JP2011171727A5 - 表示装置 - Google Patents

Claims (7)

1. マトリクス状に配置された複数のピクセルを含む表示パネルを有し、
   前記複数のピクセルの各々は、一又は複数のユニットを有し、
   酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタのソース又はドレインと電気的に接続された画素電極と、
   前記画素電極と対向するように設けられた対向電極と、
   前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層と、を有し、
   前記液晶層を駆動する電圧範囲において、前記トランジスタのオフ電流が室温にて１０ｚＡ／μｍ未満であり、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満であることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記表示パネルを照明する照明手段を有し、
   前記照明手段の光源は、発光ダイオード、又は有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は２おいて、
   前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層の上方又は下方に配置されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、金属窒化物を有することを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度の最大値が、５ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ以上であることを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度の最大値が、１０ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ以上１５０ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ以下であることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体層は、真性又は実質的に真性な半導体を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有することを特徴とする表示装置。