JPH09110584A - 単結晶成長方法 - Google Patents
単結晶成長方法Info
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- JPH09110584A JPH09110584A JP27762895A JP27762895A JPH09110584A JP H09110584 A JPH09110584 A JP H09110584A JP 27762895 A JP27762895 A JP 27762895A JP 27762895 A JP27762895 A JP 27762895A JP H09110584 A JPH09110584 A JP H09110584A
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- crystal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶性のよい単結晶を成長する方法を提供す
ることである。 【解決手段】 保持部３にて保持される種結晶４上に単
結晶を成長させる単結晶成長方法において、種結晶４と
保持部３がこれら間に介在する炭化層５により機械的に
結合された状態で該種結晶上に単結晶を成長する。
ることである。 【解決手段】 保持部３にて保持される種結晶４上に単
結晶を成長させる単結晶成長方法において、種結晶４と
保持部３がこれら間に介在する炭化層５により機械的に
結合された状態で該種結晶上に単結晶を成長する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶成長方法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素（ＳｉＣ）は物理的、化学的
に安定であり、且つ禁制帯幅が広い半導体であることか
ら、耐環境性半導体素子及び短波長発光ダイオードの材
料として注目されている。
に安定であり、且つ禁制帯幅が広い半導体であることか
ら、耐環境性半導体素子及び短波長発光ダイオードの材
料として注目されている。
【０００３】ＳｉＣには、３Ｃ形、４Ｈ形、６Ｈ形、１
５Ｒ形等各種の結晶形が存在する。このうち３Ｃ形Ｓｉ
Ｃは高温あるいは放射線の照射される環境下で作動する
能動素子に用途が考えられている。また６Ｈ形ＳｉＣは
禁制帯幅が約２．９ｅＶであり、青色発光素子として用
いられている。４Ｈ形ＳｉＣは、約３．２ｅＶと６Ｈ形
ＳｉＣよりも広い禁制帯幅をもつため、青色から紫色の
発光ダイオードや、その他の結晶形のＳｉＣとのヘテロ
接合デバイスに用途が考えられている。
５Ｒ形等各種の結晶形が存在する。このうち３Ｃ形Ｓｉ
Ｃは高温あるいは放射線の照射される環境下で作動する
能動素子に用途が考えられている。また６Ｈ形ＳｉＣは
禁制帯幅が約２．９ｅＶであり、青色発光素子として用
いられている。４Ｈ形ＳｉＣは、約３．２ｅＶと６Ｈ形
ＳｉＣよりも広い禁制帯幅をもつため、青色から紫色の
発光ダイオードや、その他の結晶形のＳｉＣとのヘテロ
接合デバイスに用途が考えられている。
【０００４】ＳｉＣ基板用単結晶の成長方法としては、
ＳｉＣ原材料の分解・昇華を利用した昇華法、又はＳｉ
化合物とＣ化合物を高温で合成するアチソン法がある。
しかし、アチソン法では不純物制御及び結晶サイズの制
御が困難であることから、昇華法が多く用いられてい
る。
ＳｉＣ原材料の分解・昇華を利用した昇華法、又はＳｉ
化合物とＣ化合物を高温で合成するアチソン法がある。
しかし、アチソン法では不純物制御及び結晶サイズの制
御が困難であることから、昇華法が多く用いられてい
る。
【０００５】この昇華法によるＳｉＣ単結晶成長方法と
しては、例えば実公平４−４２９１１号（Ｈ０１Ｌ２１
／２０３）公報に掲載されている。
しては、例えば実公平４−４２９１１号（Ｈ０１Ｌ２１
／２０３）公報に掲載されている。
【０００６】図３（ａ）にこのＳｉＣ単結晶成長装置の
概略断面図、図３（ｂ）に要部概略拡大斜視図を示す。
概略断面図、図３（ｂ）に要部概略拡大斜視図を示す。
【０００７】図３（ａ）中、１０１はグラファイトから
なるルツボであり、該ルツボ１０１内には粉末状ＳｉＣ
の原材料１０２が準備されている。１０３は内側下面に
６Ｈ形ＳｉＣ結晶からなるＳｉＣ種結晶１０４を設置固
定するためのグラファイトからなる蓋体であるホルダー
であり、前記ルツボ１０１の開口部１０５上に載置（配
設）されている。
なるルツボであり、該ルツボ１０１内には粉末状ＳｉＣ
の原材料１０２が準備されている。１０３は内側下面に
６Ｈ形ＳｉＣ結晶からなるＳｉＣ種結晶１０４を設置固
定するためのグラファイトからなる蓋体であるホルダー
であり、前記ルツボ１０１の開口部１０５上に載置（配
設）されている。
【０００８】上記種結晶１０４の設置固定は、図３
（ｂ）に示すように、グラファイト製Ｌ字部材１０６、
１０６をその一辺が種結晶１０４表面に当接し、他辺が
保持部１０３ａの側壁にビス１０７、１０７にて止める
ことにより行われる。
（ｂ）に示すように、グラファイト製Ｌ字部材１０６、
１０６をその一辺が種結晶１０４表面に当接し、他辺が
保持部１０３ａの側壁にビス１０７、１０７にて止める
ことにより行われる。
【０００９】前記ルツボ１０１は、その内部が約１０Ｔ
ｏｒｒ程度のＡｒガス雰囲気にある状態で高周波誘導に
より加熱される。従って、前記ルツボ１０１内の原材料
１０２は該ルツボ１０１からの熱伝導や熱輻射により約
２３００〜２４００℃に加熱されて分解、昇華し、ホル
ダー１０３の内側下面に設置固定され、原材料より低温
の約２２００〜２３００℃にあるＳｉＣ種結晶１０４の
表面で再結晶して６Ｈ形ＳｉＣ単結晶が成長する。
ｏｒｒ程度のＡｒガス雰囲気にある状態で高周波誘導に
より加熱される。従って、前記ルツボ１０１内の原材料
１０２は該ルツボ１０１からの熱伝導や熱輻射により約
２３００〜２４００℃に加熱されて分解、昇華し、ホル
ダー１０３の内側下面に設置固定され、原材料より低温
の約２２００〜２３００℃にあるＳｉＣ種結晶１０４の
表面で再結晶して６Ｈ形ＳｉＣ単結晶が成長する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記種
結晶１０４のホルダー１０３への固定方法では、ホルダ
ー１０３の温度上昇と共に、種結晶１０４と保持部１０
３ａの間の密着性が悪くなる。この結果、種結晶１０４
の面内温度分布が均一でなくなり、また十分な温度に達
しなくなる場合も生じるため、結晶多形や欠陥の増大等
の結晶性の悪化が生じる。
結晶１０４のホルダー１０３への固定方法では、ホルダ
ー１０３の温度上昇と共に、種結晶１０４と保持部１０
３ａの間の密着性が悪くなる。この結果、種結晶１０４
の面内温度分布が均一でなくなり、また十分な温度に達
しなくなる場合も生じるため、結晶多形や欠陥の増大等
の結晶性の悪化が生じる。
【００１１】また、上記種結晶１０４と保持部１０３ａ
の間の隙間において、種結晶１０４、更には該種結晶１
０４上に成長した単結晶から保持部１０３ａへの炭化ケ
イ素の昇華が起こり、所謂、種結晶１０４上に成長した
単結晶のサーマルエッチング現象によって成長単結晶へ
の大きな欠陥が生じる。
の間の隙間において、種結晶１０４、更には該種結晶１
０４上に成長した単結晶から保持部１０３ａへの炭化ケ
イ素の昇華が起こり、所謂、種結晶１０４上に成長した
単結晶のサーマルエッチング現象によって成長単結晶へ
の大きな欠陥が生じる。
【００１２】本発明は上記問題点を鑑みて、結晶性のよ
い単結晶を成長する方法を提供することが目的である。
い単結晶を成長する方法を提供することが目的である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶成長方法
は、保持部にて保持される種結晶上に単結晶を成長させ
る単結晶成長方法において、前記種結晶と前記保持部が
これら間に介在する炭化層により結合された状態で該種
結晶上に単結晶を成長することを特徴とする。
は、保持部にて保持される種結晶上に単結晶を成長させ
る単結晶成長方法において、前記種結晶と前記保持部が
これら間に介在する炭化層により結合された状態で該種
結晶上に単結晶を成長することを特徴とする。
【００１４】本発明の単結晶成長方法は、原材料を加熱
昇華させ、該原材料側と対向配設された保持部に配置し
た種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる単結晶成長
方法において、前記種結晶と前記保持部がこれら間に介
在する炭化層により結合された状態で該種結晶上に単結
晶を成長することを特徴とする。
昇華させ、該原材料側と対向配設された保持部に配置し
た種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる単結晶成長
方法において、前記種結晶と前記保持部がこれら間に介
在する炭化層により結合された状態で該種結晶上に単結
晶を成長することを特徴とする。
【００１５】本発明の単結晶成長方法は、保持部にて保
持される種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長方法
において、前記種結晶と前記保持部の間に高分子材料を
含有する液状接着材を介在させた後、高温処理すること
により前記種結晶と前記保持部を機械的に結合する工程
と、該工程後に前記種結晶上に単結晶を成長することを
特徴とする。
持される種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長方法
において、前記種結晶と前記保持部の間に高分子材料を
含有する液状接着材を介在させた後、高温処理すること
により前記種結晶と前記保持部を機械的に結合する工程
と、該工程後に前記種結晶上に単結晶を成長することを
特徴とする。
【００１６】特に、前記高分子材料は、フェノール樹
脂、ノボラック樹脂、又はクロロメチル化ポリスチレン
の少なくとも１つであることを特徴とする。
脂、ノボラック樹脂、又はクロロメチル化ポリスチレン
の少なくとも１つであることを特徴とする。
【００１７】また、前記高分子材料はレジスト材料であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００１８】更に、前記高温処理により前記高分子材料
が炭化されることを特徴とする。
が炭化されることを特徴とする。
【００１９】特に、前記高温処理は、４００〜６００℃
の温度であることを特徴とする。
の温度であることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について図面
を参照しつつ詳細に説明する。尚、図１はこの実施形態
に係る昇華法を用いる単結晶成長装置の概略断面図であ
る。
を参照しつつ詳細に説明する。尚、図１はこの実施形態
に係る昇華法を用いる単結晶成長装置の概略断面図であ
る。
【００２１】１はグラファイトからなるルツボであり、
該ルツボ１内には、ＳｉＣ単結晶の原料である粉末状ま
たは顆粒状の粒径１〜２００μｍ程度のカーボンからな
る原材料２が準備されている。３はルツボ１の蓋体でも
あるグラファイトからなるホルダーである。
該ルツボ１内には、ＳｉＣ単結晶の原料である粉末状ま
たは顆粒状の粒径１〜２００μｍ程度のカーボンからな
る原材料２が準備されている。３はルツボ１の蓋体でも
あるグラファイトからなるホルダーである。
【００２２】４は原材料２に対向配置されたＳｉＣから
なる種結晶であり、種結晶４とホルダー３の種結晶保持
面（保持部）３ａ間の略全域には層厚数μｍの主成分が
炭素からなる炭化層（接着層）５が介在することによ
り、種結晶４がホルダー３に固定されている。
なる種結晶であり、種結晶４とホルダー３の種結晶保持
面（保持部）３ａ間の略全域には層厚数μｍの主成分が
炭素からなる炭化層（接着層）５が介在することによ
り、種結晶４がホルダー３に固定されている。
【００２３】前記ルツボ１、前記ホルダー３からなるＳ
ｉＣ単結晶成長装置は、図示していないＡｒガス等を導
入する反応管内に配置され、その周囲に図示しない高周
波誘導加熱用コイルが巻回されている。
ｉＣ単結晶成長装置は、図示していないＡｒガス等を導
入する反応管内に配置され、その周囲に図示しない高周
波誘導加熱用コイルが巻回されている。
【００２４】ここでは、ＳｉＣ種結晶４として１〜４ｃ
ｍ2の板状で結晶形が６Ｈ形ＳｉＣであるものを用い、
上記ＳｉＣ単結晶成長装置で従来例と同様に６Ｈ形Ｓｉ
Ｃ単結晶６を作成した。
ｍ2の板状で結晶形が６Ｈ形ＳｉＣであるものを用い、
上記ＳｉＣ単結晶成長装置で従来例と同様に６Ｈ形Ｓｉ
Ｃ単結晶６を作成した。
【００２５】即ち、ルツボ１の内部が約１０Ｔｏｒｒ程
度のＡｒガス雰囲気となった状態で、ルツボ１を高周波
誘導により加熱することにより、ルツボ１内の原材料２
のＳｉＣが該ルツボ１からの熱伝導や熱輻射により２３
００〜２４００℃に加熱されて分解、昇華し、ホルダー
３の内側下面に設置固定され、ホルダー３からの熱伝導
によってルツボ１より低温の約２２００〜２３００℃程
度にある６Ｈ形ＳｉＣ種結晶４の表面に再結晶されてＳ
ｉＣ単結晶６が成長される。
度のＡｒガス雰囲気となった状態で、ルツボ１を高周波
誘導により加熱することにより、ルツボ１内の原材料２
のＳｉＣが該ルツボ１からの熱伝導や熱輻射により２３
００〜２４００℃に加熱されて分解、昇華し、ホルダー
３の内側下面に設置固定され、ホルダー３からの熱伝導
によってルツボ１より低温の約２２００〜２３００℃程
度にある６Ｈ形ＳｉＣ種結晶４の表面に再結晶されてＳ
ｉＣ単結晶６が成長される。
【００２６】上記方法では、種結晶４がホルダー３に炭
化層５を介して略完全に密着しているので、種結晶４の
温度が略均一となる。この結果、成長した結晶性の劣化
や大型欠陥が防止できる。
化層５を介して略完全に密着しているので、種結晶４の
温度が略均一となる。この結果、成長した結晶性の劣化
や大型欠陥が防止できる。
【００２７】また、炭化層５の主成分の炭素は結晶成長
の際の不純物や種結晶表面の汚染源となる恐れも殆どな
く、しかも成長単結晶がＳｉＣの場合、炭素はＳｉＣ単
結晶の構成元素であるので、炭化層５が結晶性を劣化す
る恐れもない。
の際の不純物や種結晶表面の汚染源となる恐れも殆どな
く、しかも成長単結晶がＳｉＣの場合、炭素はＳｉＣ単
結晶の構成元素であるので、炭化層５が結晶性を劣化す
る恐れもない。
【００２８】上記炭化層５により種結晶４と保持面３ａ
の固定は、例えば以下のように行われる。図２はこの固
定方法を示す工程図である。
の固定は、例えば以下のように行われる。図２はこの固
定方法を示す工程図である。
【００２９】まず、図２（ａ）に示すように、グラファ
イト製ホルダー３の種結晶保持面３ａ上に、高分子材料
を含有する液状接着材７を塗布する。なお、液状接着材
７として、ノボラック樹脂をセロソルブアセテート溶剤
中に溶かしたレジスト材を使用した。ここでは、ノボラ
ック樹脂は例えば下記構造式のものを用いた。
イト製ホルダー３の種結晶保持面３ａ上に、高分子材料
を含有する液状接着材７を塗布する。なお、液状接着材
７として、ノボラック樹脂をセロソルブアセテート溶剤
中に溶かしたレジスト材を使用した。ここでは、ノボラ
ック樹脂は例えば下記構造式のものを用いた。
【００３０】
【化１】
【００３１】その後、図２（ｂ）に示すように、種結晶
４を液状接着材７上に載せる。なお、この工程におい
て、約５００ｇ程度の加圧をかけることにより種結晶４
とホルダー３の接着状態は好ましくなる。
４を液状接着材７上に載せる。なお、この工程におい
て、約５００ｇ程度の加圧をかけることにより種結晶４
とホルダー３の接着状態は好ましくなる。
【００３２】次に、図２（ｃ）に示すように、上記種結
晶４を接着した状態のホルダー３を例えばホットプレー
ト８上に設置し、４００〜６００℃程度の温度で約１０
〜６０分、好ましくは約５００℃で約２０分の高温加熱
を行う。
晶４を接着した状態のホルダー３を例えばホットプレー
ト８上に設置し、４００〜６００℃程度の温度で約１０
〜６０分、好ましくは約５００℃で約２０分の高温加熱
を行う。
【００３３】この高温加熱工程において、種結晶４とホ
ルダー３の間に介在する大部分の液状接着材７は種結晶
４とホルダー３の間から外へ流出し、種結晶４の周囲に
液状接着材７の溜７ａが生じると共に、液状接着材７の
炭化現象が起こる。この炭化現象により形成された主成
分が炭素からなる炭化層にて、種結晶４のホルダー３へ
の固定がなされる。
ルダー３の間に介在する大部分の液状接着材７は種結晶
４とホルダー３の間から外へ流出し、種結晶４の周囲に
液状接着材７の溜７ａが生じると共に、液状接着材７の
炭化現象が起こる。この炭化現象により形成された主成
分が炭素からなる炭化層にて、種結晶４のホルダー３へ
の固定がなされる。
【００３４】この方法では、種結晶４がホルダー３の間
に略全域に薄膜状の炭化層５を形成できる。この結果、
結晶成長の際、種結晶４の温度分布が非常に均一とな
る。
に略全域に薄膜状の炭化層５を形成できる。この結果、
結晶成長の際、種結晶４の温度分布が非常に均一とな
る。
【００３５】上述では、高分子材料としてノボラック樹
脂を用いたが、他のものも適宜使用でき、例えばポリマ
ーであるフェノール樹脂や下記構造式を代表とするクロ
ロメチル化ポリスチレン等のレジスト材料を溶剤に溶か
したものが使える。
脂を用いたが、他のものも適宜使用でき、例えばポリマ
ーであるフェノール樹脂や下記構造式を代表とするクロ
ロメチル化ポリスチレン等のレジスト材料を溶剤に溶か
したものが使える。
【００３６】
【化２】
【００３７】なお、高分子材料としては、炭化に至るま
でに、体積が増大するものより体積が減少するものの方
が、種結晶４とホルダー３の密着性の観点から好まし
い。
でに、体積が増大するものより体積が減少するものの方
が、種結晶４とホルダー３の密着性の観点から好まし
い。
【００３８】また、液状接着材７は有機物からのみなる
ものが、不純物源とならないという観点から非常に好ま
しい。
ものが、不純物源とならないという観点から非常に好ま
しい。
【００３９】また、上記単結晶装置は原材料２側の上方
に種結晶４が対向する配置であったが、この逆の従来周
知構成の装置にも勿論適用できる。
に種結晶４が対向する配置であったが、この逆の従来周
知構成の装置にも勿論適用できる。
【００４０】更に、上述では種結晶と保持面の大きさは
異なったが、従来例で説明したように、種結晶と保持面
は略同一形状にした方が、多結晶が生じないので好まし
い。
異なったが、従来例で説明したように、種結晶と保持面
は略同一形状にした方が、多結晶が生じないので好まし
い。
【００４１】また、上記実施形態ではＳｉＣの結晶成長
について述べたが、他の結晶系、例えばＧａＮ等の結晶
成長にも適用できる。
について述べたが、他の結晶系、例えばＧａＮ等の結晶
成長にも適用できる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の単結晶成長方法は、種結晶と保
持部がこれら間に介在する炭化層により結合された状態
で該種結晶上に単結晶を成長するので、成長時にも種結
晶と保持部の密着性がよい。従って、種結晶の面内温度
分布の均一性が増して結晶性がよくなると共に、種結晶
と保持部の間に実質的に空間が生じないので、サーマル
エッチングによる成長結晶への大きな欠陥の発生も生じ
ない。
持部がこれら間に介在する炭化層により結合された状態
で該種結晶上に単結晶を成長するので、成長時にも種結
晶と保持部の密着性がよい。従って、種結晶の面内温度
分布の均一性が増して結晶性がよくなると共に、種結晶
と保持部の間に実質的に空間が生じないので、サーマル
エッチングによる成長結晶への大きな欠陥の発生も生じ
ない。
【００４３】しかも、炭化層を構成する炭素は不純物源
となる殆ど恐れもないので、単結晶の結晶成長面を汚染
したり、また成長結晶中に取り込まれる恐れが殆どな
い。
となる殆ど恐れもないので、単結晶の結晶成長面を汚染
したり、また成長結晶中に取り込まれる恐れが殆どな
い。
【００４４】特に、結晶が炭化ケイ素の場合、炭素は構
成元素であるので、不純物源にはなり得ない。
成元素であるので、不純物源にはなり得ない。
【００４５】また、種結晶と保持部の間に高分子材料を
含有する液状接着材を介在させた後、高温処理すること
により種結晶と保持部を機械的に結合する場合、種結晶
と保持部の間に略全域に薄膜状の接着層を形成できる。
この結果、結晶成長の際、種結晶の温度分布が非常に均
一となるので、結晶性が非常によくなる。しかも、この
種結晶の保持部への取り付けが容易である。
含有する液状接着材を介在させた後、高温処理すること
により種結晶と保持部を機械的に結合する場合、種結晶
と保持部の間に略全域に薄膜状の接着層を形成できる。
この結果、結晶成長の際、種結晶の温度分布が非常に均
一となるので、結晶性が非常によくなる。しかも、この
種結晶の保持部への取り付けが容易である。
【図１】本発明の一実施形態に係る単結晶装置の概略断
面図である。
面図である。
【図２】上記一実施形態に係る種結晶のホルダー（保持
面）への取り付け工程図である。
面）への取り付け工程図である。
【図３】従来例の単結晶装置の概略図である。
３ ホルダー ３ａ 保持面（保持部） ４ 種結晶 ５ 炭化層 ７ 液状接着材
Claims (7)
- 【請求項１】 保持部にて保持される種結晶上に単結晶
を成長させる単結晶成長方法において、前記種結晶と前
記保持部がこれら間に介在する炭化層により結合された
状態で該種結晶上に単結晶を成長することを特徴とする
単結晶成長方法。 - 【請求項２】 原材料を加熱昇華させ、該原材料側と対
向配設された保持部に配置した種結晶上に炭化ケイ素単
結晶を成長させる単結晶成長方法において、前記種結晶
と前記保持部がこれら間に介在する炭化層により結合さ
れた状態で該種結晶上に単結晶を成長することを特徴と
する単結晶成長方法。 - 【請求項３】 保持部にて保持される種結晶上に単結晶
を成長させる単結晶成長方法において、前記種結晶と前
記保持部の間に高分子材料を含有する液状接着材を介在
させた後、高温処理することにより前記種結晶と前記保
持部を機械的に結合する工程と、該工程後に前記種結晶
上に単結晶を成長することを特徴とする単結晶成長方
法。 - 【請求項４】 前記高分子材料は、フェノール樹脂、ノ
ボラック樹脂、又はクロロメチル化ポリスチレンの少な
くとも１つであることを特徴とする請求項３記載の単結
晶成長方法。 - 【請求項５】 前記高分子材料はレジスト材料であるこ
とを特徴とする請求項３又は４記載の単結晶成長方法。 - 【請求項６】 前記高温処理により前記高分子材料が炭
化されることを特徴とする請求項３、４、又は５記載の
単結晶成長方法。 - 【請求項７】 前記高温処理は、４００〜６００℃の温
度であることを特徴とする請求項３、４、５、又は６記
載の単結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27762895A JPH09110584A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 単結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27762895A JPH09110584A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 単結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110584A true JPH09110584A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17586084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27762895A Pending JPH09110584A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 単結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09110584A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000039372A1 (fr) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Showa Denko K. K. | Procede de production d'un monocristal de carbure de silicium |
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