JP2017033991A - 液処理方法および液処理装置 - Google Patents

液処理方法および液処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017033991A
JP2017033991A JP2015149652A JP2015149652A JP2017033991A JP 2017033991 A JP2017033991 A JP 2017033991A JP 2015149652 A JP2015149652 A JP 2015149652A JP 2015149652 A JP2015149652 A JP 2015149652A JP 2017033991 A JP2017033991 A JP 2017033991A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
metal
containing impurities
processed
liquid processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015149652A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6541492B2 (ja
Inventor
雄大 伊藤
Takehiro Ito
雄大 伊藤
土橋　和也
Kazuya Dobashi
和也 土橋
斉藤　美佐子
Misako Saito
美佐子 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2015149652A priority Critical patent/JP6541492B2/ja
Priority to US15/219,430 priority patent/US20170032984A1/en
Priority to KR1020160095223A priority patent/KR20170015195A/ko
Publication of JP2017033991A publication Critical patent/JP2017033991A/ja
Priority to KR1020180170412A priority patent/KR20190002396A/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP6541492B2 publication Critical patent/JP6541492B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D15/00—Separating processes involving the treatment of liquids with solid sorbents; Apparatus therefor
    • B01D15/08—Selective adsorption, e.g. chromatography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03D—FLOTATION; DIFFERENTIAL SEDIMENTATION
    • B03D1/00—Flotation
    • B03D1/02—Froth-flotation processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】被処理体に液を供給して液処理する際に、被処理体への微小なメタル含有不純物の付着を抑制する。【解決手段】保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が被処理体へ静電気力で付着されることを抑制する。または、保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、液体に含まれる電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を除去する。または、その両方を実施する。【選択図】図１

Description

本発明は、被処理体を液体で処理する液処理方法および液処理装置に関する。
半導体デバイスの製造プロセスの製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウエハに対して、ウエット洗浄処理、塗布処理等の液体を用いた液処理が存在する。
例えばウエット洗浄処理においては、被処理体である半導体ウエハを回転保持台に保持させ、半導体ウエハを回転させながら、アンモニア処理、フッ酸処理、硫酸処理等の薬液を供給して薬液洗浄処理を行った後、純水によるリンス処理を行い、その後、乾燥用有機溶剤としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いて被処理体に対して乾燥処理を行っている（例えば特許文献１）。
このような液処理に用いる液体、例えばＩＰＡ中には、不純物粒子が含まれており、これが被処理体に対し粒子状汚染を引き起こすため、このような不純物粒子をフィルタ等により除去している。
特開平１０−３０３１７３号公報
しかしながら、フィルタ等でＩＰＡ中の不純物粒子を除去しても、被処理体である半導体ウエハに対してフィルタ等では除去しきれない微小なメタル含有不純物が付着し、半導体デバイスの特性が劣化することがある。
したがって、本発明は、被処理体に液を供給して液処理する際に、被処理体への微小なメタル含有不純物の付着を抑制することができる液処理方法および液処理装置を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を解決するために、被処理体である半導体ウエハに対しＩＰＡ処理を行った際に、半導体ウエハに微小なメタル含有不純物が付着する原因について検討した。その過程で、ＩＰＡ中のメタル分析手法の見直しを行った結果、従来の分析手法では検出されなかった微小なメタル含有不純物がＩＰＡ中に存在し、このような微小なメタル含有不純物は被処理体である半導体ウエハへ静電気力によって強力に付着促進されることを見出した。このことは、ＩＰＡ中に存在する微小なメタル含有不純物が電荷を帯びていることを示唆するものである。この知見に基づいてさらに検討した結果、液処理を行うための液体中に含有される電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が付着しないように被処理体の電位コントロールを行うこと、または液体供給ラインで静電気力やメタル吸着材料を利用して電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を除去することが有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の第１の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法を提供する。
本発明の第２の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする液処理方法を提供する。
本発明の第３の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するとともに、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法を提供する。
本発明の第４の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段をさらに有し、前記帯電制御手段により、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置を提供する。
本発明の第５の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段をさらに有することを特徴とする液処理装置を提供する。
本発明の第６の観点は、被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段と、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段とをさらに有し、前記メタル含有不純物除去手段で前記液体中の前記メタル含有不純物が除去されるとともに、前記帯電制御手段により、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置を提供する。
前記保持部を接地することにより、前記被処理体の帯電を制御することができる。また、前記保持部に直流電圧を印加することにより、前記被処理体の帯電を制御することができる。さらに、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給することにより、前記被処理体の表面の帯電を制御することができる。
前記液体を貯留部に貯留し、前記貯留部内の前記液体に一対の電極を浸漬し、これら電極間に電圧を印加して電界を形成することにより、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を前記電極に静電気力でトラップし、前記液体中に含まれる前記メタル含有不純物を除去することができる。この場合に、前記貯留部に貯留された前記液体中に、前記電極の下方からマイクロバブルを供給し、前記マイクロバブルが前記液体中を浮上する過程で前記マイクロバブルに前記メタル含有不純物を吸着させ、前記メタル含有不純物の前記電極へのトラップを促進することが好ましい。
前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給配管に、電荷を帯びたメタル含有不純物を除去可能なフィルタを設けて前記メタル含有不純物を除去することができる。この場合に、前記フィルタは、陽イオン除去フィルタおよび陰イオン除去フィルタを有することが好ましい。
前記液体を蒸留精製することにより前記液体から前記メタル含有不純物を除去することができる。
前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路の少なくとも一部に液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を用いてもよい。また、前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路に、液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる吸着部材を有するメタル含有不純物除去ユニットを設けてもよい。前記吸着部材に前記メタル含有不純物を吸着させた後、前記吸着部材から前記メタル含有不純物を除去することが好ましい。
前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料として、前記液体中における表面電位が、前記液体中のメタル含有不純物が持つ電荷または表面電位と異符号となるものを用いる。
前記表面電位の指標としては、前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を構成する粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点を用いることができる。また、前記表面電位の指標としては、前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を構成する化合物組成の双極子モーメントを用いることができる。
前記液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を帯電させることが好ましい。
本発明では、液処理に用いる液体中に、従来含まれていると認識されてなかった電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が含まれていることを新たに見出し、それに基づいて、被処理体の帯電を制御すること、または、液体中からメタル含有不純物を除去すること、または、それらの両方を行うことにより、このようなメタル含有不純物が被処理体へ付着することを防止する。これにより、被処理体のメタル汚染を有効に抑制することができる。
本発明の第１の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 図１の液処理装置においてメタル含有不純物のウエハへの吸着が抑制されるメカニズムを説明するための図である。 本発明の第１の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 図３の液処理装置においてメタル含有不純物のウエハへの吸着が抑制されるメカニズムを説明するための図である。 本発明の第１の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 図５の液処理装置においてメタル含有不純物のウエハへの吸着が抑制されるメカニズムを説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 図７の液処理装置において液体からメタル含有不純物を除去するメカニズムを説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 図９の液処理装置において液体からメタル含有不純物を除去するメカニズムを説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 本発明の第２の実施形態における第４の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 本発明の第２の実施形態における第５の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 材料粒子のｐＨと溶媒のｐＨの座標における材料粒子の帯電状態を模式的に示す図である。 種々の有機材料の構造式、極性、ＩＰＡ中のＦｅ不純物粒子の吸着効果を示す図である。 液供給配管としてＰＦＡチューブを用い、それを摩擦帯電してＩＰＡをサンプリングした実験を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態における第５の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。 本発明の第２の実施形態の液処理方法を実施するための液処理装置であって、図９の液処理装置に、図１１のイオン除去フィルタを組み合わせた装置を示す概略構成図である。 本発明の第３の実施形態の液処理方法を実施するための液処理装置の一例を示す概略構成図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、第１の実施形態について説明する。
第１の実施形態では、被処理体であるウエハの帯電を制御することにより、液処理に用いる液体中に存在する電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ静電気力で付着することを抑制する。このような微小なメタル含有不純物としては、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のものを挙げることができるが、それに限定されない。電荷を帯びたメタル含有不純物としてはイオン状のものが含まれるが、イオン状には限定されない。
（第１の例）
図１は、第１の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
この液処理装置は、被処理体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗに対して枚葉式の液処理、例えば洗浄処理、乾燥処理、塗布処理等を行うものであり、チャンバ２と、チャンバ２内でウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を回転させるモータ４と、スピンチャック３に保持されたウエハＷに液体を供給する液供給機構５と、液処理装置の各構成部を制御するための制御部６とを有している。
チャンバ２内には、スピンチャック３に保持されたウエハＷを覆うためのカップ１１が設けられている。カップ１１の底部には、排気および排液のための排気・排液管１２が、チャンバ２の下方へ延びるように設けられている。チャンバ２の側壁には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口（図示せず）が設けられている。
スピンチャック３は、その上面にウエハＷを水平状態で保持する。スピンチャック３の中心には筒状をなす回転軸１３が取り付けられており、回転軸１３はチャンバ２の下方に延びている。そして、モータ４により回転軸１３を回転させることにより、スピンチャック３とともにウエハＷが回転される。スピンチャック３は、接地線１４により接地されている。接地線１４は回転軸１３内を通ってチャンバ２の外部に延びている。
液供給機構５は、チャンバ２外に設けられた液処理のための液体を貯留する液体タンク１５と、液体タンク１５からチャンバ２内のウエハＷに液体を供給する液供給配管１６と、液供給配管１６に設けられた液体送給用のポンプ１７と、液供給配管１６の先端に設けられたノズル１８とを有する。ポンプ１７の代わりにＮ２ガスやエアにより液体を圧送してもよい。また、液供給配管１６には開閉バルブ、流量制御器およびフィルター（いずれも図示せず）が設けられている。ノズル１８は、図示しない駆動機構によりウエハＷの径方向および上下方向に移動可能となっている。駆動機構は、ウエハＷの中心直上の液吐出位置と、ウエハＷから退避した退避位置との間でノズル１８を移動させる。
本例の液処理装置は、上述したように、ウエハＷ上に液体を供給することにより、ウエハＷに対して、被処理体としてのウエハＷに対して洗浄処理、乾燥処理、塗布処理等を施すものである。液処理装置１は、複数の液体により処理を行う場合、例えば洗浄処理では、薬液洗浄後に純水リンスを行う場合や、純水リンス後にＩＰＡ等による乾燥処理を行う場合があるが、ここでは、便宜的に、一種類の液体を供給する場合を示している。
液処理に用いる液体としては、通常の液処理に用いる液体であれば適用が可能であり、洗浄処理に用いる薬液、例えばアンモニア過水（ＡＰＭ）のようなアンモニア系薬液、希フッ酸（ＤＨＦ）のようなフッ酸系薬液、硫酸過水（ＳＰＭ）のような硫酸系薬液等の水溶液、または溶剤、リンス処理に用いる純水、乾燥処理に用いるＩＰＡ等の溶剤、塗布処理に用いるシンナー等を挙げることができる。以下の例および他の実施形態においても同様である。
制御部６は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えており、スピンチャック３の回転、液体の供給等を制御するようになっている。制御部６は、所定の処理レシピを実行するようになっており、そのために必要な制御パラメータや処理レシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えている。
次に、このような第１の例の液処理装置による液処理方法について説明する。
まず、液処理すべきウエハＷを図示しない搬送装置によりチャンバ２内に搬入し、スピンチャック３に装着する。この状態で、ノズル１８を退避位置からウエハＷの中心直上の液吐出位置に移動させ、モータ４によりスピンチャック３とともにウエハＷを回転させながら、液体タンク１５内の液体を液供給配管１６およびノズル１８を介してウエハＷ中心に供給し、液体をウエハＷの全面に広げて液処理を行う。
このとき、液体中に、通常のフィルタでは除去することが困難な微小なメタル含有不純物がある電荷を帯びた状態で含まれている場合、ウエハＷがそのメタル含有不純物が帯びる電荷と異符号の電位に帯電していると、ウエハＷにメタル含有不純物が静電気力で強固に付着する。
なお、メタル含有不純物は、金属単体の場合と、金属原子が錯体等の化合物を形成している場合の両方を含む。金属単体の場合は正の電荷を帯びた状態（典型的には陽イオン）として存在するが、錯体等の化合物イオンの場合は正の電荷を帯びた状態と負の電荷を帯びた状態（典型的には陰イオン）として存在している場合がある。
これに対し、本例では、スピンチャック３に接地線１４が接続され、スピンチャック３が接地されているので、図２（ａ）に示すようにウエハＷが帯電している場合でも、ウエハＷをスピンチャック３に保持させることにより、図２（ｂ）に示すように、ウエハＷの表面の電荷が接地線１４を通ってグラウンドに流れる。このため、スピンチャック３上のウエハＷは帯電がほぼキャンセルされた状態となり、液処理時においてウエハＷに対するメタル含有不純物の静電気力による付着を抑制することができる。
特に、ＩＰＡ等の自己解離定数［ｐｋａｐ］が低い溶媒（自己解離定数が１４以下）や、非プロトン性極性溶媒（例えばアセトンやシンナー）等の、イオン総数が少ない液体を用いる場合、液体中にイオン状で存在するメタル含有不純物が、帯電しているウエハＷに付着しやすくなり、メタル含有不純物が大量にウエハＷに付着する。また、同様に、液体中にプロトンやその他の陽イオンが少ない水溶液では、液体中に陽イオンとして存在するメタル含有不純物がウエハＷに付着しやすくなり、液体中にＦ−、Ｃｌ−、ＯＨ−等の陰イオンが少ない水溶液では陰イオンとして存在するメタル含有不純物がウエハＷに付着しやすくなる。したがって、本例の手法は、このような液体を用いる場合に、特に有効である。なお、この点は、以下に示す他の例および他の実施形態についても同様である。
（第２の例）
図３は、第１の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
図１の第１の例の液処理装置では、ウエハの帯電をキャンセル手段として接地線１４を設けたが、本例の液処理装置では接地線１４に代えて、スピンチャック３に給電線２１を介して直流電源２２を接続し、スピンチャック３に電圧を印加するようにした。他は、図１の液処理装置と同様に構成されている。したがって、図１と同じ部分は説明を省略する。
給電線２１は、スピンチャック３から回転軸１３内を通ってチャンバ２の外部に延びており、給電線２１のチャンバ２の外側部分に直流電源２２が接続されている。そして、直流電源２２からスピンチャック３に、液体中に存在する付着を抑制したいメタル含有不純物と同符号の直流電圧が印加される。例えば、付着を抑制したいメタル含有不純物が陽イオン等の正の電荷を帯びたものである場合、スピンチャック３にプラスの電圧を印加する。
このようにスピンチャック３にプラスの電圧を印加することにより、図４のように、ウエハＷはプラスに帯電し、液体中に陽イオンとして存在するメタル含有不純物２３がウエハＷに対して反発するようになる。このため、第１の例よりも効果的にウエハＷへのメタル含有不純物の静電気力による付着を抑制することができる。
（第３の例）
図５は、第１の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
本例の液処理装置は、ウエハの帯電をキャンセルする手段として、第１の例および第２の例と異なり、バックリンスノズル２５を利用する。他の構成は基本的に図１の液処理装置と同様であるから、図１と同じものには同じ部分は説明を省略する。
本例では、スピンチャック３はウエハＷの中心部に設けられており、ウエハＷ裏面が露出した状態でスピンチャック３に保持されるようになっている。そして、ウエハＷの裏面にリンス液として純水を供給するバックリンスノズル２５が複数設けられている。
バックリンスノズル２５からウエハＷ裏面にリンス液として純水を供給すると、図６（ａ）に示すように、ウエハＷ裏面が負に帯電し、ウエハＷ表面は誘導帯電により正に帯電する。これにより、図６（ｂ）に示すように、液体中に陽イオン等の正の電荷を帯びた状態で存在するメタル含有不純物２３がウエハＷ表面に対して反発し、メタル含有不純物のウエハＷ表面に対する静電気力による付着を抑制することができる。
ウエハＷ表面の純水リンスの後、ＩＰＡによる乾燥処理を連続して行う場合を例にとって説明すると、ウエハＷ表面は純水リンスにより負に帯電するが、ＩＰＡ乾燥処理に切り替える前にバックリンスを行うことにより、ウエハＷ表面は正に帯電するようになり、ＩＰＡ乾燥処理の際には、ＩＰＡ中に陽イオン等の正の電荷を帯びた状態で存在する微小なメタル含有不純物のウエハＷ表面への付着を抑制することができる。
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態では、液処理に用いる液体の供給系において、液体中に存在する電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を除去することにより、このようなメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ付着することを抑制する。第１の実施形態と同様、微小なメタル含有不純物としては、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のものを挙げることができるが、それに限定されない。電荷を帯びたメタル含有不純物としてはイオン状のものが含まれるが、イオン状には限定されない。
（第１の例）
図７は、第２の実施形態における第１の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
本例の液処理装置は、第１の実施形態のウエハの帯電をコントロールする手段は設けられていないが、液体中のメタル含有不純物を除去する手段として、液体タンク１５中の液体に浸漬された一対の電極３１ａ，３１ｂと、これら電極に電圧を印加する直流電源３２とを有している。他は、基本的に図１に示す第１の実施形態における第１の例の液処理装置と同様に構成されている。したがって、図１と同じ部分は説明を省略する。
本例において、液体タンク１５に貯留された液体に一対の電極３１ａ，３１ｂが浸漬されている。電極３１ａ，３１ｂは例えばシリコン（Ｓｉ）で形成されており、電極３１ａが直流電源３２のプラス側に接続された陽極であり、電極３１ｂが直流電源３２のマイナス側に接続された陰極である。
直流電源３２から電極３１ａ，３１ｂに電圧を印加し、液体タンク１５中に電界を形成することにより、静電気力により液体中の電荷を帯びた物質（イオン）をトラップすることができる。例えば、図８に示すように、液体Ｌ中に微小なメタル含有不純物が陽イオン等の正の電荷を帯びた状態で存在する場合は、メタル含有不純物２３が負に帯電している電極３１ｂにトラップ（吸着）され、液体からメタル含有不純物が除去される。これにより、液処理の際に液体中の微小なメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ付着することを抑制することができる。
なお、電極を配管に設けて液供給配管内に電界を形成することにより、メタル含有不純物をトラップするようにしてもよい。
（第２の例）
図９は、第２の実施形態における第２の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
本例の液処理装置は、図７の第１の例の液処理装置にマイクロバブル発生器３５を付加したものである。他は、図７の液処理装置と全く同様に構成されている。
マイクロバブル発生器３５は液体タンク１５に接続されており、液体タンク１５内の液体中にマイクロバブルを供給するためのものである。マイクロバブル発生器３５は、液体タンク１５の底部に接続されており、電極３１ａ，３１ｂの下端がマイクロバブル導入部分の上方に位置している。
このようにマイクロバブル発生器３５から液体タンク１５内の液体Ｌ中にマイクロバルブを供給する。図１０に示すように、液体中のマイクロバブル４０の表面にはゼータ電位が生じるため、陽イオン等の正の電荷を帯びた状態の液体中のメタル含有不純物２３がマイクロバブル４０の表面に吸着される。そしてマイクロバブル４０はメタル含有不純物２３を吸着しつつ浮上する過程で収縮し、やがて消滅して、メタル含有不純物２３が濃縮される。このようにメタル含有不純物が濃縮された状態になるので、メタル含有不純物２３の電極３１ｂ（陰極）への移動が促進される。したがって、メタル含有不純物２３の電極３１ｂへの吸着効率が第１の例よりも向上し、第１の例よりもメタル含有不純物の除去効率が高いものとなる。これにより、液処理の際に液体中の微小なメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ付着することをより効果的に抑制することができる。
（第３の例）
図１１は、第２の実施形態における第３の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
本例においては、液体タンク１５から延びる液供給配管１６に電荷を帯びたメタル含有不純物が除去可能なフィルタ５０が設けられている。このようなフィルタ５０として陽イオン除去フィルタを用いることにより陽イオン等の正の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物を除去することができる。また、フィルタ５０として陰イオン除去フィルタを用いることにより陰イオン等の負の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物を除去することができる。特に、フィルタ５０として陽イオン除去フィルタと陰イオン除去フィルタとを併用することが好ましい。これにより、液体から陽イオン等の正の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物および陰イオン等の負の電荷を帯びた状態のメタル含有不純物を除去することができるので、液体中のメタル含有不純物の量をより少なくして、液処理においてメタル含有不純物がウエハＷに付着することをより効果的に抑制することができる。
（第４の例）
図１２は、第２の実施形態における第４の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
本例においては、液体タンク１５に供給する液体を蒸留精製する蒸留精製部６０を有している。液体として溶剤や純水を用いる場合には、液体を蒸留精製することにより液体中の微小なメタル含有不純物を除去することが可能である。これにより、液処理の際にウエハＷに供給される液体中のメタル含有不純物の数を少なくすることができ、メタル含有不純物がウエハＷに付着することを抑制することができる。
（第５の例）
図１３は、第２の実施形態における第５の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
本例においては、従前の例の液供給配管１６の代わりに、液体中の電荷を帯びた微小なメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる液供給配管１６′を有しており、液供給配管１６′に、同様のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる不純物除去フィルタ４５が設けられている。
このように液体の供給経路に液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を用いることにより、液体中の微小なメタル含有不純物が液体の供給経路でトラップされて除去される。
以下、このような構成に至った経緯について説明する。
液体がＩＰＡである場合、ＩＰＡ中に主成分としてＦｅを含む不純物（Ｆｅ不純物）が存在し、ＩＰＡをＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）製の容器に入れるとＩＰＡ中のＦｅ不純物が高い効率で容器の内壁に吸着されることが判明した。また、シリコンウエハにＩＰＡを塗布することによりＦｅ不純物が高い効率でウエハに吸着されることが見出され、このことから容器材料としてＳｉを用いた場合にも、同様にＩＰＡ中のＦｅ不純物が高い効率で容器内壁に吸着されることが期待される。
これに対し、ＩＰＡをＰＰ（ポリプロピレン）製の容器に入れるとＩＰＡ中のＦｅ不純物が容器内壁に吸着され難いことが判明した。また、ＩＰＡ供給ラインの材料として広く用いられている粒子除去フィルタの材料であるＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）にもＩＰＡ中のＦｅ不純物が吸着され難いことを示唆するデータも得られた。
このような液体中のメタル含有不純物に対する材料の付着性は、対象液体中の材料の表面電位（マイナスであるかプラスであるか）や、材料自体の極性（プラスやマイナスが偏在しているか）に依存する。具体的には、液体がＩＰＡの場合には、その中のＦｅ不純物が付着しやすい材料は、ＩＰＡに対して表面電位がマイナスになる材料、または材料自体に極性があり電気的にマイナスに偏在した部分がある材料である。
材料粒子の表面電位の指標としては、材料粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点（電離後の材料粒子の電荷平均が０となるｐＨ）を挙げることができる。ＩＰＡのような有機溶媒中の粒子の帯電においても、水系溶媒で計測されるゼータ電位が表面電位の指標となる。
図１４は、材料粒子のｐＨと溶媒のｐＨの座標における材料粒子の帯電状態を模式的に示す図である。この図から、ＩＰＡ溶媒中では、ＳｉＯ２表面は負の電位をもつことがわかる。ＳｉＯ２膜表面にはＩＰＡ中のＦｅ不純物が高効率で吸着することから、Ｆｅ不純物の多くは、プラス電荷を持ち、ＳｉＯ２表面に電気的に吸着していると考えられる。したがって、ＩＰＡ中のＦｅ不純物が吸着しやすい材料は、ＩＰＡに対して表面電位がマイナスになる材料である。
図１４の横軸の指標を等電点で整理すると、以下表１に示すようになる。図１４と表１とから、ＩＰＡ中のＦｅ系不純物粒子は、ＳｉＯ２のような等電点の小さい材料には吸着しやすく、ＺｎＯのような等電点の大きい材質には吸着しにくいことが見出された。
Figure 2017033991
なお、ウエハ表面にＳｉＯ２のような等電点が低い膜が形成されている場合は、ＩＰＡ中のＦｅ不純物が吸着しやすいため、第１の実施形態のようにウエハを接地するまたは電圧印加することによりウエハへのＦｅ不純物の付着を抑制することは効果的である。
材料粒子の極性の指標としては、化合物組成の双極子モーメントを挙げることができる。双極子モーメントは特に有機材料における指標である。すなわち、電気陰性度の異なる元素を含み、極性を誘発して大きい双極子モーメントを有する極性物質は、電気的にマイナスに偏在する部分を有しておりＩＰＡ中のＦｅ不純物を吸着しやすい。種々の有機材料の構造式、極性、ＩＰＡ中のＦｅ不純物粒子の吸着効果を図１５にまとめて示す。
図１５に示すように、ＰＰ（ポリプロピレン）は、構造式中に電気陰性度の大きく異なる元素を含まないため極性が弱く、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が小さい（吸着しづらい）。また、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）は、Ｆ→Ｃのベクトルを持つが、相対するＦ→Ｃのベクトルに打ち消され、極性を誘発しないため、やはりＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が小さい（吸着しづらい）。一方、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）は、構造式中のＣ３Ｆ７で双極子モーメントを持つと予想され、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が大きい（吸着しやすい）。また、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）は、構造式中のＣＦ２とＣＨ２のベクトルが逆向きであり、強い双極子モーメントベクトルを有するため、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着能が大きい（吸着しやすい）。なお、これら材料のうち、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＦＡについては、ＩＰＡ中のＦｅ不純物に対する吸着性がほぼ実証されている。
以上のように、本実施例では、液体の供給経路に液体中の電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を吸着しやすい材料を用いるが、それに加え、液体供給経路の材料を帯電させることで、さらに高い吸着性を期待できる。
例えば、液供給配管１６′を構成する、液体中の微小なメタル含有不純物を吸着しやすい材料は、液体中で微小なメタル含有不純物と逆の極性の表面電位を有する材料であるから、これをポリエステルワイプ等で摩擦して帯電させることにより、液供給配管１６′の表面電位をさらに増加させて、メタル含有不純物をより高い効率で吸着させることができる。
実際に図１６に示すように、液供給配管として、ＰＦＡチューブを用い、粒子除去フィルタとして５０ｎｍの粒子を除去可能なものを用いて、ＰＦＡチューブを摩擦帯電させた状態で容器（キャニスター）から供給配管を介して供給されたＩＰＡ中のＦｅ濃度を、摩擦帯電させない場合のＩＰＡ中のＦｅ濃度と比較した。
その結果、サンプリングしたＩＰＡ中のＦｅ濃度が、ＰＦＡチューブを摩擦帯電させない場合には６１ｐｐｔであったのに対し、摩擦帯電させた場合には２５ｐｐｔとなり、ＩＰＡ中のＦｅ系不純物粒子の量が６０％程度低減したことが確認された。
なお、本例では、液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を液供給配管および粒子除去フィルタの両方に適用したが、いずれか一方であってもよい。また、液体タンクをメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料で構成してもよい。
また、帯電させる場合は、液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料で構成された液供給経路部材の少なくとも１個を帯電させればよい。
（第６の例）
図１７は、第２の実施形態のおける第６の例の液処理方法を実施するための液処理装置を示す概略構成図である。
本例においては、液供給機構５に、第５の例の液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を利用した清浄化ユニット（メタル含有不純物除去ユニット）７０を設けた例を示す。
具体的には、液体タンク１５からＩＰＡ等の液体を供給する第１液供給配管６１が延びており、第１液供給配管６１にポンプ１７および不純物除去フィルタ６２が介装されている。第１液供給配管６１は、清浄化ユニット７０に上方から挿入されており、液体は第１液供給配管６１を介して清浄化ユニット７０に供給され、貯留される。また、清浄化ユニット７０の上方から第２液供給配管６３が挿入されており、第２液供給配管６３はチャンバ２内に延び、その先端にノズル１８が設けられている。
第１液供給配管６１と第２液供給配管６３は循環ライン６４により接続されている。また、第２液供給配管６３の循環ライン６４接続部の下流側には開閉バルブ６５が設けられ、循環ライン６４には、第１液供給配管６１との接続部近傍に開閉バルブ６６、第２供給配管６３との接続部近傍に開閉バルブ６７が設けられている。したがって、これら開閉バルブ６５，６６，６７の操作により、液体をウエハに供給するモードと循環ライン６４に循環させるモードとの間で切り替え可能となっている。
清浄化ユニット７０は、バッチ式の清浄化ユニットとして構成され、吸着槽７１と、吸着槽７１の底部に敷き詰められた吸着部材７２とを有する。吸着部材７２は、第５の例の液体中のメタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる。
また、吸着槽７１には、再生用液供給ライン７３と再生用液排出ライン７５が接続されており、これらにはそれぞれ開閉バルブ７４および７６が介装されている。再生用液は、吸着部材７２にトラップされたメタル含有不純物を除去するためのものであり、典型的には酸溶液が用いられる。
本例の液処理装置においては、液体タンク１５から、第１液供給配管６１を介して、液体として例えばＩＰＡを清浄化ユニット７０の吸着槽７１に供給する。このとき、開閉バルブ６５，６６，６７は閉じられている。液体の供給が終了して一定時間保持した後、バルブ６５を開成して液体を第２液供給配管６３およびノズル１８を介してウエハへ液体を供給する。これにより、吸着槽７１内において、吸着部材７２に液体中のメタル含有不純物が吸着される。
このように、吸着部材７２に液体中のメタル含有不純物を吸着させることにより、液体中のメタル含有不純物を高効率で除去することができる。なお、吸着材料の形態は、例えば球状としたり、また構造をポーラス上として吸着表面積を拡大させるなど、吸着効率を高める構造としてもよい。
液処理を行わない場合は、開閉バルブ６５を閉成し、開閉バルブ６６，６７を開成して、循環ライン６４により液体を循環させておく。
吸着部材７２は、所定量のメタル含有不純物を吸着すると、それ以上吸着することが困難となるため、吸着部材７２にトラップされたメタル含有不純物を除去して再生することが好ましい。吸着部材７２の再生には、吸着槽７１に液体が入っていない状態で、再生用液供給ライン７３を介して吸着槽７１に再生用液、例えば酸溶液を供給して、吸着部材７２に吸着したメタル含有不純物を除去する。再生処理が終了した後は、再生用液を再生用液排出ライン７５から排出させる。
なお、清浄化ユニットとして、吸着槽下部から液体を流入させて、吸着槽上部から液体を流出させる連続式のものを用いてもよい。また、上記第５の例の内容は、本例の吸着部材に適用することができる。
（他の例）
第２の実施形態では、第１の例〜第６の例を適宜組み合わせてもよい。例えば、図７に示す第１の例の液処理装置または図９に示す第２の例の液処理装置に、第３の例のイオン除去フィルタ５０または第４の例の蒸留生成部６０を設けてもよく、またこれらの両方を設けてもよい。これにより、液体中のメタル含有不純物の除去率をより高めることができ、液処理の際にメタル含有不純物がウエハＷに付着することをより効果的に抑制することができる。
一例として、図１８に、図９の液処理装置に、図１１のイオン除去フィルタ５０を組み合わせた例を示す。
＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について説明する。
第３の実施形態では、液処理に用いる液体の供給系において、液体中の電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を除去するとともに、被処理体であるウエハの帯電を制御し、液体中に残存するそのようなメタル含有不純物が被処理体であるウエハへ静電気力で付着することを抑制する。すなわち、第３の実施形態は、上記第１の実施形態と第２の実施形態と併用するものである。なお、第１の実施形態および第２の実施形態と同様、微小なメタル含有不純物としては、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のものを挙げることができるが、それに限定されない。電荷を帯びたメタル含有不純物としてはイオン状のものが含まれるが、イオン状には限定されない。
組み合わせは任意であり、第１の実施形態の第１の例、第２の例または第３の例と、第２の実施形態の第１の例、第２の例、第３の例、第４の例、第５の例、または第６の例のいずれかとを併用してもよいし、第１の実施形態の第１の例、第２の例または第３の例と、第２の実施形態の第１の例〜第６の例を適宜組み合わせたものを併用してもよい。例えば、第１の実施形態の第１の例、第２の例または第３の例と、第２の実施形態の第１の例または第２の例に第３の例または／および第４の例を組み合わせたものを併用してもよい。
このように、液体中のメタル含有不純物の除去と、被処理体であるウエハの帯電制御とを併用することにより、液体中のメタル含有不純物の量を減少させるとともに、静電気力によりメタル含有不純物がウエハに付着すること自体を抑制するので、ウエハのメタル汚染を極めて効果的に抑制することができる。
これらの中で、第１の実施形態の第１の例または第２の例と、第２の実施形態の第１の例または第２の例との組み合わせは、静電気を利用した簡易な構成であり、特に有効である。図１９に、第１の実施形態の第２の例と、第２の実施形態の第２の例を組み合わせたものを例示する。もちろん、図１９の装置にさらにイオン除去フィルタまたは蒸留精製部、またはその両方を設けてもよいし、さらに第２の実施形態の第５の例または第６の例を組み合わせてもよい。
＜実施形態による効果＞
以上のように、本実施形態では、ＩＰＡのような液処理に用いる液体中に、従来含まれていると認識されてなかった電荷を帯びた微小なメタル含有不純物、典型的にはパーティクル状で１０ｎｍ以下のメタル含有不純物が含まれていることを新たに見出し、それに基づいて、ウエハの帯電を制御すること、または、液体中からメタル含有不純物を除去すること、または、それらの両方を行うことにより、このようなメタル含有不純物がウエハへ付着することを防止する。これにより、ウエハのメタル汚染を有効に抑制することができ、半導体デバイスの微細化に対応することができる。
＜他の適用＞
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、被処理体であるウエハをスピンチャックに保持させて、ウエハを回転しながら、ウエハに液体を供給してウエハの全面に液体を広げるようにして液処理を行う場合について示したが、被処理体に液体を供給して処理するものであればその形態は限定されない。
また、上記実施形態において、被処理体であるウエハの帯電を制御する方法および液体からメタル含有不純物を除去する方法は例示に過ぎず、他の方法を用い得ることはいうまでもない。
さらに、上記実施形態では被処理体として半導体ウエハを用いた例を示したが、これに限らず、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物が付着するおそれがある被処理体であれば本発明を適用することができる。
１；液処理装置
２；チャンバ
３；スピンチャック
４；モータ
５；液供給機構
６；制御部
１１；カップ
１２；排気・排液管
１３；回転軸
１４；接地線
１５；液体タンク
１６，１６′；液供給配管
１７；ポンプ
１８；ノズル
２１；給電線
２２；直流電源
２３；メタル含有不純物
３１ａ，３１ｂ；電極
３２；直流電源
３５；マイクロバブル発生器
４０；マイクロバブル
４５，６２；不純物除去フィルタ
５０；イオン除去フィルタ
６０；蒸留精製部
６１；第１液供給配管
６３；第２液供給配管
６４；循環ライン
６５，６６，６７；開閉バルブ
７０；清浄化ユニット
７１；吸着槽
７２；吸着部材
Ｗ；半導体ウエハ（被処理体）

Claims (38)

  1. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、
    前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法。
  2. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、
    前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする液処理方法。
  3. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有する液処理装置を用いて、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理方法であって、
    前記保持部に保持された被処理体に液体が供給される過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するとともに、前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御することにより、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることを抑制することを特徴とする液処理方法。
  4. 前記保持部を接地することにより、前記被処理体の帯電を制御することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液処理方法。
  5. 前記保持部に直流電圧を印加することにより、前記被処理体の帯電を制御することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液処理方法。
  6. 前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給することにより、前記被処理体の表面の帯電を制御することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液処理方法。
  7. 前記液体を貯留部に貯留し、前記貯留部内の前記液体に一対の電極を浸漬し、これら電極間に電圧を印加して電界を形成することにより、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を前記電極に静電気力でトラップし、前記液体中に含まれる前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の液処理方法。
  8. 前記貯留部に貯留された前記液体中に、前記電極の下方からマイクロバブルを供給し、前記マイクロバブルが前記液体中を浮上する過程で前記マイクロバブルに前記メタル含有不純物を吸着させ、前記メタル含有不純物の前記電極へのトラップを促進することを特徴とする請求項７に記載の液処理方法。
  9. 前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給配管に、電荷を帯びたメタル含有不純物を除去可能なフィルタを設けて前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項に記載の液処理方法。
  10. 前記フィルタは、陽イオン除去フィルタおよび陰イオン除去フィルタを有することを特徴とする請求項９に記載の液処理方法。
  11. 前記液体を蒸留精製することにより前記液体から前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項２から請求項１０のいずれか１項に記載の液処理方法。
  12. 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路の少なくとも一部に液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を用いることを特徴とする請求項２から請求項１１のいずれか１項に記載の液処理方法。
  13. 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路に、液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる吸着部材を有するメタル含有不純物除去ユニットを設けることを特徴とする請求項２から請求項１１のいずれか１項に記載の液処理方法。
  14. 前記吸着部材に前記メタル含有不純物を吸着させた後、前記吸着部材から前記メタル含有不純物を除去することを特徴とする請求項１３に記載の液処理方法。
  15. 前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料は、前記液体中における表面電位が、前記液体中のメタル含有不純物が持つ電荷または表面電位と異符号であることを特徴とする請求項１２から請求項１４に記載の液処理方法。
  16. 前記表面電位の指標は、前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を構成する粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点であることを特徴とする請求項１５に記載の液処理方法。
  17. 前記表面電位の指標は、前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を構成する化合物組成の双極子モーメントであることを特徴とする請求項１５に記載の液処理方法。
  18. 前記液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を帯電させることを特徴とする請求項１２から請求項１７のいずれか１項に記載の液処理方法。
  19. 前記メタル含有不純物は、その大きさが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項１８に記載の液処理方法。
  20. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
    前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段をさらに有し、前記帯電制御手段により、前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置。
  21. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
    前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段をさらに有することを特徴とする液処理装置。
  22. 被処理体を保持する保持部と、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給機構とを有し、電荷を帯びた微小なメタル含有不純物を含む液体により被処理体を液処理する液処理装置であって、
    前記液供給機構から前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する過程で、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物を除去するメタル含有不純物除去手段と、
    前記保持部に保持された被処理体の帯電を制御する帯電制御手段と
    をさらに有し、
    前記メタル含有不純物除去手段で前記液体中の前記メタル含有不純物が除去されるとともに、前記帯電制御手段により、前記液体中に残存する前記メタル含有不純物が前記被処理体へ静電気力で付着されることが抑制されることを特徴とする液処理装置。
  23. 前記帯電制御手段は、前記保持部を接地することにより、前記被処理体の帯電を制御することを特徴とする請求項２０または請求項２２に記載の液処理装置。
  24. 前記帯電制御手段は、前記保持部に直流電圧を印加する直流電源を有し、前記直流電源から前記保持部に印加される直流電圧により前記被処理体の帯電を制御することを特徴とする請求項２０または請求項２２に記載の液処理装置。
  25. 前記帯電制御手段は、前記保持部に保持された前記被処理体の裏面に純水を供給する純水供給手段を有し、前記純水供給手段から前記被処理体の裏面に純水を供給することにより前記被処理体の表面の帯電を制御することを特徴とする請求項２０または請求項２２に記載の液処理装置。
  26. 前記液体を貯留する貯留部と、前記貯留部内の前記液体に浸漬される一対の電極と、前記一対の電極間に直流電圧を印加して電界を形成する直流電源とをさらに有し、前記電界が形成されることにより、前記液体に含まれる前記メタル含有不純物が前記電極に静電気力でトラップされ、前記液体中に含まれる前記メタル含有不純物が除去されることを特徴とする請求項２１から請求項２５のいずれか１項に記載の液処理装置。
  27. 前記貯留部に貯留された液体中に、前記電極の下方からマイクロバブルを供給するマイクロバブル発生器をさらに有し、前記マイクロバブルが前記液体中を浮上する過程で前記マイクロバブルに前記メタル含有不純物が吸着され、前記メタル含有不純物の前記電極へのトラップが促進されることを特徴とする請求項２６に記載の液処理装置。
  28. 前記液供給機構は、前記保持部に保持された被処理体に液体を供給する液供給配管を有し、前記液処理装置は、前記配管に設けられた、電荷を帯びたメタル含有不純物を除去可能なフィルタをさらに有し、前記フィルタにより前記メタル含有不純物が除去されることを特徴とする請求項２１から請求項２７のいずれか１項に記載の液処理装置。
  29. 前記フィルタは、陽イオン除去フィルタおよび陰イオン除去フィルタを有することを特徴とする請求項２８に記載の液処理装置。
  30. 前記液体を蒸留精製する蒸留精製部をさらに有し、前記蒸留精製部により前記液体が蒸留精製されることにより前記液体から前記メタル含有不純物が除去されることを特徴とする請求項２１から請求項２９のいずれか１項に記載の液処理装置
  31. 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路の少なくとも一部に液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料が用いられることを特徴とする請求項２１から請求項３０のいずれか１項に記載の液処理装置。
  32. 前記液体を前記被処理体に供給する液体の供給経路に、液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料からなる吸着部材を有するメタル含有不純物除去ユニットが設けられていることを特徴とする請求項２１から請求項３０のいずれか１項に記載の液処理装置。
  33. 前記吸着部材に前記メタル含有不純物を吸着させた後、前記吸着部材から前記メタル含有不純物を除去する液体を供給する再生液供給ラインを有することを特徴とする請求項３２に記載の液処理装置。
  34. 前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料は、前記液体中における表面電位が、前記液体中のメタル含有不純物が持つ電荷または表面電位と異符号であることを特徴とする請求項３１から請求項３３に記載の液処理装置。
  35. 前記表面電位の指標は、前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を構成する粒子のゼータ電位またはゼータ電位計測から求められる等電点であることを特徴とする請求項３４に記載の液処理装置。
  36. 前記表面電位の指標は、前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を構成する化合物組成の双極子モーメントであることを特徴とする請求項３４に記載の液処理装置。
  37. 前記液体中の前記メタル含有不純物に対して高吸着性を有する材料を帯電させる手段を有することを特徴とする請求項３１から請求項３６のいずれか１項に記載の液処理装置。
  38. 前記メタル含有不純物は、その大きさが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２０から請求項３７に記載の液処理装置。

JP2015149652A 2015-07-29 2015-07-29 液処理方法および液処理装置 Active JP6541492B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015149652A JP6541492B2 (ja) 2015-07-29 2015-07-29 液処理方法および液処理装置
US15/219,430 US20170032984A1 (en) 2015-07-29 2016-07-26 Liquid processing method and liquid processing apparatus
KR1020160095223A KR20170015195A (ko) 2015-07-29 2016-07-27 액 처리 방법 및 액 처리 장치
KR1020180170412A KR20190002396A (ko) 2015-07-29 2018-12-27 액 처리 방법 및 액 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015149652A JP6541492B2 (ja) 2015-07-29 2015-07-29 液処理方法および液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017033991A true JP2017033991A (ja) 2017-02-09
JP6541492B2 JP6541492B2 (ja) 2019-07-10

Family

ID=57883010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015149652A Active JP6541492B2 (ja) 2015-07-29 2015-07-29 液処理方法および液処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170032984A1 (ja)
JP (1) JP6541492B2 (ja)
KR (2) KR20170015195A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021072446A (ja) * 2019-10-31 2021-05-06 セメス カンパニー，リミテッド 薬液供給装置、薬液のパーティクル除去方法、ノズルユニット、及び基板処理装置
JP7337989B1 (ja) 2022-03-18 2023-09-04 セメス カンパニー，リミテッド 液供給ユニット及び液供給方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160057966A (ko) 2014-11-14 2016-05-24 가부시끼가이샤 도시바 처리 장치, 노즐 및 다이싱 장치
JP6545511B2 (ja) * 2015-04-10 2019-07-17 株式会社東芝 処理装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239628A (ja) * 1985-04-17 1986-10-24 Tokuyama Soda Co Ltd 半導体基材の洗浄方法
JPH05138142A (ja) * 1990-08-20 1993-06-01 Hitachi Ltd 液中微粒子付着制御法
JPH0731810A (ja) * 1993-07-23 1995-02-03 Sony Corp 洗浄工程におけるフィルタの清浄化方法
JPH08102456A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Kobe Steel Ltd 電子材料洗浄方法及び洗浄装置
JPH09167752A (ja) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp 薬液処理装置および薬液処理方法
JP2005136377A (ja) * 1993-07-16 2005-05-26 Legacy Systems Inc 半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置
JP2011139004A (ja) * 2010-01-04 2011-07-14 Asahi Glass Co Ltd 基板の洗浄方法
JP2012107128A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Thales:Kk 物品の洗浄方法
JP2013074252A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4732661A (en) * 1985-10-24 1988-03-22 Mercer International, Inc. Electrolytic purification system
US4908109A (en) * 1985-10-24 1990-03-13 Mercer International, Inc. Electrolytic purification system utilizing rapid reverse current plating electrodes
JP2743823B2 (ja) * 1994-03-25 1998-04-22 日本電気株式会社 半導体基板のウエット処理方法
JPH10303173A (ja) 1997-04-25 1998-11-13 Sony Corp ウエハ乾燥機及びその乾燥方法
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2004121962A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ナノバブルの利用方法及び装置
US20040226654A1 (en) * 2002-12-17 2004-11-18 Akihisa Hongo Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100583430B1 (ko) * 2004-03-08 2006-05-24 양경숙 차륜 가변형 스쿠터
US7981286B2 (en) * 2004-09-15 2011-07-19 Dainippon Screen Mfg Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method of removing particles
KR20060074767A (ko) * 2004-12-28 2006-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 장치 및 그 방법
WO2007138773A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki 水処理装置
JP4168068B2 (ja) * 2006-09-25 2008-10-22 シャープ株式会社 マイクロナノバブル含有液体製造方法、マイクロナノバブル含有液体製造装置、およびマイクロナノバブル含有液体応用装置
SG144040A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-29 Siltronic Ag Cleaning liquid and cleaning method for electronic material
JP5023705B2 (ja) * 2007-01-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体
JP5182989B2 (ja) * 2008-03-07 2013-04-17 株式会社豊田自動織機 液中プラズマ成膜装置、液中プラズマ用電極および液中プラズマを用いた成膜方法
JP2009246000A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
US8202348B2 (en) * 2008-07-01 2012-06-19 Lawrence Curtin Method of separating carbon dioxide
KR20100049857A (ko) * 2008-11-04 2010-05-13 주식회사 실트론 전기장을 이용한 금속불순물 제거 장치 및 방법
JP5408982B2 (ja) * 2008-12-09 2014-02-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の帯電除去装置及び帯電除去方法
JP5893823B2 (ja) * 2009-10-16 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
EP2711342A4 (en) * 2011-05-17 2014-04-09 Panasonic Corp PLASMA GENERATION DEVICE AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING
WO2013006169A1 (en) * 2011-07-06 2013-01-10 Empire Technology Development Llc Air purifier
JPWO2015152223A1 (ja) * 2014-03-31 2017-04-13 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体の製造方法およびウエハ基板の洗浄方法
JP6502198B2 (ja) * 2015-07-02 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および記憶媒体

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239628A (ja) * 1985-04-17 1986-10-24 Tokuyama Soda Co Ltd 半導体基材の洗浄方法
JPH05138142A (ja) * 1990-08-20 1993-06-01 Hitachi Ltd 液中微粒子付着制御法
JP2005136377A (ja) * 1993-07-16 2005-05-26 Legacy Systems Inc 半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置
JPH0731810A (ja) * 1993-07-23 1995-02-03 Sony Corp 洗浄工程におけるフィルタの清浄化方法
JPH08102456A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Kobe Steel Ltd 電子材料洗浄方法及び洗浄装置
JPH09167752A (ja) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp 薬液処理装置および薬液処理方法
JP2011139004A (ja) * 2010-01-04 2011-07-14 Asahi Glass Co Ltd 基板の洗浄方法
JP2012107128A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Thales:Kk 物品の洗浄方法
JP2013074252A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021072446A (ja) * 2019-10-31 2021-05-06 セメス カンパニー，リミテッド 薬液供給装置、薬液のパーティクル除去方法、ノズルユニット、及び基板処理装置
JP7373478B2 (ja) 2019-10-31 2023-11-02 セメス カンパニー，リミテッド 薬液供給装置、薬液のパーティクル除去方法、ノズルユニット、及び基板処理装置
US11981995B2 (en) 2019-10-31 2024-05-14 Semes Co., Ltd. Chemical supply apparatus, method for removing particles from chemical, nozzle unit, and substrate treating apparatus
JP7337989B1 (ja) 2022-03-18 2023-09-04 セメス カンパニー，リミテッド 液供給ユニット及び液供給方法
JP2023137422A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 セメス カンパニー，リミテッド 液供給ユニット及び液供給方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190002396A (ko) 2019-01-08
US20170032984A1 (en) 2017-02-02
KR20170015195A (ko) 2017-02-08
JP6541492B2 (ja) 2019-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190002396A (ko) 액 처리 방법 및 액 처리 장치
KR101633129B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
TWI683897B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6594445B2 (ja) 半導体装置の製造装置及び製造方法
JP2011511290A5 (ja)
JP4498893B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US11139159B2 (en) Methods of removing particles from over semiconductor substrates
US10522341B2 (en) Composition and method for removing residue from chemical-mechanical planarization substrate
KR20140148330A (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
US20120298158A1 (en) Microelectronic substrate cleaning systems with polyelectrolyte and associated methods
JP2000228380A (ja) 洗浄方法
TW200535985A (en) Substrate washing device and substrate washing method
US7410814B1 (en) Process and apparatus for cleaning silicon wafers
JP2007234815A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH11214341A (ja) 被洗浄体のすすぎ方法
JP2007266210A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JP6556525B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201402233A (zh) 晶圓清潔系統及利用晶圓清潔系統清潔晶圓的方法
JP2016207744A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
EP1250712A2 (en) Process and apparatus for cleaning silicon wafers
CN115889332B (zh) 一种晶圆片清洗系统
JPH0253899A (ja) 洗浄液及び洗浄方法
JP5262306B2 (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法
TW436333B (en) Process and apparatus for cleaning semiconductor wafer/thin film
CN115246099A (zh) 在化学机械平坦化期间移除杂质的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180501

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190514

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6541492

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250