JP2011108744A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】製造段階で色度調整を行い発光装置毎の色度ばらつきを抑えた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置100は、セラミック基板10上に形成されたLEDチップ60と、LEDチップ60を埋め込む封止体とを備えており、封止体は蛍光体を含有し、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30によって第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50に分離されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置およその製造方法に関する。
近年、発光装置の光源としてLEDが多く用いられるようになってきている。LEDを用いた発光装置の白色光を得る方法として、赤色LED、青色LEDおよび緑色LEDの三種類のLEDを用いる方法、青色LEDを黄色蛍光体の光源に用いる方法などがある。発光装置は十分な輝度の白色光が要求されるため、LEDチップを複数個用いた発光装置が商品化されている。
特許文献1には、装置全体の光の取り出し効率を高めることができるという技術が開示されている。具体的には、図20に示すように、実装基板510に複数個のLEDチップ520を搭載するにあたって、近接するLEDチップの角同士が対向する形で実装される。これにより、実装基板510に同数のLEDチップ520を近接するLEDチップ520の側面同士が対向する形で実装する構成に比べて、LEDチップ520それぞれの中心位置を変更することなく近接するLEDチップ520の側面間の距離を長くすることができる。そのため、実装基板510のサイズを大きくすることなくLEDチップ520から放射された光が近接するLEDチップ520に吸収されて閉じ込められることを抑制することが可能となり、装置全体の光の取り出し効率を高めることができる。
また、特許文献1には、光学部材との間に空気層を配置したドーム状の色変換部材を備えることにより色度ばらつきを低減するという技術が開示されている。
特開2007−116095号公報(平成19年5月10日公開)
しかし、特許文献1に開示されている色度ばらつきの低減とは、1つの発光装置における発光面全体の色度ばらつきの低減についての技術であり、発光装置毎の色度ばらつきを押さえる技術については、何ら記載されていない。
従来の技術では、発光装置ごとでの色度ばらつきを低減することはできるものの、発光装置同士の色度ばらつきを抑えることはできなかった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、製造段階で色度調整を行い発光装置毎の色度ばらつきを抑えた発光装置を、安価に提供することである。
本発明に係る発光装置は、基板上に形成された複数の発光素子と、上記複数の発光素子を埋め込む封止体とを備える発光装置において、上記封止体は蛍光体を含有し、隔壁によって複数の領域に分離されていることを特徴としている。
上記構成によれば、上記封止体が複数の領域に分離されているので、1つの領域の上記封止体を形成して色度特性の測定をした後に、測定結果を基に他の領域に上記封止体を形成することによって製造することができる。これによって、色度が調整され、上記発光装置毎の色度ばらつきが低減された発光装置を提供することができる。また、その製造段階にて、求められる色度から外れていることで破棄しなければならなくなる製品の数を抑制することができ、製品の単価を抑えることができる。よって、安価に発光装置を提供することができる。
本発明に係る発光装置において、上記隔壁は、上記基板を垂直方向から見たとき、円環状または多角形環状に形成されており、かつ、同一の中心を有する2以上の隔壁であることが好ましい。
上記の構成によれば、発光装置全体の色度ばらつきがより低減された、発光装置を提供することができる。また、発光面から見て円形状の照明機器の光源、外部光学部品との光結合をよくする必要がある照明機器の光源などとして好適に用いることができる。発光面から見て円形状の照明機器としては、例えば、電球型照明機器が挙げられる。外部光学部品との光結合をよくする必要がある照明機器としては、例えば、配光特性を調整するための外部レンズを直上に配置する照明機器などが挙げられる。
本発明に係る発光装置において、上記複数の発光素子は、上記隔壁と同じ中心を有する同心円上に配置されていることが好ましい。
上記の構成によれば、発光装置全体の色度ばらつきがより低減された、発光装置を提供することができる。また、発光面から見て円形状の照明機器の光源、外部光学部品との光結合をよくする必要がある照明機器の光源などとして好適に用いることができる。発光面から見て円形状の照明機器としては、例えば、電球型照明機器が挙げられる。外部光学部品との光結合をよくする必要がある照明機器としては、例えば、配光特性を調整するための外部レンズを直上に配置する照明機器などが挙げられる。
本発明に係る発光装置において、上記封止体は、上記領域毎に蛍光体の含有量、または蛍光体の組成のうち少なくともいずれか一方が異なることが好ましい。
上記の構成によれば、ある領域に上記封止体を形成して色度測定をした後に、測定結果に合わせて他の領域に形成される上記封止体が含有する蛍光体の量や組成を決定することができる。これにより、発光装置毎での色度ばらつきが低減された、発光装置を提供することができる。
本発明に係る発光装置において、上記封止体は、複数種類の蛍光体を含有することが好ましい。
上記の構成によれば、複数の蛍光体を含有することで、求められる発光色により近づけられた発光装置を提供することができる。
本発明に係る発光装置において、上記隔壁は、乳白色または白色に着色されていることが好ましい。
上記の構成によれば、上記複数の発光素子からの光が上記隔壁により吸収されることを抑えることができる。これにより、上記複数の発光素子からの光が上記隔壁により弱まることを低減することができる。
本発明に係る発光装置において、上記複数の発光素子は、複数の組に分けられており、分けられた発光素子の組はそれぞれ複数の配線パターンにより接続されていることが好ましい。
上記の構成によれば、上記分けられた発光素子の組をそれぞれ点灯、または消灯させることができる。これにより、上記発光装置の色度特性の測定が細かくできるようになり、色度ばらつきを低減することができる。
本発明に係る発光装置において、上記発光装置は、上記基板の主表面と上記隔壁とで挟まれるように配置された、保護素子および印刷抵抗のうち少なくとも一つをさらに備えていることが好ましい。
上記の構成によれば、保護素子および印刷抵抗のうち少なくとも一つが上記基板の主表面と上記隔壁とで挟まれるように配置されることにより、発光素子からの光を保護素子および印刷抵抗のうち少なくとも一つが吸収する吸収量を低減することができるとともに、保護素子および印刷抵抗のうち少なくとも一つの表面保護ができる。
本発明に係る発光装置において、上記保護素子および印刷抵抗は、上記隔壁により完全に覆われていることがより好ましい。
上記の構成によれば、上記保護素子および印刷抵抗が上記隔壁により完全に覆われていることにより、発光素子からの光を保護素子および印刷抵抗が吸収する吸収量をより低減することができるとともに、上記保護素子および印刷抵抗の表面保護ができる。
本発明に係る発光装置において、上記基板は、上記基板の主表面の両端に、上記封止体により覆われていない第1外部接続用電極ランド、および、第2外部接続用電極ランドをさらに備えていることがより好ましい。
上記の構成によれば、例えば半田などを用いて、導線を電極ランドに直接容易に接続することができる。
本発明に係る発光装置において、上記基板は、上記複数の領域のうち、第1の領域に埋め込まれた発光素子のうち1つの発光素子と、第2の領域に埋め込まれた発光素子のうち1つの発光素子とを接続する渡し電極を備えていることが好ましい。
上記の構成によれば、それぞれの領域に埋め込まれた発光素子同士を接続することができる。
本発明に係る発光装置において、上記渡し電極は、上記隔壁を横切るように配置され、かつ、上記基板と上記隔壁との間に挟まれるように配置されていることが好ましい。
上記の構成によれば、上記渡し電極を設けるための新たなスペースが必要ない。これにより、上記渡し電極を設置することによる大型化を防いだ発光装置を提供できる。
本発明に係る発光装置において、上記渡し電極は、上記隔壁を横切る部分の厚みが、他の部分の厚みより薄くなっていることが好ましい。
上記の構成によれば、上記渡し電極が上記隔壁を横切る部分において、上記渡し電極の厚みによって上記隔壁が上記基板から浮く距離を短くすることができる。これにより、上記渡し電極を配置することによって上記封止体が上記領域に分離されずに混合されるという問題が発生することを抑制した発光装置を提供できる。
本発明に係る発光装置において、上記複数の発光素子は、上記渡し電極を介して直列に接続されていることが好ましい。
上記の構成によれば、上記基板上における金属面の面積が少なくない。これにより、上記発光素子からの光の反射率が上がり、かつ、上記金属面の劣化が低減され、かつ、上記封止体と基板の接着力が向上した発光装置を提供できる。
本発明に係る発光装置において、上記隔壁は、増粘剤および拡散剤のうち少なくとも一つを含むことがより好ましい。
上記の構成によれば、上記隔壁に光反射性を与えることができ、上記複数の発光素子からの光が上記隔壁により吸収されることを抑えることができる。これにより、上記複数の発光素子からの光が上記隔壁により弱まることを低減した発光装置を提供できる。
本発明に係る発光装置の製造方法は、上記問題を解決するために上記発光装置の製造方法において、基板上に複数の発光素子を配置する工程と、上記基板上に隔壁を形成する工程と、上記隔壁にて分離された領域のうちの一つである領域に蛍光体を含有する第1の封止体を形成する工程と、上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程と、測定結果に応じて上記隔壁にて分離された領域のうちの一つである領域に蛍光体を含有する第2の封止体を形成する工程と、上記第2の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程とを含むことを特徴としている。
上記の構成によれば、上記第1の蛍光体を含有する封止体形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程と、測定結果に合わせて上記第2の蛍光体を含有する封止体を形成する工程とが分かれていることから、上記発光装置の製造段階で色度調整を細かくすることができる。これにより、求められる色度から外れていることで破棄しなければならなくなる製品の数を抑制することができ、製品の単価を抑えることができる。したがって、上記発光装置毎での色度バラつきを低減した上記発光装置を容易に、かつ安価に製造することができるという効果を奏する。
本発明に係る発光装置の製造方法では、さらに上記発光装置の製造方法において、上記基板上に上記複数の発光素子を配置する工程が、上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程の前に上記隔壁で分離された領域のうちの一つである領域に上記複数の発光素子のうちの一部を配置する工程と、上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程の後に上記隔壁で分離された上記第2の封止体を形成する領域に上記複数の発光素子のうちの残部を配置する工程とに分かれることが好ましい。
上記の構成によれば、上記第2の蛍光体を含有する封止体を形成する領域に配置される上記複数の発光素子の発光に左右されることなく、上記第1の蛍光体を含有する封止体形成後の上記発光装置の色度特性を測定することができる。これにより、上記第1の蛍光体を含有する封止体形成後の上記発光装置の色度特性の測定をより詳細に行うことができる。
本発明に係る発光装置の製造方法では、さらに上記発光装置の製造方法において、上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程の前に、上記第2の封止体を覆うように遮光板を設置する工程を含むことが好ましい。
上記の構成によれば、上記第2の蛍光体を含有する封止体を形成する領域に配置される上記複数の発光素子の発光に左右されることなく、上記第1の蛍光体を含有する封止体形成後の上記発光装置の色度特性を測定することができる。これにより、上記第1の蛍光体を含有する封止体形成後の上記発光装置の色度特性の測定をより詳細に行うことができる。
本発明に係る発光装置の製造方法では、さらに上記発光装置の製造方法において、上記第2の封止体を形成する工程の代わりに、上記第2の封止体を形成する領域を覆うように擬似蛍光シートを設置する工程と、上記擬似蛍光シート設置後の上記発光装置の色度特性を測定する工程とを含むことが好ましい。
上記の構成によれば、上記第2の蛍光体を含有する封止体を形成することなく、上記発光装置の色度特性を測定することができる。これにより、目標とする色度が得られるように上記擬似蛍光シートを選択し、当該擬似蛍光シートに合わせて第2の蛍光体を含有する封止体を形成すれば良く、上記発光装置毎での色度バラつきを低減した上記発光装置を容易に製造することができる効果を奏する。
本発明に係る発光装置は、基板上に形成された複数の発光素子と、複数の発光素子を埋め込む封止体とを備えており、封止体は蛍光体を含有し、隔壁によって複数の領域に分離されていることを特徴としている。
これによって、封止体を複数の領域に分離することで、1つの領域の封止体を形成して色度特性の測定をした後に、測定結果を基に他の領域に封止体を形成することができると共に、色度調整が可能になり、発光装置毎の色度ばらつきを低減させることができ、かつ安価に提供できるという効果を奏する。
実施形態1における発光装置を示す上面図である。 実施形態1における発光装置の配線パターンを示す上面図である。 実施形態1における発光装置のLEDチップの配置を示す上面図である。 実施形態1における発光装置のLEDチップの配置領域を示す上面図である。 実施形態1における発光装置の1回目の測定の構成を示す上面図である。 実施形態1における発光装置の2回目の測定の構成を示す上面図である。 図1のX−X’断面図である。 CIEの色度座標を示すグラフである。 実施形態2における発光装置を示す上面図である。 実施形態2における発光装置の配線パターンを示す上面図である。 実施形態2における発光装置のLEDチップの配置を示す上面図である。 実施形態2における発光装置の1回目の測定の構成を示す上面図である。 実施形態2における発光装置のLEDチップの配置を示す上面図である。 実施形態2における発光装置の2回目の測定の構成を示す上面図である。 CIEの色度座標を示すグラフである。 実施形態3における発光装置を示す上面図である。 実施形態4における発光装置の1回目の測定の構成を示す上面図である。 実施形態5における発光装置の2回目の測定の構成を示す上面図である。 実施形態6における発光装置の構成を示す上面図である。 従来技術におけるLEDチップの配置を示す概略図である。
<実施形態1>
本発明の一実施形態について、図1から図7を参照し説明する。
〔発光装置100の構成〕
図1は本実施形態の発光装置100(発光装置)の構成例を示す上面図である。図1に示すように、発光装置100は、セラミック基板10(基板)と、電極配線パターン15(配線パターン)と、LEDチップ60(発光素子)と、第1蛍光体含有樹脂層40(封止体、第1の封止体)と、第2蛍光体含有樹脂層50(封止体、第2の封止体)と、第1樹脂リング20(隔壁)と、第2樹脂リング30(隔壁)とを備えている。
図2はセラミック基板10に電極配線パターン15と電極ランド(アノード)90と電極ランド(カソード)95と印刷抵抗素子80とを搭載した上面図であり、図3はワイヤ70を用いてLEDチップ60を電極配線パターン15に接続した上面図である。図4は第1領域110(領域)に第1蛍光体含有樹脂層40を形成した上面図であり、図5は第2領域120(領域)に第2蛍光体含有樹脂層50を形成した図である。図6は図1のX−X’断面図である。
(セラミック基板10)
セラミック基板10は、LEDチップ60等を搭載するための基板である。図1に示すように、セラミック基板10上には、電極ランド(アノード)90と、電極ランド(カソード)95と、印刷抵抗素子80とが設けられている。また、セラミック基板10は基板取り付け用穴97を有している。
セラミック基板10の外形は、本実施形態では12mm×15mmであり、厚みは1mmである。なお、本発明に係る発光装置が備える基板の外形はこれに限定されない。基板取り付け用穴97は、発光装置100を固定するための、本実施形態では直径1.4mmの丸穴であり、セラミック基板10の対向する角部に2つ設けられている。なお、本発明に係る発光装置が備える基板に基板取り付け用穴を形成する場合、その直径はこれに限定されない。
なお、本実施形態ではセラミック基板10を使用しているが、基板の材質においてはこれに限定されず、例えば、金属基板表面に絶縁層を形成した基板を使用してもよい。
(電極配線パターン15)
電極配線パターン15は、図2に示すように、セラミック基板10の主表面に搭載される、幅300μm、厚み10μmのAu電極パターンである。電極配線パターン15には、電極ランド(アノード)90と、電極ランド(カソード)95と、印刷抵抗素子80とが接続されている。電極ランド(アノード)90、電極ランド(カソード)95はAg−Ptから成る、直径1.4mm、直線部2mm、厚み20μmの形状である。なお、本発明に係る発光素子が備える基板に電極ランドを形成する場合、その直径等はこれに限定されない。
また、電極配線パターン15は、LEDチップ60のアノード側電極を電極ランド(アノード)90に接続している。電極ランド(アノード)90は、セラミック基板10の主表面の端に配置されている。また、電極配線パターン15は、LEDチップ60のカソード側電極をセラミック基板10に配置された電極ランド(カソード)95に接続するパターンとなっている。電極ランド(カソード)95は、電極ランド(アノード)90に対向する端に配置されている。
(印刷抵抗素子80)
印刷抵抗素子80は、形状および素材は特に限定されないが、本実施形態では、幅300μm、厚さ10μmであり、抵抗値が1MΩとなるように、酸化ルテニウムRuO2によって形成されている。また、印刷抵抗素子80の色は特に限定されないが、本実施形態では、黒色に形成されている。なお、本発明に係る発光装置は印刷抵抗素子の代わりに、またはこれに加えて保護素子を備えてもよい。
(LEDチップ60)
LEDチップ60は、図3に示すように、ワイヤ70によって電極配線パターン15に接続されている。LEDチップ60は、セラミック基板10の主表面に、第1領域110に21個、第2領域120に6個配置されている。ここで、LEDチップ60の大きさは幅240μm、長さ400μm、高さ80μmである。なお、第1領域110は、第1樹脂リング20と第2樹脂リング30との間の領域である。第2領域120は第2樹脂リング30の内側の領域である。
次に、LEDチップ60の配置される領域は、図4に示すように、電極配線パターン15によって3つの領域に分けられる。第1電気領域16は、第1領域110に搭載されるLEDチップ9個を含む領域である。第2電気領域17は、第1領域110に搭載されるLEDチップ3個と第2領域120に搭載されるLEDチップ6個とを含む領域である。第3電気領域18は、第1領域110に搭載されるLEDチップ9個を含む領域である。
(第1樹脂リング20、第2樹脂リング30)
第1樹脂リング20および第2樹脂リング30は、図5に示すように、LEDチップ60を覆う封止体である蛍光体含有樹脂の領域を分離するものであり、本実施形態では、第1領域110と第2領域120とに分けるものである。
第1樹脂リング20および第2樹脂リング30は、フィラーである酸化チタンTiO2を混合した白色のシリコン樹脂からなるリング状の部材である。または白色のソルダーレジストを塗布したリング状の部材でもよい。なお、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30の材料はであるフィラーは、上記酸化チタンTiOに限定されるものではない。また、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30は、第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50の製造工程で第1領域110および第2領域120に流し込む蛍光体含有樹脂を塞き止めて第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50の形状を保つ部材である。つまり、第1蛍光体含有樹脂層40の存在する領域が第1領域110であり、第2蛍光体含有樹脂層50の存在する領域が第2領域120である。
なお、本実施形態では第1樹脂リング20および第2樹脂リング30に使用するシリコン樹脂およびソルダーレジストの色を白色としたが、これに限定されることはなく、例えば乳白色でもよい。
第1樹脂リング20の形状は、リング幅は0.5mm、リング径は8.6mmの円環状とし、第2樹脂リング30の形状は、リング幅は0.5mm、リング径は3.9mmの円環状とした。ここで、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30は、同一の中心を有している。なお、本実施形態では第1樹脂リング20および第2樹脂リング30の形状が円環状である場合について説明するが、多角形環状であってもよい。
なお、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30は増粘剤および拡散剤のうち少なくとも一つ含むことがより好ましい。
(第1蛍光体含有樹脂層40、第2蛍光体含有樹脂層50)
第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50は、図5および図6に示すように、LEDチップ60を覆う封止体である蛍光体を含有する樹脂を充填した層である。
なお、第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50は複数の蛍光体を含有していてもよく、第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50に含まれる蛍光体の量または組成のうち少なくともいずれか一方が異なってもよい。ここで、本実施形態では、第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50の組成は、緑色蛍光体としてCa(Sr・Mg)Si12:Ce、赤色発光体として(Sr・Ca)AlSiN:Euである。なお、蛍光体の種類としては特に限定されない。
なお、本実施形態では円環状の第1蛍光体含有樹脂層40を1つのみ形成した例をあげたが、蛍光体含有樹脂層の数はこれに限定されず、同心円上に複数の円環状の蛍光体含有樹脂層が形成されていても構わない。これにより、発光面から見て円形状の照明機器の光源、外部光学部品との光結合をよくする必要がある照明機器の光源などとして好適に用いることができる。ここで、発光面から見て円形状の照明機器としては、例えば、電球型照明機器が挙げられる。また、外部光学部品との光結合をよくする必要がある照明機器としては、例えば、配光特性を調整するための外部レンズを直上に配置する照明機器などが挙げられる。
〔発光装置100の製造方法〕
本実施形態に係る発光装置100は、セラミック基板10上に複数のLEDチップ60を配置する工程と、複数のLEDチップ60を配置したセラミック基板10上に第1樹脂リング20および第2樹脂リング30を形成する工程と、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30にて分離された第1領域110に、第1の蛍光体を含有する第1蛍光体含有樹脂層40を形成する工程と、第1蛍光体含有樹脂層40を形成後の発光装置100の色度特性を測定する工程と、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30にて分離された第2領域120に測定結果に応じて第2蛍光体含有樹脂層50を形成する工程と、第2蛍光体含有樹脂層50を形成後の発光装置100の色度特性を測定する工程とを含む。
(LEDチップ60の配置)
まず、図3に示すように、セラミック基板10上に複数のLEDチップ60を第1樹脂リング20および第2樹脂リング30と同一の中心を有する同心円上に配置する。LEDチップ60は、それぞれシリコン樹脂にて固定される。次に、LEDチップ60と電極配線パターン15とを、ワイヤ70を用いてワイヤボンディングする。
(第1樹脂リング20、第2樹脂リング30の形成)
次に、図5に示すように、複数のLEDチップ60を配置したセラミック基板10上に隔壁である第1樹脂リング20および第2樹脂リング30を形成する。
第1樹脂リング20および第2樹脂リング30については、ディスペンサーを用いて形成するとよい。また、本実施形態では、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30の硬化温度としては、150度とし、硬化時間を60分とする。なお、硬化温度および硬化時間はこれに限定されない。
第1樹脂リング20および第2樹脂リング30は電極配線パターン15とワイヤ70の一部を覆うように形成されることが望ましい。本実施形態ではLEDチップ60搭載、ワイヤボンディング、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30の形成としたが、第1樹脂リング20および第2樹脂リング30、LEDチップ60搭載、ワイヤボンディングの順にて形成してもよい。
(第1蛍光体含有樹脂層40の形成)
次に、図5に示すように第1樹脂リング20および第2樹脂リング30にて分離された領域のうちの第1領域110に第1の蛍光体を含有する第1蛍光体含有樹脂層40を形成する。
図8はCIEの色度座標を示すグラフであり、(a)は第1蛍光体含有樹脂層40を形成した後の色度範囲を示し、(b)は第2蛍光体含有樹脂層50を形成した後の色度範囲を示している。
図8に示すCIEの色度座標で(x、y)=(0.32、0.285)となる光を得られるように、第1の蛍光体と封止材料であるシリコン樹脂との混合物を第1領域110に注入して第1蛍光体含有樹脂層40を形成する。また、本実施形態では、第1蛍光体含有樹脂層40を形成する硬化温度としては、150度とし、硬化時間を30分とする。なお、硬化温度および硬化時間はこれに限定されない。
(1回目の測定)
第1蛍光体含有樹脂層40を形成後の発光装置100の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ6個を発光させることによって、1回目の色度特性を測定する。
測定された第1蛍光体含有樹脂層40の色度範囲は図8(a)の領域内となる。
(第2蛍光体含有樹脂層50の形成)
次に、図6に示すように、上述の測定結果に応じて、第2樹脂リング30の内側の領域である第2領域120に第2の蛍光体を含有する第2蛍光体含有樹脂層50を形成する。
測定結果に応じるとは、1回目の測定によって得られる発光装置100の色度特性により、第2蛍光体含有樹脂層50を形成する樹脂に含まれる蛍光体の量および組成を決定し、発光装置100が目的とする色度特性を得られるように、第2蛍光体含有樹脂層50を形成することである。
発光装置100の色度がCIEの色度座標で(x、y)=(0.455、0.415)となる光を得られるように、第2の蛍光体と封止材料であるシリコン樹脂との混合物を第2領域120に注入して第2蛍光体含有樹脂層50を形成する。また、本実施形態では第2蛍光体含有樹脂層50を形成する硬化温度としては、150度とし、硬化時間を5時間とする。なお、硬化温度および硬化時間はこれに限定されない。
また、第2蛍光体含有樹脂層50は、上方に凸となる半球状に形成してもよい。
(2回目の測定)
次に、第2蛍光体含有樹脂層50の形成後に発光装置100の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させることによって2回目の色度特性を測定する。測定された色度範囲は図8(b)の領域内となる。
発光装置100では、印刷抵抗素子80が第1樹脂リング20の下に形成されているので、印刷抵抗素子80による光の吸収という問題をより低減することが可能となる。また、第1樹脂リング20は印刷抵抗素子80の上面(表面など)の保護となる。さらに、印刷抵抗素子80を搭載しても小型化が可能となる。
なお、本実施形態では円環状の第1蛍光体含有樹脂層40を1つのみ形成した例をあげたが、蛍光体含有樹脂層の数はこれに限定されず、同心円上に複数の円環状の蛍光体含有樹脂層が形成されていても構わない。同心円状にすることによって、本発光装置は、上面からみて円形状の照明機器、例えば、電球用照明機器の光源や、配光特性を調整するための外部レンズを直上に配置するなど外部光学部品との光結合をよくする必要がある光源などとして好適に用いることができる。
<実施形態2>
本発明の他の実施形態について図9から図15に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。
〔発光装置200の構成〕
図9は本実施形態の発光装置200の構成例を示す上面図である。図9に示すように、発光装置200は、セラミック基板10の代わりにセラミック基板12とした以外は実施形態1の発光装置100と同じ構成である。
図10はセラミック基板12に電極配線パターン15と電極ランド(アノード)90と電極ランド(カソード)95と印刷抵抗素子80とを搭載した上面図であり、図11は第1領域110のLEDチップ60をワイヤ70により電極配線パターン15に接続した上面図である。図12は第1領域110に第1蛍光体含有樹脂層40を形成した上面図である。図13は第2領域120のLEDチップ60をワイヤ70により電極配線パターン15に接続した上面図であり、図14は第2領域120に第2蛍光体含有樹脂層50を形成した上面図である。
(セラミック基板12)
セラミック基板12は、厚みを0.8mmとした以外は、実施形態1のセラミック基板10と同じ構成である。
〔発光装置200の製造方法〕
本実施形態に係る発光装置200の製造方法は、実施形態1の製造方法では、第1蛍光体含有樹脂層40を形成後の発光装置200の色度特性を測定する工程の前に、第2領域120にLEDチップ60を配置しているが、第1蛍光体含有樹脂層40を形成後の発光装置200の色度特性を測定する工程の後に、第2領域120にLEDチップ60を配置するという点で異なる。
(第1領域110にLEDチップ60を搭載)
図10に示す、電極配線パターン15と電極ランド(アノード)90と電極ランド(カソード)95と印刷抵抗素子80とを搭載したセラミック基板12上に、図11に示すように、第1領域110にLEDチップ60を配置する。LEDチップ60は、セラミック基板12の主表面の第1領域110に21個配置され、それぞれシリコン樹脂で固定される。
(樹脂リングの形成)
第1樹脂リング20および第2樹脂リング30を形成する。
(第1蛍光体含有樹脂層40の形成)
次に、第1領域110に第1蛍光体含有樹脂層40を形成する。
図12に示すように第1樹脂リング20および第2樹脂リング30にて分離された領域のうちの第1領域110に第1の蛍光体を含有する第1蛍光体含有樹脂層40を形成する。
図15はCIEの色度座標を示すグラフであり、(a)は第1蛍光体含有樹脂層40を形成した後の色度範囲を示し、(b)は第2蛍光体含有樹脂層50を形成した後の色度範囲を示している。
図15に示すCIEの色度座標で(x、y)=(0.427、0.395)となる光を得られるように、第1の蛍光体と封止材料であるシリコン樹脂とを混合した混合物を第1領域110に注入して第1蛍光体含有樹脂層40を形成する。また、本実施形態では第1蛍光体含有樹脂層40を形成する硬化温度を150度とし、硬化時間を30分とする。なお、硬化温度および硬化時間はこれに限定されない。
(1回目の測定)
第1蛍光体含有樹脂層40を形成後の発光装置200の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60を発光させることによって、1回目の色度特性を測定する。
このとき測定された第1蛍光体含有樹脂層40の色度範囲は図15の(a)の領域内となる。
(第2領域120にLEDチップ60を搭載)
次に、図13に示すように、第2領域120にLEDチップ60を配置する。LEDチップ60は、セラミック基板12の主表面の第2領域120に6個配置され、それぞれシリコン樹脂で固定される。
(第2蛍光体含有樹脂層50の形成)
次に、図14に示すように、上述の測定結果に応じて、第2領域120に第2蛍光体含有樹脂層50を形成する。CIEの色度座標で(x、y)=(0.455、0.415)となる光を得られるように、第2領域120に、第2の蛍光体と封止材料であるシリコン樹脂とを混合した混合物を注入して第2蛍光体含有樹脂層50を形成する。また、第2蛍光体含有樹脂層50を形成する硬化温度としては特に限定されないが、例えば、150度とし、硬化時間を5時間とするのがよい。
(2回目の測定)
次に、第2蛍光体含有樹脂層50の形成後に発光装置200の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させることによって2回目の色度特性を測定する。このとき測定された色度範囲は図15の(b)の領域内となる。
<実施形態3>
本発明の他の実施形態について図16に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。
〔発光装置250の構成〕
発光装置250は、図16に示すように印刷抵抗素子85を配置したこと以外は実施形態1の発光装置100と同じである。
(印刷抵抗素子85)
図16に示すように、印刷抵抗素子85はセラミック基板10と第1樹脂リング20とで挟まれ、第1樹脂リング20に完全に覆われるようにして配置される以外は、実施形態1の印刷抵抗素子80と同じ構成である。
〔発光装置250の製造方法〕
本実施形態に係る発光装置250の製造方法は、実施形態1の製造方法と同ーである。
(1回目の測定)
第1蛍光体含有樹脂層40を形成後の発光装置250の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60を発光させることによって、発光装置250の1回目の色度特性を測定する。
(2回目の測定)
次に、第2蛍光体含有樹脂層50の形成後に発光装置250の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させることによって2回目の色度特性を測定する。
<実施形態4>
本発明の他の実施形態について図17に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。
〔発光装置300の構成〕
図17は、第1領域110に第1蛍光体含有樹脂層40を形成し、第2領域120に遮光板310を設置した発光装置300の、1回目の色度特性測定時における発光装置300の上面図である。発光装置300の構成としては、図17に示すように遮光板310を設置したこと以外は実施形態1の発光装置100と同じである。
(遮光板310)
遮光板310は、図17に示すように、第2領域120を完全に覆うように設置されている。
〔発光装置300の製造方法〕
本実施形態に係る発光装置300の製造方法は、実施形態1では、第1蛍光体含有樹脂層40を形成後に発光装置100の色度特性を測定しているが、第1蛍光体含有樹脂層40を形成後の発光装置300の色度特性を測定する工程の前に、第2領域120を覆うように遮光板310を設置する工程を含む点で異なる。
(遮光板310の設置)
LEDチップ60を搭載して第1樹脂リング20および第2樹脂リング30を形成し、第1蛍光体含有樹脂層40を形成した後、図17に示すように、第2領域120を完全に覆うように遮光板310を設置する。
(遮光板310の設置)
第1蛍光体含有樹脂層40形成後、第2領域120内のLEDチップ60から発光される光を遮るように第2領域を遮光板310で覆うように設置する。
(1回目の測定)
第1蛍光体含有樹脂層40および遮光板310を形成後、発光装置300の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させ、発光装置300の1回目の色度特性を測定する。
(第2蛍光体が含有樹脂層50の形成)
次に、第2領域を覆う遮光板310を取り除き、第2領域120に第2蛍光体含有樹脂層50を形成する、
(2回目の測定)
第2蛍光体含有樹脂層50を形成し、第2蛍光体含有樹脂層50を形成後の発光装置300の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させ、発光装置300の2回目の色度特性を測定する。
<実施形態5>
本発明の他の実施形態について図18に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。
〔発光装置400の構成〕
図18は本実施形態の発光装置400の構成例を示す上面図である。図18に示すように、発光装置400は、擬似蛍光シート350を設置したこと以外は実施形態1の発光装置100と同じ構成である。
(擬似蛍光シート350)
擬似蛍光シート350は、図18に示すように、第2領域120を覆うように設置されている。ここで、擬似蛍光シート350とは、あらかじめ定められた蛍光体の量および組成により形成された樹脂製のシートである。また、複数種類の擬似蛍光シート350が、様々な蛍光体の量および組成により形成されている。また、擬似蛍光シート350は、色度調整用の第2蛍光体含有樹脂層の、蛍光体の配合量および組成を決めるために使用するものである。
〔発光装置400の製造方法〕
実施形態1の製造方法では、第2蛍光体含有樹脂層50を形成後に発光装置100の色度特性を測定しているが、本実施形態に係る発光装置400の製造方法は、第2蛍光体含有樹脂層50を形成する前に第2領域120を覆うように擬似蛍光シート350を設置して発光装置400の色度特性を測定する工程の後に、測定結果に合わせて第2蛍光体含有樹脂層50を形成するという点で実施形態1と異なる。
(1回目の測定)
第1蛍光体含有樹脂層40形成後、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させ、発光装置400の1回目の色度特性を測定する。
(擬似蛍光シート350の設置)
次に、第2領域120を覆うように擬似蛍光シート350を設置する。
(2回目の測定)
擬似蛍光シート350を設置した後、2回目の色度特性を測定する。ここで、(x、y)=(0.455、0.415)になるように擬似蛍光シート350を替えながら測定し、目標とする色度が得られるように擬似蛍光シート350を選定する。
その後、擬似蛍光シート350と同じ色度が得られるように第2の蛍光体と封止材料であるシリコン樹脂とを混合し、第2蛍光体含有樹脂層50を形成することで、発光装置400を形成する。
<実施形態6>
本発明の他の実施形態について図19に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、実施形態1に係る構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとする。
〔発光装置450の構成〕
図19は、第1領域110に搭載されているLEDチップ60と第2領域120に搭載されているLEDチップ60を、渡し電極99を介して接続している上面図である。
発光装置450は、図19に示すようにLEDチップ60を直列に接続して配置したこと以外は実施形態1の発光装置100と同じである。
(渡し電極99)
渡し電極99は、第1領域110で直列に接続されているLEDチップ60と、第2領域120で直列に接続されているLEDチップ60とを直列につないでいる。また、本実施形態では、渡し電極99の形状は、第2樹脂リング30を横切る領域は他の領域より幅が狭く厚みが薄く形成され、両側のワイヤを打つ領域は円形状である。このように、渡し電極99における第2樹脂リング30を横切る領域を、他の領域より幅が狭く厚みが薄く形成することで、第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50が各領域に分離されずに混合されてしまうという問題の発生を抑制できる。つまり、このような形状でない場合、渡し電極99を配置することによって第2樹脂リング30とセラミック基板10との間に隙間ができ、第1蛍光体含有樹脂層40および第2蛍光体含有樹脂層50が各領域に分離されずに混合されてしまうという問題が発生する虞がある。なお、渡し電極99の形状はこれに限定されない。
(LEDチップ60搭載)
第1領域110にある電極ランド95の先端部分とLEDチップ60の電極とをワイヤ70で接続する。その次に、LEDチップ60の電極と隣のLEDチップ60の電極とをワイヤ70で接続する。その後、順次、同様にワイヤ70で接続する。21番目のLEDチップ60の電極と渡し電極99とをワイヤ70で接続し、渡し電極99とLEDチップ60の電極とをワイヤ70で接続することで、第1領域110のLEDチップ60と第2領域120のLEDチップ60とを渡し電極99にて接続する。その後、順次、LEDチップ間をワイヤ70で接続する。最後に、LEDチップ60の電極ともう一方の電極ランド90の先端部とをワイヤ70で接続する。したがって、LEDチップ60は、一方の電極ランド95から、他方の電極ランド90まで、渡し電極99を介して直列に接続される。
〔発光装置450の製造方法〕
本実施形態に係る発光装置450の製造方法は、実施形態1の製造方法と同じである。
(1回目の測定)
第1蛍光体含有樹脂層40を形成後、例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させ、発光装置450の1回目の色度特性を測定する。
(2回目の測定)
次に、第2領域120に第2蛍光体含有樹脂層50を形成した後、発光装置450の色度特性を測定する。例えば、第1領域110に搭載された21個のLEDチップ60と第2領域に搭載された6個のLEDチップ60とを発光させ、発光装置450の2回目の色度特性を測定する。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明に係る発光装置およびその製造方法は、照明用光源、および液晶ディスプレイのバックライト光源などに好適に適用することができる。
10、12 セラミック基板(基板)
15 電極配線パターン
16 第1電気領域
17 第2電気領域
18 第3電気領域
20 第1樹脂リング(隔壁)
30 第2樹脂リング(隔壁)
40 第1蛍光体含有樹脂層(封止体、第1の封止体)
50、55 第2蛍光体含有樹脂層(封止体、第2の封止体)
60 LEDチップ
70 ワイヤ
80、85 印刷抵抗素子
90 電極ランド(アノード)(第1外部接続用電極ランド)
95 電極ランド(カソード)(第2外部接続用電極ランド)
97 基板取り付け用穴
99 渡し電極
100、200、250、300、400、450 発光装置
110 第1領域(領域)
120 第2領域(領域)
310 遮光板
350 擬似蛍光シート
510 実装基板
520 LEDチップ

Claims (19)

  1. 基板上に形成された複数の発光素子と、上記複数の発光素子を埋め込む封止体とを備える発光装置において、
    上記封止体は蛍光体を含有し、隔壁によって複数の領域に分離されていることを特徴とする発光装置。
  2. 上記隔壁は、上記基板を垂直方向から見たとき、円環状または多角形環状に形成されており、かつ、同一の中心を有する2以上の隔壁であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 上記複数の発光素子は、上記隔壁と同じ中心を有する同心円上に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  4. 上記封止体は、上記領域毎に蛍光体の含有量、または蛍光体の組成のうち少なくともいずれか一方が異なることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 上記封止体は、複数種類の蛍光体を含有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
  6. 上記隔壁は、乳白色または白色に着色されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 上記複数の発光素子は、複数の組に分けられており、分けられた発光素子の組はそれぞれ複数の配線パターンにより接続されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 上記基板の主表面と上記隔壁とで挟まれるように配置された、保護素子および印刷抵抗のうち少なくとも一つをさらに備えていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 上記保護素子および印刷抵抗は、上記隔壁により完全に覆われていることを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
  10. 上記基板は、上記基板の主表面の両端に、上記封止体により覆われていない第1外部接続用電極ランド、および、第2外部接続用電極ランドをさらに備えていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。
  11. 上記基板は、上記複数の領域のうち、第1の領域に埋め込まれた発光素子のうち1つの発光素子と、第2の領域に埋め込まれた発光素子のうち1つの発光素子とを接続する渡し電極を備えていることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。
  12. 上記渡し電極は、上記隔壁を横切るように配置され、かつ、上記基板と上記隔壁との間に挟まれるように配置されていることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
  13. 上記渡し電極は、上記隔壁を横切る部分の厚みが、他の部分の厚みより薄くなっていることを特徴とする請求項11または12に記載の発光装置。
  14. 上記複数の発光素子は、上記渡し電極を介して直列に接続されていることを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載の発光装置。
  15. 上記隔壁は、増粘剤および拡散剤のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の発光装置。
  16. 発光装置の製造方法において、
    基板上に複数の発光素子を配置する工程と、上記基板上に隔壁を形成する工程と、上記隔壁にて分離された領域のうちの一つである領域に蛍光体を含有する第1の封止体を形成する工程と、上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程と、測定結果に応じて上記隔壁にて分離された領域のうちの一つである領域に蛍光体を含有する第2の封止体を形成する工程と、上記第2の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程とを含むことを特徴とする製造方法。
  17. 上記基板上に上記複数の発光素子を配置する工程が、上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程の前に上記隔壁で分離された領域のうちの一つである領域に上記複数の発光素子のうちの一部を配置する工程と、上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程の後に上記隔壁で分離された上記第2の封止体を形成する領域に上記複数の発光素子のうちの残部を配置する工程とに分かれることを特徴とする請求項16に記載の製造方法。
  18. 上記第1の封止体を形成後の上記発光装置の色度特性を測定する工程の前に、上記第2の封止体を覆うように遮光板を設置する工程を含むことを特徴とする請求項16に記載の製造方法。
  19. 上記第2の封止体を形成する工程の代わりに、上記第2の封止体を形成する領域を覆うように擬似蛍光シートを設置する工程と、上記擬似蛍光シートを設置した後の上記発光装置の色度特性を測定する工程とを含むことを特徴とする請求項16に記載の製造方法。
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CN2010105462174A CN102110682B (zh) 2009-11-13 2010-11-10 发光装置及其制造方法
US14/663,696 US9231023B2 (en) 2009-11-13 2015-03-20 Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas
US14/957,268 US9607970B2 (en) 2009-11-13 2015-12-02 Light-emitting device having a plurality of concentric light transmitting areas

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Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238902A (ja) * 2010-04-16 2011-11-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2012142428A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2013135010A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2013137986A (ja) * 2011-11-29 2013-07-11 Nichia Corp 発光装置、照明器具
JP2014022406A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2014067816A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2014082236A (ja) * 2012-10-12 2014-05-08 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置
WO2014091655A1 (ja) * 2012-12-13 2014-06-19 パナソニック株式会社 発光装置、照明用光源及び照明装置
KR20150137784A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
USD751045S1 (en) 2014-06-16 2016-03-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD751046S1 (en) 2014-06-16 2016-03-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD751517S1 (en) 2014-06-16 2016-03-15 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
JP2016042602A (ja) * 2015-12-17 2016-03-31 シャープ株式会社 発光装置および照明装置
JP5902301B2 (ja) * 2012-07-09 2016-04-13 シャープ株式会社 発光装置、および照明装置
JP2016092362A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JP2016119381A (ja) * 2014-12-19 2016-06-30 シチズン電子株式会社 Led発光モジュール
JP2016174120A (ja) * 2015-03-18 2016-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US9577153B2 (en) 2012-02-20 2017-02-21 Sharp Kabushiki Kaisha Light emission device and illumination device
JP2017085096A (ja) * 2015-10-23 2017-05-18 シチズン電子株式会社 発光モジュール
JP2017103416A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 シチズン電子株式会社 Led発光モジュール
JP2018046113A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 シチズン電子株式会社 発光装置
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
KR20180114164A (ko) * 2016-07-21 2018-10-17 산켄덴키 가부시키가이샤 발광장치
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
JP2019145820A (ja) * 2019-04-10 2019-08-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2021118131A1 (ko) * 2019-12-12 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11043475B2 (en) 2018-06-22 2021-06-22 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
WO2021125704A1 (ko) * 2019-12-16 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004519A (ja) * 2010-05-17 2012-01-05 Sharp Corp 発光装置および照明装置
JP5612991B2 (ja) 2010-09-30 2014-10-22 シャープ株式会社 発光装置及びこれを備えた照明装置
EP3220428A1 (en) * 2011-05-27 2017-09-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
JP6004747B2 (ja) * 2011-06-28 2016-10-12 株式会社小糸製作所 発光モジュール
JP6079629B2 (ja) * 2011-07-25 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103094267B (zh) * 2011-11-01 2018-05-25 日亚化学工业株式会社 发光装置,照明器具
JP2013131744A (ja) * 2011-11-25 2013-07-04 Citizen Electronics Co Ltd 発光素子の実装方法及び発光素子を有する発光装置
GB2497283A (en) * 2011-12-02 2013-06-12 Tzu-Yu Liao Method for assembling LEDs to a ceramic heat conductive member
GB2497768A (en) * 2011-12-20 2013-06-26 Ac Dc Led Ltd Multi-LED arrays
US20150091029A1 (en) * 2012-04-06 2015-04-02 Citizen Electronics Co., Ltd. Led light emitting apparatus
US10439112B2 (en) 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
EP2882000A4 (en) * 2012-08-06 2016-03-16 Sharp Kk LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP6072472B2 (ja) 2012-08-27 2017-02-01 シチズン電子株式会社 Led発光装置
US9634211B2 (en) * 2012-09-26 2017-04-25 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting module
JP6291800B2 (ja) * 2012-12-26 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9326350B2 (en) 2013-02-07 2016-04-26 Everlight Electronics Co., Ltd. Light-emitting device with multi-color temperature and multi-loop configuration
DE102013207706A1 (de) * 2013-04-26 2014-10-30 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul zur Abgabe von Weißlicht
JP6156213B2 (ja) * 2013-09-17 2017-07-05 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2015070170A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US9728697B2 (en) * 2013-10-03 2017-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device including a metal substrate for high heat dissipation and increased light efficiency
JP6203147B2 (ja) * 2014-01-29 2017-09-27 シャープ株式会社 発光装置
US9857039B2 (en) * 2014-03-18 2018-01-02 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device comprising a ring-shaped light transmitting element
USD748294S1 (en) * 2014-03-27 2016-01-26 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED lighting unit
USD771579S1 (en) * 2014-05-26 2016-11-15 Citizens Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP1524801S (ja) * 2014-05-26 2015-06-01
JP6372257B2 (ja) * 2014-08-29 2018-08-15 東芝ライテック株式会社 車両用発光モジュール、車両用照明装置、および車両用灯具
USD766196S1 (en) 2014-10-06 2016-09-13 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
USD762182S1 (en) * 2014-10-06 2016-07-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
CN104538388A (zh) * 2014-12-11 2015-04-22 佛山市国星光电股份有限公司 色温可调的led光源的封装方法
CN105633245A (zh) * 2015-01-16 2016-06-01 江苏生辉光电科技有限公司 一种cob封装固晶工艺
CN104810461B (zh) * 2015-03-03 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 发光元件封装件及显示器
KR102634692B1 (ko) 2016-02-12 2024-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
KR101987196B1 (ko) * 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
DE202016103386U1 (de) * 2016-06-27 2017-09-28 BÄ*RO GmbH & Co. KG Leuchte, insbesondere Downlight- und/oder Spotlight-Leuchte, mit einer Lichtquelle
US11107857B2 (en) * 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11101248B2 (en) 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
CN107479252B (zh) * 2017-08-31 2020-11-13 深圳市华星光电技术有限公司 Led灯珠及背光光源、背光模组
CN109119524B (zh) * 2018-08-13 2019-09-13 广东晶科电子股份有限公司 一种led灯珠打标装置及打标方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060129A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nec Lighting Ltd フルカラー発光ダイオード
JP2008235824A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
JP2008235680A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2009135485A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009164157A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nichia Corp 発光装置
JP2011049516A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd 演色性と輝度を高める混光式ledパッケージ構造

Family Cites Families (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5378048A (en) 1976-12-22 1978-07-11 Hitachi Ltd Glass coated thick film resistor
JPS5684368A (en) 1979-12-03 1981-07-09 Tokuyama Soda Kk Powdery formation aid
JPS5918454A (ja) 1982-07-22 1984-01-30 Yuji Takayama オンカラムキヤピラリクロマトグラフ用キヤリヤ−ガス制御装置
JPS5918454U (ja) 1982-07-27 1984-02-04 株式会社シチズン電子 リ−ドレス発光ダイオ−ド
JPS60179057A (ja) 1984-02-28 1985-09-12 雪印乳業株式会社 腹腔鏡用受精卵移植三重針
JPS60179057U (ja) 1984-05-04 1985-11-28 株式会社 シチズン電子 発光ダイオード
JPS62172164A (ja) 1986-01-27 1987-07-29 松下冷機株式会社 冷蔵庫の運転制御装置
JPS62172164U (ja) 1986-04-23 1987-10-31
JPS63180957A (ja) 1987-01-22 1988-07-26 Canon Inc 電子写真感光体
JPS63180957U (ja) 1987-05-14 1988-11-22
JP2772166B2 (ja) 1991-07-25 1998-07-02 ローム株式会社 Led光源装置
JPH0545812A (ja) 1991-08-16 1993-02-26 Konica Corp ハロゲン化銀カラー感光材料
JPH0545812U (ja) 1991-11-22 1993-06-18 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
JP2729899B2 (ja) 1993-03-08 1998-03-18 スタンレー電気株式会社 車両用led灯具
JPH07273371A (ja) 1994-03-31 1995-10-20 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード駆動回路
JP3156708B1 (ja) 1995-06-14 2001-04-16 松下電器産業株式会社 データ送信装置
JPH1098244A (ja) 1996-09-19 1998-04-14 Taiyo Yuden Co Ltd 厚膜回路基板及びその製造方法
US6008582A (en) * 1997-01-27 1999-12-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plasma display device with auxiliary partition walls, corrugated, tiered and pigmented walls
JPH11191634A (ja) 1997-12-25 1999-07-13 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JPH11298041A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Toyoda Gosei Co Ltd 3族窒化物半導体発光素子及び光源装置
JP4156072B2 (ja) 1998-04-23 2008-09-24 アビックス株式会社 交流電源用led集合ランプ
JP2001237462A (ja) 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Led発光装置
JP2002094121A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置
US6583550B2 (en) 2000-10-24 2003-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Fluorescent tube with light emitting diodes
JP3863028B2 (ja) 2001-02-06 2006-12-27 常盤電業株式会社 発光体および信号灯
JP2002299801A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 回路基板
JP2002304903A (ja) 2001-04-04 2002-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 照明器具
JP4899249B2 (ja) 2001-04-05 2012-03-21 旭硝子株式会社 無鉛ガラス、ガラスセラミックス組成物およびガラスペースト
JP3960053B2 (ja) 2002-01-18 2007-08-15 松下電器産業株式会社 半導体発光装置及びこれを用いた照明用発光装置
JP2003273406A (ja) 2002-03-20 2003-09-26 Idec Izumi Corp 発光素子実装基板
KR100891403B1 (ko) * 2002-08-01 2009-04-02 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치
JP4310086B2 (ja) 2002-08-01 2009-08-05 株式会社日立製作所 エンジン用電子機器
JP2004087812A (ja) 2002-08-27 2004-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光体
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US20040173808A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Bor-Jen Wu Flip-chip like light emitting device package
JP4030463B2 (ja) 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Led光源及びその製造方法
EP1658642B1 (en) 2003-08-28 2014-02-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US6942360B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
JP4254669B2 (ja) * 2004-09-07 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置
JP2006080383A (ja) 2004-09-10 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置及びその温度検出方法
KR200373718Y1 (ko) 2004-09-20 2005-01-21 주식회사 티씨오 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
JP2006202528A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
TWI270992B (en) * 2005-07-19 2007-01-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Light emitting diode package and light guide pipe and backlight module and liquid crystal display device using the same
JP4857633B2 (ja) 2005-07-20 2012-01-18 スタンレー電気株式会社 Led光源
JP2007116095A (ja) 2005-07-25 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
CN1909238B (zh) 2005-08-03 2010-11-03 三星电机株式会社 具有保护元件的发光装置及该发光装置的制造方法
EP1750309A3 (en) 2005-08-03 2009-07-29 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Light emitting device having protection element
JP2007123789A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Mitsumi Electric Co Ltd 電子モジュールにおける電子部品実装構造
TWM289865U (en) 2005-11-08 2006-04-21 Lighthouse Technology Co Ltd Sectional light emitting diode backlight unit
US20090268450A1 (en) 2005-11-28 2009-10-29 Katsutoshi Kojoh Lighting device and method of producing the same
KR100997946B1 (ko) * 2005-12-22 2010-12-02 파나소닉 전공 주식회사 Led를 가진 조명 장치
JP4049186B2 (ja) 2006-01-26 2008-02-20 ソニー株式会社 光源装置
US20100084683A1 (en) 2006-02-23 2010-04-08 Novalite Optronics Corp. Light emitting diode package and fabricating method thereof
TWI284433B (en) 2006-02-23 2007-07-21 Novalite Optronics Corp Light emitting diode package and fabricating method thereof
CN100449202C (zh) 2006-02-28 2009-01-07 周维平 七彩装饰灯串
JP2007250899A (ja) 2006-03-16 2007-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
JP2007294547A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Sharp Corp 半導体発光装置
EP2021688B1 (en) * 2006-05-05 2016-04-27 Cree, Inc. Lighting device
JP4975370B2 (ja) 2006-05-16 2012-07-11 株式会社フジクラ 発光装置
JP2007324205A (ja) 2006-05-30 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2007332009A (ja) 2006-06-19 2007-12-27 Noritake Co Ltd 無鉛絶縁ガラス組成物および無鉛絶縁ガラスペースト
JP2008004844A (ja) 2006-06-23 2008-01-10 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
KR100809263B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 직하 방식 백라이트 장치
JP5555971B2 (ja) 2006-07-18 2014-07-23 日亜化学工業株式会社 線状発光装置およびそれを用いた面状発光装置
JP2008041290A (ja) 2006-08-02 2008-02-21 Akita Denshi Systems:Kk 照明装置及びその製造方法
JP2008066161A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
JP4882634B2 (ja) 2006-09-26 2012-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008085109A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード実装用基板
JP2008235719A (ja) 2007-03-22 2008-10-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
EP1928026A1 (en) 2006-11-30 2008-06-04 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
TW200845423A (en) 2006-12-04 2008-11-16 Alps Electric Co Ltd Light emitting device and projector
TW200837943A (en) 2007-01-22 2008-09-16 Led Lighting Fixtures Inc Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters
JP2008205170A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Nec Lighting Ltd 発光半導体デバイス
JP4753904B2 (ja) 2007-03-15 2011-08-24 シャープ株式会社 発光装置
JP2009040884A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Hitachi Ltd 光反射部形成用樹脂組成物、その組成物の皮膜を有する配線基板とその製造方法、光半導体パッケージ、および照明装置
JP2009059883A (ja) 2007-08-31 2009-03-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP5538671B2 (ja) 2007-09-19 2014-07-02 シャープ株式会社 発光装置およびledランプ
JP5329787B2 (ja) 2007-09-28 2013-10-30 パナソニック株式会社 実装基板およびledモジュール
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
TWI378573B (en) * 2007-10-31 2012-12-01 Young Lighting Technology Corp Light emitting diode package
US9172012B2 (en) 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8049237B2 (en) 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
JP2009206383A (ja) 2008-02-29 2009-09-10 Sharp Corp Ledモジュール及びそれを備えるled点灯装置
JP2009231148A (ja) 2008-03-24 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP5355030B2 (ja) * 2008-04-24 2013-11-27 シチズンホールディングス株式会社 Led光源及びled光源の色度調整方法
US8461613B2 (en) 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
JP5391767B2 (ja) * 2008-05-30 2014-01-15 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明器具
KR101018153B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지
JP5283539B2 (ja) 2009-03-03 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法
TW201042324A (en) * 2009-05-26 2010-12-01 Tpo Displays Corp System for displaying images
JP5499325B2 (ja) 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP2011009298A (ja) 2009-06-23 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード光源装置
JP5726409B2 (ja) 2009-07-01 2015-06-03 シャープ株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP5118110B2 (ja) 2009-09-14 2013-01-16 シャープ株式会社 発光装置
JP3156708U (ja) 2009-10-28 2010-01-14 柏友照明科技股▲フン▼有限公司 一体成型の外観を具えた発光ダイオードランプ構造
JP2011151268A (ja) 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
JP5612991B2 (ja) 2010-09-30 2014-10-22 シャープ株式会社 発光装置及びこれを備えた照明装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060129A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nec Lighting Ltd フルカラー発光ダイオード
JP2008235680A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2008235824A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
JP2009135485A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009164157A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nichia Corp 発光装置
JP2011049516A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd 演色性と輝度を高める混光式ledパッケージ構造

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9245873B2 (en) 2010-04-16 2016-01-26 Nichia Corporation Light emitting device
US10707188B2 (en) 2010-04-16 2020-07-07 Nichia Corporation Light emitting device
JP2011238902A (ja) * 2010-04-16 2011-11-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US9786637B2 (en) 2010-04-16 2017-10-10 Nichia Corporation Light emitting device
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
JP2012142428A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2013137986A (ja) * 2011-11-29 2013-07-11 Nichia Corp 発光装置、照明器具
JP2013135010A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
US9577153B2 (en) 2012-02-20 2017-02-21 Sharp Kabushiki Kaisha Light emission device and illumination device
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
JP5902301B2 (ja) * 2012-07-09 2016-04-13 シャープ株式会社 発光装置、および照明装置
JP2014022406A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2014067816A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2014082236A (ja) * 2012-10-12 2014-05-08 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置
WO2014091655A1 (ja) * 2012-12-13 2014-06-19 パナソニック株式会社 発光装置、照明用光源及び照明装置
US9689537B2 (en) 2012-12-13 2017-06-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device, illumination light source, and illumination device
KR102145919B1 (ko) 2014-05-30 2020-08-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR20150137784A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
USD751517S1 (en) 2014-06-16 2016-03-15 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD751046S1 (en) 2014-06-16 2016-03-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD751045S1 (en) 2014-06-16 2016-03-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD781255S1 (en) 2014-06-16 2017-03-14 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP2016092362A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JP2016119381A (ja) * 2014-12-19 2016-06-30 シチズン電子株式会社 Led発光モジュール
JP2016174120A (ja) * 2015-03-18 2016-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017085096A (ja) * 2015-10-23 2017-05-18 シチズン電子株式会社 発光モジュール
JP2017103416A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 シチズン電子株式会社 Led発光モジュール
JP2016042602A (ja) * 2015-12-17 2016-03-31 シャープ株式会社 発光装置および照明装置
KR20180114164A (ko) * 2016-07-21 2018-10-17 산켄덴키 가부시키가이샤 발광장치
KR102092573B1 (ko) * 2016-07-21 2020-03-24 산켄덴키 가부시키가이샤 발광장치
JP2018046113A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 シチズン電子株式会社 発光装置
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US11043475B2 (en) 2018-06-22 2021-06-22 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US11798920B2 (en) 2018-06-22 2023-10-24 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
JP2019145820A (ja) * 2019-04-10 2019-08-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2021118131A1 (ko) * 2019-12-12 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021125704A1 (ko) * 2019-12-16 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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