JP2011216904A - リソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投射系の最終要素と基板の間に浸漬液を閉じ込めた浸漬式リソグラフィ投射装置を開示する。装置の様々な要素上に疎水性及び親水性の層をともに使用することを開示する。これらの使用は、浸漬液中の気泡形成が防止され、かつ浸漬液に浸漬された後、要素上に残る残渣が低減される助けとすることができる。
【選択図】図1
Description
−放射線の投射ビームを提供するための照射系と、
−投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、
−前記投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、
前記浸漬液が、(i)最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いは(ii)前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有することを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
−放射線の投射ビームを提供するための照射系と、
−投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、
−前記基板、センサ又はシャッタ部材と前記投射系の最終要素の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、
前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その表面が、装置の光軸又は前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合可能なことを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
−基板を提供するステップと、
−照明系を使用して放射線の投射ビームを提供するステップと、
−パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、
−投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するステップと、
−前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線の投射ビームを投射するステップとを含み、
前記浸漬液が、(i)最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いは(ii)前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有ることを特徴とする装置製造方法が提供される。
−基板を提供するステップと、
−照明系を使用して、放射線の投射ビームを提供するステップと、
−パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、
−投射系の最終要素と前記基板、センサ又はシャッタ部材の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するステップと、
−前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップとを含み、
前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その表面が、装置の光軸又は前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合可能であることを特徴とする装置製造方法が提供される。
「実施例1」
−放射線(たとえば、紫外線)の投射ビームPBを提供するための照射系(照明装置)ILと、
−アイテムPLに対してパターン化手段(たとえば、マスク)MAを正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続され、パターン化手段を支持するための第1の支持構造(たとえば、マスク・テーブル)MTと、
−アイテムPLに対して基板(たとえば、レジスト被膜ウェハ)Wを正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続され、基板を保持するための基板テーブル(たとえば、ウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化手段MAによって投射ビームPBに付与されるパターンを、(たとえば、1個又は複数のダイを有する)基板Wの目標部分C上に結像するための投射系(たとえば、屈折投射レンズ)PLと
を含む。
1.ステップ・モードでは、投射ビームに付与されたパターン全体が一度に目標部分C上に投射される間(たとえば、単一静止状態露光)、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれる。次いで、基板テーブルWTは、X及び/又はY方向にシフトされ、したがって異なる目標部分Cの露光ができる。ステップ・モードでは、露光域の最大サイズが、単一静止状態露光中に結像される目標部分Cのサイズを限定する。
2.走査モードでは、投射ビームに付与されたパターンが、目標部分C上に投射される間(たとえば、単一動的露光)、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、同時に走査される。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの相対移動の速度及び方向は、拡大率(縮小率)及び投射系PLの影像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光域の最大サイズが単一動的露光中の目標部分の(走査方向でない方向の)幅を限定し、走査運動の長さは目標部分の(走査方向の)高さを決める。
3.他のモードでは、マスク・テーブルMTは、プログラム可能なパターン化手段を保持しながら基本的に静止状態に保たれる。基板テーブルWTは、投射ビームに付与されたパターンが、目標部分C上に投射される間、移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス状の放射線源が使用され、走査中、基板テーブルWTの移動した後ごとに、又は連続する放射線パルスの間に必要に応じてプログラム可能なパターン化手段が更新される。この運用モードは、上記のプログラム可能なミラー・アレイのタイプなどのプログラム可能なパターン化手段を利用するマスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
「実施例2」
「実施例3及び4」
「実施例5」
「表面及び浸漬液」
R=4γ/ΔP
「保護膜」
IN 積分器
CO 集光器
PB 投射ビーム
MA パターン化手段、マスク
MT 支持構造、マスク・テーブル
M1、M2 マスク位置合せマーク
PL アイテム、投射系、屈折投射レンズ
BD ビーム送出系
W 基板
C 目標部分
WT 基板テーブル
IF 位置センサ
PM、PW 位置決め手段
P1、P2 基板位置合せマーク
OUT 排出口
IN 注入口
SO 放射線源
5 浸漬液
7、9 レベル
10 シール部材
15 シール手段
18 注入口
19 抽出口
20 投射系PLの最終要素、最終要素の外側表面
22 投射系の表面
40 基板Wの上表面
50 矢印
100 第1の層
110 第2の層
200 スルー・レンズ・センサ、センサ
210 検出要素
220 吸収要素
222 透過センサ回折格子
230 レンズ、最終要素
240 被覆
300 シャッタ部材
360、370 磁石
400 ガス入口、入口
Claims (30)
- 放射線の投射ビームを提供するための照射系と、
投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、
前記投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、
前記浸漬液が、(i)最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いは(ii)前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記浸漬液が、前記浸漬液の表面張力を減少させるための添加剤を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記添加剤が界面活性剤又は石鹸又は塩である、請求項2に記載の装置。
- 前記浸漬液と前記基板、最終要素及び/又は液体供給システムとの間の表面張力が、前記浸漬液と空気の間の表面張力より大きい、請求項1から3までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記浸漬液が、前記最終要素及び前記液体供給システムの表面との間で60°より小さい接触角を有し、かつ前記基板及び/又は基板テーブル及び/又は基板テーブル搭載センサの表面との間で90°より大きい接触角を有する、請求項1から4までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記浸漬液との間で60°より小さい接触角を有する前記表面が、ガラス、ガラス・セラミック、金属酸化物又は金属である、請求項1から5までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記表面が、表面処理を施されており、任意選択で被覆又はポリマーである、請求項6に記載の装置。
- 前記浸漬液が、前記基板の前記表面との間で75°より小さい、好ましくは70°より小さい、より好ましくは65°より小さい、又はさらに60°より小さい接触角を有する、請求項1から7までのいずれか一項に記載の装置。
- 放射線の投射ビームを提供するための照射系と、
投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、
前記基板、センサ又はシャッタ部材及び前記投射系の最終要素の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、
前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その表面が、装置の光軸若しくは前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合が可能であることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記浸漬液が、前記基板及び前記最終要素の両方の表面との間で90°より大きい接触角を有する、請求項9に記載の装置。
- 前記液体供給システムが、前記基板の局限領域に前記浸漬液を閉じ込めるための複数のガス入口を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記複数のガス入口が、前記装置の光軸のまわりに配置され、前記光軸に向かう方向成分を少なくとも有する方向にガスを放射するためのものである、請求項11に記載の装置。
- 前記方向が、前記基板の上表面に実質的に平行な平面上にある、請求項12に記載の装置。
- 前記浸漬液が、前記基板の前記表面及び/又は基板テーブル及び/又はセンサ及び/又はシャッタ部材との間で90°より大きい接触角を有し、かつ前記最終要素及び/又は前記液体供給システムの表面との間で60°より小さい接触角を有する、請求項9に記載の装置。
- 前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する前記表面が、凸部及び凹部を含み、凸部間の間隔が5〜200μmの範囲であり、凸部の高さが5〜100μmの範囲であり、凸部が少なくとも疎水性ポリマー又は永続的に疎水性にされた材料からできている、請求項9から14までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する前記表面が、ポリマーである、請求項9から15までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記液体供給システムの入口ポート及び出口ポート並びに/又は前記最終要素でない前記投射系の諸部分が、前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する表面を有する、請求項1から16までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する前記表面が、前記浸漬液との間で100°、110°又は120°より大きい接触角を有する表面である、請求項1から17までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記浸漬液との間で60°より小さい接触角を有する前記表面が、前記浸漬液との間で50°、40°、30°、25°又は20°より小さい接触角を有する表面である、請求項1から18までのいずれか一項に記載の装置。
- 基板を提供するステップと、
照明系を使用して、放射線の投射ビームを提供するステップと、
パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、
投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するステップと、
前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップとを含み、
前記浸漬液が、(i)最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いは(ii)前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有することを特徴とする装置製造方法。 - 前記浸漬液が、前記基板の前記表面との間で75°より小さい、好ましくは70°より小さい、より好ましくは65°より小さい、又はさらに60°より小さい接触角を有する、請求項20に記載の方法。
- 基板を提供するステップと、
照明系を使用して、放射線の投射ビームを提供するステップと、
パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、
投射系の最終要素及び前記基板、センサ又はシャッタ部材の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するステップと、
前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップとを含み、
前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その面が、装置の光軸又は前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合可能であることを特徴とする装置製造方法。 - 投射系を使用して、投射系の最終要素と基板の間の空間中に閉じ込められた浸漬液を通して基板上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップを含み、保護膜を基板上に設け、前記保護膜が、浸漬液中で不溶であり浸漬液との間で80°より小さい接触角を有する、装置製造方法。
- 前記保護膜が、65°〜75°の範囲の接触角を有する、請求項23に記載の方法。
- 前記保護膜が、所望の接触を実現すると判断された量で少なくとも1つのフッ化処理を施されたポリマーを含む、請求項22又は24に記載の方法。
- 前記基板が、その表面上にレジストを設けられ、前記保護膜が、レジストの表面上に設けられている、請求項23、24又は25に記載の方法。
- 基板が、その表面上にレジストを設けられ、保護膜が、レジストの表面上に設けられ、保護膜が浸漬液に対して80°より小さい接触角を有する、浸漬式リソグラフィにおいて使用される基板。
- 前記保護膜が、65°〜75°の範囲の接触角を有する、請求項27に記載の基板。
- 前記保護膜が、所望の接触角を実現すると判断された量で少なくとも1つのフッ化処理を施されたポリマーを含む、請求項27又は28に記載の基板。
- 気泡が基板上に設けられたレジスト層又はレジスト・スタックに張り付くことを防止するために、浸漬式リソグラフィ中の浸漬液に対して80°より小さい接触角を有する保護膜の使用。
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