JP2541237B2 - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JP2541237B2 JP2541237B2 JP62227007A JP22700787A JP2541237B2 JP 2541237 B2 JP2541237 B2 JP 2541237B2 JP 62227007 A JP62227007 A JP 62227007A JP 22700787 A JP22700787 A JP 22700787A JP 2541237 B2 JP2541237 B2 JP 2541237B2
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- acetylacetone
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体基板の洗浄方法、特に半導体基板上に付着した
主として重金属からなる汚染物質を除去する方法に関
し、 微細孔パターン内にも容易に浸入し、かつ重金属汚染
物質の除去効果が大きい洗浄方法を提供することを目的
とし、 半導体基板をアセチルアセトンを含む有機溶剤の液若
しくは蒸気中に曝し、該基板上に付着した重金属を錯体
化し気化、除去せしめた後、該半導体基板の乾燥を行う
ことによって構成される。
主として重金属からなる汚染物質を除去する方法に関
し、 微細孔パターン内にも容易に浸入し、かつ重金属汚染
物質の除去効果が大きい洗浄方法を提供することを目的
とし、 半導体基板をアセチルアセトンを含む有機溶剤の液若
しくは蒸気中に曝し、該基板上に付着した重金属を錯体
化し気化、除去せしめた後、該半導体基板の乾燥を行う
ことによって構成される。
本発明は半導体基板の洗浄方法、特に半導体基板上に
付着した主として重金属からなる汚染物質を除去する方
法に関する。
付着した主として重金属からなる汚染物質を除去する方
法に関する。
半導体基板上に作業環境等から付着する重金属汚染物
質は、該基板を用いて製造される半導体装置の電気的特
性を劣化せしめる原因となる。
質は、該基板を用いて製造される半導体装置の電気的特
性を劣化せしめる原因となる。
そのため半導体装置を製造する際に、半導体基板に付
着している重金属汚染物質をより完全に除去することが
極めて重要になってくる。
着している重金属汚染物質をより完全に除去することが
極めて重要になってくる。
従来の半導体基板洗浄方法においては、酸、アルカリ
の水溶液を用い、半導体基板上に付着している重金属を
水溶性の塩、あるいは錯化合物として溶解除去してい
た。
の水溶液を用い、半導体基板上に付着している重金属を
水溶性の塩、あるいは錯化合物として溶解除去してい
た。
しかし上記方法においては半導体基板面の状態、例え
ば酸化膜が形成されている状態等によって酸、アルカリ
の種類が限定されること、水溶液が用いられるため表面
張力が大きく微細孔パターン内へ液が充分に浸入しない
こと等によってその除去が完全になされないという問題
があった。
ば酸化膜が形成されている状態等によって酸、アルカリ
の種類が限定されること、水溶液が用いられるため表面
張力が大きく微細孔パターン内へ液が充分に浸入しない
こと等によってその除去が完全になされないという問題
があった。
他にガスを用いるエッチング法もあるが、基板がエッ
チングされたり、ダメージを受けたりすることで実用化
されていない。
チングされたり、ダメージを受けたりすることで実用化
されていない。
そこで本発明は、微細孔パターン内にも容易に浸入
し、かつ重金属汚染物質の除去効果が大きい半導体基板
の洗浄方法を提供することを目的とする。
し、かつ重金属汚染物質の除去効果が大きい半導体基板
の洗浄方法を提供することを目的とする。
上記問題点は、半導体基板をアセチルアセトンを含む
有機溶剤の液若しくは蒸気中に曝して、該基板上に付着
した重金属を錯体化し気化、除去せしめた後、該半導体
基板の乾燥を行う本発明による半導体基板の洗浄方法に
よって解決される。
有機溶剤の液若しくは蒸気中に曝して、該基板上に付着
した重金属を錯体化し気化、除去せしめた後、該半導体
基板の乾燥を行う本発明による半導体基板の洗浄方法に
よって解決される。
即ち本発明は、重金属と容易に反応を起こし、その錯
体が極めて低沸点であるアセチルアセトン（CH3COCH2CO
CH3）を用いて半導体基板上の重金属を除去するもので
ある。
体が極めて低沸点であるアセチルアセトン（CH3COCH2CO
CH3）を用いて半導体基板上の重金属を除去するもので
ある。
アセチルアセトンはIPA（イソプロピルアルコール）
またはアセトン等の有機溶剤に溶解させ、半導体基板を
その液の中に浸漬するするか、またはその蒸気の中に曝
す。
またはアセトン等の有機溶剤に溶解させ、半導体基板を
その液の中に浸漬するするか、またはその蒸気の中に曝
す。
アセチルアセトンを含んだ有機溶剤の表面張力は水溶
液に比べて非常に小さいのでアセチルアセトンは微細孔
パターンの底部まで充分に浸入し重金属と反応し錯体を
形成する。
液に比べて非常に小さいのでアセチルアセトンは微細孔
パターンの底部まで充分に浸入し重金属と反応し錯体を
形成する。
そしてこの錯体は極めて低沸点であるので該工程、及
びその後の乾燥工程において完全に気化除去される。
びその後の乾燥工程において完全に気化除去される。
またアセチルアセトンを含んだ有機溶剤の蒸気は如何
なる微細孔部分にも浸入して該微細孔部分の重金属を錯
体化して気化逸脱せしめる。
なる微細孔部分にも浸入して該微細孔部分の重金属を錯
体化して気化逸脱せしめる。
以上により半導体基板面にダメージを与えずに微細孔
パターン内を含む該半導体基板面上の重金属汚染物質を
完全に除去することができる。
パターン内を含む該半導体基板面上の重金属汚染物質を
完全に除去することができる。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明の方法の一実施例に用いた基板洗浄装
置の模式構成図で、第２図は本発明の効果を示すマスス
ペクトル図である。
置の模式構成図で、第２図は本発明の効果を示すマスス
ペクトル図である。
アセチルアセトンを含んだ溶剤の蒸気中に半導体基板
を曝して重金属汚染物質を除去する本発明の基板洗浄方
法には、例えば第１図に示すように、ヒータ３を内蔵し
た加熱容器４が下部に設置され例えば上部に排気口２を
有する洗浄室１と、上部に水銀ランプ７が配設され下部
に酸素導入口を有する乾燥／オゾン処理室５と、上記洗
浄室１と乾燥／オゾン処理室５とを接続する連結室８と
を含んで構成される。なお該洗浄装置の内部は総て石英
で覆われている。
を曝して重金属汚染物質を除去する本発明の基板洗浄方
法には、例えば第１図に示すように、ヒータ３を内蔵し
た加熱容器４が下部に設置され例えば上部に排気口２を
有する洗浄室１と、上部に水銀ランプ７が配設され下部
に酸素導入口を有する乾燥／オゾン処理室５と、上記洗
浄室１と乾燥／オゾン処理室５とを接続する連結室８と
を含んで構成される。なお該洗浄装置の内部は総て石英
で覆われている。
洗浄に際しては、加熱容器４内に１〜10％IPA希釈ア
セチルアセトン10を満たし、50〜100℃に加熱する。こ
こで洗浄室１内はアセチルアセトン/IPA蒸気で満たされ
る。
セチルアセトン10を満たし、50〜100℃に加熱する。こ
こで洗浄室１内はアセチルアセトン/IPA蒸気で満たされ
る。
この状態で、該洗浄室１内の例えば加熱容器４の上部
に洗浄しようとする半導体基板９が挿入され、10〜30分
間アセチルアセトン/IPA蒸気に曝される。ここで基板上
に付着している重金属汚染物質はアセチルアセトンと反
応して錯体となって気化し、排気口２を介して除去され
る。
に洗浄しようとする半導体基板９が挿入され、10〜30分
間アセチルアセトン/IPA蒸気に曝される。ここで基板上
に付着している重金属汚染物質はアセチルアセトンと反
応して錯体となって気化し、排気口２を介して除去され
る。
その後該基板は、連結室８を介して乾燥／オゾン処理
室５内に搬送され、水銀ランプ７による紫外光照射によ
り有機蒸気を乾燥し、且つ導入された酸素（O2）の分解
によって生ずるオゾン雰囲気により基板表面に吸着され
ているアセチルアセトン及びIPAを完全に除去し、該半
導体基板の洗浄は完了する。
室５内に搬送され、水銀ランプ７による紫外光照射によ
り有機蒸気を乾燥し、且つ導入された酸素（O2）の分解
によって生ずるオゾン雰囲気により基板表面に吸着され
ているアセチルアセトン及びIPAを完全に除去し、該半
導体基板の洗浄は完了する。
第２図は上記実施例において故意に鉄（Fe）で汚した
シリコン基板を用いて本発明の効果をしらべた際の、効
果を示すマススペクトル図である。
シリコン基板を用いて本発明の効果をしらべた際の、効
果を示すマススペクトル図である。
これによると（ａ）の洗浄前においてかなり強く現れ
ていた鉄（Fe）のスペクトル線が洗浄後の状態を示す
（ｂ）において完全に消滅しており、上記洗浄により重
金属の除去が完全に行われたことが示されている。
ていた鉄（Fe）のスペクトル線が洗浄後の状態を示す
（ｂ）において完全に消滅しており、上記洗浄により重
金属の除去が完全に行われたことが示されている。
なおアセチルアセトンを含む液に浸漬する方法におい
ては、上記実施例に示した装置を用い、例えば上記50〜
100℃に加熱された１〜10％IPA希釈アセチルアセトン中
に10〜20分程度浸漬した後、上記実施例同様の乾燥を行
えばよい。
ては、上記実施例に示した装置を用い、例えば上記50〜
100℃に加熱された１〜10％IPA希釈アセチルアセトン中
に10〜20分程度浸漬した後、上記実施例同様の乾燥を行
えばよい。
以上説明のように本発明に係る半導体基板の洗浄方法
によれば、半導体基板面にダメージを与えずに、微細孔
パターン内を含む半導体基板面に付着した重金属汚染物
質を完全に除去することができる。
によれば、半導体基板面にダメージを与えずに、微細孔
パターン内を含む半導体基板面に付着した重金属汚染物
質を完全に除去することができる。
従って本発明は半導体装置の製造歩留りの向上に有効
である。
である。
第１図は本発明の方法の一実施例に用いた基板洗浄装置
の模式構成図、 第２図は本発明の効果を示すマススペクトル図である。 図において、 １は洗浄室、２は排気口、 ３はヒータ、４は加熱容器、 ５は乾燥／オゾン処理室、 ６は酸素導入口、７は水銀ランプ、 ８は連結室、９は半導体基板、 10はアセチルアセトン/IPA を示す。
の模式構成図、 第２図は本発明の効果を示すマススペクトル図である。 図において、 １は洗浄室、２は排気口、 ３はヒータ、４は加熱容器、 ５は乾燥／オゾン処理室、 ６は酸素導入口、７は水銀ランプ、 ８は連結室、９は半導体基板、 10はアセチルアセトン/IPA を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板をアセチルアセトンを含む有機
溶剤の液若しくは蒸気中に曝して、該基板上に付着した
重金属を錯体化し気化、除去せしめた後、 該半導体基板の乾燥を行うことを特徴とする半導体基板
の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62227007A JP2541237B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62227007A JP2541237B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6469014A JPS6469014A (en) | 1989-03-15 |
| JP2541237B2 true JP2541237B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=16854048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62227007A Expired - Lifetime JP2541237B2 (ja) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541237B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5094701A (en) * | 1990-03-30 | 1992-03-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning agents comprising beta-diketone and beta-ketoimine ligands and a process for using the same |
| US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| JPH09503099A (ja) * | 1993-09-22 | 1997-03-25 | レガシー システムズ インコーポレイテッド | 流体中の半導体ウエハを処理するプロセスおよび装置 |
| CA2273717C (en) * | 1999-06-04 | 2004-01-06 | Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee | Method and apparatus for continuous cleaning of substrate surfaces using ozone |
| WO2004109779A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Tokyo Electron Limited | 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置 |
| JP4343018B2 (ja) | 2004-04-20 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
-
1987
- 1987-09-10 JP JP62227007A patent/JP2541237B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6469014A (en) | 1989-03-15 |
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