JP2005136377A - 半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置 - Google Patents

半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005136377A
JP2005136377A JP2004201021A JP2004201021A JP2005136377A JP 2005136377 A JP2005136377 A JP 2005136377A JP 2004201021 A JP2004201021 A JP 2004201021A JP 2004201021 A JP2004201021 A JP 2004201021A JP 2005136377 A JP2005136377 A JP 2005136377A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
gas
permeable member
wafer
fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004201021A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Roger Matthews
ロバート ロジャー マシューズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Legacy Systems Inc
Original Assignee
Legacy Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Legacy Systems Inc filed Critical Legacy Systems Inc
Publication of JP2005136377A publication Critical patent/JP2005136377A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/005—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being ozonated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)

Abstract

【課題】半導体ウェーハから有機物質を除去する装置を提供する。

【解決手段】該装置は、また、半導体ウェーハ（１４）を流体で処理するためのタンク（１３）および、ガスを、ウェーハ処理タンク（１３）中の流体中に直接拡散させるためのガスディフューザー（４）からなる。

【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造に関する。さらに特に、本発明は、ウェーハ製造の湿式エッチング／洗浄段階中に、ウェーハから有機物質を除去する、優れた方法に関する。本発明はまた、この方法を実施するための装置および、半導体製造中に流体中でウェーハを処理することを含む他の方法に関する。
半導体を製造するにあたり、いくつかの加工段階には、ウェーハと流体とが接触することが必要である。このような加工段階の例には、エッチング、フォトレジストストリッピングおよび拡散前洗浄(prediffusion cleaning) が含まれる。しばしば、これらの段階で用いられる化学物質は、これらが強酸、アルカリまたは揮発性溶媒を含むために、極めて有害である。
半導体ウェーハと加工流体とを接触させるのに従来用いられている装置は、中に半導体ウェーハのカセットロード(cassette load) を浸漬させる、一連のタンクまたはへこみ部分から成る。このような従来の湿式加工装置は、いくつかの困難を発生している。
第１に、ウェーハをタンクからタンクへと移動させる結果、汚染が発生し、この汚染は、製造工程で形成する微視的回路に極めて有害である。第２に、用いられる有害な化学物質および脱イオン水を、新たな溶液と定期的に交換し、タンクに、通常ビン注入、化学分配により、または脱イオン水の場合には、蓄積設備(building facilities) から導入しなければならない。一般的に、化学物質は、化学会社により製造され、半導体製造プラントに輸送される。従って、化学純度は、化学物質製造業者により用いられる水の品質、化学物質を輸送し、貯蔵するために用いられる容器および化学物質の取り扱いにより、制限される。
さらに、化学物質が老化するに従って、これは、空気またはウェーハからの不純物で汚染される。流体再生の前の最後のバッチのウェーハの処理は、新たな溶液中での第１のバッチのウェーハの処理と同等には能率的ではない。不均一な処理は、半導体製造における主要な懸念である。
半導体製造の若干の流体接触段階は、ウェーハ表面からの有機物質および不純物の除去を含む。例えば、集積回路の製造において、フォトレジスト被膜をケイ素ウェーハ上に、製造工程の一部として焼き付けるのが一般的である。フォトレジストまたは有機物質のこの被膜は、加工後に除去しなければならない。
一般的に、湿式フォトレジストストリップ工程は、過酸化水素またはオゾンのいずれかの酸化剤を添加した硫酸の溶液により実施する。この方法は、米国特許第４，８９９，７６７号および同第４，９１７，１２３号明細書において、ＣＦＭ技術と呼ばれている。しかし、酸化剤および硫酸の溶液を用いて、半導体製造中にフォトレジストをウェーハからストリップすることには、多くの欠点がある。第１に、酸化剤として過酸化水素を用いる際の、レジストストリップ反応の副生成物が水であり、これが、浴の濃度を低下させ、これによりフォトレジストをストリップする能力が低下する。第２に、この工程は、高温、一般的には８０〜１５０℃、代表的には約１３０℃を超える温度で進行し、これには、溶液を収容し、循環させ、濾過するための、特別の耐熱性材料および部品が必要であり、さらに洗浄工程を実施するために、余分なエネルギーが必要である。第３に、溶液が、取り扱い、処置するのに有害であり、製造、輸送および貯蔵するのに高い費用がかかる。
さらに、加工浴中に、溶解した、および溶解していない不純物が蓄積するため、溶液を周期的に交換しなければならない。代表的に、化学物質の交換の間隔は、約８時間おきである。この化学物質が、排出配管に悪影響を与えるため、溶液を、処置前に、約９０℃より低い温度に冷却しなければならない。従って、このフォトレジストストリッピング方法を用いるには、高温溶液を収容するための付加的なタンクを用いるかまたは、化学物質の交換の周期の間、加工ステーションを閉鎖することが必要であり、これによりウェーハ処理量が低下し、所有費用が増大する。
最後に、フォトレジストを除去するために硫酸溶液を用いた後に、ウェーハを高温脱イオン水ですすがなければならない。その理由は、硫酸塩残留物が、加工中にウェーハ上で結晶し、加工欠陥の原因となるからである。
有機および金属表面汚染物を除去するのにしばしば用いられる他の方法は、「ＲＣＡ洗浄」方法であり、この方法では、水酸化アンモニウム、過酸化水素および水の第１溶液、並びに、塩酸、過酸化水素および水の第２溶液が用いられる。このＲＣＡ洗浄溶液は、代表的には、別個のタンク中で混合する。ウェーハを、第１に、水酸化アンモニウム溶液により洗浄し、次にすすぎタンクに移動し、次に塩酸洗浄溶液を含むタンクに移動し、次に最終すすぎタンクに移動する。この方法は、硫酸を用いる方法と同様に、強力な化学物質を用いるという欠点を有する。さらに、タンクからタンクへとウェーハを移動する間に、ウェーハが空気に暴露され、汚染する。最後に、過酸化物の使用により、ウェーハが，高いｐＨの水酸化アンモニウム溶液中のアルミニウムから堆積したアルミニウム汚染物により汚染され、これは、塩酸溶液中で完全には除去することはできない。
半導体ウェーハを流体で処理するのに用いられる方法および装置を改良するために、種々の試行が行われた。現在の方法を改良するこれらの試行は、一般的には、装置の変更または加工化学物質の変更である。
流体処理中のウェーハの汚染に関する問題を解消するための１つの方法は、米国特許第４，７７８，５３２号、同第４，７９５，４９７号、同第４，８９９，７６７号および同第４，９１７，１２３号明細書に開示されている。これらの特許明細書には、密閉フルフロー方法および装置が開示されており、これにより、加工段階の間、加工流体が、ウェーハを過ぎて、ウェーハを移動するかまたはオペレーターが取り扱うことなく、逐次的かつ連続的に流れることが可能になる。しかし、これらの特許には尚、有害な化学物質を用いて、流体処理およびウェーハの洗浄を実施することが教示されている。さらに、密閉機器に必要である装置は、ウェーハ処理量において制限される。その理由は、一連のすべての工程が、同一の容器中で、高濃度溶液を用いて実施されるからである。
米国特許第４，８９９，７６７号明細書には、硫酸および酸化剤溶液を調製するための、別個の混合タンクを用いることが教示されており、この溶液は、次に、処理タンク中に移送しなければならない。別個のタンクとする理由は、過酸化水素が分解して酸素および水となることによる圧力の集積による爆発の可能性を除去するためである。
サブミクロン システムズ インコーポレーテッド(SubMicron Systems, Inc.) に付与された米国特許第５，０８２，５１８号明細書には、半導体ウェーハを洗浄する、硫酸および酸化剤方法を改善する、別の方法が記載されている。この特許明細書において、このシステムは、ガスを、タンク中の浴中に分布させるための拡散穴を有するスパージャープレートを備えた、ガス分布システムを提供する。このように、米国特許第４，８９９，７６７号明細書のように、混合用の別個のタンクを用いるのとは異なり、サブミクロンの特許は、オゾンを、硫酸を含む処理タンク中に直接分布させる装置を提供する。しかし、この拡散システムは、若干の欠点を有することが見出された。第１に、オゾン分布および水中への吸収の能率は、装置によって形成した、オゾンの大きい気泡により低下する。吸収されるオゾンの量は、硫酸と反応して、ウェーハから有機物質を除去する能力に関して重要である。さらに、米国特許第５，０８２，５１８号明細書に記載された拡散エレメントのタイプは、オゾンをタンク中に均一には分布させないと考えられている。最後に、ウェーハの洗浄工程を改善する前記の試行と同様に、有害な化学物質が必要であり、取り扱いおよび処置の問題が生じている。
有害化学物質を用いる問題を解消する試行は、Ohmi等、J. Electrochem. Soc., Vol. 140, No. 3, 1993 年3 月、第８０４〜８１０頁に記載されており、これには、オゾン注入超高純度水を用いて、有機不純物をケイ素ウェーハから室温で洗浄除去することが記載されている。しかし、この方法もまた、若干の欠点を有する。Ohmi等は、極めて薄い有機物質の層、即ち、リソグラフィー方法から残留した界面活性剤の層の除去方法のみを提供している。Ohmi等によって記載された方法は、合理的な時間の枠でフォトレジストを除去することはできない。この方法は、５０Åより薄い有機汚染層を意図し、これにおいて作用する。５０〜２５０ミルの有機汚染層において作用するには、この方法は遅すぎる。従って、有害化学物質を用いることなく、すべての厚さの有機物質を半導体ウェーハから迅速かつ能率的に除去する方法は、業界においては未だ達成されていない。
前記の問題を回避する一方、有機物質の能率的な除去を提供することができる、半導体製造中の有機物質の除去方法は、半導体工業において価値が大きい。さらに、複数のタンクの必要性を解消する、このような方法を実施する装置もまた、半導体工業において価値が大きい。
従って、本発明の目的は、フォトレジストまたは他の有機物質を、半導体ウェーハから除去する、有害物質を用いない方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、タンクの冷却または化学物質の交換によるアイドルステーションを必要としない方法を提供することにある。
本発明の尚他の目的は、１つより多い処理を，ウェーハを別のタンクに移動することなく実施することができる、半導体ウェーハの流体処理用のシステムを提供することにある。
本発明のこれらのおよび他の目的は、以下の明細書および添付した請求の範囲を参照することにより明らかである。
前記の目的は、有機物質を半導体ウェーハから除去するにあたり、ウェーハを、オゾンおよび水の溶液と、約１〜約１５℃の温度で接触させることを特徴とする、有機物質を半導体ウェーハから除去する方法により達成される。ウェーハを、溶液と、ウェーハからの有機物質を酸化するのに十分な時間接触させるのが好ましい。
本発明の他の例において、半導体ウェーハを、脱イオン水を含むタンク中に配置し、オゾンを脱イオン水中に、ウェーハからの有機物質を酸化するのに十分な時間拡散させ、脱イオン水を、約１〜約１５℃の温度に維持し、ウェーハを脱イオン水ですすぐことを含む、有機物質を除去する方法を提供する。好適例において、除去される有機物質はフォトレジストである。
本発明の他の例において、半導体ウェーハを、脱イオン水を含むタンク中に配置し、オゾンを脱イオン水中に拡散させ、同時にオゾンを脱イオン水中に吸収させ，吹き込む際にオゾンを紫外線に露光して、酸素遊離基および酸素分子を形成し、これが有機物質を不溶性ガスに酸化し、脱イオン水を、約１〜約１５℃の温度に維持し、ウェーハを脱イオン水ですすぐことを含む、有機物質を半導体ウェーハから除去する方法を提供する。
さらに、本発明の目的は、半導体ウェーハを流体で処理するためのタンクであって、流体をタンク中に供給するための、タンクに接続された手段、少なくとも１つのウェーハをタンク内に、流体と接触させて支持する手段、ガスをタンク中に注入するための、タンクに接続された手段、およびガスをタンク中に拡散させて、ガスが流体中に吸収され、タンク中に配置された各ウェーハの表面に接触するようにした手段を備える、半導体ウェーハを流体で処理するためのタンクにより達成される。拡散用の手段は、透過性部材および不透過性部材を有する複合エレメント、上部および下部を有する透過性部材、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段並びに透過性部材の外周とオープンスペースを形成する手段との間の透過性部材の上部上に位置する溝を形成する手段を備える。不透過性部材は、不透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段を有し、これは、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段に対応する。透過性部材および不透過性部材を、溝が、透過性部材の上部において開いており、不透過性部材により覆われるように接合する。複合エレメントを、タンクの底部に接続された透過性部材の下部に配置する。
好適例において、タンクは、第１側および第２側を有し，タンクの第１側は、タンクの上部において鉛直部を有し、タンクの底部において内方へ先細の部分を有し、先細部は鉛直部より長く、タンクの第２側はタンクの上部において鉛直部を有し、タンクの底部において内方へ先細の部分を有し、先細部は鉛直部より短い。
さらに、本発明の目的は、本発明のガスディフューザーにより達成される。
本発明の方法は、製造工程中に、半導体ウェーハから有機物質を除去する際に、有害化学物質を用いる必要性を解消する。オゾンは、室温またはこれより高い温度で、脱イオン水にほとんど溶解しないが、驚異的なことに、本発明者等は、周囲以下の脱イオン水溶液中にオゾンを拡散させると、有機物質、例えばフォトレジストが、他の化学物質を用いることなく、ウェーハから迅速かつ能率的に除去されることを見出した。意外なことであるが、溶液の温度を低下させることにより、溶液中のオゾン濃度を、ウェーハ上のほとんどすべての有機物質を酸化するのに十分高くすることができると考えられている。
フォトレジストの除去において、本発明の方法の結果、存在する有機物質が、不溶性ガス、例えばＣＯx およびＮＯx に酸化される。これらのガスは、溶液から気泡として除去され、システムから、通常フードまたは他の排出装置中に排出される。
脱イオン水中に十分に高いオゾン濃度を得るために、代表的には、浴を、約１〜約１５℃に維持する。約１℃より低いと、タンク中に氷が生じうる。これらの半導体加工タンクは、代表的には、石英製であるため、氷により、石英が破損し、ケイ素ウェーハの、加工容器中および加工容器外への移動が阻害される。さらに、水の物理状態が、液体から固体へと変化し、ガスを均一に吸収することができないため、システムが機能しない。１５℃より高いと、十分な量のオゾンが脱イオン水中に吸収されず、適時の方式で半導体ウェーハ上の有機物質を除去することができない。好適例において、浴は、約５〜約９℃である。
適切な温度は、当業者に知られている任意の方法により維持することができ、この方法には、浴自体を冷却するかまたは、好ましくは、浴に、新鮮な周囲以下の脱イオン水を、連続的に供給することが含まれる。好適例において、水は、加工用化学物質として用いられ，水の全部または一部を、水が処理帯域に進入する前に、冷却器を通す。
ウェーハを、冷却オゾン含有水を含むタンク中に直接配置するかまたは、好ましくは、ウェーハを、脱イオン水を含むタンク中に配置し、オゾンをタンク中に拡散させることができる。好ましくは、オゾンを、ウェーハ上の有機物質をほとんどすべて酸化するのに十分な時間にわたり、周囲以下の水溶液中に拡散させる。オゾンを水中に拡散させるのに必要な時間の合計は、除去される有機物質の性質および当該物質の量に依存する。水浴の特定の温度はまた、オゾンの拡散に要する時間に影響する。その理由は、オゾンが水中に吸収される量は、温度に依存し、水溶液の酸化力は、吸収されたオゾンの量に依存するからである。
一般的に、オゾンを、脱イオン水中に、約１〜約１５分間拡散させる。好適例において、オゾンを、脱イオン水中に、約５〜約１０分間拡散させる。他の例において、オゾンを、水溶液中に拡散させ、紫外線源からの紫外線に露光して、酸素遊離基および酸素分子を生成し、これが、ウェーハ上の有機物質またはフォトレジストを酸化する。
水溶液中のオゾンが、有機物質を十分に酸化した後、ウェーハを、約１〜約５分間、新鮮な脱イオン水ですすぐ。このすすぎ工程は、一般的に、周囲温度で実施する。本発明の好適例において、ウェーハを、２回目には、約６５〜約８５℃に加熱した脱イオン水ですすいで、水溶性物質、例えばナトリウムおよびカリウムを、ウェーハの表面から除去する。アルカリおよびアルカリ土類金属は、フォトレジスト中の汚染物から発生する。
本発明の方法による、有機物質の除去を、任意のタイプのウェーハ浴またはウェーハ洗浄装置中で実施することができる。しかし、本発明のオゾン含有水方法は、オゾンが溶液中で各ウェーハと接触することにより、フォトレジストまたは他の有機物質を酸化することによって作動する。従って、オゾンを、各ウェーハがオゾンに接触するように、タンク中に分散させなければならない。
レジストがウェーハから浮き上がり、化学物質中で消化（酸化）される、硫酸方法とは異なり、本発明のオゾン含有水方法は、レジストをウェーハから浮き上がらせず、オゾンをウェーハと接触させることによってのみフォトレジストを酸化する。オゾンがタンク中に適切に分散しないかまたはウェーハが、ウェーハ収納容器により遮蔽される場合には、レジストは除去されない。従って、オゾンが、タンク中に、これが水に十分吸収され、処理帯域中の各ウェーハの表面と均一に接触するように、存在するのが好ましい。この方法により、有機フォトレジストが不溶性ガスに直接酸化され、浴内に粒子が蓄積する問題および濾過装置の必要性が解消する。
好適例において、本発明の方法を、図１に示す装置で実施する。加工は、フード付きの、排気した湿式ステーション中で実施し、適切なオゾン監視および接触破壊装置を定位置に配置する。有機物質を除去する、レジスト付きのウェーハまたは他のウェーハを、周囲以下の脱イオン水（１〜１５℃）を充填した加工タンク１３中に導入する。タンクを、低流量（約０．５ｇｐｍ）カスケードモードで作動させ、加工中に、水供給管７が、冷却器８を通って延在して、冷却脱イオン水の連続的流れを提供する。次に、オゾン発生器６からのオゾンを、導管５を通して、その場のディフューザー４によりタンク中に拡散させる。レジストストリップを適時に行い、その後、オゾンを停止し、ウェーハを、連続的な高い流量の（約１０〜１５ｇｐｍ）脱イオン水ですすぐ。排出管１２を、脱イオン水回収管１０に流し、新鮮な脱イオン水を、洗浄用として活用する。適時の周囲脱イオン水すすぎの後、ウェーハを随意に、高温脱イオン水ですすぐことができる。
本発明の特に好ましい例において、加工を、図２に示すタンク中で実施し、これは、図３に示すガスディフューザーを含む。しかし、本発明の図１に示す装置、図２に示すタンクおよび図３に示すガスディフューザーが、本発明のオゾン含有水方法に用いるのに特に好ましいが、これらはまた、半導体ウェーハのすべての流体処理を実施するのに用いることができる。特に、ウェーハから有機物質を除去する既知の方法を、本発明の装置およびタンクにおいて用いることができる。本発明者は、本発明の装置を用いて、既知の方法を、複数のタンクを必要とせずに、能率的に実施することができることを見出した。さらに、本発明の装置は、化学物質をその場で発生する能力を提供し、化学物質の老化または、有害な化学物質の、離れた位置への移動の問題を回避する。
半導体ウェーハを流体で処理する好ましい装置は、フード付きの排気した湿式ステーションにおいて用いるためのタンクを備える。このタンクは、一般的に、流体をタンクに供給するための、タンクに接続された手段、タンク内の少なくとも１つのウェーハを流体と接触させて支持する手段、ガスをタンク中に注入するための、タンクに接続された手段およびガスをタンク中に、ガスが流体中に吸収され、タンク中に配置した各ウェーハの表面に接触するように拡散させる手段を有する。
図１は、本発明の好適例を示す。タンク１３は、半導体ウェーハ処理に用いられる流体を収容する。
流体をタンク１３に供給する手段は、一般的に、タンクに接続された導管であるが、流体の流れをタンクに供給するための、当業者に知られている任意の装置または機器を用いることができる。流体を、タンクに、例えば、ペルフルオロアルコキシビニルエーテル（ＰＦＡ）管またはパイプ、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）管またはパイプ、ポリビニリデンフルオリド（ＰＶＤＦ）管またはパイプあるいは石英管により、供給することができる。好ましくは、ＰＦＡ管またはパイプを用いる。好適例において、ＰＦＡ管をタンクに、フレア付き取り付け接続部品で接続する。
図１に示す好適例において、流体を供給する手段は、タンクの底部の供給管７を通り、流体は、タンク１３中に、上方に流れる。一般的に、タンクは、連続的オーバーフロー方式で作動し、従って、流体は、流体を供給する手段から上方に流れ、タンクの最上部に到達する際に、流体は、タンクからオーバーフローウェア(overflow weir) １へとオーバーフローし、新鮮な流体が，タンクの底部に導入される。流体を処理タンクに導入し、ここから除去する、この方法は、半導体製造業界において、よく知られている。
オーバーフローウェア１から、流体は、帰り管１２中に供給される。三方バルブ１１は、流体を管９により再循環させるかまたは流体を排出管１０を通して排出させる作用を有する。
ガスをタンク中に注入する手段は、ガスを、半導体ウェーハ処理用のタンクに供給するための、業界において知られている任意のものとすることができる。ガスをディフューザーに、例えば、ＰＦＡ管あるいはＰＴＦＥ管またはパイプを用いて送ることができる。好ましくは、フレア付き取り付け部品を備えたＰＦＡ管系を用いて、ガスをタンク中に注入する。
図１は、ガスをタンク中に、５において注入する手段を示し、これは、タンクに、タンクの底部、ガスをタンク中に拡散させる手段の下に接続されている。導管５は、ガスをディフューザー４中に直接供給して、ガスの均一の流れをタンクに供給する。
少なくとも１つのウェーハをタンク中に、流体と接触させて支持する手段（図２に示す）は、ウェーハを、処理溶液と接触させて配置するための、業界で知られている任意の手段とすることができる。このために有用であるウェーハボートおよびカセットが、よく知られている。
好ましくは、本発明のオゾン含有水方法を、タンク中で実施する際に、ボートまたはカセットは、タンク中の各ウェーハを横切る流体流を均一にする。好適例において、ウェーハを横切る流体流の自由度を最大にするために、タンク中にウェーハを支持する、カセットを用いないシステムを用いる。好ましい支持システムは、フォーロッドエンドエフェクタ１５（図２）を用いることによるものであり、これにより、ウェーハが、支持体により、２点でのみ接触することができる。図２は、端板に取り付けられた、支持体の４本のレールの端部を示す図である。接触の点は、５時および７時の位置であり、ウェーハ溝の深さは、約２ｍｍを超えない。最も好ましい例において、ウェーハ支持システムは、ケイ素ウェーハをしっかりと支持し、ウェーハの間の間隔は均一である。
ガスを拡散させる手段は、オゾンまたは他のガスの微細な気泡をタンク中に供給し、ガスをタンク中に均一に分布させ、各ウェーハが、流体中に吸収されたガスと確実に接触するようにする、任意の手段とすることができる。好ましくは、ディフューザーにより供給される気泡は、最初には、直径が約２５〜約４０μである。
ガスを拡散させる手段を用いて、任意のガス、例えば塩化水素ガス、アンモニア、フッ化水素ガス、塩素ガスまたは臭素を、流体処理用のタンク中に送ることができる。これらのガスを、個別に、あるいはオゾンと組み合わせて、または組み合わせないで、拡散手段を通して送って、加工タンク中で種々の化学現象を発生させることができる。
好ましくは、ガスを拡散させる手段は、透過性部材および不透過性部材を有する複合エレメントを備える。透過性部材は，上部および下部、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段、並びに透過性部材の外周とオープンスペースを画成する手段との間の透過性部材の上部上に位置する溝を画成する手段を有する。不透過性部材は、不透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段を有し、これは、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段に対応する。透過性部材および不透過性部材を接合して、透過性部材の上部上の溝が、透過性部材と不透過性部材との間に位置するようにする。複合エレメントは、好ましくは、タンクの底部に接続された透過性部材の底部に配置する。従って、複合エレメントの透過性部分は、タンクの底の方向に向き、複合エレメントの不透過性部分は、タンクの上の方向に向く。溝の開放部分は、複合エレメントの内側の２つの部材の間にある。
本発明において、ガスディフューザー４は、ディフューザー中に受けたガスを、透過性部材の孔を通して、流体溶液中に拡散させることにより作動する。ガスは，第１に、透過性部材の溝孔中に流入する。その理由は、この領域が、ガスの流れに対して、最小の耐性を有するからである。ガス圧が増加するに従って、溝中に流入したガスは、透過性部材の孔を通って、タンクの外へ拡散する。透過性部材の上の不透過性部材が、ガスが、ディフューザーの最上部から流出するのを防止するため、ガスは、ディフューザーの底および側面から流出し、下へ流れる。流体を供給する手段が、タンクの底部にある際には、ガスのこの下への流れは、流体の流れと向流となり、これにより、ガスを、タンク中に上方に流入する流体中に良好に吸収させることができる。
ディフューザーが、疎水性であって、水がガス管中に逆流し、これにより，金属が、ガス調節箱において腐食するのを防止するのが望ましい。さらに、ディフューザーは、オゾンと化学的に相溶性であり、化学的に純粋であって、カチオン、アニオンまたは粒子が、加工浴中に流入するのを防止しなければならない。
ガスディフューザーは、好ましくは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）とペルフルオロアルコキシビニルエーテル（ＰＦＡ）との混合物製である。業界で知られている方法により混合物を調製する温度および圧力を変化させることにより、多孔質および非孔質部材の両方を形成することができる。不透過性および透過性部材は、好ましくは、約９５％のＰＴＦＥおよび約５％のＰＦＡから構成される。透過性部材および不透過性部材を、タンク中の応力下で分解しない複合部材が形成する限りは、任意の多くの方法により接合することができる。好ましくは、部材は、一緒にヒートシールし、実質的に炭素−炭素結合を用いて、部材を一緒に溶融または融解させる。
透過性部材が形成した後、部材の上部のＰＴＦＥから、溝を掘り抜く。形成したディフューザーは、直径が約２５〜約４０μの大きさの、約１００，０００の程度の孔を有し、これを通して、ガスが処理タンク中に透過する。ディフューザーにおいて溝を用いることにより、ガスをタンク中に、流体中に容易に吸収され、タンク中に均一に分布することができる、極めて微細な気泡として拡散させることができる。
本発明の好適例によるディフューザーを、図３に示す。不透過性部材３０は、複合エレメントの上部にある。透過性部材３１は、複合部材の下部にあり、これは、掘り抜いた溝３２を有して、タンク中にガスを均一に分布させる。ディフューザーの好ましい方形の形状を、図３に示す。しかし、種々の形状、例えば、正方形または方形のタンク用に平行なロッドを、あるいは円形または錐形のタンク用に円形のディフューザーを用いることができる。好適例において、ディフューザーは、タンクの底面積の約４分の１である。
ディフューザーを、タンクの底部に設置し、タンクに、任意の適切な手段により取り付けることができる。好ましくは、ディフューザーを、タンクに、使用されていない末端プラグを用いて取り付ける。プラグを、第１に、ディフューザー中に挿入し、次にアセンブリ全体を、タンク中に設置する。導管５は、ガスをディフューザー中に、タンクの底部から直接供給する。これにより、ガスが、溝に進入し、次に、透過性部材の底部および側面から、均一に拡散する。
好適例のタンクを図２に示し（ラベルは、図１に対応する）さらに、ウェーハ１４を、好ましい支持体１５でタンク１３中に保持することを示す。タンク１３は、ウェーハの処理に必要な化学物質の容量を減少させるための、内方に先細の部分を有する、少なくとも２つの側を有する。側の一方は、タンクの上部に鉛直部分を有し、容器の底部に、内方に先細の部分を有し、先細の部分は、鉛直部分より長く、タンクの第２の側は、タンクの上部に鉛直部分を有し、容器の底部に、内方に先細の部分を有し、先細の部分は、鉛直部分より短い。このタンクの構造により、処理中に用いられる化学物質の容量が約２７％減少し、タンク中の溶液の化学組成を迅速に交換することができる。
タンク１３の構造はまた、メガソニック トランスデューサー(megasonic transducer)を用いる際に、利点を提供する。タンク13上には、溶液かきまぜ用の、１つ以上のメガソニック トランスデューサー２が載置されている。このトランスデューサーは、好ましくは、ガス流と垂直ないし垂直から３０°傾いており、ウェーハは、メガソニック ビームと平行に配向している。
好適例におけるメガソニックは、長い方の先細を有するタンクの側面上に載置されている。この反対側には、短い方の先細を有する側面がある。この先細の側は、２つの機能を達成する。第１は、メガソニックパワーが遠い壁面に反射して、トランスデューサーに戻らないことを確実にすることである。このような反射したエネルギーの結果、トランスデューサーが焼け、これにより部品の寿命が縮まる。先細の壁面を選択する第２の理由は、メガソニックパワーを、一定容量のケイ素ウェーハが加工される帯域を通し、遠い壁面に反射したビームを用いて、ケイ素ウェーハの帯域の第２の通路を形成するためである。これにより、各メガ
ソニックパルスは、ウェーハを通る２つの通路を通って、粒子除去能率を高める。
タンク１３はまた、光源３を備えて、溶液を紫外線に露光する。紫外線源は、タンクの外側に配置するかまたは、好ましくは、タンク中に埋め、ディフューザー４の上方に配置し、これは、図１および図２の３で示した通りである。紫外線を用いて、酸素遊離基および酸素分子を、本発明のオゾン含有水方法の作動中に、ウェーハ１４上の有機物質を除去するための処理タンク中に直接吹き込まれたオゾンから、発生させることができる。
他の例において、タンクにふたを取り付けて、ふた中に配置された赤外線源を有するタンクを密閉する。赤外線は、処理後のウェーハの乾燥を補助するのに用いられる。赤外線源を、ふた中に配置して、ふたをしめた際に、この光源がタンク中の流体の上にあり、流体中に下を向くようにする。好適例において、赤外線を、溶媒乾燥工程と同時に用いて、ここで、適切な炭化水素溶媒を、タンク中の流体の上に導入し、ウェーハを、溶媒層を通してゆっくりと持ち上げ、これにより溶媒がウェーハから水を除去する。ウェーハ上に残るすべての溶媒を、ウェーハを、赤外線ランプを用いて、約１５０±３０℃に加熱する工程により蒸発させ、オゾンガスを導入して、有機残存物を酸化する。ウェーハを乾燥する他の方法は、業界において知られており、本発明は、これらのいずれの方法を用いることをも意図している。
ここに記載した、半導体ウェーハを流体で処理する装置、タンクおよびディフューザーは、好ましくは、本発明のオゾン含有水方法で用いる一方、提供した構造は、また、多くの他の処理工程に有用である。提供した装置は、化学物質をその場で発生する手段を提供することにより、複数のタンクの必要性を解消し、従って若干の加工段階を、１つのタンク中で、ウェーハを移動せずに実施することができる。従って、ディフューザーを用いて、流体処理または半導体ウェーハ処理用流体の形成に必要なタンク中に、すべてのガスを導入することができる。業界で慣用されているものの１つは、種々のガスを用いる際に必要であるタンク材料によく知られている。
例えば、硫酸洗浄工程と前記したＲＣＡ洗浄工程との両方を、本発明の装置において、複数のタンクまたは別個の混合タンクを用いることなく、迅速かつ能率的に実施することができる。
硫酸方法に関して、酸は、タンク中に、ウェア中の送逹管を通って進入し、従って、酸は、タンクの加工領域に進入する前に、最初に濾過に送られる。酸は、再循環ユニットから、タンクの底部を通って放出される。フォトレジストを有するウェーハを、タンクの加工領域に導入した後、オゾンをタンク中に拡散させ、その間、メガソニック トランスデューサーを作動させる。オゾンを用いる硫酸洗浄の他の形態は、オゾン（Ｏ3 ）を、レジストを有するウェーハが存在するタンク中に、ディフューザーを通して拡散させ、次に紫外線を露光する。紫外線により、酸素遊離基が発生して、この遊離基は、ケイ素ウェーハ上の有機物質と直接反応し、硫酸と反応して、フォトレジストと反応する従来のカロ(Caro)の酸を形成する酸化剤として作用する。この反応は、二周波数トランスデューサーのソニックエネルギーと同時に発生する。
ＲＣＡ洗浄に関して、タンクは、オーバーフローモードで作動する。脱イオン水は、種々の流速（０．５、１、５および１０ｇｐｍ）で連続的に落下するかまたは、タンクは、静止モードである。ウェーハを第１にすすぎ、次に、水カスケードを停止する。オゾン含有水を、タンク中に発生し、および／またはタンク中に圧送し、次に、アンモニアガス（ＮＨ3 ）をタンク中に拡散させて、ＳＣ１溶液を生成する。随意に、オゾンを紫外線と共に用いて、酸素遊離基を発生することができる。メガソニック トランスデューサーを作動させ、二周波数モードで作動させ、交互に焼成して、結晶の過熱を防止する。加工後、水カストケードを落下させて、ＳＣ１溶液をタンクから洗い流す（タンクの底部から）。水洗／すすぎを適時に行い、排出は、抵抗率モニターを、直列に有する。タンクおよびウェーハをすすいだ際に、水ラインを高温脱イオン水に切り換えて、加工タンク中の温度を上昇させる。タンク温度が７０℃に達した際に、オーバーフローは停止し、タンクは静止モードに戻る。次に、オゾンガス、続いて塩化水素を、タンク中に拡散させ、ＳＣ２溶液を生成する。随意に、オゾンを紫外線と共に用いて、酸素遊離基を発生することができる。メガソニック トランスデューサーを作動させる。加工後、水カスケードを落下させて、タンクを洗浄し、ウェーハを、時間および抵抗率に基づいてすすぐ。最後のすすぎを、時間に基づいて、高温脱イオン水で実施する。
本発明の種々の修正および変更が、本発明の範囲および本意を逸脱することなく、当業者には可能であり、本発明は、本明細書に記載した例に不当に制限されないことを理解されたい。
本発明に従って、半導体ウェーハを流体で処理するための装置の側面断面図である。 本発明のタンクの前面断面図である。 本発明のガスディフューザーの好適例の、３次元分解図式図である。

Claims (10)

  1. 半導体ウェーハを流体で処理するための、複数の側面および底部を有するタンクにおいて：
    流体をタンク中に供給するための、タンクに接続された手段；
    少なくとも１つのウェーハをタンク内に、流体と接触させて支持する手段；
    ガスをタンク中に注入するための、タンクに接続された手段；および
    ガスをタンク中に拡散させて、ガスが流体中に吸収され、タンク中に配置された各ウェーハの表面に接触するようにした手段を備え、
    前記拡散用の手段は、透過性部材および不透過性部材を有する複合エレメントを備え、前記透過性部材は、上部および下部を有し、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段並びに透過性部材の外周とオープンスペースを形成する手段との間の透過性部材の上部上に位置する溝を形成する手段を備え、前記不透過性部材は、不透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段を有し、これは、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段に対応し、透過性部材および不透過性部材が、溝が、透過性部材の上部において開いており、不透過性部材により覆われるように接合されており、複合エレメントが、タンクの底部に接続された透過性部材の下部に位置する
    ことを特徴とする、半導体ウェーハを流体で処理するためのタンク。
  2. 透過性部材と不透過性部材との両方が、ポリテトラフルオロエチレンとペルフルオロアルコキシビニルエーテルとの混合物を含むことを特徴とする請求の範囲１記載のタンク。
  3. タンクが、第１側および第２側を有し，タンクの第１側は、タンクの上部において鉛直部を有し、タンクの底部において内方へ先細の部分を有し、先細部は鉛直部より長く、タンクの第２側はタンクの上部において鉛直部を有し、タンクの底部において内方へ先細の部分を有し、先細部は鉛直部より短いことを特徴とする請求の範囲１記載のタンク。
  4. さらに、メガソニック トランスデューサーが、タンクの第１側の内方へ先細の部分上に配置されていることを特徴とする請求の範囲３記載のタンク。
  5. さらに、紫外線源が、ガスを拡散させる手段の上方のタンクの内側に配置されていることを特徴とする請求の範囲４記載のタンク。
  6. ガスを注入する手段が、ガスを拡散させる手段の下に配置されて、ガスが、拡散用手段中に上方に注入されるようにしたことを特徴とする請求の範囲５記載のタンク。
  7. 流体をタンク中に供給するための手段が、流体流を、第１の方向に提供し、ガスをタンク中に注入する手段が、ガスを第２の方向に、流体流に対して向流となるように提供することを特徴とする請求の範囲６記載のタンク。
  8. ガスをタンク中に注入する手段が、ガスを、個別に、または１種以上の異なるガスと組み合わせて提供することを特徴とする請求の範囲１記載のタンク。
  9. 半導体ウェーハの流体処理用タンクにおいて用いるガスディフューザーにおいて：
    透過性部材および不透過性部材を有する複合エレメントを備え、
    前記透過性部材は，上部および下部、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段、並びに透過性部材の外周とオープンスペースを画成する手段との間の透過性部材の上部上に位置する溝を画成する手段を有し、
    前記不透過性部材は、不透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段を有し、これは、透過性部材の中心部にオープンスペースを画成する手段に対応し、透過性部材および不透過性部材が、溝が、透過性部材の上部上で開いており、不透過性部材により覆われるように接合されており、複合エレメントが、タンクの底部に接続された透過性部材の下部に位置する
    ことを特徴とするガスディフューザー。
  10. 透過性部材と不透過性部材との両方が、ポリテトラフルオロエチレンとペルフルオロアルコキシビニルエーテルとの混合物を含むことを特徴とする請求の範囲9記載のガスディフューザー。
JP2004201021A 1993-07-16 2004-07-07 半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置 Pending JP2005136377A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/092,523 US5464480A (en) 1993-07-16 1993-07-16 Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50471195A Division JP4054374B2 (ja) 1993-07-16 1994-07-15 半導体ウェーハを流体中で処理する方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005136377A true JP2005136377A (ja) 2005-05-26

Family

ID=22233635

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50471195A Expired - Fee Related JP4054374B2 (ja) 1993-07-16 1994-07-15 半導体ウェーハを流体中で処理する方法
JP2004201021A Pending JP2005136377A (ja) 1993-07-16 2004-07-07 半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50471195A Expired - Fee Related JP4054374B2 (ja) 1993-07-16 1994-07-15 半導体ウェーハを流体中で処理する方法

Country Status (11)

Country Link
US (3) US5464480A (ja)
EP (1) EP0708981B1 (ja)
JP (2) JP4054374B2 (ja)
KR (1) KR100365529B1 (ja)
CN (1) CN1079580C (ja)
AT (1) ATE313855T1 (ja)
AU (3) AU7332994A (ja)
CA (1) CA2167283A1 (ja)
DE (1) DE69434583T2 (ja)
TW (1) TW301465U (ja)
WO (1) WO1995002895A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017033991A (ja) * 2015-07-29 2017-02-09 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置

Families Citing this family (215)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817815A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Toshiba Corp 半導体デバイスの製造方法、半導体基板の処理方法、分析方法及び製造方法
US5672212A (en) * 1994-07-01 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers
JPH0829989A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Furontetsuku:Kk フォトレジスト膜の除去方法
JP2914555B2 (ja) * 1994-08-30 1999-07-05 信越半導体株式会社 半導体シリコンウェーハの洗浄方法
US6127279A (en) * 1994-09-26 2000-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solution applying method
JPH08162425A (ja) * 1994-12-06 1996-06-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
JPH08172068A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Fujitsu Ltd 半導体基板の洗浄方法及び半導体装置の製造方法
JP3351924B2 (ja) * 1995-01-06 2002-12-03 忠弘 大見 洗浄方法
US5958799A (en) * 1995-04-13 1999-09-28 North Carolina State University Method for water vapor enhanced charged-particle-beam machining
JP3649771B2 (ja) * 1995-05-15 2005-05-18 栗田工業株式会社 洗浄方法
US5593538A (en) * 1995-09-29 1997-01-14 Motorola, Inc. Method for etching a dielectric layer on a semiconductor
US5987181A (en) 1995-10-12 1999-11-16 Sharp Kabushiki Kaisha Coding and decoding apparatus which transmits and receives tool information for constructing decoding scheme
US5631174A (en) * 1995-12-21 1997-05-20 Micron Technology, Inc. Method for forming a spacer with a prograde profile
JP3274389B2 (ja) * 1996-08-12 2002-04-15 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
US6030932A (en) * 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
US6245155B1 (en) 1996-09-06 2001-06-12 Arch Specialty Chemicals, Inc. Method for removing photoresist and plasma etch residues
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US5919311A (en) * 1996-11-15 1999-07-06 Memc Electronic Materials, Inc. Control of SiO2 etch rate using dilute chemical etchants in the presence of a megasonic field
US5868898A (en) * 1996-11-21 1999-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fluid dispensing device for wet chemical process tank and method of using
DE19701971C1 (de) * 1997-01-22 1998-11-26 Invent Gmbh Entwicklung Neuer Technologien Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Substratoberflächen
US6551409B1 (en) 1997-02-14 2003-04-22 Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
US6136724A (en) * 1997-02-18 2000-10-24 Scp Global Technologies Multiple stage wet processing chamber
US6350322B1 (en) * 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
DE19716374A1 (de) * 1997-04-18 1998-10-22 Wacker Chemie Gmbh Brechen von Reinstsilicium auf Eis
US7416611B2 (en) * 1997-05-09 2008-08-26 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece with gases
US20040040583A1 (en) * 1997-05-09 2004-03-04 Semitool, Inc. Workpiece processing system
US7163588B2 (en) * 1997-05-09 2007-01-16 Semitool, Inc. Processing a workpiece using water, a base, and ozone
US20050215063A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-29 Bergman Eric J System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US7404863B2 (en) * 1997-05-09 2008-07-29 Semitool, Inc. Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone
US6240933B1 (en) * 1997-05-09 2001-06-05 Semitool, Inc. Methods for cleaning semiconductor surfaces
US20050194356A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-08 Semitool, Inc. Removing photoresist from a workpiece using water and ozone and a photoresist penetrating additive
US7264680B2 (en) * 1997-05-09 2007-09-04 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece using ozone
US6701941B1 (en) 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
US20050034745A1 (en) * 1997-05-09 2005-02-17 Semitool, Inc. Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive
US6869487B1 (en) * 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US7378355B2 (en) * 1997-05-09 2008-05-27 Semitool, Inc. System and methods for polishing a wafer
JP3662111B2 (ja) * 1997-06-24 2005-06-22 アルプス電気株式会社 洗浄液の製造方法およびそのための装置
US6695926B1 (en) * 1997-07-09 2004-02-24 Ses Co., Ltd. Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
KR19990010200A (ko) * 1997-07-15 1999-02-05 윤종용 감압식 건조 장치를 이용하는 반도체장치 건조방법
US5983907A (en) * 1997-08-05 1999-11-16 Seh America, Inc. Method of drying semiconductor wafers using hot deionized water and infrared drying
US5914052A (en) * 1997-08-21 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Wet etch method and apparatus
JP4299966B2 (ja) * 1997-09-23 2009-07-22 エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト 改善された化学的乾燥及び清浄化システム
US5974689A (en) * 1997-09-23 1999-11-02 Gary W. Farrell Chemical drying and cleaning system
US6119366A (en) * 1998-03-03 2000-09-19 Ferrell; Gary W. Chemical drying and cleaning method
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
US6054062A (en) * 1997-10-06 2000-04-25 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for agitating an etchant
JPH11121417A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の処理システムおよび処理方法
JPH11114510A (ja) * 1997-10-17 1999-04-27 Tadahiro Omi 温純水を用いた物品の洗浄方法
US5971368A (en) * 1997-10-29 1999-10-26 Fsi International, Inc. System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
KR19990035508A (ko) * 1997-10-31 1999-05-15 윤종용 반도체 장치 제조공정의 포토레지스트 및 폴리머 제거방법
EP1044465A4 (en) * 1997-12-10 2001-07-18 Cfmt Inc WET PROCESSING PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OF ELECTRONIC COMPONENTS
US5837662A (en) * 1997-12-12 1998-11-17 Memc Electronic Materials, Inc. Post-lapping cleaning process for silicon wafers
JP2959763B1 (ja) * 1998-01-13 1999-10-06 島田理化工業株式会社 ウェーハ洗浄装置
US6214127B1 (en) 1998-02-04 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Methods of processing electronic device workpieces and methods of positioning electronic device workpieces within a workpiece carrier
US6100198A (en) * 1998-02-27 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Post-planarization, pre-oxide removal ozone treatment
US6080531A (en) * 1998-03-30 2000-06-27 Fsi International, Inc. Organic removal process
US6017827A (en) * 1998-05-04 2000-01-25 Micron Technology, Inc. System and method for mixing a gas into a solvent used in semiconductor processing
US5979474A (en) * 1998-05-12 1999-11-09 Sumitomo Sitix Corporation Cleaning equipment for semiconductor substrates
US5964953A (en) * 1998-05-26 1999-10-12 Memc Electronics Materials, Inc. Post-etching alkaline treatment process
JPH11343169A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Kyocera Corp 導電性セラミックス
DE19825063A1 (de) 1998-06-04 1999-12-09 Astex Sorbios Gmbh Verfahren zur Unterdrückung der Zerfallsgeschwindigkeit von Ozon in ultrareinem Wasser
US6864186B1 (en) 1998-07-28 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method of reducing surface contamination in semiconductor wet-processing vessels
JP2003533865A (ja) * 1998-07-29 2003-11-11 シーエフエムテイ・インコーポレーテツド 電子構成要素の製造でオゾン含有プロセス流体を用いて電子構成要素を湿式処理する方法
JP3862868B2 (ja) * 1998-08-10 2006-12-27 沖電気工業株式会社 半導体ウエハの洗浄システム
US5989359A (en) * 1998-10-09 1999-11-23 Berbel; Jose A. Method for drying objects with fluids
US6328809B1 (en) 1998-10-09 2001-12-11 Scp Global Technologies, Inc. Vapor drying system and method
DE19847098A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Wacker Chemie Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial
AU1321300A (en) * 1998-10-26 2000-05-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning objects using dilute ammonium bearing solutions
US6235641B1 (en) 1998-10-30 2001-05-22 Fsi International Inc. Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid
US6148833A (en) 1998-11-11 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Continuous cleaning megasonic tank with reduced duty cycle transducers
US6715944B2 (en) 1998-11-12 2004-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for removing photoresist film
US20050229946A1 (en) * 1998-11-12 2005-10-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JP2000147793A (ja) * 1998-11-12 2000-05-26 Mitsubishi Electric Corp フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置
JP3869566B2 (ja) * 1998-11-13 2007-01-17 三菱電機株式会社 フォトレジスト膜除去方法および装置
US6098643A (en) * 1998-11-14 2000-08-08 Miranda; Henry R. Bath system for semiconductor wafers with obliquely mounted transducers
JP2000228387A (ja) 1998-12-01 2000-08-15 Tadahiro Omi ウエット洗浄装置
US6458257B1 (en) 1999-02-09 2002-10-01 Lynntech International Ltd Microorganism control of point-of-use potable water sources
US6103680A (en) * 1998-12-31 2000-08-15 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues
US6254155B1 (en) 1999-01-11 2001-07-03 Strasbaugh, Inc. Apparatus and method for reliably releasing wet, thin wafers
JP3671389B2 (ja) * 1999-12-03 2005-07-13 三菱電機株式会社 基板処理方法および装置
JP3550507B2 (ja) * 1999-03-25 2004-08-04 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置
US6328814B1 (en) * 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6214128B1 (en) * 1999-03-31 2001-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for preventing silicon hole defect formation after wet cleaning
US7094451B2 (en) * 1999-04-07 2006-08-22 Board Of Trustees Of Michigan State University Chemical functionalization of material surfaces using optical energy and chemicals
US6799583B2 (en) * 1999-05-13 2004-10-05 Suraj Puri Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
US6274506B1 (en) 1999-05-14 2001-08-14 Fsi International, Inc. Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface
US6406551B1 (en) * 1999-05-14 2002-06-18 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents
US6790783B1 (en) * 1999-05-27 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor fabrication apparatus
AU5173100A (en) 1999-05-27 2000-12-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for drying batches of wafers
JP3348695B2 (ja) 1999-06-04 2002-11-20 日本電気株式会社 半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法及び除去装置
US6314974B1 (en) 1999-06-28 2001-11-13 Fairchild Semiconductor Corporation Potted transducer array with matching network in a multiple pass configuration
US6539963B1 (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Pressurized liquid diffuser
JP2001035827A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Memc Kk 高濃度オゾン水、同オゾン水の調製方法、および同オゾン水を使用した洗浄方法
JP2004500701A (ja) * 1999-07-23 2004-01-08 セミトゥール・インコーポレイテッド 半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置
KR100735876B1 (ko) * 1999-07-30 2007-07-06 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법 및 기판처리장치
US6408535B1 (en) 1999-08-26 2002-06-25 Semitool, Inc. Ozone conversion in semiconductor manufacturing
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
JP4438077B2 (ja) * 1999-09-10 2010-03-24 栗田工業株式会社 電子材料洗浄用ガス溶解水の調製方法
WO2001026144A1 (en) * 1999-10-01 2001-04-12 Fsi International, Inc. Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
US6982006B1 (en) 1999-10-19 2006-01-03 Boyers David G Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution
AU1340301A (en) * 1999-10-19 2001-04-30 Phifer Smith Corporation A method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution
US6634368B1 (en) * 1999-11-12 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated Application of ozonated DI water to scrubbers for resist strip and particle removal processes
US6387822B1 (en) 1999-11-12 2002-05-14 Texas Instruments Incorporated Application of an ozonated DI water spray to resist residue removal processes
US6399513B1 (en) * 1999-11-12 2002-06-04 Texas Instruments Incorporated Ozonated DI water process for organic residue and metal removal processes
US6588437B1 (en) 1999-11-15 2003-07-08 Agere Systems Inc. System and method for removal of material
EP1272288A1 (en) 2000-03-13 2003-01-08 Cfmt, Inc. Processes and apparatus for treating electronic components
JP3875456B2 (ja) * 2000-06-29 2007-01-31 株式会社東芝 洗浄方法および洗浄装置
US6911097B1 (en) 2000-07-31 2005-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist stripper using nitrogen bubbler
DE10038895B4 (de) * 2000-08-09 2006-04-06 Advanced Photonics Technologies Ag Verfahren und Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus
US6440871B1 (en) * 2000-08-16 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Gas assisted method for applying resist stripper and gas-resist stripper combinations
US6805791B2 (en) * 2000-09-01 2004-10-19 Applied Science And Technology, Inc. Ozonated water flow and concentration control apparatus
JP2002075156A (ja) 2000-09-01 2002-03-15 Nec Corp マイクロスイッチおよびその製造方法
US6558477B1 (en) 2000-10-16 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas
US6964739B2 (en) 2000-12-12 2005-11-15 Tersano Inc. Device and method for generating and applying ozonated water
KR100565741B1 (ko) * 2000-12-27 2006-03-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유리기판 식각장치
FR2819201B1 (fr) * 2001-01-09 2003-02-21 Atofina Procede de nettoyage d'une surface solide par elimination de salissures organiques et/ou minerales au moyen d'une microemulsion
JP4564186B2 (ja) 2001-02-16 2010-10-20 株式会社東芝 パターン形成方法
US6861007B2 (en) 2001-03-02 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Method for removing organic material from a substrate and for oxidizing oxidizable material thereon
US6620743B2 (en) 2001-03-26 2003-09-16 Asm America, Inc. Stable, oxide-free silicon surface preparation
US6840250B2 (en) * 2001-04-06 2005-01-11 Akrion Llc Nextgen wet process tank
US6532974B2 (en) 2001-04-06 2003-03-18 Akrion Llc Process tank with pressurized mist generation
JP2002353184A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
US6595224B2 (en) * 2001-06-20 2003-07-22 P.C.T. Systems, Inc. Bath system with sonic transducers on vertical and angled walls
US6837944B2 (en) * 2001-07-25 2005-01-04 Akrion Llc Cleaning and drying method and apparatus
CN101414548B (zh) * 2001-11-02 2011-10-19 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
US20030093917A1 (en) * 2001-11-21 2003-05-22 Dibello Gerald N. Apparatus and methods for processing electronic component precursors
US20070079932A1 (en) * 2001-12-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Directed purge for contact free drying of wafers
US20090029560A1 (en) * 2001-12-07 2009-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US20070272657A1 (en) * 2001-12-07 2007-11-29 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US6726848B2 (en) * 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US20080000495A1 (en) * 2001-12-07 2008-01-03 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US6593161B2 (en) 2001-12-12 2003-07-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. System and method for cleaning ozone oxidation
US6649018B2 (en) * 2002-01-17 2003-11-18 Akrion, Llc System for removal of photoresist using sparger
US20030139057A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Richard Novak Process and apparatus for removal of photoresist from semiconductor wafers
US20030136429A1 (en) * 2002-01-22 2003-07-24 Semitool, Inc. Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel
GB0204882D0 (en) * 2002-03-01 2002-04-17 Trikon Technologies Ltd Pedestal
US20050230856A1 (en) * 2002-03-19 2005-10-20 Parekh Bipin S Hollow fiber membrane contact apparatus and process
US6848455B1 (en) 2002-04-22 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species
US6878578B1 (en) 2002-04-26 2005-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a high quality chemical oxide on a freshly cleaned silicon surface as a native oxide replacement
US20040005253A1 (en) * 2002-05-03 2004-01-08 Martin Timothy A. Liquid barrier and methods of using the same
JP2003334433A (ja) 2002-05-16 2003-11-25 Kurita Water Ind Ltd 連続溶解装置、連続溶解方法及び気体溶解水供給装置
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
JP2003337432A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Tsukuba Semi Technology:Kk 機能水を使ったレジスト除去方法、およびその装置
KR100895035B1 (ko) * 2002-06-25 2009-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP4334844B2 (ja) * 2002-06-26 2009-09-30 東京エレクトロン株式会社 デバイス用溝構造体の製造方法
US20040040934A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Tai Chen Chung Method of etching a photoresist layer disposed on a semiconductor substrate
EP1408534B1 (en) * 2002-10-11 2007-02-07 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. A method and a device for producing an adhesive surface of a substrate
US7051743B2 (en) * 2002-10-29 2006-05-30 Yong Bae Kim Apparatus and method for cleaning surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7022193B2 (en) * 2002-10-29 2006-04-04 In Kwon Jeong Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7071077B2 (en) * 2003-03-26 2006-07-04 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Method for preparing a bonding surface of a semiconductor layer of a wafer
JP2004327826A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Toshiba Corp 基板処理装置
US20040238119A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Ching-Yu Chang [apparatus and method for etching silicon nitride thin film ]
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US7737097B2 (en) 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US8522801B2 (en) 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US8316866B2 (en) 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US7799141B2 (en) 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
JP3863127B2 (ja) * 2003-07-08 2006-12-27 沖電気工業株式会社 半導体ウエハの洗浄方法
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US7862662B2 (en) 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US7416370B2 (en) 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8522799B2 (en) 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7502114B2 (en) 2004-03-12 2009-03-10 Mks Instruments, Inc. Ozone concentration sensor
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US20060021634A1 (en) * 2004-07-08 2006-02-02 Liu Zhi Lewis Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration
WO2006017108A2 (en) * 2004-07-09 2006-02-16 Akrion, Llc System and method for pre-gate cleaning of substrates
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
JP4637178B2 (ja) * 2004-09-21 2011-02-23 ヴィヴェス，ホアン イグレシアス 赤外線を用いた粉末材料の造粒及び／又は乾燥方法及び装置
FR2886052B1 (fr) * 2005-05-19 2007-11-23 Soitec Silicon On Insulator Traitement de surface apres gravure selective
JP4672464B2 (ja) * 2005-06-30 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータにより読取可能な記憶媒体
US7479460B2 (en) * 2005-08-23 2009-01-20 Asm America, Inc. Silicon surface preparation
US20070084481A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Franklin Cole S System and method of cleaning substrates using a subambient process solution
US20070095366A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-03 Applied Materials, Inc. Stripping and cleaning of organic-containing materials from electronic device substrate surfaces
TW200722554A (en) * 2005-12-13 2007-06-16 Ind Tech Res Inst Method of inhibiting metal corrosion
US8480810B2 (en) * 2005-12-30 2013-07-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for particle removal
SG154438A1 (en) 2005-12-30 2009-08-28 Lam Res Corp Cleaning compound and method and system for using the cleaning compound
US7402213B2 (en) * 2006-02-03 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Stripping and removal of organic-containing materials from electronic device substrate surfaces
JP2008016620A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
US20080047584A1 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 The Regents Of The University Of California Method for cleaning diffraction gratings
US20080060682A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High temperature spm treatment for photoresist stripping
US20080076689A1 (en) * 2006-09-27 2008-03-27 Matthews Robert R System using ozonated acetic anhydride to remove photoresist materials
KR100829597B1 (ko) * 2006-11-10 2008-05-14 삼성전자주식회사 반도체 장치의 세정 방법 및 제조 방법
US7775219B2 (en) * 2006-12-29 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Process chamber lid and controlled exhaust
US7897213B2 (en) 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
US20080202564A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Dana Scranton Processing system with in-situ chemical solution generation
US20080245390A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Lam Research Corporation Method for cleaning semiconductor wafer surfaces by applying periodic shear stress to the cleaning solution
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
DE102007022520A1 (de) * 2007-05-14 2008-11-20 Siemens Ag Kühlmittelschlauch
JP2009081366A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Elpida Memory Inc バッチ処理装置
US7767586B2 (en) * 2007-10-29 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Methods for forming connective elements on integrated circuits for packaging applications
US8084406B2 (en) 2007-12-14 2011-12-27 Lam Research Corporation Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media
EP2088630A1 (en) 2008-02-08 2009-08-12 Applied Materials, Inc. Photovoltaic device comprising a sputter deposited passivation layer as well as method and apparatus for producing such a device
US20090199901A1 (en) * 2008-02-08 2009-08-13 Applied Materials, Inc. Photovoltaic device comprising a sputter deposited passivation layer as well as a method and apparatus for producing such a device
JP5317529B2 (ja) * 2008-05-02 2013-10-16 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置
DE102008048540A1 (de) * 2008-09-15 2010-04-15 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von Substraten, Substrat und Behandlungseinrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US8002901B1 (en) 2009-01-15 2011-08-23 Wd Media, Inc. Temperature dependent pull speeds for drying of a wet cleaned workpiece
US8562748B1 (en) 2009-01-30 2013-10-22 WD Media, LLC Multiple cleaning processes in a single tank
US8163093B1 (en) 2009-02-11 2012-04-24 Wd Media, Inc. Cleaning operations with dwell time
CN101850344A (zh) * 2010-05-28 2010-10-06 上海集成电路研发中心有限公司 半导体器件清洗装置及清洗方法
US20120047764A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 David Campion System and method for drying substrates
US8709165B2 (en) 2010-12-03 2014-04-29 Lam Research Ag Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone
US20130008602A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 Lam Research Ag Apparatus for treating a wafer-shaped article
DE102014118130A1 (de) 2014-12-08 2016-06-09 Technische Universität Berlin Fluidverteileinrichtung für einen Gas-Flüssigkeits-Kontaktor, Gas-Flüssigkeits-Kontaktor und Verfahren zum Versetzen einer Flüssigkeit mit einem Gas
JP6428806B2 (ja) * 2017-02-07 2018-11-28 栗田工業株式会社 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法
KR101951778B1 (ko) * 2017-07-25 2019-02-25 무진전자 주식회사 웨이퍼 에칭 장치
US11414757B2 (en) * 2017-11-13 2022-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gas tube, gas supply system and manufacturing method of semiconductor device using the same
CN110709355A (zh) * 2017-11-20 2020-01-17 深圳市柔宇科技有限公司 基板清洗装置及清洗基板的方法
CN111105996B (zh) * 2020-01-03 2021-11-09 长江存储科技有限责任公司 待清洗工件的清洗方法及清洗设备

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3150070A (en) * 1962-01-23 1964-09-22 Ogawa Masahiko Medical ozone generation apparatus
US3365807A (en) * 1965-10-22 1968-01-30 James C. Williamson Method of drying work without droplet formation
US3421999A (en) * 1966-03-28 1969-01-14 Tri O Dynamics Inc Ozone generator for purifying a contaminated fluid system
DE1810245A1 (de) * 1968-11-22 1970-06-18 Henkel & Cie Gmbh Mittel zur Entfernung von waessrigen Fluessigkeitsschichten auf Metalloberflaechen
US3559297A (en) * 1969-03-10 1971-02-02 Allied Chem Process and apparatus for removing water from solid surfaces
US3711072A (en) * 1970-04-23 1973-01-16 D Waldenville Apparatus for oxygenation of liquids
FI49704C (fi) * 1974-01-23 1975-09-10 Nokia Oy Ab Kuplia kehittävä ilmastin.
GB1484044A (en) * 1974-12-06 1977-08-24 Reed International Ltd Supporting means for porous diffusers
US4090307A (en) * 1975-10-25 1978-05-23 Schoeller & Co. Method for removing water from workpieces and apparatus therefor
US4046845A (en) * 1976-06-23 1977-09-06 Ferro Corporation Air diffuser element
US4261933A (en) * 1978-10-19 1981-04-14 Water Pollution Control Corporation Diffusion element
JPS55131675A (en) * 1979-03-31 1980-10-13 Daikin Ind Ltd Method and washing liquid for removing adhering water from surface of article
WO1984003693A1 (fr) * 1983-03-19 1984-09-27 Peter Hiltebrand Procede et installation d'ozonation d'un fluide
FR2545732B1 (fr) * 1983-05-10 1989-10-27 Lyonnaise Eaux Eclairage Appareil pour la dissolution d'ozone dans un fluide
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4740249A (en) * 1984-05-21 1988-04-26 Christopher F. McConnell Method of treating wafers with fluid
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4856544A (en) * 1984-05-21 1989-08-15 Cfm Technologies, Inc. Vessel and system for treating wafers with fluids
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4543130A (en) * 1984-08-28 1985-09-24 Rca Corporation Megasonic cleaning apparatus and method
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
US4722355A (en) * 1985-08-19 1988-02-02 Rolf Moe Machine and method for stripping photoresist from wafers
DE3600778A1 (de) * 1986-01-14 1987-07-16 Polygram Gmbh Verfahren zum auffuellen und/oder aufbereiten von behandlungsfluessigkeiten
JPS62198127A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Sanyo Electric Co Ltd 半導体ウエハの洗浄方法
US4924890A (en) * 1986-05-16 1990-05-15 Eastman Kodak Company Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US4852516A (en) * 1986-05-19 1989-08-01 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
JPS62291928A (ja) * 1986-06-12 1987-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 乾燥装置
JPH0831435B2 (ja) * 1986-09-29 1996-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法
US4876801A (en) * 1987-04-16 1989-10-31 Siemens Aktiengesellschaft Method and means for drying bulk goods
FR2615738B1 (fr) * 1987-05-27 1989-09-08 Nold Yves Procede de decontamination et de nettoyage de protheses oculaires, en particulier de lentilles de contact, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede
JP2541237B2 (ja) * 1987-09-10 1996-10-09 富士通株式会社 半導体基板の洗浄方法
DE3733670C1 (de) * 1987-10-05 1988-12-15 Nukem Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen insbesondere von scheibenfoermigen oxidischen Substraten
US5183067A (en) * 1988-07-08 1993-02-02 Isc Chemicals Limited Cleaning and drying of electronic assemblies
JP2733771B2 (ja) * 1988-07-29 1998-03-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 液体による処理装置
JPH0644098Y2 (ja) * 1989-02-27 1994-11-14 黒谷 信子 半導体ウェハーの洗浄用バブラー
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US5045120A (en) * 1989-03-06 1991-09-03 Electrovert Ltd. Method for cleaning electronic and other devices
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
JPH03136329A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> シリコン基板表面の清浄化方法
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5135391A (en) * 1990-04-24 1992-08-04 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing gas diffuser plate
US5049320A (en) * 1990-07-03 1991-09-17 International Environmental Systems, Inc. Gas dissolving system and method
JPH04130629A (ja) * 1990-09-20 1992-05-01 Fujitsu Ltd エッチング液調合装置
JP3152430B2 (ja) * 1990-10-09 2001-04-03 クロリンエンジニアズ株式会社 有機物被膜の除去方法
US5082518A (en) * 1990-10-29 1992-01-21 Submicron Systems, Inc. Sparger plate for ozone gas diffusion
JPH04199620A (ja) * 1990-11-29 1992-07-20 Seiko Epson Corp 半導体基板の湿式処理法及びその装置
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
JPH04348029A (ja) * 1991-05-25 1992-12-03 Toshiba Corp 半導体基板処理方法及びその処理装置
JP3109871B2 (ja) * 1991-10-21 2000-11-20 関東電化工業株式会社 物品の水切り・乾燥方法及び装置
US5186841A (en) * 1991-11-05 1993-02-16 Praxair Technology Inc. Cooling water ozonation system
US5201958A (en) * 1991-11-12 1993-04-13 Electronic Controls Design, Inc. Closed-loop dual-cycle printed circuit board cleaning apparatus and method
JPH05152268A (ja) * 1991-12-02 1993-06-18 Mitsubishi Electric Corp レジスト残渣物の除去方法
JPH05166776A (ja) * 1991-12-13 1993-07-02 Nippon Steel Corp 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置
US5279316A (en) * 1992-08-18 1994-01-18 P.C.T. Systems, Inc. Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017033991A (ja) * 2015-07-29 2017-02-09 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69434583T2 (de) 2006-07-20
JP4054374B2 (ja) 2008-02-27
US5727578A (en) 1998-03-17
WO1995002895A1 (en) 1995-01-26
DE69434583D1 (de) 2006-01-26
KR100365529B1 (ko) 2003-03-06
AU7887598A (en) 1998-10-01
CA2167283A1 (en) 1995-01-26
EP0708981B1 (en) 2005-12-21
TW301465U (en) 1997-03-21
KR960704348A (ko) 1996-08-31
EP0708981A4 (en) 1997-03-12
AU699567B2 (en) 1998-12-10
AU7332994A (en) 1995-02-13
AU707359B2 (en) 1999-07-08
ATE313855T1 (de) 2006-01-15
JPH09501017A (ja) 1997-01-28
CN1079580C (zh) 2002-02-20
CN1127569A (zh) 1996-07-24
US5464480A (en) 1995-11-07
EP0708981A1 (en) 1996-05-01
US5776296A (en) 1998-07-07
AU8949998A (en) 1999-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4054374B2 (ja) 半導体ウェーハを流体中で処理する方法
US5911837A (en) Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
JP3080834B2 (ja) 半導体基板洗浄処理装置
US4856544A (en) Vessel and system for treating wafers with fluids
DE10062199A1 (de) Substratprozessvorrichtung und Substratprozessverfahren
GB2178594A (en) Vessel and system for treating wafers with fluids
CN110875177B (zh) 基板处理装置和方法
JP2001110773A (ja) 洗浄装置、洗浄システム、処理装置及び洗浄方法
KR100354953B1 (ko) 반도체웨이퍼건조방법및장치
US7186299B2 (en) Method of rinsing and drying semiconductor substrates
JP2001271188A (ja) 基板処理装置
JP2005081302A (ja) 超臨界流体による電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
JPH10321577A (ja) 半導体基板の洗浄装置
JPH08195372A (ja) 洗浄装置およびその方法
JPH10163158A (ja) 板状体洗浄装置
JP2005166847A (ja) 基板処理法及び基板処理装置
KR950007964B1 (ko) 일조식 웨이퍼 세정장치
JPS61101032A (ja) 処理装置
JP3013909B2 (ja) 洗浄装置
JPS5868933A (ja) 自動洗浄装置
JP2001029902A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JPS62185327A (ja) 処理装置
JP2004014641A (ja) 洗浄装置、および洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061017

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070115

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070118

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070619