JP2009524567A5

JP2009524567A5 -

Info

Publication number: JP2009524567A5
Application number: JP2008541404A
Authority: JP
Filing date: 2006-11-20
Publication date: 2009-11-26
Anticipated expiration: 2026-11-20

Claims

炭素主体層を備えるナノワイヤ。
前記炭素主体層は実質的に底面炭素がない、請求項１に記載のナノワイヤ。
コアをさらに備える、請求項１に記載のナノワイヤ。
前記コアが半導体材料を含む、請求項１に記載のナノワイヤ。
前記半導体材料が、Ｓｉ、Ｂ、ＳｉＣおよびＧａＮからなる群より選択される、請求項４に記載のナノワイヤ。
前記半導体材料が高度にドープされている、請求項４に記載のナノワイヤ。
前記コアおよび／または前記炭素主体層が炭素を含む、請求項３に記載のナノワイヤ。
前記コアおよび／または前記炭素主体層が本質的に炭素からなる、請求項３に記載のナノワイヤ。
前記コアおよび／または前記炭素主体層が炭素からなる、請求項３に記載のナノワイヤ。
前記コアが炭化物を含む、請求項３に記載のナノワイヤ。
前記コアがＳｉＣを含む、請求項１０に記載のナノワイヤ。
前記コアがＳｉであり、前記炭素主体層がＳｉＣである、請求項３に記載のナノワイヤ。
前記コアがＳｉＣであり、前記炭素主体層が炭素である、請求項３に記載のナノワイヤ。
前記炭素主体層が約１ｎｍ〜約５００ｎｍの厚さである、請求項１に記載のナノワイヤ。
コア、界面炭化物層および該界面炭化物層上に形成される炭素主体構造を備えるナノワイヤ構造。
前記炭素主体構造が、前記界面炭化物層上に形成される少なくとも１つのナノグラファイト板を含む、請求項１５に記載のナノワイヤ構造。
前記コアが半導体材料を含む、請求項１５に記載のナノワイヤ構造。
前記半導体材料が、Ｓｉ、Ｂ、ＳｉＣおよびＧａＮからなる群より選択される、請求項１７に記載のナノワイヤ構造。
前記コアが、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２およびＴａ_２Ｏ_５からなる群より選択される無機系酸化物；ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＮｂＣ、ＷＣ、Ｗ_２Ｃ、ＭｏＣおよびＭｏ_２Ｃからなる群より選択される無機系炭化物；またはＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＷＮ、ＭｏＮおよびＢＮからなる群より選択される無機系窒化物を含む、請求項１７に記載のナノワイヤ構造。
前記界面炭化物層が、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＮｂＣ、ＷＣ、Ｍｏ_２Ｃおよびその混合物からなる群より選択される、請求項１５に記載のナノワイヤ構造。
前記コアが、約５００ｎｍ未満の断面直径および約５０ｎｍより長い長さを有する、請求項１５に記載のナノワイヤ構造。
前記少なくとも１つのナノグラファイト板が、前記コアから約１ｎｍ〜約１００ｎｍの距離離れたところまで延びており、少なくとも２〜１５のグラフェン層を備え、該コアの長軸に対して約０°〜約９０°の角度で配向される、請求項１６に記載のナノワイヤ構造。
１つ以上の請求項１５に記載のナノワイヤ構造を含む溶液。
界面活性剤、ポリマーおよび／またはイオノマーの１種類以上をさらに含む、請求項２３に記載の溶液。
前記ナノワイヤ構造が、容積基準で前記溶液の約０．１％〜約２０％を構成する、請求項２３に記載の溶液。
（ａ）ナノワイヤコアを加熱すること；および
（ｂ）該ナノワイヤコアを１種類以上の炭素含有ガスと接触させ、該ナノワイヤ上に炭素主体層コアを形成させること
を含む、ナノワイヤの製造方法。
前記加熱が約６００℃より高い温度までである、請求項２６に記載の方法。
前記接触工程が、一酸化炭素、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレンまたはプロピレンを含むガスと接触させることを含み、任意選択で、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅまたはＨ_２を含むガスと接触させることをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
前記加熱工程前に該ナノワイヤコア上に、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３およびＷＯ_３からなる群より選択される前駆体コーティングを形成させることをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
（ａ）ナノワイヤコアを加熱すること；
（ｂ）該ナノワイヤコアを１種類以上の炭素含有ガスと接触させ、該ナノワイヤコア上に界面炭化物層を形成させること；および
（ｃ）少なくとも１つの炭素主体構造を該界面炭化物層上に形成させること
を含む、ナノワイヤ構造の製造方法。
複数の請求項１６に記載のナノワイヤ構造を備え、該ナノワイヤ構造が前記ナノグラファイト板により接続される相互接続型ナノワイヤネットワーク。
請求項３１に記載の相互接続型ナノワイヤ構造を含むアノード、カソード、セパレータおよびリチウム電解質を備えるリチウム電池。
（ａ）複数のナノワイヤコアを液体中に分散させること；
（ｂ）該ナノワイヤコアを濾過し、ナノワイヤマットを作出すること；
（ｃ）該ナノワイヤマットを加熱すること；
（ｄ）該ナノワイヤマットを１種類以上の炭素含有ガスと接触させ、該ナノワイヤコア上に界面炭化物層を形成させること、および
（ｅ）ナノグラファイト板を該界面炭化物層上に形成させ、該ナノグラファイト板が該ナノワイヤコアを相互接続するようにすること
を含む、相互接続型ナノワイヤネットワークの製造方法。
第１の表面および第２の表面を有する半導体ウェハを準備すること；
１つ以上のチャネルを該第１の表面および第２の表面上に形成させること；
１つ以上のナノワイヤを該第１および第２の表面内のチャネル内に配設すること；
該ナノワイヤと該第１および第２の表面を１種類以上の炭素含有ガスと接触させ、炭素主体層を該ナノワイヤと該第１および第２の表面上に形成すること；ならびに
１種類以上の金属触媒を該ナノワイヤ上に配設すること
を含む、燃料電池電極の作製方法。
（ａ）１つ以上のナノワイヤを溶液中に分散させること；
（ｂ）１種類以上の触媒金属を該溶液中に添加すること；および
（ｃ）該溶液を還流し、それにより、該触媒金属を該ナノワイヤと会合した状態にすること
を含む、ナノワイヤと会合した１種類以上の触媒金属を含む１つ以上のナノワイヤの作製方法。
（ａ）ガス拡散層を設けること；
（ｂ）触媒金属会合型ナノワイヤの第１の組成物を該ガス拡散層に隣接して配設すること；
（ｃ）膜層を、該第１の触媒金属会合型ナノワイヤ組成物に隣接して配設すること；および
（ｄ）触媒金属会合型ナノワイヤの第２の組成物を該膜層に隣接して配設すること
を含む、燃料電池膜電極アセンブリの作製方法。
（ａ）第１の端板を設けること；
（ｂ）第１のガスケットを該端板に隣接して配設すること；
（ｃ）請求項３６に記載の方法によって作製される膜電極アセンブリを該第１のガスケットに隣接して配設すること；
（ｄ）ガス拡散層を該膜電極アセンブリに隣接して配設すること；
（ｅ）第２のガスケットを該ガス拡散層に隣接して配設すること；および
（ｆ）第２の端板を該第２のガスケットに隣接して配設すること
を含む、燃料電池電極積層体の作製方法。
コア、界面炭化物層および該界面炭化物層上に形成される炭素主体構造、ならびにカーボンブラックを備える１つ以上のナノワイヤを含む導電性複合材料。
コア、界面炭化物層および該界面炭化物層上に形成される炭素主体構造、ならびにカーボンブラックを備える１つ以上のナノワイヤを含む多孔質触媒担持体。
コア、界面炭化物層および該界面炭化物層上に形成される炭素主体構造、カーボンブラック、ならびにナノワイヤおよび該カーボンブラックと会合した１種類以上の触媒金属を備える１つ以上のナノワイヤを含む触媒。