JPH11278999A - 炭化珪素単結晶の成長方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の成長方法Info
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- JPH11278999A JPH11278999A JP9856798A JP9856798A JPH11278999A JP H11278999 A JPH11278999 A JP H11278999A JP 9856798 A JP9856798 A JP 9856798A JP 9856798 A JP9856798 A JP 9856798A JP H11278999 A JPH11278999 A JP H11278999A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 欠陥が少なく大口径な炭化珪素単結晶を成長
させる方法を提供する。 【解決手段】 珪素基板上に形成された炭化珪素種結晶
上に炭化珪素単結晶を成長させるための成長容器と、前
記容器内に設置される、前記種結晶を固定するための台
座とを用いて前記種結晶から珪素基板を除去し、炭化珪
素単結晶を成長させるにあたり、前記台座と前記容器の
外側との連通を遮断して（例えば、通気性のない黒鉛９
製の成長容器を用いる）炭化珪素単結晶を成長させるこ
とからなる炭化珪素単結晶の成長方法。
させる方法を提供する。 【解決手段】 珪素基板上に形成された炭化珪素種結晶
上に炭化珪素単結晶を成長させるための成長容器と、前
記容器内に設置される、前記種結晶を固定するための台
座とを用いて前記種結晶から珪素基板を除去し、炭化珪
素単結晶を成長させるにあたり、前記台座と前記容器の
外側との連通を遮断して（例えば、通気性のない黒鉛９
製の成長容器を用いる）炭化珪素単結晶を成長させるこ
とからなる炭化珪素単結晶の成長方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は炭化珪素（ＳｉＣ）
単結晶の成長方法、更に詳しくは、昇華法によって炭化
珪素種結晶上に炭化珪素単結晶（バルク単結晶）を成長
させる際に、種結晶の台座と成長容器の外側との連通を
遮断して炭化珪素単結晶を成長させることにより、欠陥
の少ない炭化珪素単結晶を容易に得ることができる炭化
珪素単結晶の成長方法に関するものである。
単結晶の成長方法、更に詳しくは、昇華法によって炭化
珪素種結晶上に炭化珪素単結晶（バルク単結晶）を成長
させる際に、種結晶の台座と成長容器の外側との連通を
遮断して炭化珪素単結晶を成長させることにより、欠陥
の少ない炭化珪素単結晶を容易に得ることができる炭化
珪素単結晶の成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高性能の半導体材料として大面積のＳｉ
Ｃ単結晶を開発することが求められている。現状のＳｉ
Ｃ単結晶の大口径化方法としては、アチソン結晶等を出
発種結晶として徐々に大きくしていく方法が挙げられる
が、この方法は多数の実験を必要とし、コストがかか
る。しかし、珪素（Ｓｉ）基板上にエピタキシャル成長
させたＳｉＣ膜を種結晶として昇華法などにより大きく
成長させることによって、Ｓｉ基板サイズの大口径なＳ
ｉＣ単結晶を得ることが可能である。この方法において
は、ＳｉＣ膜をＳｉ基板から適する台座（例えば、黒鉛
台座）に移し変える必要がある。Ｓｉ基板上にＣＶＤ等
の方法によってエピタキシャル成長させたＳｉＣ膜（Ｓ
ｉＣ on Ｓｉ基板）からＳｉを除去し、ＳｉＣ膜を分離
することによって、この膜を更なるエピタキシャル成長
用の基板にする技術は、例えば、特開昭５３−１４７７
００号公報等に開示されている。特開昭５３−１４７７
００号公報には、Ｓｉを除去する方法として、図６に示
す如く、黒鉛台座（サセプター）１に小孔２を設け、こ
の小孔２を通じて、約１５００℃に加熱・溶融したＳｉ
（ＳｉＣ on Ｓｉ基板３のＳｉ）を真空ポンプ（排気）
によって吸引・除去する方法が示されている。また、加
熱・溶融したＳｉを流動・蒸発させる前記方法以外に
も、ＳｉＣ onＳｉ基板からＳｉを除去する別の方法と
して、室温においてフッ酸と硝酸との混酸によってＳｉ
Ｃ on Ｓｉ基板のＳｉを溶解・除去する方法が一般的に
知られている。
Ｃ単結晶を開発することが求められている。現状のＳｉ
Ｃ単結晶の大口径化方法としては、アチソン結晶等を出
発種結晶として徐々に大きくしていく方法が挙げられる
が、この方法は多数の実験を必要とし、コストがかか
る。しかし、珪素（Ｓｉ）基板上にエピタキシャル成長
させたＳｉＣ膜を種結晶として昇華法などにより大きく
成長させることによって、Ｓｉ基板サイズの大口径なＳ
ｉＣ単結晶を得ることが可能である。この方法において
は、ＳｉＣ膜をＳｉ基板から適する台座（例えば、黒鉛
台座）に移し変える必要がある。Ｓｉ基板上にＣＶＤ等
の方法によってエピタキシャル成長させたＳｉＣ膜（Ｓ
ｉＣ on Ｓｉ基板）からＳｉを除去し、ＳｉＣ膜を分離
することによって、この膜を更なるエピタキシャル成長
用の基板にする技術は、例えば、特開昭５３−１４７７
００号公報等に開示されている。特開昭５３−１４７７
００号公報には、Ｓｉを除去する方法として、図６に示
す如く、黒鉛台座（サセプター）１に小孔２を設け、こ
の小孔２を通じて、約１５００℃に加熱・溶融したＳｉ
（ＳｉＣ on Ｓｉ基板３のＳｉ）を真空ポンプ（排気）
によって吸引・除去する方法が示されている。また、加
熱・溶融したＳｉを流動・蒸発させる前記方法以外に
も、ＳｉＣ onＳｉ基板からＳｉを除去する別の方法と
して、室温においてフッ酸と硝酸との混酸によってＳｉ
Ｃ on Ｓｉ基板のＳｉを溶解・除去する方法が一般的に
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特開昭５３−１４７７
００号公報に記載された方法でＳｉＣ on Ｓｉ基板から
Ｓｉを除去した場合、ＳｉＣ膜が貼付された黒鉛台座に
開孔が存在する。この状態で、図７のような昇華法によ
るバルク成長を実施すると、すなわち、ＳｉＣ粉末４か
ら蒸発したＳｉＣ蒸気をＳｉＣ膜５上に堆積させてＳｉ
Ｃの成長結晶６を得る際に、開口部（小孔部）におい
て、種結晶部における温度勾配を駆動力としてＳｉＣが
昇華及び／又は再結晶し、系外にＳｉＣ種結晶の構成原
子が散逸する。種結晶として成長させたＳｉＣ膜は厚さ
が約数十μｍと薄いため、このような昇華・再結晶が発
生すると、エピタキシャル成長膜は破損し、種結晶とし
ての役割を果たさないか、又は、種結晶上に成長するＳ
ｉＣバルク単結晶（成長結晶６）に結晶欠陥が生じる。
また、フッ酸と硝酸との混酸によってＳｉＣ on Ｓｉ基
板のＳｉを溶解・除去する方法では、ＳｉＣ on Ｓｉ基
板から分離したＳｉＣ膜の厚さが約数十μｍと非常に薄
いため、大面積のＳｉＣエピタキシャル膜を膜単体で取
り扱うことは困難である。
００号公報に記載された方法でＳｉＣ on Ｓｉ基板から
Ｓｉを除去した場合、ＳｉＣ膜が貼付された黒鉛台座に
開孔が存在する。この状態で、図７のような昇華法によ
るバルク成長を実施すると、すなわち、ＳｉＣ粉末４か
ら蒸発したＳｉＣ蒸気をＳｉＣ膜５上に堆積させてＳｉ
Ｃの成長結晶６を得る際に、開口部（小孔部）におい
て、種結晶部における温度勾配を駆動力としてＳｉＣが
昇華及び／又は再結晶し、系外にＳｉＣ種結晶の構成原
子が散逸する。種結晶として成長させたＳｉＣ膜は厚さ
が約数十μｍと薄いため、このような昇華・再結晶が発
生すると、エピタキシャル成長膜は破損し、種結晶とし
ての役割を果たさないか、又は、種結晶上に成長するＳ
ｉＣバルク単結晶（成長結晶６）に結晶欠陥が生じる。
また、フッ酸と硝酸との混酸によってＳｉＣ on Ｓｉ基
板のＳｉを溶解・除去する方法では、ＳｉＣ on Ｓｉ基
板から分離したＳｉＣ膜の厚さが約数十μｍと非常に薄
いため、大面積のＳｉＣエピタキシャル膜を膜単体で取
り扱うことは困難である。
【０００４】本発明は前記従来技術の問題点を解決する
ためのものであり、その目的とするところは、ＳｉＣ o
n Ｓｉ基板からＳｉを除去したＳｉＣエピタキシャル膜
を昇華法による結晶成長の種結晶として利用し、欠陥が
少なく且つ大口径な炭化珪素単結晶を成長させる方法を
提供することにある。
ためのものであり、その目的とするところは、ＳｉＣ o
n Ｓｉ基板からＳｉを除去したＳｉＣエピタキシャル膜
を昇華法による結晶成長の種結晶として利用し、欠陥が
少なく且つ大口径な炭化珪素単結晶を成長させる方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の炭化
珪素単結晶の成長方法は、珪素基板上に形成された炭化
珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させるための成長
容器と、前記容器内に設置される、前記種結晶を固定す
るための台座とを用いて前記種結晶から珪素基板を除去
し、炭化珪素単結晶を成長させるにあたり、前記台座と
前記容器の外側との連通を遮断して炭化珪素単結晶を成
長させることを特徴とする。
珪素単結晶の成長方法は、珪素基板上に形成された炭化
珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させるための成長
容器と、前記容器内に設置される、前記種結晶を固定す
るための台座とを用いて前記種結晶から珪素基板を除去
し、炭化珪素単結晶を成長させるにあたり、前記台座と
前記容器の外側との連通を遮断して炭化珪素単結晶を成
長させることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の方法において種結晶の台
座と成長容器の外側との連通を遮断する手段としては、
種々の手段を用いてよい。例えば、成長容器を通気性が
なく且つ耐熱性の高い材料（例えば、通気性のない黒
鉛）で形成してもよいし、又は、成長容器の表面に前記
材料や適するセラミック材料を単独又は組み合わせて塗
布又は貼付してもよい。成長容器の表面に前記材料を塗
布する場合には、前記材料と適する溶媒とを混合した溶
液やペーストを使用して塗布することができる。これに
より種結晶の昇華・再結晶化が抑えられ、種結晶の劣化
が抑制される。
座と成長容器の外側との連通を遮断する手段としては、
種々の手段を用いてよい。例えば、成長容器を通気性が
なく且つ耐熱性の高い材料（例えば、通気性のない黒
鉛）で形成してもよいし、又は、成長容器の表面に前記
材料や適するセラミック材料を単独又は組み合わせて塗
布又は貼付してもよい。成長容器の表面に前記材料を塗
布する場合には、前記材料と適する溶媒とを混合した溶
液やペーストを使用して塗布することができる。これに
より種結晶の昇華・再結晶化が抑えられ、種結晶の劣化
が抑制される。
【０００７】
【実施例】以下の実施例及び比較例により、本発明を更
に詳細に説明する。実施例ｌ Ｓｉ基板上にＣＶＤ法によりＳｉＣをエピタキシャル成
長させることによりＳｉＣ膜を形成して、バルク単結晶
を成長させるための種結晶（ＳｉＣ on Ｓｉ基板）を作
製した（図示せず）。前記エピタキシャル成長に際して
Ｓｉ基板の裏面や側面に堆積したＳｉＣは、次工程に入
る前に除去した。図１に示す如く、前記ＳｉＣ on Ｓｉ
基板（Ｓｉ基板７とＳｉＣ膜５とからなる）を連続貫通
孔を有する多孔質炭素（気孔率７５％：気孔率は適宜選
択可能）製台座８に、ＳｉＣ膜５が前記台座に接するよ
うに設置し、固定した。この状態で１５００℃，２時間
真空中で加熱した。この結果、Ｓｉ基板７は融解し、多
孔質炭素に吸収されるとともに、ＳｉＣ膜５（エピタキ
シャル膜）は多孔質炭素製台座８に貼付された。すなわ
ち、Ｓｉと炭素との濡れ性は非常に良いので、多孔質炭
素の表面を伝って、Ｓｉは多孔質炭素の内部へ拡散す
る。また、Ｓｉは炭素と反応してＳｉＣを形成する。Ｓ
ｉＣ膜５を種結晶として昇華法により結晶成長を行うに
際して、図２に示す如く、多孔質炭素製台座８の裏面及
び側面を密閉する（台座８と成長容器の外側との連通を
遮断する）ように通気性のない黒鉛９を配置した。この
複合体を種結晶部とし、その下部に原料としてＳｉＣ粉
末４を配置して、図３に示す如く、昇華法により結晶成
長を行った。成長条件は、種結晶温度：２２００〜2 ２
５０℃、原料温度：２２５０〜２３００℃、雰囲気圧：
Ａｒ＝１Torrである。その結果、エピタキシャル膜であ
る種結晶上に高品質なＳｉＣ単結晶を成長させることが
できた。本実施例においては、Ｓｉの吸収・除去工程と
成長工程とを分けて実施したが、多孔質炭素と通気性の
ない黒鉛との複合体にエピタキシャル成長膜を接着剤に
よって接着・固定し、昇華法成長容器に組み入れること
によって、一連の工程によりＳｉ除去とＳｉＣ単結晶成
長を行うことも可能である。
に詳細に説明する。実施例ｌ Ｓｉ基板上にＣＶＤ法によりＳｉＣをエピタキシャル成
長させることによりＳｉＣ膜を形成して、バルク単結晶
を成長させるための種結晶（ＳｉＣ on Ｓｉ基板）を作
製した（図示せず）。前記エピタキシャル成長に際して
Ｓｉ基板の裏面や側面に堆積したＳｉＣは、次工程に入
る前に除去した。図１に示す如く、前記ＳｉＣ on Ｓｉ
基板（Ｓｉ基板７とＳｉＣ膜５とからなる）を連続貫通
孔を有する多孔質炭素（気孔率７５％：気孔率は適宜選
択可能）製台座８に、ＳｉＣ膜５が前記台座に接するよ
うに設置し、固定した。この状態で１５００℃，２時間
真空中で加熱した。この結果、Ｓｉ基板７は融解し、多
孔質炭素に吸収されるとともに、ＳｉＣ膜５（エピタキ
シャル膜）は多孔質炭素製台座８に貼付された。すなわ
ち、Ｓｉと炭素との濡れ性は非常に良いので、多孔質炭
素の表面を伝って、Ｓｉは多孔質炭素の内部へ拡散す
る。また、Ｓｉは炭素と反応してＳｉＣを形成する。Ｓ
ｉＣ膜５を種結晶として昇華法により結晶成長を行うに
際して、図２に示す如く、多孔質炭素製台座８の裏面及
び側面を密閉する（台座８と成長容器の外側との連通を
遮断する）ように通気性のない黒鉛９を配置した。この
複合体を種結晶部とし、その下部に原料としてＳｉＣ粉
末４を配置して、図３に示す如く、昇華法により結晶成
長を行った。成長条件は、種結晶温度：２２００〜2 ２
５０℃、原料温度：２２５０〜２３００℃、雰囲気圧：
Ａｒ＝１Torrである。その結果、エピタキシャル膜であ
る種結晶上に高品質なＳｉＣ単結晶を成長させることが
できた。本実施例においては、Ｓｉの吸収・除去工程と
成長工程とを分けて実施したが、多孔質炭素と通気性の
ない黒鉛との複合体にエピタキシャル成長膜を接着剤に
よって接着・固定し、昇華法成長容器に組み入れること
によって、一連の工程によりＳｉ除去とＳｉＣ単結晶成
長を行うことも可能である。
【０００８】実施例２ 実施例１と同様に、多孔質炭素製台座８上にＳｉＣ on
Ｓｉ基板を設置し、これを加熱することによってＳｉを
多孔質炭素製台座８に吸収させた。ＳｉＣ膜５が貼付さ
れた多孔質炭素製台座８の裏面及び側面に、直径１〜２
μｍの黒鉛粒子をアルコール中に分散させた溶液を塗布
することにより黒鉛粒子塗布層１０を形成した。これに
よって、多孔質炭素製台座８に存在する孔を黒鉛粒子に
よって塞ぐことができ、事実上、多孔質炭素製台座８内
は密閉される。この状態で、図４に示す如く、昇華法成
長を行った。成長条件は実施例１と同じである。その結
果、良好なＳｉＣ単結晶を成長させることができた。
Ｓｉ基板を設置し、これを加熱することによってＳｉを
多孔質炭素製台座８に吸収させた。ＳｉＣ膜５が貼付さ
れた多孔質炭素製台座８の裏面及び側面に、直径１〜２
μｍの黒鉛粒子をアルコール中に分散させた溶液を塗布
することにより黒鉛粒子塗布層１０を形成した。これに
よって、多孔質炭素製台座８に存在する孔を黒鉛粒子に
よって塞ぐことができ、事実上、多孔質炭素製台座８内
は密閉される。この状態で、図４に示す如く、昇華法成
長を行った。成長条件は実施例１と同じである。その結
果、良好なＳｉＣ単結晶を成長させることができた。
【０００９】前述の如く、実施例１，２では、多孔質炭
素製台座中の孔は、通気性のない黒鉛や黒鉛粒子によっ
て成長容器の外には通じていない。そのため、昇華法に
よる結晶成長中に、多孔質炭素製台座中に存在する気相
種が系外に散逸することがなく、種結晶となるエピタキ
シャル膜の昇華が抑制される。よって、事実上、エピタ
キシャル膜は種結晶として全く問題なく使用することが
できる。なお、実施例１，２において、ＳｉＣ on Ｓｉ
基板のＳｉＣ成長面側を多孔質炭素製台座に接するよう
に配置したが、Ｓｉ基板側を配置しても同様の結果が得
られる。
素製台座中の孔は、通気性のない黒鉛や黒鉛粒子によっ
て成長容器の外には通じていない。そのため、昇華法に
よる結晶成長中に、多孔質炭素製台座中に存在する気相
種が系外に散逸することがなく、種結晶となるエピタキ
シャル膜の昇華が抑制される。よって、事実上、エピタ
キシャル膜は種結晶として全く問題なく使用することが
できる。なお、実施例１，２において、ＳｉＣ on Ｓｉ
基板のＳｉＣ成長面側を多孔質炭素製台座に接するよう
に配置したが、Ｓｉ基板側を配置しても同様の結果が得
られる。
【００１０】比較例 実施例２と同様に、ＳｉＣ on Ｓｉ基板を加熱し、多孔
質黒鉛にＳｉを吸収させることによって、ＳｉＣ膜５を
多孔質炭素製台座８に貼付した。本比較例においては、
図５に示す如く、多孔質炭素製台座８を密閉することな
く、そのまま昇華法による成長を行った。成長条件は前
記条件と同様である。成長の結果得られた成長結晶はラ
ンダムな結晶方位をもつ多結晶であった。
質黒鉛にＳｉを吸収させることによって、ＳｉＣ膜５を
多孔質炭素製台座８に貼付した。本比較例においては、
図５に示す如く、多孔質炭素製台座８を密閉することな
く、そのまま昇華法による成長を行った。成長条件は前
記条件と同様である。成長の結果得られた成長結晶はラ
ンダムな結晶方位をもつ多結晶であった。
【００１１】
【発明の効果】本発明の炭化珪素単結晶の成長方法にお
いては、種結晶の台座と成長容器の外側との連通を遮断
して炭化珪素単結晶を成長させることにより、台座を通
しての雰囲気のリークが防止され、その結果、種結晶の
破損が防止されるので、欠陥の少ない炭化珪素単結晶を
容易に得ることができる。また、本発明の方法は、雰囲
気のリークを起こさない手段として、台座の裏面及び側
面を覆う成長容器の壁として通気性のない黒鉛を使用す
る，台座の裏面及び側面に黒鉛粒子が分散した溶液、例
えばアルコール溶液を塗布する等の種々の手段を使用し
得るので、成長容器の大きさや形状に影響されることな
く適用可能である。
いては、種結晶の台座と成長容器の外側との連通を遮断
して炭化珪素単結晶を成長させることにより、台座を通
しての雰囲気のリークが防止され、その結果、種結晶の
破損が防止されるので、欠陥の少ない炭化珪素単結晶を
容易に得ることができる。また、本発明の方法は、雰囲
気のリークを起こさない手段として、台座の裏面及び側
面を覆う成長容器の壁として通気性のない黒鉛を使用す
る，台座の裏面及び側面に黒鉛粒子が分散した溶液、例
えばアルコール溶液を塗布する等の種々の手段を使用し
得るので、成長容器の大きさや形状に影響されることな
く適用可能である。
【図１】本発明の炭化珪素単結晶の成長方法の実施例１
において、ＳｉＣ on Ｓｉ基板を多孔質炭素製台座に設
置した状態を示す図である。
において、ＳｉＣ on Ｓｉ基板を多孔質炭素製台座に設
置した状態を示す図である。
【図２】本発明の実施例１において、多孔質炭素製台座
の裏面及び側面を密閉するように通気性のない黒鉛を配
置した状態を示す図である。
の裏面及び側面を密閉するように通気性のない黒鉛を配
置した状態を示す図である。
【図３】本発明の実施例１において、昇華法により結晶
成長を行う状態を示す図である。
成長を行う状態を示す図である。
【図４】本発明の実施例２において、昇華法により結晶
成長を行う状態を示す図である。
成長を行う状態を示す図である。
【図５】比較例の方法において、昇華法により結晶成長
を行う状態を示す図である。
を行う状態を示す図である。
【図６】従来技術の方法において、ＳｉＣ on Ｓｉ基板
のＳｉを加熱・溶融して吸引・除去する状態を示す図で
ある。
のＳｉを加熱・溶融して吸引・除去する状態を示す図で
ある。
【図７】従来技術の方法において、昇華法により結晶成
長を行う状態を示す図である。
長を行う状態を示す図である。
１：黒鉛台座 ２：小孔 ３：ＳｉＣ on Ｓｉ基板 ４：ＳｉＣ粉末 ５：ＳｉＣ膜 ６：成長結晶 ７：Ｓｉ基板 ８：多孔質炭素製台座 ９：通気性のない黒鉛 １０：黒鉛粒子塗布層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 篤人 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 谷 俊彦 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 神谷 信雄 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 廣瀬 富佐雄 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (1)
- 【請求項１】 珪素基板上に形成された炭化珪素種結晶
上に炭化珪素単結晶を成長させるための成長容器と、前
記容器内に設置される、前記種結晶を固定するための台
座とを用いて前記種結晶から珪素基板を除去し、炭化珪
素単結晶を成長させるにあたり、 前記台座と前記容器の外側との連通を遮断して炭化珪素
単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9856798A JPH11278999A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9856798A JPH11278999A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11278999A true JPH11278999A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=14223265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9856798A Pending JPH11278999A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11278999A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011020860A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶製造用坩堝及び炭化珪素単結晶の製造方法 |
| JP2011225392A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット製造用種結晶 |
| JP2014154885A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Infineon Technologies Ag | 複合材ウェハおよびその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP9856798A patent/JPH11278999A/ja active Pending
Cited By (3)
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| JP2011020860A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶製造用坩堝及び炭化珪素単結晶の製造方法 |
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