JPS6136699B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6136699B2
JPS6136699B2 JP54098200A JP9820079A JPS6136699B2 JP S6136699 B2 JPS6136699 B2 JP S6136699B2 JP 54098200 A JP54098200 A JP 54098200A JP 9820079 A JP9820079 A JP 9820079A JP S6136699 B2 JPS6136699 B2 JP S6136699B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction chamber
carbon susceptor
hydrogen
film
vapor phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54098200A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5623736A (en
Inventor
Mamoru Maeda
Mikio Takagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5623736A publication Critical patent/JPS5623736A/ja
Publication of JPS6136699B2 publication Critical patent/JPS6136699B2/ja
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3408—Silicon carbide

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に於ける例えばシリコン
膜などをエピタキシヤル成長させる際に適用して
好結果が得られる皮膜の気相成長法に関する。 例えばシリコン膜をエピタキシヤル成長させる
場合、シリコン基板をカーボン・サセプタ上に保
持したものを反応室内に挿入し、該反応室に反応
ガスをキヤリア・ガスとともに通流させ、その室
内圧力を10〜100〔Torr〕の減圧状態に保ちなが
ら高周波誘導加熱をすることが行なわれている。 ところで、前記カーボン・サセプタは多孔質で
ある為、種々のガスを吸着、吸蔵し易い欠点を有
している。即ち、例えばシリコン膜をエピタキシ
ヤル成長させる場合、キヤリア・ガスとして水素
が多用されているが、この水素がカーボン・サセ
プタに吸着乃至吸蔵されると、次回のエピタキシ
ヤル成長を行なう為にカーボン・サセプタを反応
室外に引出してシリコン基板をセツトする際、前
記水素と空気中の酸素とが反応して水分となり、
その水分が次回のエピタキシヤル成長時に放出さ
れ、基板表面を汚染したり、エピタキシヤル成長
シリコン膜中に欠陥を発生させたりする。 そこで、前記カーボン・サセプタに炭化硅素
（SiC）のコーテイングを施すことが行なわれて
いるが充分な効果は得られていない。 本発明は、カーボン・サセプタに水素が吸着或
いは吸蔵されないようにすることに依り、汚染や
欠陥がない良質の気相成長皮膜が得られるように
するものであり、以下これを詳細に説明する。 本発明では、皮膜成長後、例えば900〜1200
〔℃〕であつたカーボン・サセプタの温度を400〜
600〔℃〕に下降させ、また、水素などの送入を
停止し、10〜100〔Torr〕であつた反応室内圧力
を10-3〜10-1〔Torr〕に減少させ、次に窒素、ア
ルゴンなどの不活性ガスを送入し、その圧力を次
第に高め、最終的には１気圧程度にする。 このようにすることに依りカーボン・サセプタ
には水素に代つて例えば窒素が吸着或いは吸蔵さ
れることになり、その後、カーボン・サセプタを
空気中に取出した際に水分が生成されることはな
く、次回の皮膜成長に悪影響がない。 前記操作に於いて、温度を低下させた理由は、
例えば窒素と云えども高温下では反応を生じ、成
長皮膜に影響を与える惧れがあることに依る。ま
た、圧力を低下させ高真空に近い状態にした理由
は、水素を出来る限り排除する為である。 本発明を実施して得られた実験データを例示す
ると次の通りである。 尚、このデータは、単結晶シリコン層を温度
1100〔℃〕で厚さ３〔μｍ〕に成長させた試料に
ついて得られたものであり、また、ここで高真空
と称しているのは約10-3〔Torr〕程度を指すも
のである。
【表】 このデータから明らかなように、本発明に依つ
た場合、表面には汚染がなく、また、欠陥も著し
く少ない。 以上の説明で判るように、本発明に依れば、カ
ーボン・サセプタは皮膜成長中に吸収された水素
が不活性ガスに置換された状態で空気中に取出さ
れるものであるから、従来のように、水素と空気
中の酸素とが結合して水分を生成することは殆ん
どなくなり、従つて、その次の皮膜成長時に水分
に依り汚染されたり、結晶欠陥を発生するなどの
惧れは僅少になる。 なお、以上の実施例とあつては、加熱手段とし
て高周波加熱法がとられる気相成長処理の場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限られるもので
はなく、赤外線加熱による気相成長処理に対して
も実施することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ カーボン・サセプタに保持された基板を反応
    室内に配置して該基板上に皮膜を気相成長させ、
    次いで、前記カーボン・サセプタの温度を下降さ
    せ、 次いで、前記反応室へのガス供給を停止してか
    ら成膜中の圧力より充分に低い高真空に近い状態
    にまで排気し、 次いで、前記反応室内に不活性ガスを大気圧程
    度になるまで充満させる工程 が含まれてなることを特徴とする気相成長法。
JP9820079A 1979-07-31 1979-07-31 Vapor phase growing method Granted JPS5623736A (en)

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JP9820079A JPS5623736A (en) 1979-07-31 1979-07-31 Vapor phase growing method

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JP9820079A JPS5623736A (en) 1979-07-31 1979-07-31 Vapor phase growing method

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Publication Number Publication Date
JPS5623736A JPS5623736A (en) 1981-03-06
JPS6136699B2 true JPS6136699B2 (ja) 1986-08-20

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60127843U (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 日本軽金属株式会社 加工機用ストツパの送り機構
JP2660243B2 (ja) * 1985-08-08 1997-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JPS6247116A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置製造装置
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JPS6269608A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6136699A (ja) * 1984-07-27 1986-02-21 板井　敬吉 モデルガン

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Publication number Publication date
JPS5623736A (en) 1981-03-06

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