶
縁層513を間に挟んで重なって形成されている第2の容量素子20は、MOSキャパシ
タを構成している。MOSキャパシタは、図4(A)に示すように、電圧値がある一定の
しきい値電圧Vthより低い場合は、容量素子として機能せず、電圧値がある一定のしき
い値電圧Vth以上の場合にのみ、容量素子として機能するという特性を持つ。
た場合、容量線Csが取り得る電圧値の範囲の模式図を示す。ビデオデータ電圧Vviは
、図4(B)に示すように、最大値Vmaxから、最小値Vminまでのある一定の範囲
内の値を取る。従って、容量線Csの電圧値を、動画表示期間には、ビデオデータ電圧V
viの最大値Vmax以上に調整し、静止画表示期間には、ビデオデータ電圧Vviの最
小値Vmin以下に調整する。
の最大値Vmaxから、最小値Vminまでの値を取る場合の範囲をa、ビデオデータ電
圧Vviの最小値Vmin以下の値を取る場合の範囲をb、ビデオデータ電圧Vviの最
大値Vmax以上の値を取る場合の範囲をcとする。
2の容量素子20のゲート電極の電圧値Vgは、ビデオデータ電圧Vviの最小値Vmi
n以下の値を取る。図5(A)より、第2の容量素子20のゲート電極の電圧値Vgが、
範囲b内のいずれかの値を取る時、第2の容量素子20の容量値は、値を取らないことが
わかる。
一方の電極と電気的に接続される容量線Csの電圧値が、ビデオデータ電圧Vviの最大
値Vmax以上の値を取るため、MOSキャパシタである第2の容量素子20は機能しな
いことになる。従って、画素110においては、第1の容量素子10のみが機能する。
2の容量素子20のゲート電極の電圧値Vgは、ビデオデータ電圧Vviの最大値Vma
x以上の値を取る。図5(B)より、第2の容量素子20のゲート電極の電圧値Vgが、
範囲cのいずれかの値を取る時、第2の容量素子20の容量値は、ある一定の値Caを取
ることがわかる。
の一方の電極と電気的に接続される容量線Csの電圧値が、ビデオデータ電圧Vviの最
小値Vmin以下の値を取るため、MOSキャパシタである第2の容量素子20は機能す
る。従って、画素110においては、第1の容量素子10及び第2の容量素子20が機能
する。
期間と、静止画表示期間の両期間で容量値の切り替えが可能になる。すなわち画像の表示
状態に依存して、極端に変化するフレーム周波数の値に対応させて、その都度、画素内の
容量値を、各画素に最も適するように変化させることができる。特にカラーシーケンシャ
ル表示時のような極めて高いフレーム周波数で画素を駆動する場合では、より一層画素内
の容量値を低減させることができるため、液晶表示装置の小型化、高集積化が実現される
。つまり、画素に対して、効率良く所望の容量値を設定できるため、液晶表示装置全体の
消費電力を低減させることが可能になる。
一方の電極と電気的に接続される容量線Csの電圧値を調整することによって、画素全体
の容量値を独立して制御できるため無駄に配線を引き回す必要はない。このため、隣接配
線間の重なりに生じる寄生容量を低減させることができ、より高精細な液晶表示装置を得
ることができる。また、画素トランジスタ300のチャネル幅に依存せず、適切な保持容
量を画素内に確保できるため、液晶表示装置の高集積化が容易になる。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る液晶表示装置における別の画素の構成お
よび保持容量を切り替える方法について、説明する。なお本実施の形態で説明する液晶表
示装置は、画像の表示状態に合わせて容量値を変化させることができる画素を有するもの
である。
2の容量素子21を有する。画素トランジスタ301のゲート電極は、走査線GLと電気
的に接続され、画素トランジスタ301のソース電極又はドレイン電極の一方となる第1
電極は、信号線SLと電気的に接続されている。そして、第1の容量素子11の一方の電
極とトランジスタ400のゲート電極とは、電気的に接続され、トランジスタ400のソ
ース電極又はドレイン電極の一方となる第1電極と、第2の容量素子21の一方の電極と
は、電気的に接続され、画素トランジスタ301のソース電極又はドレイン電極の他方と
なる第2電極と、第1の容量素子11の他方の電極と、トランジスタ400のソース電極
又はドレイン電極の他方となる第2電極と、第2の容量素子21の他方の電極とは、電気
的に接続されている。
線Diと電気的に接続され、トランジスタ400のソース電極又はドレイン電極の一方と
なる第1電極及び第2の容量素子21の一方の電極は、容量線Csと電気的に接続されて
いる。更に、遮蔽用配線Diには、少なくとも画像表示時にトランジスタ400がオフと
なるような電位が供給されている。
7に、画素の上面図を示す。また、図8に、図7の鎖線A1―A2における画素の断面図
を示す。
ート電極202、配線203、配線204、配線205が形成されている。また、ゲート
電極202、配線203、配線204、配線205上に、ゲート絶縁層206と半導体層
207が形成されている。また、半導体層207上にソース電極208a及びドレイン電
極208bが形成されている。また、半導体層207の一部に接し、ソース電極208a
及びドレイン電極208b上に絶縁層209が形成されている。絶縁層209上には画素
電極210が形成されている。なお、画素電極210は、絶縁層209に形成されたコン
タクトホール211を介してドレイン電極208bに電気的に接続されている。
で重なっている部分が第1の容量素子11として機能する。ゲート絶縁層206と半導体
層207は誘電体層として機能する。また、半導体層207と画素電極210が、絶縁層
209を間に挟んで重なっている部分が第2の容量素子21として機能する。絶縁層20
9は誘電体層として機能する。
を防止させることができる。すなわち一つの誘電体層にピンホールが生じても、ピンホー
ルは他の誘電体層で被覆されるため、第1の容量素子11の機能を向上させることができ
る。
電流を低減することができ、画素に設けた保持容量から電荷が消失してしまう割合を低減
することができる。すなわち、フレーム周波数を低くした場合でも、次の書き込み期間ま
で保持容量に電荷を保持し続けることが可能となる。
導電材料としては、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ(ITSO)、酸化インジウムス
ズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)(登録商標)、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛(GZO)などの材料を用いることができる。なお本明細書にお
いて、透光性を有する導電材料とは可視光の透過率が75〜100%である材料を指すも
のとする。
用いることで、透光性を有する第2の容量素子21を形成することが可能になる。このた
め、画素111の開口率を向上させることができる。第2の容量素子21の面積を、画素
ピッチの7割以上、または8割以上とすることで、より開口率を向上させた液晶表示装置
を実現することができる。なお、画素ピッチとは、隣り合う信号線から信号線までの距離
を一辺とし、隣り合う走査線から走査線までの距離をもう一辺として、これらの両辺に囲
まれた部分の面積を示すものとする。
説明する。
第2の容量素子21は、MOSキャパシタを構成している。MOSキャパシタは、図4(
A)に示すように、電圧値がある一定のしきい値電圧Vthより低い場合は、容量素子と
して機能せず、電圧値がある一定のしきい値電圧Vth以上の場合にのみ、容量素子とし
て機能するという特性を持つ。
た場合、容量線Csが取り得る電圧値の範囲の模式図を示す。ビデオデータ電圧Vviは
、図4(B)に示すように、最大値Vmaxから、最小値Vminまでのある一定の範囲
内の値を取る。従って、容量線Csの電圧値を、動画表示期間には、ビデオデータ電圧V
viの最大値Vmax以上に調整し、静止画表示期間には、ビデオデータ電圧Vviの最
小値Vmin以下に調整する。
導通するのを防ぐためである。従って、トランジスタ400のゲート電極と電気的に接続
される遮蔽用配線Diには、少なくとも画像表示時には、トランジスタ400がオフとな
るような電位を供給する必要がある。
2の容量素子21のゲート電極の電圧値Vgは、ビデオデータ電圧Vviの最小値Vmi
n以下の値を取る。図5(A)より、第2の容量素子21のゲート電極の電圧値Vgが、
範囲b内のいずれかの値を取る時、第2の容量素子21の容量値は、値を取らないことが
わかる。
ソース電極又はドレイン電極の一方となる第1電極と電気的に接続される容量線Csの電
圧値が、ビデオデータ電圧Vviの最大値Vmax以上の値を取るため、MOSキャパシ
タである第2の容量素子21は機能しないことになる。従って、画素111においては、
第1の容量素子11のみが機能する。
2の容量素子21のゲート電極の電圧値Vgは、ビデオデータ電圧Vviの最大値Vma
x以上の値を取る。図5(B)より、第2の容量素子21のゲート電極の電圧値Vgが、
範囲cのいずれかの値を取る時、第2の容量素子21の容量値は、ある一定の値Caを取
ることがわかる。
のソース電極又はドレイン電極の一方となる第1電極と電気的に接続される容量線Csの
電圧値が、ビデオデータ電圧Vviの最小値Vmin以下の値を取るため、MOSキャパ
シタである第2の容量素子21は機能する。従って、画素111においては、第1の容量
素子11及び第2の容量素子21が機能する。
期間と、静止画表示期間の両期間で容量値の切り替えが可能になる。すなわち画像の表示
状態に依存して、極端に変化するフレーム周波数の値に対応させて、その都度、画素内の
容量値を、各画素に最も適するように変化させることができる。特にカラーシーケンシャ
ル表示時のような極めて高いフレーム周波数で画素を駆動する場合では、より一層画素内
の容量値を低減させることができるため、液晶表示装置の小型化、高集積化が実現される
。つまり、画素に対して、効率良く所望の容量値を設定できるため、液晶表示装置全体の
消費電力を低減させることが可能になる。
ソース電極又はドレイン電極の一方となる第1電極と電気的に接続される容量線Csの電
圧値を調整することによって、画素全体の容量値を独立して制御できるため無駄に配線を
引き回す必要はない。このため、隣接配線間の重なりに生じる寄生容量を低減させること
ができ、より高精細な液晶表示装置を得ることができる。また、画素トランジスタ301
のチャネル幅に依存せず、適切な保持容量を画素内に確保できるため、液晶表示装置の高
集積化が容易になる。
11 容量素子
20 容量素子
21 容量素子
110 画素
111 画素
200 基板
201 下地層
202 ゲート電極
203 配線
204 配線
205 配線
206 ゲート絶縁層
207 半導体層
209 絶縁層
210 画素電極
211 コンタクトホール
300 画素トランジスタ
301 画素トランジスタ
400 トランジスタ
500 基板
501 下地層
502 ゲート電極
503 配線
504 配線
507 ゲート絶縁層
508 半導体層
509 半導体層
511 配線
512 絶縁層
513 絶縁層
514 画素電極
515 コンタクトホール
516 コンタクトホール
208a ソース電極
208b ドレイン電極
510a ソース電極
510b ドレイン電極
Claims (5)
- 第1の酸化物半導体層を有するトランジスタと、
第2の酸化物半導体層と、
絶縁層と、
前記トランジスタに電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第1の酸化物半導体層、前記第2の酸化物半導体層、及び前記画素電極は、透光性を有し、
前記画素電極は、前記絶縁層を介して前記第2の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極の上に設けられた第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上に設けられた、第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層の上に設けられた、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に設けられた第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上に設けられた画素電極とを有し、
前記第1の酸化物半導体層、前記第2の酸化物半導体層、及び前記画素電極は、透光性を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、前記第2の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続され、
前記ゲート電極は、前記第1の絶縁層を介して前記第1の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記画素電極は、前記第2の絶縁層を介して前記第2の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記第2の酸化物半導体層と、前記絶縁層と、前記画素電極とは、容量としての機能を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2において、
前記第2の酸化物半導体層と、前記第2の絶縁層と、前記画素電極とは、容量としての機能を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2または請求項4において、
前記第2の絶縁層は、多層構造を有することを特徴とする液晶表示装置。
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