KR102097038B1 - 투영 노광 장치 및 투영 렌즈 측정 방법 - Google Patents

투영 노광 장치 및 투영 렌즈 측정 방법 Download PDF

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칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

대물 평면(155)을 이미지 평면(156) 상에 결상하기 위한 투영 렌즈(150)를 갖고, 투영 노광 장치(100)가 작동하는 동안 적어도 일시적으로 투영 렌즈(150)와 이미지 평면(156) 사이에 침지 액체가 제공되며, 측정 구조체(121)는 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체(121)는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 패턴을 측정하기 위한 측정 장치(130, 160)를 갖고, 측정 구조체(121)는 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함하는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).

Description

투영 노광 장치 및 투영 렌즈 측정 방법
본 발명은 독립 청구항에 따른 투영 노광 장치, 투영 렌즈 측정 방법 및 측정 구조체에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2016 203 442.1의 우선권을 주장하며, 그 개시내용은 본원에 참조로 통합된다.
US 2008/0252876 A1은 투영 노광 장치의 이미지 품질을 측정하는 시스템을 개시한다. 투영 렌즈를 갖는 투영 노광 장치가 이에 개시된다. 측정 구조체를 갖는 구조체 캐리어가 투영 렌즈의 이미지 평면에서 제공된다. 측정 구조체는 크롬층의 형태일 수 있다. 침지 액체로 인한 열화에 대한 측정 구조체의 저항은 보호 시스템을 통해 향상될 수 있다.
본 발명의 목적은 개선된 투영 노광 장치, 개선된 투영 렌즈 측정 방법 및 개선된 측정 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 독립 청구항을 통해 달성된다.
본 발명의 추가 실시예가 종속 청구항에서 명시된다.
본 발명은 대물 평면을 이미지 평면 상에 결상하기 위한 투영 렌즈를 갖는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 관한 것으로, 투영 노광 장치가 작동하는 동안 적어도 일시적으로 투영 렌즈와 이미지 평면 사이에 침지 액체가 제공되며, 측정 구조체는 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 패턴을 측정하기 위한 측정 장치를 갖고, 측정 구조체는 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함한다.
추가 실시예에서, 투영 노광 장치는 적어도 부분적으로, 금속 실리콘 이산화물로 제조되거나 금속 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층을 갖는 측정 구조체를 포함할 수 있다.
추가 실시예에서, 측정 구조체는 적어도 부분적으로, 몰리브데넘 실리콘 이산화물 또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층을 갖는다. 측정 구조체는 몰리브데넘 실리콘 이산화물로 제조되는 흡수층을 가질 수 있다.
측정 구조체는 마찬가지로 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층을 가질 수 있다.
측정 구조체는 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물을 포함하는 흡수층을 가질 수 있다. 추가 실시예에서, 측정 구조체는 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물로 제조되는 흡수층을 갖는다.
측정 구조체는 캐리어 상에 적용될 수 있다.
캐리어는 석영 유리로부터 형성될 수 있다.
흡수층은 10 nm 내지 100 nm의 두께를 가질 수 있다.
측정 구조체는 반사-방지층을 가질 수 있다.
투영 노광 장치는 193 nm 이하의 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성하는 조명 시스템을 가질 수 있다.
측정 구조체는 193 nm의 파장에서 3의 범위 내의 광학 밀도를 가질 수 있다. 측정 구조체는 또한 193 nm의 파장에서 3 초과의 광학 밀도를 가질 수 있다.
투영 노광 장치는 편광된 파면 측정을 수행하도록 구성될 수 있다.
투영 노광 장치는 미광(stray light) 측정을 수행하도록 구성될 수 있다.
투영 노광 장치는 전단 간섭계 측정을 수행하도록 구성될 수 있다.
측정 구조체는 그리드 구조체를 가질 수 있다.
본 발명은 추가로 대물 평면을 이미지 평면 상에 결상하기 위한 투영 렌즈를 갖는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 관한 것으로, 투영 노광 장치가 작동하는 동안 적어도 일시적으로 투영 렌즈와 이미지 평면 사이에 침지 액체가 제공되며, 측정 구조체는 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 패턴을 측정하기 위한 측정 장치를 갖고, 측정 구조체는 예를 들어 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물과 같은 금속 질화물을 갖는 흡수층을 갖는다.
본 발명은 추가적으로 투영 렌즈 측정 방법에 관한 것으로, 측정 구조체가 투영 렌즈 내의 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체는 측정 패턴을 생성하도록 구성되고, 측정 구조체는 적어도 부분적으로, 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함하는 흡수층을 갖고, 측정 패턴은 측정 장치를 사용하여 측정된다.
추가 실시예에서, 측정 구조체는 적어도 부분적으로, 몰리브데넘 실리콘 이산화물 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물 및/또는 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물로 제조되는 흡수층을 갖는다.
측정 장치는 간섭 측정, 특히 전단 간섭 측정을 수행할 수 있다.
측정 장치는 편광된 파면 측정을 수행할 수 있다.
측정 장치는 미광 측정을 수행할 수 있다.
본 발명은 추가로 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 투영 렌즈를 측정하는 측정 구조체에 관한 것으로, 측정 구조체는 노광 장치에서 광 빔을 산란 또는 회절시키도록 설정되고, 측정 구조체는 적어도 부분적으로, 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함하는 흡수층을 갖는다.
추가 실시예에서, 측정 구조체는 적어도 부분적으로, 금속 실리콘 이산화물로 제조되거나 금속 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층을 갖는다.
추가 실시예에서, 측정 구조체는 적어도 부분적으로, 몰리브데넘 실리콘 이산화물 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물 및/또는 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물로 제조되는 흡수층을 갖는다.
측정 구조체는 그리드 구조체를 가질 수 있고, 그리드 구조체는 적어도 부분적으로, 몰리브데넘 실리콘 이산화물 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층을 갖는다.
측정 구조체는 193 nm의 파장에서 3의 범위 내의 광학 밀도를 가질 수 있다.
본 발명은 도면을 참조로 아래에서 더욱 상세히 설명될 것이다.
도 1은 투영 노광 장치의 개략도를 도시한다.
도 2는 도 1의 일 구역의 확대도를 도시한다.
도 3은 단면에서의 제2 측정 구조체의 부분적 구역의 확대도를 도시한다.
도 4는 상면에서의 제2 측정 구조체의 부분적 구역의 확대도를 도시한다.
도 1은 전자기 방사선을 생성하기 위한 조명 시스템(140)을 갖는 투영 노광 장치(100)의 개략도를 도시한다. 전자기 방사선은 EUV 범위까지 193 nm보다 큰 파장 범위를 가질 수 있다. 제1 측정 구조체(111)를 갖는 제1 캐리어(110)가 조명 시스템(140)의 하류에서 빔 경로 내에 배열된다. 제1 측정 구조체(111)는 조명 패턴을 생성하기 위해 제공되는 구조체를 갖는다. 투영 렌즈(150)가 제1 측정 구조체(111)의 하류에서 빔 경로 내에 배열된다. 투영 렌즈(150)의 대물 평면(155) 및 이미지 평면(156) 모두는 점선의 형태로 도시된다. 제1 측정 구조체(111)는 투영 렌즈(150)의 대물 평면(155)에 배열된다.
투영 렌즈(150)는 단지 개략적으로 도시되며 대물 평면(155) 내에 배열되고 조명 시스템(140)을 사용하여 조명되는 대상을 마이크로리소그래픽 용도로 이미지 평면(156)으로 결상하도록 설계된다. 투영 렌즈(150)는 다중 렌즈 요소로 이루어지고 축소 렌즈로서 작용한다. 거울 및 다른 광학 요소가 또한 존재할 수 있다. 도 1은 입구측 제1 렌즈 요소(151) 및 출구측 마지막 렌즈 요소(152)를 개략적으로 도시한다. 동공(153)이 제1 렌즈 요소(151)와 마지막 렌즈 요소(152) 사이에 배열된다. 제1 침지 공간(171)이 마지막 렌즈 요소(152)와 이미지 평면(156) 사이에 형성된다. 제1 침지 공간(171)은 투영 노광 장치(100)의 작동 중에 적어도 일시적으로 침지 액체로 충전된다.
도 1은 제1 침지 공간(171)의 측방향 한계(170)를 개략적으로 나타낸다. 침지 액체의 측방향 수용은 일반적으로 침지 액체를 공급하고 제거하기 위한 장치의 기하 구조(도면에 도시되지 않음)에 의해 결정된다. 침지 액체는, 예를 들어, 193 nm의 노광 시스템(140)의 전자기 방사선의 파장에서 n = 1.437의 굴절율을 갖는 매우 순수한 물일 수 있다. 제2 측정 구조체(121)가 침지 액체 내에 위치하여 그에 의해 습윤되도록 제2 측정 구조체(121)를 갖는 제2 캐리어(120)가 제1 침지 공간(171)에 맞닿는다.
제2 침지 공간(176)은 빔 경로에서 제2 캐리어(120)의 하류에 형성되어 상기 캐리어에 맞닿는다. 예를 들어, 2차원 방식으로 연장되는 공간적 분해 감광 검출기 요소(132)를 갖는 검출기(130)가 빔 경로에서 제2 침지 공간(176)의 하류에 제공된다. 현미경 대물렌즈(131)는 제2 측정 구조체(121)와 검출기(130) 사이에 배열된다. 현미경 대물렌즈(131)는 제2 침지 공간(176)에 바로 맞닿고 제2 측정 구조체(121)로부터의 광을 검출기 요소(132) 상으로 향하게 한다. 검출기(130)는 간섭 패턴을 측정하도록 구성된다. 이를 위해, 검출기(130)는 평가 유닛(160)에 연결될 수 있다. 평가 유닛(160)은 포착된 간섭 패턴에 기초하여 투영 렌즈(150)의 품질을 감정하도록 구성된다. 전단 간섭 측정 방법은, 예를 들어, 간섭 패턴을 측정하기 위해 사용될 수 있다. 전단 간섭법을 수행하는 방법은 공지되어 있어서 본원에서 추가로 설명하지 않을 것이다. 검출기(130) 및 평가 유닛(160)은 측정 장치를 대표한다.
도 2는 도 1의 일 구역의 확대도를 도시한다. 제2 측정 구조체(121)는, 제2 캐리어(120) 상에 적용되고 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 몰리브데넘 실리콘 이산화물로 구성되는 흡수층(125)의 형태일 수 있다. 흡수층(125)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함할 수 있다. 더욱이, 흡수층은 금속-실리콘-산화물 또는 금속-실리콘-산화질화물로 제조될 수 있다. 예를 들어 몰리브데넘 또는 마그네슘이 금속으로서 사용될 수 있다.
더욱이, 흡수층은, 예를 들어 몰리브데넘 실리콘 이산화물과 같은 금속 실리콘 이산화물 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물 및/또는 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물로 제조될 수 있다.
흡수층(125)은 마찬가지로 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 구성될 수 있다. 흡수층(125)은 마찬가지로 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 몰리브데넘 실리콘 이산화물로 구성될 수 있다.
추가 실시예에서, 제2 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물을 갖는 흡수층(125)을 갖는다.
도 3은 제2 측정 구조체(121)의 부분적 구역의 확대도를 도시한다. 흡수층(125)의 개별적인 부분의 표면이 여기에서 도시된다. 제2 캐리어(120)는, 예를 들어, 5 내지 10 mm의 두께, 특히 6에서 7 mm 사이의 두께를 가질 수 있고, 석영 유리로 제조될 수 있다. 흡수층(125)은 1 내지 10 μm의 폭 및 10 내지 100 nm의 두께를 갖는 구조적 요소를 가질 수 있다. 흡수층(125)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함할 수 있다. 더욱이, 흡수층은 금속-실리콘-산화물 또는 금속-실리콘-산화질화물로 제조될 수 있다.
더욱이, 흡수층은, 예를 들어 몰리브데넘 실리콘 이산화물과 같은 금속 실리콘 이산화물 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물 및/또는 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물로 제조될 수 있다.
흡수층(125)은 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 몰리브데넘 실리콘 이산화물로부터 형성된다. 흡수층(125)은 마찬가지로 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 구성될 수 있다.
흡수층(125)은 마찬가지로 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물로 구성될 수 있다.
제2 측정 구조체(121)는, 도 4와 같이, 체스판 패턴의 형태인 사각형과 같은 다양한 구조체를 가질 수 있다. 게다가, 제2 측정 구조체(121)는 줄무늬, 선 또는 다른 영역의 형상인 흡수층(125)을 가질 수 있다.
선택된 실시예에 따라, 예를 들어 보호층 및/또는 반사-방지층과 같은 다른 층이 흡수층(125)에 추가로 제공될 수 있다. 흡수층(125)은 몰리브데넘 실리콘 이산화물층 또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물층을 포함할 수 있다.
적어도 부분적으로 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물 및/또는 금속-실리콘-산화물 및/또는 금속-실리콘-산화질화물 및/또는 몰리브데넘 실리콘 이산화물로부터 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 및/또는 크로뮴 질화물로 및/또는 탄탈륨 질화물로 및/또는 하프늄 질화물로 형성되는 제2 측정 구조체(121)는 크로뮴 구조체에 비해 현저히 긴 수명을 갖는 것을 검사가 보여준다. 제안된 재료는 더욱이 더욱 우수한 구조화 가능성을 제공하여, 그리드 위치의 변위의 경우에 측정 결과의 향상된 재현성을 제공한다.
설명한 제2 측정 구조체(121)는, 예를 들어, 편광된 파면을 측정하기 위해 사용될 수 있다. 더욱이 제안된 제2 측정 구조체(121)는 또한, 예를 들어 모아레(Moire) 기초와 같은 왜곡 측정 기술에 사용될 수 있다. 제안된 제2 측정 구조체(121)는 열화 및 투과에 관한 요건뿐만 아니라 에지 거칠기 및 미세한 구조화 오차에 관한 요건도 충족시킨다.
더욱이 제2 측정 구조체(121)는 또한 미광 계측 분야, 특히 단범위 미광을 측정 하는데에 사용될 수 있다. 제2 측정 구조체(121)는 특히 커크 검사(Kirk test)에 사용될 수 있다.
선택된 실시예에 따라, 제1 측정 구조체(111)는 또한 제2 측정 구조체(121)와 유사하게 구성될 수 있다. 결과적으로, 제1 측정 구조체(111)는 또한 흡수층(125)을 가질 수 있다. 흡수층(125)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함할 수 있다. 더욱이, 흡수층은 금속-실리콘-산화물 또는 금속-실리콘-산화질화물로 제조될 수 있다. 더욱이, 흡수층은, 예를 들어 몰리브데넘 실리콘 이산화물과 같은 금속 실리콘 이산화물로 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물 및/또는 크로뮴 질화물 및/또는 탄탈륨 질화물 및/또는 하프늄 질화물 제조될 수 있다.
흡수층(125)은 적어도 부분적으로 몰리브데넘 실리콘 이산화물 및/또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 구성될 수 있다. 제1 측정 구조체(111)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 전단 간섭계의 경우에 침지 액체에 배열되지 않더라도, 향상된 열화 저항이 제1 측정 구조체(111)에 대해서 유리하다. 몰리브데넘 실리콘 이산화물 및 몰리브데넘 실리콘 산화질화물은 이진 금속간 화합물 층(binary intermetallic layer)으로 지칭될 수 있다.
예를 들어, 파면 측정을 수행하기 위해 전단 간섭법이 사용될 수 있다. 선택된 실시예에 따라, 제2 측정 구조체(121)는 또한 이미지 평면(156) 외측에 배열될 수 있다. 제2 측정 구조체(121)의 배열은 사용되는 측정 방법에 따른다
100 투영 노광 장치
110 제1 캐리어
111 제1 측정 구조체
120 제2 캐리어
121 제2 측정 구조체
125 흡수층
130 검출기
131 현미경 대물렌즈
132 검출기 요소
140 조명 시스템
150 투영 렌즈
151 제1 렌즈 요소
152 마지막 렌즈 요소
153 동공
155 대물 평면
156 이미지 평면
160 평가 유닛
170 한계
171 제1 침지 공간
176 제2 침지 공간

Claims (24)

  1. 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100)이며, 대물 평면(155)을 이미지 평면(156) 상에 결상하기 위한 투영 렌즈(150)를 갖고, 투영 노광 장치(100)가 작동하는 동안 적어도 일시적으로 투영 렌즈(150)와 이미지 평면(156) 사이에 침지 액체가 제공되며, 측정 구조체(121)가 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체(121)는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 패턴을 측정하기 위한 측정 장치(130, 160)를 갖고, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 실리콘 산화물, 실리콘 산화질화물, 및 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 흡수층(125)을 갖고, 흡수층(125)은 투영 노광 장치(100)가 작동하는 동안 침지 액체에 의해 습윤되도록 위치해 있는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  2. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 금속 실리콘 이산화물로 제조되거나 금속 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  3. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 몰리브데넘 실리콘 이산화물로 제조되거나 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  4. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 몰리브데넘 실리콘 이산화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  5. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  6. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 크로뮴 질화물, 탄탈륨 질화물, 및 하프늄 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  7. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 크로뮴 질화물, 탄탈륨 질화물, 및 하프늄 질화물 중 적어도 하나로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  8. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 캐리어(120) 상에 적용되는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  9. 제1항에 있어서, 흡수층(125)은 10 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  10. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 반사-방지층을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  11. 제1항에 있어서, 투영 노광 장치(100)는 193 nm 이하의 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선을 생성하는 조명 시스템(140)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  12. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 193 nm의 파장에서 3의 범위 내의 광학 밀도를 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  13. 제1항에 있어서, 투영 노광 장치(100)는 간섭 측정, 편광된 파면 측정 또는 미광 측정을 수행하도록 구성되는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  14. 제1항에 있어서, 측정 구조체(121)는 그리드 구조체를 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  15. 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100)이며, 대물 평면(155)을 이미지 평면(156) 상에 결상하기 위한 투영 렌즈(150)를 갖고, 투영 노광 장치(100)가 작동하는 동안 적어도 일시적으로 투영 렌즈(150)와 이미지 평면(156) 사이에 침지 액체가 제공되며, 측정 구조체(121)는 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체(121)는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 패턴을 측정하기 위한 측정 장치(130, 160)를 갖고, 측정 구조체(121)는 금속 질화물을 갖는 흡수층(125)을 갖고, 금속 질화물을 갖는 흡수층(125)은 투영 노광 장치(100)가 작동하는 동안 침지 액체에 의해 습윤되도록 위치해 있는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  16. 제15항에 있어서, 측정 구조체(121)는 크로뮴 질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  17. 제15항에 있어서, 측정 구조체(121)는 탄탈륨 질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  18. 제15항에 있어서, 측정 구조체(121)는 하프늄 질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
  19. 투영 렌즈(150) 측정 방법이며, 측정 구조체(121)가 투영 렌즈(150) 내의 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체(121)는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 실리콘 산화물, 실리콘 산화질화물, 및 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 흡수층(125)을 갖고, 흡수층(125)은 측정 패턴을 생성하는 동안 침지 액체에 의해 습윤되며, 측정 패턴은 측정 장치(130, 160)를 사용하여 측정되는, 투영 렌즈(150) 측정 방법.
  20. 제19항에 있어서, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 몰리브데넘 실리콘 이산화물 또는 몰리브데넘 실리콘 산화질화물 또는 크로뮴 질화물 또는 탄탈륨 질화물 또는 하프늄 질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 투영 렌즈(150) 측정 방법.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 측정 장치(130, 160)는 간섭 측정, 편광된 파면 측정 또는 미광 측정을 수행하는, 투영 렌즈(150) 측정 방법.
  22. 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100)의 투영 렌즈(150)를 측정하는 측정 구조체(121)이며, 측정 구조체(121)는 상기 투영 노광 장치(100)에서 광 빔을 산란 또는 회절시키도록 설정되고, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 실리콘 산화물, 실리콘 산화질화물, 및 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 흡수층(125)을 갖고, 흡수층(125)은 투영 렌즈(150)를 측정하는 동안 침지 액체와 직접 접촉하여 침지 액체에 의해 습윤되도록 구성되는, 측정 구조체(121).
  23. 제22항에 있어서, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 금속 실리콘 이산화물로 제조되거나 금속 실리콘 산화질화물로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 측정 구조체(121).
  24. 제22항에 있어서, 측정 구조체(121)는 적어도 부분적으로, 몰리브데넘 실리콘 이산화물, 몰리브데넘 실리콘 산화질화물, 크로뮴 질화물, 탄탈륨 질화물, 및 하프늄 질화물 중 적어도 하나로 제조되는 흡수층(125)을 갖는, 측정 구조체(121).
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