JP2011116653A5 - - Google Patents
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- 高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
炭化珪素シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導熱伝搬が、シード・ホルダに隣接する炭化珪素シード結晶のすべての表面の上のこれらの間の放射熱伝搬よりも優勢になるまで、炭化珪素シード結晶とシード・ホルダとの間の距離を低減させるステップ
を含んでいることを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、該方法は、シード昇華成長システムにおいて単結晶を生成するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、成長の前に、シード結晶の両面をラッピング仕上げするステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項4記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を10μm未満の平坦度の表面となるように、ラッピング仕上げすることを特徴とする方法。
- 請求項4記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を5μm未満の平坦度の表面となるように、ラッピング仕上げすることを特徴とする方法。
- 請求項4記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を2μm未満の平坦度の表面となるようにラッピング仕上げするステップからなることを特徴とする方法。
- 請求項4記載の方法において、該方法は、
固い表面とともに研磨スラリを用いてシード結晶をラッピング仕上げして、材料の大部分を取り除くステップと、
その後にシード結晶を研磨して、最終的な表面を形成するステップと
を含んでいることを特徴とする方法。 - 請求項4記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、厚みが少なくとも1.4mmのシード結晶上に単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項10記載の方法において、該方法は、10μm未満の平坦度を有するシード・ホルダ上に成長用のシード結晶を配置するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項10記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素基板のシード結晶上で結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、高温接着剤により、シード・ホルダ上にシード結晶を配置させるステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項13記載の方法において、該方法は、グラファイト接着剤により、シード・ホルダ上にシード結晶を配置させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項13記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、成長状態下におけるシード・ホルダの温度均一性を改善するために、有機材料をグラファイトのシード・ホルダに適用するステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項16記載の方法において、該方法は、フェノール樹脂をシード・ホルダに適用するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項16記載の方法において、該方法は、アルコール及びフェノール樹脂の混合物を用いて、シード・ホルダの密度を増大させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項16記載の方法において、該方法は、アルコール及びフェノール樹脂の2.5:1混合物を用いて、シード・ホルダの密度を増大させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項16記載の方法において、該方法は、シード・ホルダの熱膨張係数を炭化珪素シードの熱膨張係数と一致させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項16記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シード・ホルダの熱膨張係数と炭化珪素からなるシードの熱膨張係数とを合致させるステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項22記載の方法において、該方法は、炭素のシード・ホルダを炭化珪素のシード材料と合致させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項22記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
シード・ホルダに対向する表面であって、10μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップ
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項25記載の方法において、該方法は、シード・ホルダに対向する表面であって、5μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項25記載の方法において、該方法は、シード・ホルダに対向する表面であって、2μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項25記載の方法において、該方法は、シード・ホルダに対向する表面であって、1μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項25記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
シード結晶のシード・ホルダに対向する表面とシード・ホルダとを、シード結晶とシード・ホルダとの間の距離が10μmを超えないように、適合させるステップを備えていることを特徴とする方法。 - 請求項30記載の方法において、該方法は、シード結晶とシード・ホルダとの間の距離が5μmを超えないようにするステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、該方法は、シード結晶とシード・ホルダとの間の距離が2μmを超えないようにするステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、該方法は、単結晶をシード結晶とほぼ同一の直径に成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、シード結晶のシード・ホルダに対向する表面とシード・ホルダとを適合させるステップは、シード・ホルダに対向する表面であって、10μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶を準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、シード結晶のシード・ホルダに対向する表面とシード・ホルダとを適合させるステップは、シード・ホルダに対向する表面であって、5μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶を準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、シード結晶のシード・ホルダに対向する表面とシード・ホルダとを適合させるステップは、シード・ホルダに対向する表面であって、2μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶を準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、シード結晶のシード・ホルダに対向する表面とシード・ホルダとを適合させるステップは、シードに対向する表面であって、10μm未満の平坦度の表面を有するシード・ホルダを準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、シード結晶のシード・ホルダに対向する表面とシード・ホルダとを適合させるステップは、シードに対向する表面であって、5μm未満の平坦度の表面を有するシード・ホルダを準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、シード結晶のシード・ホルダに対向する表面とシード・ホルダとを適合させるステップは、シードに対向する表面であって、2μm未満の平坦度の表面を有するシード・ホルダを準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、該方法は、少なくとも2インチの直径のシード結晶をラッピング仕上げするステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項30記載の方法において、該方法は、少なくとも100mmの直径のシード結晶をラッピング仕上げするステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
結晶の有用領域を超える最初の10mm未満の成長において、凸状表面を示す局所化された領域が生じないようにしつつ、結晶の成長の間、平坦部をやや凸状の成長表面に保持するステップ
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項43記載の方法において、該方法は、結晶の有用領域を超えて500μm未満の結晶成長の間、平坦部をやや凸状の成長表面に保持するステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項43記載の方法において、該方法は、凸状部の半径が40cmを超えない凸状表面を有するように、平坦部をやや凸状の成長表面に保持するステップを備えていることを特徴とする方法。
- 請求項43記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
炭化珪素の結晶の裏面がシード・ホルダから、放射性熱転移に十分な距離だけ離間させるステップであって、該放射性熱転移がシード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移を上回るようにする、ステップ
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項47記載の方法において、該方法は、シード結晶と該シード結晶の直後のシード・ホルダとの間に真空状態を保持するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項47記載の方法において、該方法は、シード結晶と該シード結晶の直後のシード・ホルダとの間にガス充満の空間を保持するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項47記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
ねじり力によりシード結晶がゆがめられたり曲げられたりすることがないように、最小ねじり力を働かせながらシード結晶をるつぼに配置するステップであって、シード結晶の背面からの昇華、またはシード結晶中の不所望の温度差が助長されないようにする、ステップ
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項51記載の方法において、該方法は、シード結晶をエッジ・リングのシード・キャップに搭載し、該エッジ・リングのシード・キャップをシード・ホルダに位置決めするステップであって、シード結晶への機械的力を最小化し、かつ、シード・ホルダ上のシード結晶の配置により生じるシード結晶の歪を最小化又は無くすことができるようにした、ステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項51記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
結晶成長の間にシード・ホルダがひずみを生じないようにするために結晶成長の前にシード・ホルダをアニールするステップであって、シード結晶内の温度差を最小化又は除去して、成長中の結晶に欠陥が生じたり伝搬することがないようにする、ステップ
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項54記載の方法において、該方法は、単結晶をシード結晶とほぼ同一の直径に成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項54記載の方法において、該方法は、少なくとも2インチの直径の炭化珪素のシード結晶を用いて成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項54記載の方法において、該方法は、少なくとも100mmの直径の炭化珪素のシード結晶を用いて成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項54記載の方法において、該方法は、少なくとも2500℃で約30分間、シード・ホルダをアニールするステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項54記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、
シード結晶からの炭化珪素の昇華に対して蒸気バリアを提供する低多孔性の支持材料であって、シード結晶と支持材料との間の熱導電性の差を最小化し、シード結晶内の温度差を最小化又は排除し、成長中の結晶に欠陥が生じたり伝搬したりしないように、シード結晶の裏面からの蒸気移動を最小化又は排除する支持材料で、シード・ホルダ上にシード結晶を位置決めするステップ
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項60記載の方法において、該方法は、シード・ホルダ上のシード結晶を、高温度で位置決めするステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項60記載の方法において、支持材料は、炭化珪素のシード結晶の熱膨張係数にほぼ同一の熱膨張係数を有していることを特徴とする方法。
- 請求項60記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 固体炭化珪素源から高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シード・ホルダにシード結晶を高温度接着剤で位置決めするステップを含むことを特徴とする方法。
- 請求項64記載の方法において、シード・ホルダにシード結晶をグラファイト接着剤で位置決めするステップを含むことを特徴とする方法。
- 請求項64記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項64記載の方法において、該方法は、固体炭化珪素源を昇華するステップを含んでいることを特徴とする方法。
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WO2010045567A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Sixpoint Materials, Inc. | Reactor design for growing group iii nitride crystals and method of growing group iii nitride crystals |
WO2010060034A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Sixpoint Materials, Inc. | METHODS FOR PRODUCING GaN NUTRIENT FOR AMMONOTHERMAL GROWTH |
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US8377806B2 (en) * | 2010-04-28 | 2013-02-19 | Cree, Inc. | Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same |
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JP6025306B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2016-11-16 | 株式会社豊田中央研究所 | SiC単結晶、SiCウェハ及び半導体デバイス |
JP5716998B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2015-05-13 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素結晶インゴットおよび炭化珪素結晶ウエハ |
KR20120135735A (ko) * | 2011-06-07 | 2012-12-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
KR20120136219A (ko) * | 2011-06-08 | 2012-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
KR20120138112A (ko) * | 2011-06-14 | 2012-12-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
KR20120138445A (ko) * | 2011-06-15 | 2012-12-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
JP5817236B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2015-11-18 | 株式会社Sumco | 半導体試料中の金属汚染評価方法および半導体基板の製造方法 |
KR20120140151A (ko) * | 2011-06-20 | 2012-12-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
KR101854727B1 (ko) | 2011-06-24 | 2018-05-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
DE112012003035B4 (de) | 2011-07-20 | 2024-01-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Siliziumkarbidsubstrat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
KR20130014272A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
JP2013060328A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素結晶の製造方法 |
US9885124B2 (en) | 2011-11-23 | 2018-02-06 | University Of South Carolina | Method of growing high quality, thick SiC epitaxial films by eliminating silicon gas phase nucleation and suppressing parasitic deposition |
US9644288B2 (en) | 2011-11-23 | 2017-05-09 | University Of South Carolina | Pretreatment method for reduction and/or elimination of basal plane dislocations close to epilayer/substrate interface in growth of SiC epitaxial films |
US8758510B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-06-24 | Sicrystal Aktiengesellschaft | Production method for an SiC volume monocrystal with a non-homogeneous lattice plane course and a monocrystalline SiC substrate with a non-homogeneous lattice plane course |
JP5803786B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2015-11-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法 |
US9093420B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-07-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Methods for fabricating high voltage field effect transistor finger terminations |
US9124221B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-09-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Wide bandwidth radio frequency amplier having dual gate transistors |
US9142620B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-09-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Power device packaging having backmetals couple the plurality of bond pads to the die backside |
US9202874B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-12-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Gallium nitride (GaN) device with leakage current-based over-voltage protection |
US9147632B2 (en) * | 2012-08-24 | 2015-09-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having improved heat dissipation |
US9917080B2 (en) | 2012-08-24 | 2018-03-13 | Qorvo US. Inc. | Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection |
US8988097B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-03-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for on-wafer high voltage testing of semiconductor devices |
WO2014035794A1 (en) | 2012-08-27 | 2014-03-06 | Rf Micro Devices, Inc | Lateral semiconductor device with vertical breakdown region |
US9070761B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-06-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Field effect transistor (FET) having fingers with rippled edges |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
US9325281B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-04-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power amplifier controller |
JP6116866B2 (ja) | 2012-11-19 | 2017-04-19 | 株式会社豊田中央研究所 | SiC単結晶成長用種結晶、及びSiC単結晶の製造方法 |
JP2014130951A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
JP2014201498A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
US9657409B2 (en) | 2013-05-02 | 2017-05-23 | Melior Innovations, Inc. | High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications |
US11091370B2 (en) | 2013-05-02 | 2021-08-17 | Pallidus, Inc. | Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices |
US9919972B2 (en) | 2013-05-02 | 2018-03-20 | Melior Innovations, Inc. | Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices |
US10322936B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | High purity polysilocarb materials, applications and processes |
US20140332048A1 (en) * | 2013-05-08 | 2014-11-13 | Vern Green Power Solutions, Llc | Thermoelectric device |
CN103320851A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-09-25 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 大尺寸15r 碳化硅晶体的制备方法 |
CN105518190B (zh) * | 2013-09-06 | 2021-08-27 | Gtat公司 | 从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具 |
JP6241254B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-12-06 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP6241264B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-12-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
US9455327B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-09-27 | Qorvo Us, Inc. | Schottky gated transistor with interfacial layer |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
US9536803B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-01-03 | Qorvo Us, Inc. | Integrated power module with improved isolation and thermal conductivity |
US10615158B2 (en) | 2015-02-04 | 2020-04-07 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
US10062684B2 (en) | 2015-02-04 | 2018-08-28 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
DE102015111213B4 (de) | 2015-07-10 | 2023-05-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Verringern einer bipolaren Degradation bei einem SiC-Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement |
JP6578994B2 (ja) | 2016-03-04 | 2019-09-25 | 株式会社デンソー | 炭化珪素にて構成される半導体基板およびその製造方法 |
TW201807272A (zh) | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 國家中山科學研究院 | 一種用於成長單晶晶體之裝置 |
CN106637416B (zh) * | 2016-12-28 | 2018-11-20 | 厦门大学 | 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置 |
US10577720B2 (en) | 2017-01-04 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Stabilized, high-doped silicon carbide |
CN106757357B (zh) * | 2017-01-10 | 2019-04-09 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法 |
US20200056302A1 (en) * | 2017-03-02 | 2020-02-20 | University Of South Carolina | Elimination of Basal Plane Dislocation and Pinning the Conversion Point Below the Epilayer Interface for SiC Power Device Applications |
US10793972B1 (en) | 2017-07-11 | 2020-10-06 | Ii-Vi Delaware, Inc. | High quality silicon carbide crystals and method of making the same |
KR102381395B1 (ko) * | 2017-09-18 | 2022-04-01 | 한국전기연구원 | 절연 또는 반절연 6H-SiC 기판에 구현된 SiC 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP7009147B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-01-25 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
TWI648525B (zh) | 2017-12-18 | 2019-01-21 | 國家中山科學研究院 | 一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置 |
JP7030506B2 (ja) | 2017-12-22 | 2022-03-07 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 |
JP6915526B2 (ja) | 2017-12-27 | 2021-08-04 | 信越半導体株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
CN108381326B (zh) * | 2018-02-06 | 2019-10-11 | 西京学院 | 一种碳化硅超细粉制备设备 |
JP6879236B2 (ja) * | 2018-03-13 | 2021-06-02 | 信越半導体株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
CN109280966B (zh) * | 2018-10-16 | 2019-07-05 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底的制备方法 |
CN109338463B (zh) * | 2018-10-16 | 2020-08-11 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种高纯碳化硅单晶衬底 |
KR102375530B1 (ko) * | 2018-10-16 | 2022-03-16 | 에스아이씨씨 컴퍼니 리미티드 | 소량의 바나듐이 도핑된 반절연 탄화규소 단결정, 기판, 제조 방법 |
CN109554759A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-02 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法 |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
TWI723415B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-04-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶體及碳化矽晶種片 |
JP6806270B1 (ja) * | 2019-06-20 | 2021-01-06 | 三菱電機株式会社 | 炭化ケイ素単結晶、半導体素子 |
KR102340110B1 (ko) | 2019-10-29 | 2021-12-17 | 주식회사 쎄닉 | 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
DE102021104292A1 (de) | 2020-03-02 | 2021-09-02 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Siliziumkarbidkristalle und verfahren zu ihrer herstellung |
JP2021195301A (ja) * | 2020-06-18 | 2021-12-27 | 盛新材料科技股▲ふん▼有限公司Taisic Materials Corp. | 半絶縁性単結晶炭化ケイ素粉末の製造方法 |
CN113818081A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 盛新材料科技股份有限公司 | 半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末 |
US20210395917A1 (en) * | 2020-06-18 | 2021-12-23 | Taisic Materials Corp. | Semi-insulating single-crystal silicon carbide bulk material and powder |
TW202200498A (zh) | 2020-06-18 | 2022-01-01 | 盛新材料科技股份有限公司 | 半絕緣單晶碳化矽塊材以及粉末 |
TWI830039B (zh) | 2020-07-27 | 2024-01-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶碇的製造方法 |
TWI766775B (zh) * | 2020-07-27 | 2022-06-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶圓的製造方法以及半導體結構 |
CN113990938A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-01-28 | 环球晶圆股份有限公司 | 碳化硅晶片及其制备方法 |
US11827999B2 (en) * | 2021-01-12 | 2023-11-28 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures |
JP6903362B1 (ja) * | 2021-02-05 | 2021-07-14 | 株式会社Brillar | 合成宝石用結晶体の製造方法 |
CN113026105B (zh) * | 2021-02-26 | 2022-07-05 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法 |
WO2022192473A2 (en) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | Central Coast Agriculture, Inc. | Systems and methods for isolating materials |
CN113264774A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-08-17 | 郑州航空工业管理学院 | 一种晶种诱导微波合成的SiC晶体及其制备方法 |
CN114134573B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-04-19 | 武汉大学 | 用于降低氮化铝晶体生长应力的装置 |
CN114093765B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-02-28 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法 |
Family Cites Families (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6615060A (ja) | 1966-10-25 | 1968-04-26 | ||
US4556436A (en) * | 1984-08-22 | 1985-12-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of preparing single crystalline cubic silicon carbide layers |
JPS6473000A (en) | 1987-09-16 | 1989-03-17 | Hitachi Metals Ltd | Heat treatment of gallium arsenide single crystal |
US4866005A (en) * | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
GB8816632D0 (en) * | 1988-07-13 | 1988-08-17 | Raychem Ltd | Electrical device |
US5119540A (en) * | 1990-07-24 | 1992-06-09 | Cree Research, Inc. | Apparatus for eliminating residual nitrogen contamination in epitaxial layers of silicon carbide and resulting product |
JPH05208900A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-20 | Nisshin Steel Co Ltd | 炭化ケイ素単結晶の成長装置 |
GB9206086D0 (en) | 1992-03-20 | 1992-05-06 | Philips Electronics Uk Ltd | Manufacturing electronic devices comprising,e.g.tfts and mims |
JP3159800B2 (ja) | 1992-08-28 | 2001-04-23 | ダイセル化学工業株式会社 | 光学異性体の分離法 |
US5709745A (en) * | 1993-01-25 | 1998-01-20 | Ohio Aerospace Institute | Compound semi-conductors and controlled doping thereof |
US5441011A (en) * | 1993-03-16 | 1995-08-15 | Nippon Steel Corporation | Sublimation growth of single crystal SiC |
US5611955A (en) * | 1993-10-18 | 1997-03-18 | Northrop Grumman Corp. | High resistivity silicon carbide substrates for high power microwave devices |
US5679153A (en) * | 1994-11-30 | 1997-10-21 | Cree Research, Inc. | Method for reducing micropipe formation in the epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures |
JPH08208380A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-13 | Nippon Steel Corp | 単結晶炭化珪素の製造方法 |
US5563428A (en) * | 1995-01-30 | 1996-10-08 | Ek; Bruce A. | Layered structure of a substrate, a dielectric layer and a single crystal layer |
US5873973A (en) * | 1995-04-13 | 1999-02-23 | Northrop Grumman Corporation | Method for single filament transverse reinforcement in composite prepreg material |
DE19514081A1 (de) * | 1995-04-13 | 1996-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts auf einer SiC-Oberfläche |
RU2163273C2 (ru) * | 1995-08-16 | 2001-02-20 | Сименс Акциенгезелльшафт | Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния |
JPH09110584A (ja) * | 1995-10-25 | 1997-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 単結晶成長方法 |
US5718760A (en) * | 1996-02-05 | 1998-02-17 | Cree Research, Inc. | Growth of colorless silicon carbide crystals |
US6110279A (en) * | 1996-03-29 | 2000-08-29 | Denso Corporation | Method of producing single-crystal silicon carbide |
JP3662694B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2005-06-22 | 新日本製鐵株式会社 | 単結晶炭化珪素インゴットの製造方法 |
EP0956594A1 (en) | 1997-01-31 | 1999-11-17 | Northrop Grumman Corporation | High resistivity silicon carbide substrates for high power microwave devices |
US5873937A (en) * | 1997-05-05 | 1999-02-23 | Northrop Grumman Corporation | Method of growing 4H silicon carbide crystal |
US6201342B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-03-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Automatically sharp field emission cathodes |
JPH1160391A (ja) | 1997-08-08 | 1999-03-02 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
EP1019953A1 (de) | 1997-09-30 | 2000-07-19 | Infineon Technologies AG | Verfahren zum thermischen ausheilen von durch implantation dotierten siliziumcarbid-halbleitern |
JP3680531B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2005-08-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 種結晶固定剤及びそれを用いた単結晶の製造方法 |
JP4036531B2 (ja) | 1998-05-27 | 2008-01-23 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路 |
JP4574852B2 (ja) | 1998-07-13 | 2010-11-04 | エスアイクリスタル アクチエンゲゼルシャフト | SiC単結晶の成長方法 |
US6086672A (en) * | 1998-10-09 | 2000-07-11 | Cree, Inc. | Growth of bulk single crystals of aluminum nitride: silicon carbide alloys |
US6218680B1 (en) * | 1999-05-18 | 2001-04-17 | Cree, Inc. | Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination |
US6396080B2 (en) * | 1999-05-18 | 2002-05-28 | Cree, Inc | Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination |
DE50004010D1 (de) * | 1999-07-07 | 2003-11-13 | Siemens Ag | Verfahren zur sublimationszüchtung eines sic-einkristalls mit aufheizen unter züchtungsdruck |
WO2001004390A1 (de) * | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Keimkristallhalter mit seitlicher einfassung eines sic-keimkristalls |
US6446180B2 (en) | 1999-07-19 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Memory device with synchronized output path |
JP3581055B2 (ja) | 1999-09-07 | 2004-10-27 | ティーポールディバーシー株式会社 | 高濃度液体中性洗浄剤組成物 |
US6824611B1 (en) * | 1999-10-08 | 2004-11-30 | Cree, Inc. | Method and apparatus for growing silicon carbide crystals |
US6451112B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-09-17 | Denso Corporation | Method and apparatus for fabricating high quality single crystal |
JP4258921B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2009-04-30 | 株式会社豊田中央研究所 | 種結晶固定剤、種結晶固定方法およびそれらを用いた単結晶の製造方法 |
JP4253974B2 (ja) | 1999-12-22 | 2009-04-15 | 住友電気工業株式会社 | SiC単結晶およびその成長方法 |
US6514338B2 (en) * | 1999-12-27 | 2003-02-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal |
US6428621B1 (en) * | 2000-02-15 | 2002-08-06 | The Fox Group, Inc. | Method for growing low defect density silicon carbide |
WO2001068954A2 (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Ii-Vi Incorporated | Axial gradient transport apparatus and process |
JP3707726B2 (ja) | 2000-05-31 | 2005-10-19 | Hoya株式会社 | 炭化珪素の製造方法、複合材料の製造方法 |
JP3961750B2 (ja) | 2000-08-21 | 2007-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶の成長装置および成長方法 |
US7191938B2 (en) * | 2000-12-26 | 2007-03-20 | Dynamic Solutions International Corporation | Systems and methods for enterprise based issuance of identification cards |
JP4903946B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-03-28 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
JP4275308B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2009-06-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置 |
JP4523733B2 (ja) * | 2001-04-05 | 2010-08-11 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法 |
JP4619567B2 (ja) | 2001-04-10 | 2011-01-26 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶及びその製造方法 |
US6507046B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-01-14 | Cree, Inc. | High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high break down voltage |
US20020189538A1 (en) | 2001-05-31 | 2002-12-19 | Swoboda Dean P. | Coated paperboard, method and apparatus for producing same |
US20020189536A1 (en) | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Bridgestone Corporation | Silicon carbide single crystal and production thereof |
JP4986342B2 (ja) | 2001-06-15 | 2012-07-25 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶及びその製造方法 |
US6801989B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Method and system for adjusting the timing offset between a clock signal and respective digital signals transmitted along with that clock signal, and memory device and computer system using same |
KR100422572B1 (ko) | 2001-06-30 | 2004-03-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레지스터 제어 지연고정루프 및 그를 구비한 반도체 소자 |
JP4224755B2 (ja) * | 2001-10-16 | 2009-02-18 | 株式会社デンソー | 種結晶の固定方法 |
JP2003137694A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-14 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 |
SE520968C2 (sv) * | 2001-10-29 | 2003-09-16 | Okmetic Oyj | Högresistiv monokristallin kiselkarbid och metod för dess framställning |
US6759911B2 (en) | 2001-11-19 | 2004-07-06 | Mcron Technology, Inc. | Delay-locked loop circuit and method using a ring oscillator and counter-based delay |
US6562127B1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-05-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates |
JP4054197B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2008-02-27 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶育成用種結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 |
KR100773624B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2007-11-05 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | 탄화 규소 단결정으로 이루어지는 종결정 및 그를 이용한잉곳의 제조 방법 |
JP4157326B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2008-10-01 | 新日本製鐵株式会社 | 4h型炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ |
JP4100228B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-06-11 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素単結晶とその製造方法 |
US6814801B2 (en) * | 2002-06-24 | 2004-11-09 | Cree, Inc. | Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals |
US7316747B2 (en) * | 2002-06-24 | 2008-01-08 | Cree, Inc. | Seeded single crystal silicon carbide growth and resulting crystals |
US7220313B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-05-22 | Cree, Inc. | Reducing nitrogen content in silicon carbide crystals by sublimation growth in a hydrogen-containing ambient |
US7147715B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-12-12 | Cree, Inc. | Growth of ultra-high purity silicon carbide crystals in an ambient containing hydrogen |
US7601441B2 (en) | 2002-06-24 | 2009-10-13 | Cree, Inc. | One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer |
US7175704B2 (en) | 2002-06-27 | 2007-02-13 | Diamond Innovations, Inc. | Method for reducing defect concentrations in crystals |
JP2004103061A (ja) | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP4434568B2 (ja) | 2002-11-14 | 2010-03-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
US7115896B2 (en) | 2002-12-04 | 2006-10-03 | Emcore Corporation | Semiconductor structures for gallium nitride-based devices |
FR2852974A1 (fr) * | 2003-03-31 | 2004-10-01 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de cristaux monocristallins |
US6964917B2 (en) * | 2003-04-08 | 2005-11-15 | Cree, Inc. | Semi-insulating silicon carbide produced by Neutron transmutation doping |
JP3764462B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2006-04-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
US7023010B2 (en) | 2003-04-21 | 2006-04-04 | Nanodynamics, Inc. | Si/C superlattice useful for semiconductor devices |
EP1471168B2 (en) * | 2003-04-24 | 2011-08-10 | Norstel AB | Device and method for producing single crystals by vapour deposition |
US7314520B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-01-01 | Cree, Inc. | Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer |
US7300519B2 (en) * | 2004-11-17 | 2007-11-27 | Cree, Inc. | Reduction of subsurface damage in the production of bulk SiC crystals |
-
2004
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