JP2011139056A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、及び複数の走査線を有するアクティブマトリクス型表示装置であり、
   前記絶縁基板上に、電界効果移動度が少なくとも５０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
   前記トランジスタを１つの構成要素とするゲートドライバ、及びソース線駆動アナログスイッチを有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする表示装置。
2. 絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、及び複数の走査線を有するアクティブマトリクス型表示装置であり、
   前記絶縁基板上に、電界効果移動度が１００ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
   前記トランジスタを１つの構成要素とするゲートドライバ、及びソース線駆動アナログスイッチを有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体層は、第１の金属酸化物層と、第２の金属酸化物層とが積層され、
   前記第１の金属酸化物層と、前記第２の金属酸化物層とは、それぞれ結晶性を有し、
   前記第１の金属酸化物層の結晶構造の格子定数と、前記第２の金属酸化物層の結晶構造の格子定数との、ミスマッチは１％以下であることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、ゲート絶縁層を介してゲート電極層と重なるチャネル形成領域を少なくとも有することを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記ゲートドライバ、及び前記ソース線駆動アナログスイッチは、同一絶縁基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。