JP2018180436A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 複数の画素を有する表示部と、駆動回路部と、を有し、
前記複数の画素それぞれは、表示素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの半導体層および前記第３のトランジスタの半導体層は、それぞれが、金属元素および酸素を含み、
前記第２のトランジスタの半導体層は、前記第１の層と重なる領域を有し、
前記第３のトランジスタの半導体層は、前記第１の層と重なる領域を有さず、
前記第１の層の熱伝導率が０．０５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である表示装置。 - 複数の画素を有する表示部と、駆動回路部と、を有し、
前記複数の画素それぞれは、表示素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の層と、を有し、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの半導体層および前記第３のトランジスタの半導体層は、それぞれが、金属元素および酸素を含み、
前記第２のトランジスタの半導体層は、前記第１の層と重なる領域を有し、
前記第３のトランジスタの半導体層は、前記第１の層と重なる領域を有さず、
前記第１の層の熱伝導率が０．０５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である表示装置。 - 複数の画素を有する表示部と、駆動回路部と、を有し、
前記複数の画素それぞれは、表示素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の層と、第２の層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの半導体層および前記第３のトランジスタの半導体層は、それぞれが、金属元素および酸素を含み、
前記第２のトランジスタの半導体層は、前記第１の層および前記第２の層と重なる領域を有し、
前記第３のトランジスタの半導体層は、前記第１の層と重ならず、かつ、前記第２の層と重なる領域を有し、
前記第１の層の熱伝導率は、前記第２の層の熱伝導率よりも小さい表示装置。 - 複数の画素を有する表示部と、駆動回路部と、を有し、
前記複数の画素それぞれは、表示素子と、第１のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の層と、第２の層と、を有し、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの半導体層および前記第３のトランジスタの半導体層は、それぞれが、金属元素および酸素を含み、
前記第２のトランジスタの半導体層は、前記第１の層および前記第２の層と重なる領域を有し、
前記第３のトランジスタの半導体層は、前記第１の層と重ならず、かつ、前記第２の層と重なる領域を有し、
前記第１の層の熱伝導率は、前記第２の層の熱伝導率よりも小さい表示装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記駆動回路部は、容量素子を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される表示装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の層の厚さは、０．０１μｍ以上２．０μｍ以下である表示装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の層は、樹脂を含む表示装置。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記表示素子は、液晶素子である表示装置。 - 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記金属元素は、インジウム、ガリウム、または亜鉛の少なくとも一である表示装置。 - 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタの半導体層と、前記第２のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を含む表示装置。 - 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記駆動回路部は、単極性回路を含む表示装置。
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