US5736751A
(en)
|
1982-04-13 |
1998-04-07 |
Seiko Epson Corporation |
Field effect transistor having thick source and drain regions
|
US6294796B1
(en)
|
1982-04-13 |
2001-09-25 |
Seiko Epson Corporation |
Thin film transistors and active matrices including same
|
FR2527385B1
(fr)
|
1982-04-13 |
1987-05-22 |
Suwa Seikosha Kk |
Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor
|
US5698864A
(en)
|
1982-04-13 |
1997-12-16 |
Seiko Epson Corporation |
Method of manufacturing a liquid crystal device having field effect transistors
|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
US5162901A
(en)
|
1989-05-26 |
1992-11-10 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto
|
US5247375A
(en)
|
1990-03-09 |
1993-09-21 |
Hitachi, Ltd. |
Display device, manufacturing method thereof and display panel
|
DE69112698T2
(de)
*
|
1990-05-07 |
1996-02-15 |
Fujitsu Ltd |
Anzeigeeinrichtung von höher Qualität mit aktiver Matrix.
|
KR940008180B1
(ko)
|
1990-12-27 |
1994-09-07 |
가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 |
액정 전기 광학 장치 및 그 구동 방법
|
JPH05224626A
(ja)
|
1992-02-14 |
1993-09-03 |
Fujitsu Ltd |
液晶表示装置
|
TW222345B
(en)
|
1992-02-25 |
1994-04-11 |
Semicondustor Energy Res Co Ltd |
Semiconductor and its manufacturing method
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JP3476241B2
(ja)
|
1994-02-25 |
2003-12-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
アクティブマトリクス型表示装置の表示方法
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
WO1997006554A2
(en)
|
1995-08-03 |
1997-02-20 |
Philips Electronics N.V. |
Semiconductor device provided with transparent switching element
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
WO1998002773A1
(fr)
|
1996-07-15 |
1998-01-22 |
Hitachi, Ltd. |
Dispositif d'affichage
|
JP3883641B2
(ja)
|
1997-03-27 |
2007-02-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置
|
US6458071B1
(en)
*
|
1997-12-08 |
2002-10-01 |
Jerry I. Jacobson |
Method for electromagnetically restructuring water for organismic consumption
|
US7663607B2
(en)
|
2004-05-06 |
2010-02-16 |
Apple Inc. |
Multipoint touchscreen
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Hoya株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
JP3462135B2
(ja)
*
|
1999-01-14 |
2003-11-05 |
シャープ株式会社 |
二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置
|
JP2000267066A
(ja)
|
1999-03-15 |
2000-09-29 |
Canon Inc |
液晶素子
|
US7379039B2
(en)
*
|
1999-07-14 |
2008-05-27 |
Sony Corporation |
Current drive circuit and display device using same pixel circuit, and drive method
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
TW468283B
(en)
*
|
1999-10-12 |
2001-12-11 |
Semiconductor Energy Lab |
EL display device and a method of manufacturing the same
|
TW480727B
(en)
*
|
2000-01-11 |
2002-03-21 |
Semiconductor Energy Laboratro |
Semiconductor display device
|
JP4537526B2
(ja)
*
|
2000-03-22 |
2010-09-01 |
東芝モバイルディスプレイ株式会社 |
液晶表示装置及びその駆動方法
|
TW531901B
(en)
*
|
2000-04-27 |
2003-05-11 |
Semiconductor Energy Lab |
Light emitting device
|
JP3766926B2
(ja)
|
2000-04-28 |
2006-04-19 |
シャープ株式会社 |
表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器
|
EP1296174B1
(en)
|
2000-04-28 |
2016-03-09 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Display unit, drive method for display unit, electronic apparatus mounting display unit thereon
|
US6880086B2
(en)
|
2000-05-20 |
2005-04-12 |
Ciena Corporation |
Signatures for facilitating hot upgrades of modular software components
|
US7111053B1
(en)
|
2000-05-20 |
2006-09-19 |
Ciena Corporation |
Template-driven management of telecommunications network via utilization of operations support services clients
|
US20020001307A1
(en)
|
2000-05-20 |
2002-01-03 |
Equipe Communications Corporation |
VPI/VCI availability index
|
US20020057018A1
(en)
|
2000-05-20 |
2002-05-16 |
Equipe Communications Corporation |
Network device power distribution scheme
|
US7266595B1
(en)
|
2000-05-20 |
2007-09-04 |
Ciena Corporation |
Accessing network device data through user profiles
|
US7222147B1
(en)
|
2000-05-20 |
2007-05-22 |
Ciena Corporation |
Processing network management data in accordance with metadata files
|
US7240364B1
(en)
|
2000-05-20 |
2007-07-03 |
Ciena Corporation |
Network device identity authentication
|
US7143153B1
(en)
|
2000-11-09 |
2006-11-28 |
Ciena Corporation |
Internal network device dynamic health monitoring
|
US20020116485A1
(en)
|
2001-02-21 |
2002-08-22 |
Equipe Communications Corporation |
Out-of-band network management channels
|
US7054272B1
(en)
|
2000-07-11 |
2006-05-30 |
Ciena Corporation |
Upper layer network device including a physical layer test port
|
US6934749B1
(en)
|
2000-05-20 |
2005-08-23 |
Ciena Corporation |
Tracking distributed data retrieval in a network device
|
US6876652B1
(en)
|
2000-05-20 |
2005-04-05 |
Ciena Corporation |
Network device with a distributed switch fabric timing system
|
US7280529B1
(en)
|
2000-05-20 |
2007-10-09 |
Ciena Corporation |
Providing network management access through user profiles
|
US6868092B1
(en)
|
2000-05-20 |
2005-03-15 |
Ciena Corporation |
Network device with embedded timing synchronization
|
US7039046B1
(en)
|
2000-05-20 |
2006-05-02 |
Ciena Corporation |
Network device including central and distributed switch fabric subsystems
|
US6654903B1
(en)
|
2000-05-20 |
2003-11-25 |
Equipe Communications Corporation |
Vertical fault isolation in a computer system
|
US6760339B1
(en)
|
2000-05-20 |
2004-07-06 |
Equipe Communications Corporation |
Multi-layer network device in one telecommunications rack
|
US6658580B1
(en)
|
2000-05-20 |
2003-12-02 |
Equipe Communications Corporation |
Redundant, synchronous central timing systems with constant master voltage controls and variable slave voltage controls
|
US6658579B1
(en)
|
2000-05-20 |
2003-12-02 |
Equipe Communications Corporation |
Network device with local timing systems for automatic selection between redundant, synchronous central timing systems
|
US6332198B1
(en)
|
2000-05-20 |
2001-12-18 |
Equipe Communications Corporation |
Network device for supporting multiple redundancy schemes
|
US20020118031A1
(en)
|
2001-02-27 |
2002-08-29 |
Equipe Communications Corporation |
Connector test card
|
US6639910B1
(en)
|
2000-05-20 |
2003-10-28 |
Equipe Communications Corporation |
Functional separation of internal and external controls in network devices
|
US20030120822A1
(en)
|
2001-04-19 |
2003-06-26 |
Langrind Nicholas A. |
Isolated control plane addressing
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
JP5019668B2
(ja)
*
|
2000-09-18 |
2012-09-05 |
三洋電機株式会社 |
表示装置及びその制御方法
|
JP2002098990A
(ja)
|
2000-09-21 |
2002-04-05 |
Toshiba Corp |
液晶表示装置
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
TWI313059B
(ja)
*
|
2000-12-08 |
2009-08-01 |
Sony Corporatio |
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
JP4278314B2
(ja)
*
|
2001-04-13 |
2009-06-10 |
三洋電機株式会社 |
アクティブマトリクス型表示装置
|
US7263597B2
(en)
|
2001-04-19 |
2007-08-28 |
Ciena Corporation |
Network device including dedicated resources control plane
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
JP2003098538A
(ja)
*
|
2001-09-20 |
2003-04-03 |
Seiko Epson Corp |
電気光学装置及びその製造方法
|
JP2003131633A
(ja)
|
2001-10-29 |
2003-05-09 |
Sony Corp |
表示装置の駆動方法
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
WO2003040441A1
(en)
|
2001-11-05 |
2003-05-15 |
Japan Science And Technology Agency |
Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
JP4014895B2
(ja)
|
2001-11-28 |
2007-11-28 |
東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 |
表示装置およびその駆動方法
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
|
JP3980910B2
(ja)
|
2002-03-12 |
2007-09-26 |
東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 |
液晶表示装置
|
US7049190B2
(en)
|
2002-03-15 |
2006-05-23 |
Sanyo Electric Co., Ltd. |
Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
KR100638304B1
(ko)
*
|
2002-04-26 |
2006-10-26 |
도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 |
El 표시 패널의 드라이버 회로
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
JP2003344823A
(ja)
|
2002-05-23 |
2003-12-03 |
Sharp Corp |
液晶表示装置および液晶表示駆動方法
|
US6787835B2
(en)
*
|
2002-06-11 |
2004-09-07 |
Hitachi, Ltd. |
Semiconductor memories
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
JP4366914B2
(ja)
*
|
2002-09-25 |
2009-11-18 |
日本電気株式会社 |
表示装置用駆動回路及びそれを用いた表示装置
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
WO2004070696A1
(ja)
*
|
2003-01-22 |
2004-08-19 |
Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. |
有機elディスプレイ及びアクティブマトリクス基板
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
JP4074207B2
(ja)
|
2003-03-10 |
2008-04-09 |
株式会社 日立ディスプレイズ |
液晶表示装置
|
WO2004090847A1
(ja)
*
|
2003-04-02 |
2004-10-21 |
Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. |
表示装置
|
KR100832612B1
(ko)
*
|
2003-05-07 |
2008-05-27 |
도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 |
El 표시 장치
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
JP4524735B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2010-08-18 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体記憶装置
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
KR101078509B1
(ko)
|
2004-03-12 |
2011-10-31 |
도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 |
박막 트랜지스터의 제조 방법
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
US7211825B2
(en)
*
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
JP5126729B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-01-23 |
キヤノン株式会社 |
画像表示装置
|
WO2006051994A2
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Light-emitting device
|
CA2585071A1
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor employing an amorphous oxide
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
JP5138163B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-02-06 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
JP5118810B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-01-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
CN102938420B
(zh)
|
2004-11-10 |
2015-12-02 |
佳能株式会社 |
无定形氧化物和场效应晶体管
|
JP2006189661A
(ja)
*
|
2005-01-06 |
2006-07-20 |
Toshiba Corp |
画像表示装置及びその方法
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
TWI472037B
(zh)
*
|
2005-01-28 |
2015-02-01 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
|
TWI569441B
(zh)
|
2005-01-28 |
2017-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
CN100410736C
(zh)
*
|
2005-03-22 |
2008-08-13 |
统宝光电股份有限公司 |
显示器显示电路及其显示方法
|
WO2006105077A2
(en)
|
2005-03-28 |
2006-10-05 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
JP4887647B2
(ja)
*
|
2005-03-31 |
2012-02-29 |
凸版印刷株式会社 |
薄膜トランジスタ装置の製造方法
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
KR101139529B1
(ko)
*
|
2005-06-30 |
2012-05-02 |
엘지디스플레이 주식회사 |
유기전계발광소자 및 유기전계발광 표시장치
|
KR100547515B1
(ko)
*
|
2005-07-27 |
2006-01-31 |
실리콘 디스플레이 (주) |
유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機el表示装置およびその製造方法
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
JP4560502B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2010-10-13 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
EP1995787A3
(en)
*
|
2005-09-29 |
2012-01-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
CN101707212B
(zh)
|
2005-11-15 |
2012-07-11 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件及其制造方法
|
JP5376750B2
(ja)
*
|
2005-11-18 |
2013-12-25 |
出光興産株式会社 |
半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
|
US7998372B2
(en)
*
|
2005-11-18 |
2011-08-16 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel
|
US7692610B2
(en)
|
2005-11-30 |
2010-04-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
JP5478000B2
(ja)
*
|
2005-11-30 |
2014-04-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置、表示モジュール、及び電子機器
|
JP4693757B2
(ja)
*
|
2005-12-02 |
2011-06-01 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ZnO TFT
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
KR20110058895A
(ko)
*
|
2006-06-09 |
2011-06-01 |
애플 인크. |
터치 스크린 액정 디스플레이
|
US8259078B2
(en)
|
2006-06-09 |
2012-09-04 |
Apple Inc. |
Touch screen liquid crystal display
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
KR101202040B1
(ko)
*
|
2006-06-30 |
2012-11-16 |
엘지디스플레이 주식회사 |
유기발광다이오드 표시소자 및 그 구동방법
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Nec液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
JP5227502B2
(ja)
*
|
2006-09-15 |
2013-07-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置の駆動方法、液晶表示装置及び電子機器
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
US7511343B2
(en)
*
|
2006-10-12 |
2009-03-31 |
Xerox Corporation |
Thin film transistor
|
JP4866703B2
(ja)
*
|
2006-10-20 |
2012-02-01 |
株式会社 日立ディスプレイズ |
液晶表示装置
|
US8018428B2
(en)
*
|
2006-11-27 |
2011-09-13 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Electrophoretic display panel, electrophoretic display device having the same and method for driving the same
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーelディスプレイおよびその製造方法
|
WO2008069255A1
(en)
|
2006-12-05 |
2008-06-12 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
|
JP5305630B2
(ja)
|
2006-12-05 |
2013-10-02 |
キヤノン株式会社 |
ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
|
US8143115B2
(en)
|
2006-12-05 |
2012-03-27 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
|
US8207944B2
(en)
|
2006-12-19 |
2012-06-26 |
3M Innovative Properties Company |
Capacitance measuring circuit and method
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
WO2008126879A1
(en)
|
2007-04-09 |
2008-10-23 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Light-emitting apparatus and production method thereof
|
JP5178710B2
(ja)
*
|
2007-04-09 |
2013-04-10 |
シャープ株式会社 |
表示装置
|
JP5197058B2
(ja)
*
|
2007-04-09 |
2013-05-15 |
キヤノン株式会社 |
発光装置とその作製方法
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
CN101663762B
(zh)
|
2007-04-25 |
2011-09-21 |
佳能株式会社 |
氧氮化物半导体
|
KR20080099084A
(ko)
*
|
2007-05-08 |
2008-11-12 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
JP5542297B2
(ja)
*
|
2007-05-17 |
2014-07-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
|
JP2009003437A
(ja)
|
2007-05-18 |
2009-01-08 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
液晶表示装置およびその作製方法
|
JP5037221B2
(ja)
|
2007-05-18 |
2012-09-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置及び電子機器
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
KR101092483B1
(ko)
|
2007-05-31 |
2011-12-13 |
캐논 가부시끼가이샤 |
산화물 반도체를 사용한 박막트랜지스터의 제조 방법
|
KR101376073B1
(ko)
|
2007-06-14 |
2014-03-21 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터, 이를 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조방법
|
TWI396168B
(zh)
*
|
2007-07-06 |
2013-05-11 |
Japan Display Central Inc |
液晶顯示裝置
|
US20090015536A1
(en)
|
2007-07-06 |
2009-01-15 |
Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. |
Liquid crystal display apparatus
|
TWI350474B
(en)
|
2007-09-29 |
2011-10-11 |
Au Optronics Corp |
Capacitive touch panel with low impedance and method of manufacturing capacitive touch panels with low impedance
|
KR101508639B1
(ko)
*
|
2007-11-29 |
2015-04-06 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시장치 및 전자기기
|
JP5213422B2
(ja)
|
2007-12-04 |
2013-06-19 |
キヤノン株式会社 |
絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
|
US8202365B2
(en)
|
2007-12-17 |
2012-06-19 |
Fujifilm Corporation |
Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
|
KR100936874B1
(ko)
*
|
2007-12-18 |
2010-01-14 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
|
TWI374379B
(en)
|
2007-12-24 |
2012-10-11 |
Wintek Corp |
Transparent capacitive touch panel and manufacturing method thereof
|
KR100963003B1
(ko)
|
2008-02-05 |
2010-06-10 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
JP2009276744A
(ja)
*
|
2008-02-13 |
2009-11-26 |
Toshiba Mobile Display Co Ltd |
El表示装置
|
JP2009267399A
(ja)
|
2008-04-04 |
2009-11-12 |
Fujifilm Corp |
半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法
|
JP5325446B2
(ja)
|
2008-04-16 |
2013-10-23 |
株式会社日立製作所 |
半導体装置及びその製造方法
|
JP5305731B2
(ja)
*
|
2008-05-12 |
2013-10-02 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子の閾値電圧の制御方法
|
WO2009142289A1
(ja)
*
|
2008-05-22 |
2009-11-26 |
出光興産株式会社 |
スパッタリングターゲット、それを用いたアモルファス酸化物薄膜の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
KR101515468B1
(ko)
|
2008-12-12 |
2015-05-06 |
삼성전자주식회사 |
표시장치 및 그 동작방법
|
US8217913B2
(en)
|
2009-02-02 |
2012-07-10 |
Apple Inc. |
Integrated touch screen
|
CN101478005B
(zh)
*
|
2009-02-13 |
2010-06-09 |
北京大学深圳研究生院 |
一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
|
JP5185155B2
(ja)
|
2009-02-24 |
2013-04-17 |
株式会社ジャパンディスプレイセントラル |
液晶表示装置
|
JP2010243707A
(ja)
|
2009-04-03 |
2010-10-28 |
Asahi Glass Co Ltd |
液晶光学変調装置、光強度変調装置および光ヘッド装置
|
JP5195650B2
(ja)
|
2009-06-03 |
2013-05-08 |
セイコーエプソン株式会社 |
液晶表示装置、制御方法および電子機器
|
TWI494828B
(zh)
|
2009-07-29 |
2015-08-01 |
Cando Corp |
具降低感測結構可視性之電容式觸控面板
|
JP2011070092A
(ja)
|
2009-09-28 |
2011-04-07 |
Sharp Corp |
液晶表示装置
|
WO2011046010A1
(en)
|
2009-10-16 |
2011-04-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
|
WO2011070929A1
(en)
*
|
2009-12-11 |
2011-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
KR102352590B1
(ko)
*
|
2009-12-18 |
2022-01-17 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치 및 전자 기기
|
CN102640207A
(zh)
*
|
2009-12-18 |
2012-08-15 |
株式会社半导体能源研究所 |
液晶显示装置及其驱动方法
|
US9057758B2
(en)
|
2009-12-18 |
2015-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
|
CN105390110B
(zh)
|
2009-12-18 |
2019-04-30 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示设备及其驱动方法
|
WO2011081010A1
(en)
|
2009-12-28 |
2011-07-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and electronic device
|
KR101842860B1
(ko)
|
2010-01-20 |
2018-03-28 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치의 구동 방법
|
CN102714023B
(zh)
|
2010-01-20 |
2016-05-04 |
株式会社半导体能源研究所 |
液晶显示设备的驱动方法
|
WO2011089844A1
(en)
|
2010-01-24 |
2011-07-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and manufacturing method thereof
|
TWI525377B
(zh)
|
2010-01-24 |
2016-03-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置
|
KR20200088506A
(ko)
|
2010-01-24 |
2020-07-22 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
US20110267303A1
(en)
|
2010-05-02 |
2011-11-03 |
Acer Incorporated |
Capacitive touch panel
|
JP5248653B2
(ja)
|
2010-05-27 |
2013-07-31 |
富士フイルム株式会社 |
導電シート及び静電容量方式タッチパネル
|