JP5182989B2 - 液中プラズマ成膜装置、液中プラズマ用電極および液中プラズマを用いた成膜方法 - Google Patents
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Description
前記液体と接触する放電端部を有し導電性をもつ主電極と、
前記液体と接触し、前記放電端部の位置を基準として前記基材が配設される位置よりも該放電端部側に配設されかつ該放電端部に対向する、導電性をもつ副電極と、
前記放電端部の表面と該表面に対向する前記副電極の表面とで区画された空間をもち、該主電極に電力が供給されることで該空間に形成される気泡の内部に前記原料からなるプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
を備え、前記プラズマ発生部で発生した前記プラズマを内包する気泡を前記基材に接触させて、該基材の表面に該原料の分解成分を堆積させることを特徴とする。
前記液体と接触する放電端部を有し導電性をもつ主電極と、
前記放電端部の表面を除く前記主電極の外周を覆う絶縁部材と、
前記液体と接触し、前記絶縁部材を介して前記放電端部に被着されるキャップ状で、該放電端部の表面と間隔をもって配置される、導電性をもつ副電極と、
前記放電端部の表面と該表面に対向する前記副電極の表面とで区画された空間をもち、前記主電極に電力が供給されることで該空間に形成される気泡の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記副電極に設けられた前記プラズマ発生部と連通する1以上の開口であって、該プラズマ発生部で発生したプラズマを内包する前記気泡を該プラズマ発生部から放出するプラズマ放出部と、
を備えることを特徴とする。
原料を含む液体中に、基材と液中プラズマ用電極とを互いに対向させて配設する配設工程と、
前記液中プラズマ用電極に電力を供給して、前記液体中に、気泡の内部に前記原料からなるプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、
を経て、前記基材の表面に前記原料の分解成分を堆積させる液中プラズマを用いた成膜方法であって、
前記液中プラズマ用電極は、
前記液体と接触する放電端部を有し導電性をもつ主電極と、
前記液体と接触し、前記放電端部の位置を基準として前記基材が配設される位置よりも該放電端部側に配設されかつ該放電端部に対向する、導電性をもつ副電極と、
前記放電端部の表面と該表面に対向する前記副電極の表面とで区画された空間をもち、該主電極に電力が供給されることで該空間に前記プラズマを内包する前記気泡を発生させるプラズマ発生部と、
を備えることを特徴とする。
本発明の液中プラズマ成膜装置(以下「本発明の成膜装置」と略記)を、図1を用いて説明する。図1に本発明の成膜装置の概略を示すが、図1は本発明の成膜装置の一例であり、各構成要素の配置や形状は図1に示す形態に限られない。
本発明の液中プラズマ用電極を、図2を用いて説明する。図2は本発明の液中プラズマ用電極の平面図(上図)および軸方向断面図(下図)であるが、図2は本発明の液中プラズマ用電極の一例であり、各構成要素の配置や形状は図2に示す形態に限られない。
本発明の液中プラズマを用いた成膜方法では、原料を含む液体中に、基材と液中プラズマ用電極とを互いに対向させて配設する配設工程と、上記の液中プラズマ用電極に電力を供給して、液体中に、気泡の内部に原料からなるプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、を経て、基材の表面に原料の分解成分を堆積させる。
液中プラズマ用電極4(図2)は、主電極41および副電極46を有する。主電極41は、直径3mmφのタングステン丸棒であって、その放電端部42の先端は曲率半径1.5mmの半球状である。主電極41には、その外周面を被覆する厚さ1.5mmの石英管(絶縁部材43)が外嵌されている。このとき、主電極41の端面である放電端部42の頂面と略平行な絶縁部材43の端面を基準面とし、基準面から端面(頂面)を含む面までの距離(突出量X)は、主電極41と絶縁部材43とを軸方向に相対移動させることで調整できる。
図3は、液中プラズマ成膜装置の説明図である。液中プラズマ成膜装置は、容器81および91と、液中プラズマ用電極4と、電源装置7と、を有する。
上記の液中プラズマ成膜装置を用いて、メタノール中でプラズマを発生させた。
開口径Wの異なる4種類の液中プラズマ用電極4を用いて、基板表面に非晶質炭素膜を成膜した。
液体L’としてメタノールを準備し、液中プラズマ発生装置の容器81に満たした。また、液中プラズマ用電極4は、突出量X=0mm、開口径W=1.0mmとした。基板S’には、シリコンウエハーを用いた。
液中プラズマ用電極4の開口径をW=1.5mmとした他は、成膜1と同様にして基板S’の表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、成膜2で得られた試料を#12とする。
液中プラズマ用電極4の開口径をW=1.7mmとした他は、成膜1と同様にして基板S’の表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、成膜3で得られた試料を#13とする。
液中プラズマ用電極4の開口径をW=2.0mmとし、成膜時間を3分とした他は、成膜1と同様にして基板S’の表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、成膜4で得られた試料を#14とする。
液中プラズマ用電極4から副電極46を取り外し、成膜時間を3分とした他は、成膜1と同様にして基板S’の表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、成膜5で得られた試料を#C1とする。
図9に示す液中プラズマ成膜装置は、副電極として金網を用いた液中プラズマ用電極5を有する他は、既に説明した液中プラズマ成膜装置と同様である。主電極51、放電端部52および絶縁部材53は、上記の主電極41、放電端部42および絶縁部材43(図2)と同じである。副電極である金網56は、基板S’の被成膜面の周縁部に配した絶縁性のスペーサ55を介して、被成膜面に対して平行に固定される。
液中プラズマ成膜装置IIを用いて、基板表面に非晶質炭素膜を成膜した。
液体L’としてメタノールを準備し、液中プラズマ発生装置IIの容器81に満たした。また、液中プラズマ用電極5は、金網56として、線径φ0.1mmのタングステン金網(1インチ当たりに含まれる網目の数:20mesh/in)を準備した。基板S’には、シリコンウエハーを用いた。
金網56を取り外した他は、成膜6と同様にして基板S’の表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、成膜7で得られた試料を#C2とする。
図12に示す液中プラズマ成膜装置は、副電極として棒状体を用いた液中プラズマ用電極6を有する他は、既に説明した液中プラズマ成膜装置と同様である。主電極61、放電端部62および絶縁部材63は、上記の主電極41、放電端部42および絶縁部材43(図2)と同じである。
液中プラズマ成膜装置IIIを用いて、基板表面に非晶質炭素膜を成膜した。
液体L’としてメタノールを準備し、液中プラズマ発生装置IIIの容器81に満たした。また、液中プラズマ用電極6は、棒状体66として、線径φ0.3mmのタングステンワイヤを所定の長さに切り取って準備した。基板S’には、高速度工具鋼(SKH51)からなる板材の中央部に直径φ0.5mmの貫通孔hを形成して用いた。
棒状体66を取り外し、高周波電源7の出力を180W(反射:30W)とした他は、成膜8と同様にして基板S’の表面に非晶質炭素膜を成膜した。なお、成膜9で得られた試料を#C3とする。
成膜1〜9で得られた試料#11〜#14、#21、#31および#C1〜#C3について、表面観察および断面観察を行った。表面観察には走査電子顕微鏡(SEM)観察、断面観察には収束イオンビーム(FIB)法を用いた。結果を図4〜図8、図10、図11、図13および図14にそれぞれ示す。なお、各図において、AはSEMによる表面観察、BはFIBによる断面観察の結果を示す図面代用写真である。FIB像では、最も暗い部分が基板S’の断面であって、その上が非晶質炭素膜の断面、さらにその上の明るい部分が非晶質炭素膜の表面である。図7Bおよび図8Bでは、矢印で示す範囲が非晶質炭素膜の断面である。
2、4、5、6:液中プラズマ用電極
21、41、51、61:主電極 22、42、52、62:放電端部
23、43、53、63:絶縁部材
26、46、56、66:副電極 27、47:プラズマ放出部
29、49、59、69:プラズマ発生部
3、7:高周波電源
S、S’:基板(基材)
L、L’:液体
Claims (15)
- 基材と原料を含む液体とを収容可能な容器と、該容器中に配設される液中プラズマ用電極と、該液中プラズマ用電極に電力を供給する電源装置と、を有する液中プラズマ成膜装置において、前記液中プラズマ用電極は、
前記液体と接触する放電端部を有し導電性をもつ主電極と、
前記液体と接触し、前記放電端部の位置を基準として前記基材が配設される位置よりも該放電端部側に配設されかつ該放電端部に対向する、導電性をもつ副電極と、
前記放電端部の表面と該表面に対向する前記副電極の表面とで区画された空間をもち、該主電極に電力が供給されることで該空間に形成される気泡の内部に前記原料からなるプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
を備え、前記プラズマ発生部で発生した前記プラズマを内包する気泡を前記基材に接触させて、該基材の表面に該原料の分解成分を堆積させることを特徴とする液中プラズマ成膜装置。 - 前記主電極は、前記放電端部を前記基材に対向させて配設され、
前記副電極は、該基材と該主電極との間に配設される請求項1記載の液中プラズマ成膜装置。 - 前記液中プラズマ用電極は、さらに、前記プラズマ発生部で発生したプラズマを内包する前記気泡を該プラズマ発生部から放出するプラズマ放出部を備える請求項1または2記載の液中プラズマ成膜装置。
- 前記プラズマ放出部は、前記副電極に設けられ前記プラズマ発生部と連通する1以上の開口である請求項3記載の液中プラズマ成膜装置。
- 前記副電極は、前記開口として厚さ方向に貫通する複数の貫通孔をもつ板状体からなる請求項4記載の液中プラズマ成膜装置。
- 前記主電極は、前記放電端部の表面を除く外周を覆う絶縁部材を備え、
前記副電極は、該絶縁部材を介して該放電端部に被着するキャップ形状である請求項4記載の液中プラズマ成膜装置。 - 前記副電極は、前記主電極の前記放電端部の表面の少なくとも一部と対向する先端部をもつ棒状体である請求項1または2記載の液中プラズマ成膜装置。
- 前記プラズマ発生部は、前記空間を連続して接続する前記気泡により形成される気相空間をもつ請求項1記載の液中プラズマ成膜装置。
- 前記主電極、前記副電極および前記基材は、該主電極の前記放電端部の表面と該副電極の表面との間でアーク放電が生じる放電距離が、該主電極の該放電端部の表面と該基材の表面との間でアーク放電が生じる放電距離よりも短くなるように、それぞれ配置されている請求項1〜8のいずれかに記載の液中プラズマ成膜装置。
- 前記電源装置は、前記主電極に高周波電力を印加する高周波電源装置である請求項1〜9のいずれかに記載の液中プラズマ成膜装置。
- 液体中にプラズマを発生させる液中プラズマ用電極であって、
前記液体と接触する放電端部を有し導電性をもつ主電極と、
前記放電端部の表面を除く前記主電極の外周を覆う絶縁部材と、
前記液体と接触し、前記絶縁部材を介して前記放電端部に被着されるキャップ状で、該放電端部の表面と間隔をもって配置される、導電性をもつ副電極と、
前記放電端部の表面と該表面に対向する前記副電極の表面とで区画された空間をもち、前記主電極に電力が供給されることで該空間に形成される気泡の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記副電極に設けられた前記プラズマ発生部と連通する1以上の開口であって、該プラズマ発生部で発生したプラズマを内包する前記気泡を該プラズマ発生部から放出するプラズマ放出部と、
を備えることを特徴とする液中プラズマ用電極。 - 前記主電極の少なくとも前記放電端部は円柱形状であって、前記副電極は前記開口を底面に有する有底円筒形状である請求項11記載の液中プラズマ用電極。
- 前記開口は、直径が1mm以上2mm未満である請求項12記載の液中プラズマ用電極。
- 原料を含む液体中に、基材と液中プラズマ用電極とを互いに対向させて配設する配設工程と、
前記液中プラズマ用電極に電力を供給して、前記液体中に、気泡の内部に前記原料からなるプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、
を経て、前記基材の表面に前記原料の分解成分を堆積させる液中プラズマを用いた成膜方法であって、
前記液中プラズマ用電極は、
前記液体と接触する放電端部を有し導電性をもつ主電極と、
前記液体と接触し、前記放電端部の位置を基準として前記基材が配設される位置よりも該放電端部側に配設されかつ該放電端部に対向する、導電性をもつ副電極と、
前記放電端部の表面と該表面に対向する前記副電極の表面とで区画された空間をもち、該主電極に電力が供給されることで該空間に前記プラズマを内包する前記気泡を発生させるプラズマ発生部と、
を備えることを特徴とする液中プラズマを用いた成膜方法。 - 前記原料は有機化合物であり、前記基材の表面に非晶質炭素膜を成膜する請求項14記載の液中プラズマを用いた成膜方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008236934A JP5182989B2 (ja) | 2008-03-07 | 2008-09-16 | 液中プラズマ成膜装置、液中プラズマ用電極および液中プラズマを用いた成膜方法 |
PCT/JP2009/054365 WO2009110625A1 (ja) | 2008-03-07 | 2009-03-02 | 液中プラズマ成膜装置、液中プラズマ用電極および液中プラズマを用いた成膜方法 |
US12/671,773 US8607732B2 (en) | 2008-03-07 | 2009-03-02 | In-liquid plasma film-forming apparatus, electrode for in-liquid plasma, and film-forming method using in-liquid plasma |
DE112009000734T DE112009000734T5 (de) | 2008-03-07 | 2009-03-02 | Flüssigkeitsbasiertes Plasmaschichtausbildungsgerät, Elektrode für flüssigkeitsbasiertes Plasma, und Schichtausbildungsverfahren unter Verwendung von flüssigkeitsbasiertem Plasma |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008057890 | 2008-03-07 | ||
JP2008057890 | 2008-03-07 | ||
JP2008236934A JP5182989B2 (ja) | 2008-03-07 | 2008-09-16 | 液中プラズマ成膜装置、液中プラズマ用電極および液中プラズマを用いた成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009235559A JP2009235559A (ja) | 2009-10-15 |
JP5182989B2 true JP5182989B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=41056173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008236934A Expired - Fee Related JP5182989B2 (ja) | 2008-03-07 | 2008-09-16 | 液中プラズマ成膜装置、液中プラズマ用電極および液中プラズマを用いた成膜方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8607732B2 (ja) |
JP (1) | JP5182989B2 (ja) |
DE (1) | DE112009000734T5 (ja) |
WO (1) | WO2009110625A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5083825B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2012-11-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 液体中プラズマ放電装置 |
JP5678493B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-03-04 | 国立大学法人名古屋大学 | 液中プラズマ用電極および液中プラズマ装置 |
JP5569259B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2014-08-13 | Jfeスチール株式会社 | 表面改質された導電性材料の製造方法 |
CN103636294A (zh) * | 2011-04-28 | 2014-03-12 | 旭有机材工业株式会社 | 等离子体生成方法及生成装置 |
JP5874111B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2016-03-02 | 株式会社エイプル技研 | ナノ粒子製造装置、ナノ粒子製造方法、ナノ粒子、亜鉛/酸化亜鉛ナノ粒子および水酸化マグネシウムナノ粒子 |
JP5988205B2 (ja) * | 2012-08-23 | 2016-09-07 | 学校法人中部大学 | グラフェンの製造方法 |
JP2014167880A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Nagoya Univ | 液中プラズマ用電極および液中プラズマ発生装置 |
JP5821020B2 (ja) | 2013-04-18 | 2015-11-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 液体処理装置及び液体処理方法 |
KR20160021133A (ko) * | 2013-06-19 | 2016-02-24 | 옵셰스트바 에스 아그라니첸니 아트베츠트벤나스티유 ″플라즈마-에스카″ | 나노스케일 탄소의 콜로이드 용액 제조방법 |
CZ2014290A3 (cs) * | 2014-04-29 | 2015-07-22 | Vysoké Učení Technické V Brně | Systém trysky pro generování plazmatu v kapalinách |
AU2016263428B2 (en) | 2015-05-15 | 2021-04-22 | Clear Intradermal Technologies, Inc. | Systems and methods for tattoo removal using cold plasma |
US11490947B2 (en) | 2015-05-15 | 2022-11-08 | Clear Intradermal Technologies, Inc. | Tattoo removal using a liquid-gas mixture with plasma gas bubbles |
JP6726865B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2020-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ生成装置 |
JP6541492B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法および液処理装置 |
JP6587159B2 (ja) | 2017-06-26 | 2019-10-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 液体処理装置 |
KR102031294B1 (ko) * | 2018-01-08 | 2019-11-08 | 한국기초과학지원연구원 | 액체 플라즈마 연속 코팅장치 및 방법 |
JP6799824B2 (ja) | 2018-05-16 | 2020-12-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 液体処理装置 |
US11911090B2 (en) | 2018-12-19 | 2024-02-27 | Clear Intradermal Technologies, Inc. | Systems and methods for tattoo removal using an applied electric field |
KR102619877B1 (ko) * | 2019-09-11 | 2024-01-03 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2807912B1 (fr) * | 2000-04-17 | 2003-06-27 | Lasers Et Tech Avancees Bureau | Procede et torche a plasma pour traiter une surface dans une cavite, et installation de remplissage bouchage s'y rapportant |
AUPR129900A0 (en) | 2000-11-08 | 2000-11-30 | Chang, Chak Man Thomas | Plasma electroplating |
US6960307B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-11-01 | Leclair Mark L | Method and apparatus for the controlled formation of cavitation bubbles |
JP3624238B2 (ja) | 2002-04-01 | 2005-03-02 | 株式会社テクノネットワーク四国 | プラズマを発生させる方法およびプラズマ発生装置 |
JP3624239B2 (ja) | 2002-10-29 | 2005-03-02 | 株式会社テクノネットワーク四国 | 液中プラズマ発生装置、薄膜形成方法およびシリコンカーバイト膜 |
US7067204B2 (en) * | 2002-04-01 | 2006-06-27 | National University Corporation Ehime University | Submerged plasma generator, method of generating plasma in liquid and method of decomposing toxic substance with plasma in liquid |
WO2006059808A1 (ja) | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置および液中プラズマ発生方法 |
CN101146741B (zh) * | 2005-03-30 | 2011-05-25 | 株式会社丰田自动织机 | 无定形碳膜的制备方法 |
JP4665111B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-04-06 | 株式会社豊田自動織機 | シリコン酸化膜の製造方法 |
-
2008
- 2008-09-16 JP JP2008236934A patent/JP5182989B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-02 US US12/671,773 patent/US8607732B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-02 WO PCT/JP2009/054365 patent/WO2009110625A1/ja active Application Filing
- 2009-03-02 DE DE112009000734T patent/DE112009000734T5/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8607732B2 (en) | 2013-12-17 |
WO2009110625A1 (ja) | 2009-09-11 |
US20110229656A1 (en) | 2011-09-22 |
JP2009235559A (ja) | 2009-10-15 |
DE112009000734T5 (de) | 2011-04-14 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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